專(zhuān)利名稱(chēng)：氣體供應(yīng)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種氣體供應(yīng)裝置，且特別有關(guān)于一種蝕刻或潔凈基底的氣體供應(yīng)裝置。
背景技術(shù)：
在微米制造技術(shù)中，隨著微機(jī)電元件的關(guān)鍵尺寸逐漸縮小，對(duì)于硅晶片上污染移除的潔凈制程的效果改善已隨之漸形重要，一般而言，晶片污染來(lái)自晶片制造與包裝過(guò)程期間，晶片暴露于大氣中受污染機(jī)率提高，且在量產(chǎn)過(guò)程中，在人體接觸的環(huán)境下，使晶片暴露于含有大量的微粒、有機(jī)殘余物、吸附的金屬離子及其他污染物，這些因素皆會(huì)對(duì)晶片產(chǎn)生不利的影響。因此，在微米制造過(guò)程中的晶片潔凈步驟則扮演很重要的角色，且一般半導(dǎo)體制程中約有三分之一的步驟為潔凈步驟，由此更可窺得其重要性。
為了提高微米制造產(chǎn)品的良率，潔凈制程需倚賴(lài)晶片污染物的移除，且不會(huì)傷害、損耗晶片，此外，其亦不得導(dǎo)入其他更多的污染物于晶片上。對(duì)于硅晶片而言，這樣的潔凈步驟典型地包含晶片上既有原生氧化層的移除，在晶片制造過(guò)程中，金屬及其他污染物會(huì)落入此原生氧化層中且關(guān)鍵性地污染高溫制程機(jī)臺(tái)。因此，一般會(huì)在實(shí)施高溫晶片制程前，對(duì)整合性晶片進(jìn)行潔凈制程期間移除原生氧化層。
傳統(tǒng)上，硅晶片是通過(guò)氣相潔凈步驟進(jìn)行清洗，其一般是施以酸、堿及各種化合物的混合物進(jìn)行，以往，液態(tài)氣相制程已有效地移除污染物及原生氧化層，但是目前，隨著微機(jī)電圖案縮小至次微米等級(jí)，晶片表面圖型的深寬比(aspect ratio)逐漸增大，傳統(tǒng)的液態(tài)潔凈制程已無(wú)法提供有效的清潔功能甚而完全失去效能，潤(rùn)濕(rinse)溶液在高深寬比圖形的內(nèi)部或周?chē)母稍镉@困難，且會(huì)導(dǎo)致污染物陷入所述圖形內(nèi)；更甚者，在過(guò)去認(rèn)為對(duì)傳統(tǒng)使用的微機(jī)電材料為有利的傳統(tǒng)上使用的液態(tài)清洗化學(xué)藥品，現(xiàn)今已對(duì)新型微機(jī)電材料的污染及新外來(lái)的微機(jī)電材料為有害的。
此外，形成于硅基底上的原生氧化層相當(dāng)細(xì)薄，因此難以控制對(duì)該層的蝕刻均勻性以選擇性地對(duì)原生氧化層進(jìn)行蝕刻，其導(dǎo)致除了原生氧化層的其他氧化層容易同時(shí)與原生氧化層進(jìn)行蝕刻；尤甚者，在單一晶片上，會(huì)有周邊區(qū)域的蝕刻率高于中心區(qū)域的蝕刻率的現(xiàn)象；換句話(huà)說(shuō)，傳統(tǒng)干式蝕刻方法并不滿(mǎn)足于單一晶片上的全表面上的蝕刻率均勻性。
因此，如上所述，制程均勻度的控制不良與不必要制程污染物的產(chǎn)生是目前所面臨的問(wèn)題，此外，傳統(tǒng)上認(rèn)為，污染物與原生氧化層移除制程不易具有可重復(fù)性，或其蝕刻均勻度表現(xiàn)不佳，這種情況與起始晶片的狀態(tài)，如起始晶片的污染情況，息息相關(guān)，這些各種因素，可用以衡量及評(píng)估污染物與原生氧化層移除制程效果的優(yōu)劣。
對(duì)于以上所提欲解決的問(wèn)題，因此，對(duì)清洗硅晶片制程以至于原生氧化層的移除及厚二氧化硅層的蝕刻，使用無(wú)水反應(yīng)氣體，如氟化氫氣體，以進(jìn)行深入研究，進(jìn)而達(dá)到具有良好蝕刻均勻性且又具低污染的優(yōu)勢(shì)潔凈制程。
發(fā)明內(nèi)容
為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明是提供一氣體供應(yīng)裝置，通過(guò)氣體以蝕刻或潔凈元件的基底，進(jìn)而改善傳統(tǒng)蝕刻均勻性污染高的潔凈制程能力不足問(wèn)題。
為達(dá)上述目的，本發(fā)明主要是提供一種氣體供應(yīng)裝置，包括一第一氣體來(lái)源，提供惰性載氣(inert carrier gas)且連接于一第一管線(xiàn)(pipeline)；一第二氣體來(lái)源，提供無(wú)水反應(yīng)氣體且連接于一第二管線(xiàn)；一第三氣體來(lái)源，提供具有化學(xué)成份的氣體且連接于一第三管線(xiàn)；一主管線(xiàn)，連接于該第一管線(xiàn)、第二管線(xiàn)及第三管線(xiàn)，以供應(yīng)一混合氣體，其中該混合氣體是具有惰性載氣、無(wú)水反應(yīng)氣體及具有化學(xué)成份的氣體；及一溫度控制器，位于該第二管線(xiàn)上。
本發(fā)明所述的氣體供應(yīng)裝置，其中該溫度控制器包括一連接于該第二管線(xiàn)的加熱帶。
本發(fā)明所述的氣體供應(yīng)裝置，其中該第二氣體來(lái)源維持一第一溫度，以穩(wěn)定該第二氣體來(lái)源所提供的氣體的分子結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明所述的氣體供應(yīng)裝置，其中該溫度控制器維持一第二溫度，其中該第二溫度與該第一溫度相同。
本發(fā)明所述的氣體供應(yīng)裝置，其中該溫度控制器維持該第二溫度范圍自30℃至70℃。
本發(fā)明所述的氣體供應(yīng)裝置，其中該混合氣體用以蝕刻一氧化膜層，以維持蝕刻均勻度于2％以下。
本發(fā)明所述的氣體供應(yīng)裝置，其中該第二氣體來(lái)源所提供的氣體包括一可提供一穩(wěn)流氣體的反應(yīng)氣體，其中該穩(wěn)流氣體為無(wú)水含鹵素氣體、聯(lián)氨、氨、二氧化碳或含氮氧化物。
本發(fā)明所述的氣體供應(yīng)裝置，其中該無(wú)水含鹵素氣體包括無(wú)水氟化氫。
本發(fā)明所述的氣體供應(yīng)裝置，其中該混合氣體包括水或一有機(jī)化合物，其中該有機(jī)化合物選自由醇、醛、酮及羧酸所組成的群。
另外，本發(fā)明亦提供一種用以蝕刻或潔凈基底的裝置，包括一制程反應(yīng)室，用以承載及處理基底；及一種氣體供應(yīng)裝置，用以提供一混合氣體于氣體反應(yīng)室內(nèi)。其中此氣體供應(yīng)裝置包括一第一氣體來(lái)源，提供惰性載氣且連接于一第一管線(xiàn)；一第二氣體來(lái)源，提供無(wú)水反應(yīng)氣體且連接于一第二管線(xiàn)；一第三氣體來(lái)源，提供具有化學(xué)成份的氣體且連接于一第三管線(xiàn)；一主管線(xiàn)，連接于該第一管線(xiàn)、第二管線(xiàn)及第三管線(xiàn)，以供應(yīng)一混合氣體，其中該混合氣體是具有惰性載氣、無(wú)水反應(yīng)氣體及具有化學(xué)成份的氣體；及一溫度控制器，位于該第二管線(xiàn)上。
本發(fā)明所述的氣體供應(yīng)裝置，具有良好蝕刻均勻性且又具低污染的優(yōu)勢(shì)潔凈制程。
圖1是繪示依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的氣體供應(yīng)裝置的示意圖。
圖2是繪示依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的用以蝕刻或潔凈基底的裝置的示意圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明將通過(guò)以下的較佳具體實(shí)施例而作更進(jìn)一步地詳細(xì)說(shuō)明，且范例是伴隨著圖式說(shuō)明之，但這些具體實(shí)施例僅是作為舉例說(shuō)明，而非用以限定本發(fā)明的范疇。在圖式或描述中，相似或相同的部分是使用相同的圖號(hào)。在圖式中，實(shí)施例的形狀或是厚度可擴(kuò)大，以簡(jiǎn)化或是方便標(biāo)示。圖式中各元件的部分將分別描述說(shuō)明之，值得注意的是，圖中未繪示或描述的元件，可以具有各種本領(lǐng)域技術(shù)人員所知的形式。
由于既有的提供蝕刻混合氣體的氣體供應(yīng)裝置無(wú)法提供適當(dāng)?shù)奈g刻均勻度，因此，發(fā)展一用以蝕刻或潔凈基底的裝置，提供適當(dāng)?shù)奈g刻均勻性表現(xiàn)，為本領(lǐng)域的重要關(guān)鍵。
以下的實(shí)施例是提供一氣體供應(yīng)裝置，其提供可提供良好蝕刻均勻度的混合氣體，通過(guò)使用具有溫度控制器的氣體供應(yīng)裝置以移除氧化層。
請(qǐng)參考圖1，其揭示一提供無(wú)水反應(yīng)氣體系統(tǒng)的元件100，此圖描述此氣體供應(yīng)裝置100。此蝕刻混合氣體的供應(yīng)裝置100是包括第一氣體來(lái)源110、第二氣體來(lái)源130、第三氣體來(lái)源150、主管線(xiàn)170及溫度控制器180。其中，第一氣體來(lái)源110為提供惰性載氣，且連接于第一管線(xiàn)120；第二氣體來(lái)源130為提供無(wú)水反應(yīng)氣體，連接于第二管線(xiàn)140；第三氣體來(lái)源150為提供具有化學(xué)成份的氣體，且連接于第三管線(xiàn)160；主管線(xiàn)170為連接于上述的第一管線(xiàn)、第二管線(xiàn)及第三管線(xiàn)，以供應(yīng)一混合氣體，此混合氣體是具有惰性載氣、無(wú)水反應(yīng)氣體及具有化學(xué)成份的氣體；而溫度控制器180則位于該第二管線(xiàn)140上。
一般而言，含有無(wú)水反應(yīng)氣體的第二氣體來(lái)源130選自可提供一穩(wěn)流氣體的反應(yīng)氣體，例如，氣態(tài)氟化氫、聯(lián)氨(hydrazine)、氨(ammonia)、二氧化碳或含氮氧化物。氟化氫的供應(yīng)源可由存于圓柱狀容器內(nèi)的液體提供，在足以氣化液態(tài)氟化氫的溫度下，將其自供應(yīng)源氣體處蒸發(fā)，典型上來(lái)說(shuō)，氟化氫的供應(yīng)源是維持于一適當(dāng)溫度下以確保氟化氫維持在無(wú)水狀態(tài)下，據(jù)此，無(wú)水氟化氫供應(yīng)源約維持在43℃。
連接于第二管線(xiàn)140的溫度控制器180可維持在一固定溫度范圍內(nèi)以防止無(wú)水反應(yīng)氣體分子的凝結(jié)并穩(wěn)定其內(nèi)的無(wú)水反應(yīng)氣體系統(tǒng)，若第二管線(xiàn)140未加熱至足夠高的溫度，氣體壓力則不足以驅(qū)動(dòng)無(wú)水反應(yīng)氣體分子，因此，維持溫度控制器180于足夠高溫狀態(tài)是重要的關(guān)鍵，較佳為維持30℃至70℃的高溫。此外，由于制程于常態(tài)溫度下進(jìn)行時(shí)，溫度控制器180可使整個(gè)氣體供應(yīng)裝置有效地使用于各種環(huán)境下，無(wú)須顧慮周遭溫度變化，亦無(wú)須考慮可能需要額外的改良以防止分子凝結(jié)問(wèn)題產(chǎn)生。溫度控制器180可以任何形式存在于氣體供應(yīng)裝置100內(nèi)，較佳者為設(shè)置一加熱帶于其上。
一般而言，含有無(wú)水反應(yīng)氣體的第二氣體來(lái)源130是維持一第一溫度，以穩(wěn)定此氣體的分子結(jié)構(gòu)，且溫度控制器180是維持與第一溫度接近的第二溫度，此第二溫度較佳為30℃至70℃；其中，此溫度控制器180較佳為加熱帶，連接于第二管線(xiàn)140上。
反應(yīng)氣體可自任何可提供穩(wěn)定無(wú)水含鹵素氣體流的供應(yīng)源衍生而得，且此供應(yīng)源可經(jīng)由反應(yīng)系統(tǒng)維持完整的氣體狀態(tài)，其中，氟化氫為使用于此制程中的一較佳的含鹵素氣體，例如，可以純無(wú)水氟化氫作為氣體來(lái)源。
由于無(wú)水氟化氫在晶片表面上的反應(yīng)速率與移除均勻度的控制表現(xiàn)良好，因此，一般認(rèn)為較佳的氣體來(lái)源為于蒸氣壓力下以液體形式存在的無(wú)水氟化氫。
于一實(shí)施例中，雖然無(wú)水氟化氫為用于蝕刻制程中的較佳氣體來(lái)源，但其他含鹵素氣體亦可取代之，舉例而言，這些氣體可以是無(wú)水含鹵氣體，這些鹵素包括氯、溴、氟及碘，而鹵化氫氣體則包含碘化氫、溴化氫及氯化氫。
于一實(shí)施例中，使用于半導(dǎo)體制程中的惰性載氣110，可以是對(duì)欲處理材料不具反應(yīng)活性的任何氣體，其余制程條件下維持在氣態(tài)狀態(tài)，適合的氣體包括鈍氣(noble gas)，如氮、氬、氖、氦、氪(krypton)及氙(xenon)。在一較佳實(shí)施例中，此半導(dǎo)體制程是使用純氮?dú)怏w為其惰性氣體。
惰性載氣110在反應(yīng)過(guò)程之前與之后，使用于凈化(purge)制程反應(yīng)室與連接系統(tǒng)的氣體管線(xiàn)內(nèi)，且可用于稀釋反應(yīng)氣體及制備為水蒸氣惰性氣體，惰性載氣與反應(yīng)氣體混合而形成蝕刻劑介質(zhì)，如上所述，惰性氣體可與反應(yīng)氣體為相同或不同的惰性氣體，較佳實(shí)施例為氮?dú)?，以配合本發(fā)明制程的干燥氣體或水蒸氣惰性氣體所使用。
提供一含有惰性載氣110的氣體來(lái)源，如干燥的氮?dú)鈿怏w，一般而言，氮?dú)鈿怏w來(lái)源需具有極高的純度，且氮?dú)鈿怏w來(lái)源可維持于室溫下。
提供一具有化學(xué)成份的氣體的氣體來(lái)源150，如水蒸氣類(lèi)物質(zhì)，同樣地，所供應(yīng)的水需具有高純度，如去離子水。
除了如水、甲醇、乙醇及異丙醇等醇類(lèi)的化合物，亦可使用其他有機(jī)液體的蝕刻化合物，舉例而言，可使用酮類(lèi)，如丙酮、甲基乙基酮(methyl ethyl ketone)，醛類(lèi)，如甲醛(formaldehyde)、乙醛(acetaldehyde)及羧酸，如甲酸(formicacid)、乙酸(acetic acid)于部分實(shí)施例中，其中，較佳實(shí)施例為異丙醇。
典型地，在氣體供應(yīng)裝置100中的蝕刻氣體混合物是用以對(duì)氧化層進(jìn)行蝕刻，借此維持蝕刻均勻度于2％以下。
圖2顯示用以氣體蝕刻或清洗基底的裝置，此裝置用以結(jié)合上述的氣體供應(yīng)裝置，在一實(shí)例中，制程裝置300描述于圖中，如圖所示，制程反應(yīng)室310經(jīng)由一主要管線(xiàn)270供給制程氣體，與此主要管線(xiàn)270相連接者為分支管線(xiàn)，這些管線(xiàn)分別為第一管線(xiàn)220、第二管線(xiàn)240、第三管線(xiàn)260，其分別連接提供如氮?dú)獾亩栊暂d氣的第一氣體來(lái)源210、提供無(wú)水反應(yīng)氣體的第二氣體來(lái)源230、提供氣相化合物的第三氣體來(lái)源250；此外，溫度控制器280位于第二管線(xiàn)240上。
參考圖2，提供一欲蝕刻的晶片340，對(duì)此晶片的一表側(cè)350進(jìn)行蝕刻或清洗反應(yīng)，如前所述，欲進(jìn)行蝕刻或移除的膜層可位于晶片340的表側(cè)350，可完全移除或選擇性移除此膜層，該膜層包括二氧化硅、二氧化多晶硅、氮化硅或其他前述的相關(guān)材料，雖然上述實(shí)施例為使用硅晶片基底，本發(fā)明仍可使用其他基底，例如其他半導(dǎo)體材料如鍺化硅的基底，亦可作為平面顯示器。
本圖示中顯示進(jìn)行此制程的適當(dāng)裝置，晶片340以可轉(zhuǎn)換水平平臺(tái)320所支撐，此基底欲蝕刻者為晶片340的單一表側(cè)350，之后此晶片可制成半導(dǎo)體整合電路晶圓。制程反應(yīng)室310可為開(kāi)放式或封閉式，提供一排放口330于制程反應(yīng)室310內(nèi)，制程反應(yīng)室310一般與外界氣氛相通，以使?jié)崈魵怏w與蝕刻氣體在各種氣相制程期間得以排放出去，排放口330是完全開(kāi)放以避免制造任何反向壓力(back pressure)于制程反應(yīng)室中。制程反應(yīng)室310可以任何材料建構(gòu)而成，在各種制程條件下不與蝕刻氣體產(chǎn)生反應(yīng)，舉例而言，適當(dāng)?shù)牟牧峡砂讳P鋼。
一般而言，本發(fā)明實(shí)施例所處理的基底材料可為各種型態(tài)的基底材料，這些材料不會(huì)與含鹵素氣體蝕刻劑介質(zhì)反應(yīng)，當(dāng)基底材料為待制備為整合電路晶圓的晶片，其典型地可為硅、多晶硅、紅寶石(garnet)、二元相化合物如砷化鎵(galliumarsenide)及磷化銦(indium phosphide)、三元相化合物如鎘汞碲(CdHgTe)、鎵鋁砷(GaAlAs)及鎵銦磷(GaInP)、四元相化合物如鎵銦砷磷(GaInAsP)，其他欲進(jìn)行蝕刻、清洗及/或研磨制程處理的基底材料包括不銹鋼、石英、鋁、鍺、鎵及硒。
典型上可對(duì)晶片基底進(jìn)行一次蝕刻或同時(shí)進(jìn)行多次蝕刻，同時(shí)于制程反應(yīng)室中對(duì)一完整承載25片晶片的晶舟盒或承載物進(jìn)行蝕刻。
這些不同基底可具有各種性質(zhì)的膜層，可通過(guò)高溫條件下施以氧氣對(duì)硅晶片上的氧化膜層進(jìn)行高溫成長(zhǎng)，或于梯度溫度下以水氣與氧隨蒸氣產(chǎn)生，亦或是可由化學(xué)氣相沉積制程生成此膜層。此外，在部分實(shí)施例中，硅晶片上的氧化膜層可以如磷、砷或硼的材料進(jìn)行摻雜，可對(duì)這些不同的膜層進(jìn)行蝕刻。值得注意的是，以磷摻雜的膜層可隨著本發(fā)明同時(shí)進(jìn)行蝕刻，部分實(shí)施例中所述及的蝕刻制程常對(duì)氧或蒸氣成長(zhǎng)膜層進(jìn)行。
由上可知，高溫成長(zhǎng)的膜層是為極致密且具有較低的蝕刻速率，因此，對(duì)蝕刻制程所使用的無(wú)水反應(yīng)氣體濃度做些許調(diào)整是必要的，在梯度溫度中，典型使用的欲蝕刻膜層為成長(zhǎng)于蒸氣與氧氣氛圍下的蒸氣產(chǎn)生膜層，對(duì)這些蒸氣產(chǎn)生膜層穩(wěn)定地進(jìn)行蝕刻所使用的反應(yīng)氣體濃度往往低于對(duì)高溫成長(zhǎng)膜層蝕刻所使用的氣體濃度，一般，通過(guò)化學(xué)氣相沉積制程所使用膜層的致密度低于一般膜層，且其于低反應(yīng)氣體濃度下的蝕刻速率較快。
對(duì)于無(wú)水反應(yīng)氣體而言，如無(wú)水氟化氫氣體，已摻雜的膜層可視為具有高度可蝕刻性，且僅需要稀釋的反應(yīng)氣體濃度即可完成所需的蝕刻步驟，對(duì)這樣的已摻雜膜層，無(wú)需額外的惰性氣體混合水蒸氣，已可為穩(wěn)定地完成蝕刻步驟。
多晶硅層可形成于硅基底上，且此多晶硅的上方具有氧化膜層，于部分實(shí)施例中，可以與二氧化硅膜層相同的蝕刻方式對(duì)該氧化膜層部分或全面性進(jìn)行蝕刻。
一般而言，通過(guò)混合少量無(wú)水反應(yīng)氣體及一定量的無(wú)水惰性氣體并亦混合少量含水氮?dú)庖赃M(jìn)行蝕刻制程，其中該無(wú)水反應(yīng)性氣體較佳地為無(wú)水氟化氫氣體，該無(wú)水惰性氣體較佳為氮?dú)?，其可作為無(wú)水反應(yīng)室氣體的稀釋劑。此混合氣體可留置制程反應(yīng)室310內(nèi)以使晶片340的膜層表側(cè)350暴露于此稀釋的反應(yīng)氣體氛圍內(nèi)，且少量水蒸氣可起始化氧化膜層與無(wú)水反應(yīng)氣體間的反應(yīng)且可延長(zhǎng)蝕刻制程的作用時(shí)間。
如上所述，蝕刻制程包含以無(wú)水氮?dú)膺M(jìn)行預(yù)清洗，接著當(dāng)反應(yīng)氣體導(dǎo)入并留經(jīng)制程反應(yīng)室310至晶片340時(shí)，真正的蝕刻步驟開(kāi)始進(jìn)行，最后，在反應(yīng)氣體終止時(shí)，進(jìn)行最后的后清洗步驟。
自硅晶片的表側(cè)進(jìn)行移除二氧化硅的蝕刻步驟，所得到的產(chǎn)物是以蒸氣形式存在，真正的蝕刻制程為相當(dāng)復(fù)雜，可包含多道步驟，正式的反應(yīng)機(jī)制并未明確，但所進(jìn)行的制程可以下述解釋說(shuō)明，在蝕刻晶片表面時(shí)，通過(guò)化學(xué)反應(yīng)以如氟化氫蒸氣的無(wú)水反應(yīng)氣體蒸氣對(duì)二氧化硅進(jìn)行移除，其將固態(tài)二氧化硅轉(zhuǎn)換為氣態(tài)形式，此氣態(tài)形式可以是四氟化硅(SiF4)。
若欲在沒(méi)有載氣存在下操作此裝置，一般本領(lǐng)域技術(shù)人員可知悉了解載氣的氣體來(lái)源可自裝置內(nèi)消除且并未影響本發(fā)明的范疇與精神實(shí)質(zhì)。
本發(fā)明可廣泛地應(yīng)用于在半導(dǎo)體制程設(shè)備及LCD制程設(shè)備等領(lǐng)域的清潔蝕刻用途。
以上所述僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何熟悉本項(xiàng)技術(shù)的人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可在此基礎(chǔ)上做進(jìn)一步的改進(jìn)和變化，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以本申請(qǐng)的權(quán)利要求書(shū)所界定的范圍為準(zhǔn)。
附圖中符號(hào)的簡(jiǎn)單說(shuō)明如下100、200氣體供應(yīng)裝置110、210第一氣體來(lái)源120、220第一管線(xiàn)130、230第二氣體來(lái)源140、240第二管線(xiàn)150、250第三氣體來(lái)源160、260第三管線(xiàn)170、270主管線(xiàn)
180、280溫度控制器300制程裝置310制程反應(yīng)室320可轉(zhuǎn)換水平平臺(tái)330排放口340晶片350表側(cè)
權(quán)利要求
1.一種氣體供應(yīng)裝置，其特征在于，該氣體供應(yīng)裝置包括一第一氣體來(lái)源，提供惰性載氣且連接于一第一管線(xiàn)；一第二氣體來(lái)源，提供無(wú)水反應(yīng)氣體且連接于一第二管線(xiàn)；一第三氣體來(lái)源，提供具有化學(xué)成份的氣體且連接于一第三管線(xiàn)；一主管線(xiàn)，連接于該第一管線(xiàn)、第二管線(xiàn)及第三管線(xiàn)，以供應(yīng)一混合氣體，其中該混合氣體具有該惰性載氣、該無(wú)水反應(yīng)氣體及該具有化學(xué)成份的氣體；及一溫度控制器，位于該第二管線(xiàn)上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體供應(yīng)裝置，其特征在于，該溫度控制器包括一連接于該第二管線(xiàn)的加熱帶。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體供應(yīng)裝置，其特征在于，該第二氣體來(lái)源維持一第一溫度，以穩(wěn)定該第二氣體來(lái)源所提供的氣體的分子結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氣體供應(yīng)裝置，其特征在于，該溫度控制器維持一第二溫度，其中該第二溫度與該第一溫度相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的氣體供應(yīng)裝置，其特征在于，該溫度控制器維持該第二溫度范圍自30℃至70℃。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體供應(yīng)裝置，其特征在于，該混合氣體用以蝕刻一氧化膜層，以維持蝕刻均勻度于2％以下。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體供應(yīng)裝置，其特征在于，該第二氣體來(lái)源所提供的氣體包括一可提供一穩(wěn)流氣體的反應(yīng)氣體，其中該穩(wěn)流氣體為無(wú)水含鹵素氣體、聯(lián)氨、氨、二氧化碳或含氮氧化物。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的氣體供應(yīng)裝置，其特征在于，該無(wú)水含鹵素氣體包括無(wú)水氟化氫。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體供應(yīng)裝置，其特征在于，該混合氣體包括水或一有機(jī)化合物，其中該有機(jī)化合物選自由醇、醛、酮及羧酸所組成的群。
全文摘要
本發(fā)明提供一種氣體供應(yīng)裝置，包括一第一氣體來(lái)源，提供惰性載氣且連接于一第一管線(xiàn)；一第二氣體來(lái)源，提供無(wú)水反應(yīng)氣體且連接于一第二管線(xiàn)；一第三氣體來(lái)源，提供具有化學(xué)成份的氣體且連接于一第三管線(xiàn)；一主管線(xiàn)，連接于該第一管線(xiàn)、第二管線(xiàn)及第三管線(xiàn)，以供應(yīng)一混合氣體，其中該混合氣體是具有惰性載氣、無(wú)水反應(yīng)氣體及具有化學(xué)成份的氣體；及一溫度控制器，位于該第二管線(xiàn)上。本發(fā)明所述的氣體供應(yīng)裝置，具有良好蝕刻均勻性且又具低污染的優(yōu)勢(shì)潔凈制程。
文檔編號(hào)C23F1/12GK101058883SQ20071009375
公開(kāi)日2007年10月24日 申請(qǐng)日期2007年4月18日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月18日
發(fā)明者姚亮吉, 陳佳麟, 王銘芳, 游明豐, 李昆池, 陳世昌 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司