專利名稱:金屬類膜形成方法以及存儲程序的存儲介質的制作方法
技術領域:
本發明涉及在被處理體表面形成金屬類膜的金屬類膜形成方法以 及存儲程序的存儲介質。
背景技術:
一般地,在半導體設備的制造工序中,具有在被處理體例如半導 體晶片(以下,簡稱為"晶片")的表面形成金屬類膜的工序。例如在 晶片表面形成配線圖形,或者埋入配線間的凹部(通孔)、基板連接用 凹部(連接孔)的情況下進行金屬類膜的成膜。作為這樣的金屬類膜,
例如是將W (鎢)、WSi (硅化鎢)、WN (氮化鎢)、Ti (鈦)、TiN (氮 化鈦)、TiSi (硅化鈦)等金屬或者金屬化合物堆積的薄膜。
像這樣,由于金屬類膜使用于配線等,所以優選使用盡量低電阻 的膜。從這一觀點出發由于鎢膜是上述金屬類膜中電阻率特別小的, 所以,多用于配線間的凹部或者基板連接用凹部的埋入D
在形成這樣的鎢膜時, 一般地,將WF6 (六氟化鎢)氣體作為金 屬類原料氣體使用,通過使用氫、硅垸、二氟硅垸等還原性氣體將其 還原,堆積成鎢膜。并且,在形成鎢膜的情況下,為了提高密接性, 抑制與下層配線金屬或者晶片之間的反應,首先在TiN膜或者Ti膜上 形成形成有TiN膜的疊層膜(TiN/Ti膜)等的作為基底膜的阻擋層, 在該阻擋層上堆積上述鎢膜。
像這樣的鎢膜的成膜, 一般地,分為第一步驟和第二步驟兩個過 程。第一步驟是在上述阻擋層上形成鎢膜的核的步驟(種核步驟),具 體的是,例如在第一步驟將WF6氣體供給到晶片上,主要利用SiH4氣 體進行還原由此形成鎢的薄膜。第二步驟是在第一步驟形成的鎢的分 級層上進行鎢膜的成膜。具體的是例如在第二步驟給鉤膜的分級層上 供給WFs氣體,以還原性較弱的H2氣體代替SiH4氣體作為還原性氣 體供給,通過CVD (Chemical Vapor Deposition:化學氣相沉積)法堆
積鎢膜的厚膜,將鎢埋入在上述凹部。這之后對晶片進行全面蝕刻, 僅在上述凹部保留鉤,由此形成接觸插頭。
但是由于基底膜的種類和表面狀態在上述種核步驟中發生潛伏
(incubation)(成膜推遲)時'間,不能形成均勻的鎢核。在該不均勻的 核上堆積的鎢膜其膜質低劣,鎢膜本身的電阻增大。因此,為了抑制 潛伏的發生,公開了ALD (Atomic Layered Deposition:原子層堆積) 方法,該方法在上述第一步驟,交替供給WF6氣體和例如SiH4 (甲硅 垸)氣體或者B2H6 (乙硼垸)氣體等氫化物氣體并形成薄膜(參照專 利文獻l, 2)。通過該方法,即使在細微的連接孔也可以形成均勻的薄 膜,以此作為核可以實現優質的鎢厚膜的堆積和連接孔的完整埋入。
專利文獻l:特開2002-038271號公報
專利文獻2:特開2003-193233號公報
但是,今后,伴隨著半導體設備的更加細微化以及動作速度的更 加高速化,為了降低連接(通孔)電阻,要求鉤膜等金屬類膜進一步 低電阻化。但是,在如上所述的現有的鋅膜等成膜方法中在實現低電 阻化方面有所限制。為此,為了形成具有比現有技術更低的電阻的金 屬膜,關于金屬類膜的形成方法需要考察與現有技術不同的新觀點。
發明內容
在此,本發明是鑒于上述問題而完成,其目的是立足于與現有技 術不同的觀點,即立足于關注金屬類膜的結晶結構的新觀點進行金屬 類膜的成膜,由此提供可以實現比現有技術進一步低電阻化的金屬類 膜的形成方法以及存儲程序的存儲介質。
為了解決上述課題,依據本發明的觀點,提供一種金屬類膜的形 成方法,其特征在于包括通過交替及復供給上述金屬類原料氣體和 氫化物氣體,形成包含非晶質的第一金屬類膜的第一金屬類膜成膜步 驟;和在上述第一金屬類膜上,通過同時供給上述金屬類原料氣體和 還原性氣體,形成第二金屬類膜的第二金屬類膜成膜步驟。并且,至 少上述第二金屬類膜的結晶結構例如是體心立方結構。
依據所述本發明,在包含非晶質(amorphous)的第一金屬類膜上 形成的第二金屬類膜,通過利用易于形成原子密度最高原子配置最穩
定的取向性的原理,可以形成具有更低電阻的金屬類膜。例如,以包
含非晶質(amorphous)的方式形成第一金屬類膜,由此在該第一金屬 類膜上成膜的第二金屬類膜的結晶結構可以變成具有更低電阻的結晶 結構,如果增大相對于第一金屬類膜的膜厚的第二金屬類膜的膜厚的 比率,可以進一步降低金屬類膜整體的電阻。并且,上述第二金屬類 膜的結晶結構例如是體心立方結構,第二金屬類膜易于形成原子密度 最高原子配置最穩定的(110)面方位的取向性。
另外,在上述方法中的第一金屬類膜成膜步驟優選,通過在供給 上述金屬類原料氣體的步驟和供給上述氫化物氣體的步驟之間,插入 供給不活潑氣體的清潔步驟,交替反復進行,形成上述第一金屬類膜。 像這樣,通過插入清潔步驟,可以排除晶片表面和處理容器內的殘留 氣體。由此,例如通過供給氫化物氣體步驟之后的清潔步驟,可以排 除氫化物氣體的殘留氣體,所以可以抑制第一金屬類膜的結晶化,因 此可以形成包含非晶質(amorphous)的第一金屬類膜。
另外,在上述方法中的清潔步驟中,通過改變在供給上述氫化物 氣體步驟之后的清潔步驟的進行時間,可以改變上述第一金屬類膜包 含的非晶質的比例。例如在供給氫化物氣體步驟之后的清潔步驟的進 行時間越長,就會有大量的氫化物氣體的殘留氣體被排除,因此可以 抑制第一金屬類膜的結晶化,改變第一金屬類膜包含的非晶質的比例。
另外,在上述方法中的清潔步驟中,至少在供給上述氫化物氣體 步驟之后的清潔步驟中插入停止供給上述不活潑氣體的步驟,由此也 可以改變上述第一金屬類膜中包含的非晶質的比例。像這樣,例如在 清潔步驟的中間期間停止供給不活潑氣體,會造成處理容器內壓力急 劇下降。通過這樣的壓力變化,可以進一步提高排除晶片表面或者處 理容器內的殘留氣體的效果,因此可以抑制第一金屬類膜的結晶化, 改變第一金屬類膜包含的非晶質的比例。
另外,上述金屬類原料氣體例如是WF6氣體等的鹵化物氣體。并 且上述氫化物氣體例如是SiH4氣體、B2H6氣體、上述SiH4氣體和上述 B2He氣體的混合氣體中的任意一種。
另外,通過將在上述方法中的氫化物氣體用具有還原性的稀釋氣 體(例如H2氣體)稀釋,也可以改變上述第一金屬類膜包含的非晶質
的比例。這樣的情況下的氫化物氣體例如是B2H6氣體或者PH3氣體。 進一步,氫化物氣體,優選用H2氣體稀釋至5。/。以下的稀釋后的氣體。 這樣的B2H6氣體,PH3氣體等具有比SiH4更強的還原性,因此,例如 通過用H2氣體稀釋再使用,可以抑制多余氣體在晶片表面殘留,即使
其后的清潔步驟縮短,也可以充分排除處理容器內的殘留氣體,防止
再次附著在晶片表面。因此,即使供給B2H6氣體步驟之后的清潔步驟
的進行時間縮短,也可以進行包含有非晶質(amorphous)的第一鎢膜 的成膜。
為了解決上述課題,依據本發明的另一觀點,向計算機提供存儲 有程序的計算機可讀取的存儲介質。其中,上述程序是用于執行第一 金屬類膜成膜的步驟和第二金屬類膜成膜步驟的程序。上述第一金屬 類膜成膜的步驟是在供給上述金屬類原料氣體的步驟和供給上述氫化 物氣體的步驟之間插入供給不活潑氣體的清潔步驟,并且交替地反復 進行,由此形成上述第一金屬類膜,上述第二金屬類膜成膜的步驟是 在上述第一金屬類膜上通過同時供給上述金屬類原料氣體和還原性氣 體,形成第二金屬類膜。
像這樣通過從存儲介質讀取程序執行第一金屬類膜成膜步驟和第 二金屬類膜成膜步驟,可以形成包含非晶質(amorphous)的第一金屬 類膜,所以在像這樣的包含非晶質的第一金屬類膜上形成的第二金屬 類膜,易于形成原子密度最高原子排列最穩定的(例如體心立方結構 的情況下的(110)面方位等)取向性。通過增大相對于第一金屬類膜 的膜后的第二金屬類膜的膜后的比率,在第一金屬類膜為結晶質的情 況下可以形成具有相對更低的電阻的金屬類膜。
根據如上所述的本發明,能夠提供可以形成比現有技術中表現出 更低電阻的金屬類膜的金屬類膜形成方法以及存儲程序的存儲介質。
圖1是表示本發明的實施方式的成膜裝置的結構例的截面圖。
圖2A是用于說明體心立方結構的面方位(110)的具體例的示意圖。
圖2B是用于說明體心立方結構的面方位(100)的具體例的示意圖。
圖2C是用于說明體心立方結構的面方位(111)的具體例的示意圖。
圖2D是表示體心立方結構的面方位(200)的具體例的示意圖。
圖3是表示相同實施方式的各氣體供給方式的示意圖。
圖4A是用于說明在晶片表面形成鎢膜的過程的模式圖。
圖4B是用于說明在晶片表面形成鎢膜的過程的模式圖。
圖4C是用于說明在晶片表面形成鎢膜的過程的模式圖。
圖4D是用于說明在晶片表面形成鎢膜的過程的模式圖。
圖5是表示將B2H6氣體作為氫化物氣體使用的情況下的各氣體供
給方式的示意圖。
圖6是表示用電子衍射法觀察第一鎢膜時的電子衍射圖像,是第
一鎢膜變成結晶質的情況。
圖7是表示用電子衍射法觀察第一鎢膜時的電子衍射圖像,是第
一鎢膜包含結晶質和非結晶質的情況。
圖8是表示用電子衍射法觀察第一鎢膜時的電子衍射圖像,是第
一鎢膜變成非結晶質的情況。
圖9是表示驗證鎢膜整體的結晶結構的結果的示意圖。
圖IO是表示驗證鎢膜整體的電阻率的結果的示意圖。
圖11是表示在清洗(purge)步驟中插入停止供給不活潑氣體的步
驟的情況下各氣體供給方式的示意圖。 符號說明 100成膜裝置 114處理容器 116噴淋頭部 118密封部件 120氣體噴射口 122反射器 124保持部件 126載置臺 128升降銷
130環部件 132上推棒
134升降銷孔 136風箱 138調節器 140排氣口 142壓力控制閥 146真空排氣系統 148閘閥 150密封部件 151透過窗 152加熱室 154加熱燈 156旋轉臺 158旋轉電動機 160控制部 162存儲介質 210埋入孔 220阻擋層
230第一鎢膜(第一金屬類膜) 240第二鎢膜(第二金屬類膜) 250接觸插頭 M晶片
具體實施例方式
以下,參照附圖對本發明的適當的實施方式進行詳細的說明。并 且,在本說明書和附圖中,對于實質上具有同一功能結構的構成要素, 標注同一符號,省略其重復的說明。 (成膜裝置的結構例)
首先參照附圖對本發明的實施方式的成膜裝置進行說明。圖1是 表示本實施方式的成膜裝置的結構例的示意圖。成膜裝置100,例如具
有截面為大致圓柱形狀的鋁制的處理容器114。在該處理容器114內的頂部,通過0形環等密封部件118,設置有用于將作為流量被控制的處理氣體例如各種成膜氣體、不活潑氣體等同時地或者有選擇地導入的作為氣體供給單元的噴淋頭部116,從在其下面設置的多個氣體噴射 口 120向處理空間S內噴射成膜氣體。
在該噴淋頭部116內,設置有具有多個擴散孔的一枚或者多枚擴 散板,存在具有促進被導入其的氣體的擴散的結構的噴淋頭部,或者 具有將內部分割為多個區域,將分別分開導入的氣體分別向處理空間S 噴射的結構的噴淋頭部,總之,根據使用氣體的種類不同,使用適當 結構的噴淋頭部。此外,在此作為一個例子使用B2H6 (乙硼烷)氣體、 WF6氣體、SiH4 (甲硅垸)氣體、H2氣體、N2氣體、Ar氣體等,用如 質量流量控制器那樣的流量控制器(圖中沒有表示)分別控制各個氣 體的流量,并且控制其供給的開始和停止。并且,作為上述B2H/氣體, 如后所述使用的是例如將H2氣體作為稀釋氣體稀釋至5%的B^6氣 體。
在該處理容器114內,在從處理容器底部豎起的圓柱狀的反射器 (reflector) 112上,通過例如L字狀的3根保持部件124 (在圖1中 僅表示出2根)設置有用于裝載作為被處理體的晶片M的載置臺126。
在該載置臺126的下方,以向上方豎起的方式設置有多根例如3 根L字狀的升降銷128 (圖中的例僅表示出2根),在該升降銷128的 基部,插通有在形成于上述反射器122上的縱長插通孔(圖中沒有表 示),共同與環部件130連接。并且,使該環部件130通過貫通處理容 器底部設置的上推棒132上下運動,由此,上述升降銷128插通在貫 通載置臺126而設置的升降銷孔134,從而能夠舉起晶片M。
在上述上推棒132的容器底部的貫通部,為了保持處理容器114 內部的氣密狀態設置有可伸縮的風箱136,該上推棒132的下端與調節 器138 (actuator)連接。
另外,在處理容器114的底部的周邊部設置有排氣口 40,在該排 氣口 140連接有順次設置有壓力控制閥142和真空泵144的真空排氣 系統146,可以將處理容器114內抽真空至規定的真空度。并且,在處 理容器114的側壁,設置有在搬出搬入晶片M時被開閉的閘閥148。
另外,在載置臺126的正下方的容器底部,通過O形環等的密封
部件150氣密地設置有由石英等的熱線透過材料構成的透過窗151,在 其下方,以包圍透過窗151的方式設置有箱狀的加熱室152。在該加熱 室152內作為加熱單元的例如多個加熱燈154被安裝在兼用作反射鏡 的旋轉臺156上,通過旋轉軸利用在加熱室152的底部設置的旋轉電 動機158使該旋轉臺156旋轉。因此,通過該加熱燈154放出的熱線 透過透過窗151照射在薄的載置臺126的下面將其加熱,進一步在該 載置臺126上的晶片M可以間接地被加熱。作為加熱單元,可以在載 置臺126設置電阻加熱器來代替上述加熱燈對晶片M進行加熱。
并且,設置有用于控制該成膜裝置100的整體動作的例如微型計 算機等構成的控制部160。通過該控制部160進行各種氣體的供給的開 始和停止的控制、流量控制、晶片的溫度控制以及壓力控制等成膜處 理必要的一系列控制。并且,該控制部160具有例如由軟盤、閃存等 構成的存儲介質62,該存儲介質62用于存儲用于控制上述裝置整體動 作的程序。
(成膜裝置的動作例)
接下來,對于如上所述構成的成膜裝置100的動作例進行說明。 成膜裝置100的各部的動作是基于如上所述的存儲介質162中存儲的 程序進行的。
首先,打開設置在處理容器114的側壁上的閘閥148通過圖中沒 有表示出的搬送臂將晶片M搬入處理容器114內,通過將升降銷128 向上推將晶片M交接到升降銷128 —側。然后,通過將上推棒132降 低而使升降銷128下降,將晶片M載置在載置臺126上。在該晶片M 的表面,例如也包含圖4A中所示的埋入穴210的內面,在先前工序中 已經形成作為基底膜如TiN/Ti膜那樣的阻擋層220。該阻擋層220并 不局限于如上述TiN/Ti膜那樣的疊層結構的膜,例如也可以是TiN膜 那樣的單層結構。
接下來,從圖中沒有表示出的處理氣體源將作為處理氣體的金屬 類原料氣體、還原性氣體等的成膜氣體、不活潑氣體等,向作為如后 述那樣的氣體供給方式的氣體供給單元的噴淋頭部116每次定量供給, 將它們從下面的氣體噴射口 120大致均等地供給到處理容器114內。
與此同時,通過從排氣口 140對內部氣氛進行吸引排氣使處理容器114
內抽真空至期望的壓力,并且使位于載置臺126的下方的加熱單元的 各加熱燈154旋轉同時進行驅動,放射出熱能。
被放射出的熱線透過透過窗151之后,照射在載置臺126的背面 對其進行加熱。該載置臺126如上所述由于例如是lmm左右非常薄, 所以被迅速地加熱,因此,裝載在其上的晶片M也可以被迅速地加熱 到規定的溫度。被供給的成膜氣體發生規定的化學反應,在晶片表面 的全面堆積形成金屬類膜,例如鉤膜的薄膜。 (本發明的金屬類膜形成方法的原理)
如上述的鎢膜那樣,金屬類膜中具有低電阻的金屬膜,多用于晶 片上形成的配線間的凹部或者基板連接用凹部的埋入。但是,今后, 伴隨著半導體器件的更加精細化和動作速度的進一步高速化,為了降 低連接(通孔Via)電阻,對于鎢膜等的金屬類膜有進一步低電阻化 的要求。
為此,本發明的發明者為了謀求形成更低電阻的金屬類膜的方法 反復進行試驗,對于鎢膜等的金屬類膜在控制其結晶結構的同時進行 成膜,從而發明出可以形成更低電阻的金屬類膜的方法。以下,參照 附圖對這 一 點進行更加詳細的說明。
首先,對鎢膜等具有體心立方結構(BCC:Body Center Cubic)的 金屬類膜進行說明。在圖2A 圖2D中表示出這樣的體心立方結構的主 要的結晶晶格面方位(面方位)的具體例。在圖2A 圖2D中為了易于 看清楚晶格面,將原子的尺寸縮小表示。并且,省略晶格面下面原本 應該看到的原子。
以面指數(或者密勒指數)表示圖2中表示的體心立方結構的面 方位,圖2A中表示的面方位記作(110),圖2B中表示的面方位記作 (100),圖2C中表示的面方位記作(111),圖2D中表示的面方位記 作(200)。從圖2A 圖2D中還可以明白,按照(200)、 (111)、 (100)、 (110)的順序原子密度變高。
像這樣,由于體心立方結構的(110)面方位原子密度最高,所以 該(110)面方位的取向性越高的金屬類膜,具有越低的電阻。因此, 從這樣的金屬類膜的電阻(電阻率)的觀點來看,優選結晶結構(110)
面方位的取向性高的金屬類膜。
但是,以現有的成膜方法形成金屬類膜時,反映出基底膜的結晶 結構,由于金屬類膜生長,不一定能夠使(110)面方位的取向性變高。 因此,如果可以以抑制基底膜的結晶結構的影響,并提高(110)面方 位的取向性的方式使金屬類膜生長,就可以形成比現有技術更低電阻 的金屬類膜。
這里,發明者在重復進行實驗和驗證時明白,在形成體心立方結 構的金屬類膜的情況下,如果在形成第一金屬類膜的基礎上形成第二
金屬類膜,第一金屬類膜包含的非晶質(amorphous)的比例越高,越 可以在該第一金屬類膜(110)上生長面方位的取向性高的第二金屬類 膜。但是,如果用只提高第一金屬類膜的非晶質(amorphous)的比例 的方式來改良成膜方法,即使使用現有的成膜方法也可以使第二金屬 類膜生長為(110)面方位的取向性高的金屬類膜。
發明者認為上述見解是根據下述原因做出的越是非晶質
(amorphous)的比例高的第一金屬類膜,越能夠不受該第一金屬類膜 的結晶結構(例如晶格面間隔)的影響而使第二金屬類膜生長,因此, 該第二金屬類膜成為原子密度最高、原子配置穩定的(110)面方位的 取向性高的結晶結構就變得容易。
但是,如果在第一金屬類膜是完全的結晶質的結晶結構的情況下, 由于第二金屬類膜生長受到第一金屬類膜的結晶結構(例如晶格面間 隔)的影響,如現有的成膜方法那樣當第一金屬類膜本身例如是比
(110)面方位原子密度更低的(200)面方位的取向性高時,由于在 該第一金屬類膜上形成的第二金屬類膜也容易成為(200)面方位的取 向性高的結晶結構,作為整個金屬類膜就形成為(200)面方位的取向 性高的結晶結構。
例如考慮在作為阻擋層的TiN膜等的基底膜上形成作為種核層的 第一鎢膜的情況,由于TiN膜的結晶結構是面心立方結構(FCC: Face Center Cubic),第一鎢膜本身受到該TiN膜的結晶結構的影響,所以 容易形成(200)面方位的取向性高的第一鎢膜。為此,關于在這樣的 第一鎢膜上形成的第二鎢膜,也變得易于形成(200)面方位的取向性 高的結晶結構,所以作為整個鎢膜就形成為比(110)面方位原子密度
更低的(200)面方位的取向性高的結晶結構。
這里,在本發明中,以抑制第一金屬類膜的結晶生長而包含非晶
質(amorphous)的方式形成第一金屬類膜,由此,可以不受阻擋層等 的基底膜的結晶結構的影響,在第一金屬類膜上生長具有更低電阻(電 阻率)的結晶結構(例如(110)面方位的取向性高的結晶結構)的第 二金屬類膜。
但是,例如在鎢膜等的金屬類膜中,由于以第二金屬類膜的膜厚 比第一金屬類膜的膜厚更厚的方式形成金屬類膜,所以金屬類膜整體 的電阻率等的特性更大地依存于第二金屬類膜。這一點,在本發明中, 由于可以使膜厚比率大的第二金屬類膜低電阻化,所以可以使金屬類 膜整體低電阻化。
另外,在本發明中,由于不能使第一金屬類膜本身的電阻下降, 所以相對于整體金屬類膜的厚度第一金屬類膜形成得越薄,越可以使 金屬類膜整體的電阻下降。例如越使第一金屬類膜形成得很薄以至于 相對于整個金屬類膜可以忽略第一金屬類膜的膜厚,越可以使整個金 屬類膜的電阻大幅度降低。
進--步,第一金屬類膜包含的非晶質(amorphous)的比例高的一 方,整個金屬類膜具有低電阻化的傾向。為此,優選第一金屬類膜包 含的非晶質(amorphous)的比例越高越好,更為優選的是第一金屬類 膜完全是非晶質化結構。這一點,在本發明中,通過改變第一金屬類 膜包含的非晶質(amorphous)的比例進行成膜,可以控制在該第--金 屬類膜上形成的第二金屬類膜的結晶結構,由此,可以形成具有更低 電阻的金屬類膜。
(金屬類膜形成方法的具體例)
對利用如上所述的本發明的原理的本實施方式的金屬類膜形成方 法進行說明。在此,說明關于在形成有連接孔或者通孔等的阻擋層上, 例如形成鎢膜作為金屬膜時的情況。在本實施方式中,通過作為第一 金屬類膜成膜步驟的第一鎢膜成膜步驟,和作為第二金屬類膜成膜步 驟的第二鴇膜成膜步驟這兩階段的成膜步驟形成鎢膜。即,在第一鎢 膜成膜步驟中通過以包含非晶質(amorphous)的方式進行第一鎢膜的 成膜,由此當在該第一鎢膜上由第二鎢膜成膜步驟迸行第二鎢膜成膜 時,該第二鎢膜具有更低電阻的結晶結構,即,成為原子密度最高且 穩定的結晶結構(例如(no)面方位的取向性高的結晶結構)。
以下,參照附圖對上述各成膜步驟中的各氣體供給方式的具體例 進行說明。圖3是表示各氣體供給方式的具體例的示意圖,圖4A 圖
4D是用于說明在晶片M的表面形成鎢膜的過程的模式圖。在圖3所示 的氣體供給方式中,在一系列的成膜步驟之間,處理容器114內連續 地被抽真空的同時,以一定的流量(或者根據需要改變流量)流通作 為載氣或者清潔氣體的N2氣體和/或Ar氣體。并且根據需要供給N2 氣體,作為處理容器114內殘留的成膜氣體的清潔氣體。進一步,作 為各成膜步驟中的處理溫度,是在300 40(TC范圍內例如是35(TC。該 處理溫度例如設定為直至最后的第二鎢膜形成工序為止不發生改變的 同一溫度。
(第一金屬類膜成膜步驟的具體例)
首先,對于如圖4A所示的晶片M進行第一鎢膜成膜步驟。在第 一鎢膜成膜步驟中,在供給金屬類原料氣體的步驟和供給氫化物氣體 的步驟之間插入供給不活潑氣體的清潔步驟,交替重復進行,由此以 包含非晶質(amorphous)的方式形成作為種核層的第一鎢膜(第一金 屬類膜)220 (參照圖4B)。
具體來說,如圖3所示,將作為金屬類原料氣體的例如WF/氣體, 和作為氫化物氣體的例如SiH4氣體,按照該順序每間隔很短的時間交 替供給并重復多次,并且在兩種氣體的供給步驟之間進行將剛完成供 給的氣體從容器內排出的清潔步驟。在進行該清潔步驟時,優選通過 供給作為清潔氣體例如不活潑氣體的N2氣體,促進殘留氣體的排除。
像這樣在第一鎢膜成膜步驟中,在WF6氣體的供給步驟中使WF6 氣體分子層吸附在晶片表面,接著在SiH4氣體的供給步驟中,通過SiH4 氣體還原WF6氣體分子層,隨著每一次的交替供給使多原子層的鎢膜 生長。將其重復任意次形成規定膜厚的第一鎢膜220 (參照圖4B)。艮卩, 將從某WF6氣體供給步驟開始到下一個WF6氣體供給步驟為止的期間 為一個周期,根據需要進行幾周期到幾十周期左右的處理。并且,優 選在一個周期吸附1分子層WF6,在其后與還原氣體發生的反應中形 成1原子層的W。通過重復這樣的操作,可以完全抑制結晶生長,第
一鎢膜可以成為完全的amorphous (非晶質)。另外,不活潑氣體根據 需要可以流通N2氣體、Ar氣體兩種,也可以只流通一種。
并且,在上述清潔步驟中,通過改變在供給氫化物氣體例如供給 SiH4氣體步驟之后的清潔步驟的進行時間,可以改變第一鎢膜包含的 非晶質(amorphous)的比例。例如在供給SiH4氣體步驟之后的清潔步 驟的進行時間越長,越能夠直接剝離晶片表面的剩余氣體,同時充分 排除處理容器114內的殘留氣體,防止在晶片表面的再次附著。由此, 在接下來使WF6氣體分子層吸附之前,可以將未發生反應的剩余的 SiH/氣體從晶片表面充分地排除。g卩,在將WF6氣體供給到晶片時如 果在晶片表面殘留有SiH4氣體分子,在該時刻發生反應,可以推論出 會形成與現有的種核層同樣的結晶核。
因此,為了抑制該結晶核的發生,使第一鎢膜完全amorphous化, 在WF6氣體供給時必須使晶片表面不會殘留SiH4氣體分子。為了實現 這一要求,在SiH4氣體供給后的清潔步驟的時間十分重要。
雖然優選像這樣使SiH4氣體供給后的清潔步驟的進行時間"4更 長,但是如果過長會引起生產率的低下等,所以優選設定為氣體供給 時間tu , tl2的6倍 40倍左右的時間。例如當tn t,3為1.5sec左右的情 況下,優選t^設定為10sec 60sec左右。并且,這樣的情況下每1個 周期的成膜速率會根據處理條件有所不同,例如在0.7 1.2nm左右,通 常第一鴇膜的膜厚設定為6 7nm。
這樣一來通過調整SiH4氣體供給后的清潔步驟的時間,可以將第 一鎢膜以包含非晶質(amorphous)的方式進行成膜(也包含以完全非 晶質化的方式進行成膜的情況)。
(第二金屬類膜成膜步驟的具體例)
接下來,進行第二鎢膜成膜步驟。在第二鎢膜成膜步驟中,通過 同時供給金屬類原料氣體和還原性氣體的通常的CVD法,在第一鴇膜 上進行作為主膜層的第二鎢膜(第二金屬類膜)240的成膜(參照圖 4C)。并且,第二鎢膜的膜厚根據連接孔或者通孔的直徑設定,通常設 定為20 40nm。
具體來說,如圖3所示,同時供給作為金屬類原料氣體例如WF6 氣體,和作為還原性氣體例如H2氣體,以高成膜速率通過CVD法使
第二鎢膜240堆積,完全埋入埋入孔210 (參照圖4C)。
第一鎢膜的非晶質(amorphous)的比例越高時,如上所述形成的 第二鉤膜形成為(110)面方位的取向性越高的結晶結構。但是,只要 第一鎢膜是以提高非晶質(amorphous)的比例的方式進行成膜,就不 必拘泥于第二鉤膜的成膜方法(例如即使使用現有的成膜方法進行成 膜),也可以形成(110)面方位的取向性高的第二鎢膜。
并且,當上述第二鎢膜成膜步驟結束時,將該晶片M從成膜裝置 100取下,對其進行深蝕刻處理(etch back)或者CMP (化學機械研 磨)處理,如圖4D所示將平面平坦化除去多余的鎢膜或者阻擋層,形 成接觸插頭250。這以后,進行規定的處理制造半導體器件(半導體裝 置)。
另外,對于在如圖3所示的各氣體供給方式的具體例中,使用作 為氫化物氣體的SiH4氣體的情況進行說明,但是并不局限于這樣的情
況。例如可以使用比該SiH4氣體的還原力更強的例如B2H6 (乙硼烷)
氣體、PH3 (磷化氫)氣體等氫化物氣體來代替SiH4氣體。使用這些 氣體也可以形成包含有非晶質(amorphous)的第一金屬類膜例如第--鎢膜。
這里,在圖5中表示的是將B2H6氣體作為氫化物氣體使用的情況 下的各氣體供給方式的具體例。如圖5所示,在第一鎢膜成膜歩驟中, 將WF6氣體和B2H/氣體按照該順序每間隔很短的時間交替供給并重復 多次,并且在兩種氣體的供給步驟之間進行將之前剛剛完成供給的氣 體從容器內排除的清潔步驟。在進行該清潔步驟時,優選通過供給作 為清潔氣體例如不活潑氣體的N2氣體,促進殘留氣體的排除。并且, 在這樣的情況下的不活潑氣體,根據需要可以流通N2氣體、Ar氣體兩 種,也可以僅流通一種。在WF6氣體流通時,優選將N2氣體、Ar氣 體作為載氣流通,當B2H6氣體流通時,優選將Ar氣體作為載氣流通。
在像這樣的第一鉤膜成膜步驟中,在WF6氣體供給步驟,通過下
一個步驟中供給的B2H6氣體將在晶片表面吸附的WF6氣體分子層還
原,伴隨每一次的交替供給使多原子層的鎢膜生長。將這樣的操作重 復任意次形成規定膜厚的第一鎢膜。即,將從某WF6氣體供給步驟開 始到下一個WF6氣體供給步驟為止的期間作為1個周期,根據需要進
行幾個周期至幾十周期的處理。
這樣的情況下,在清潔步驟中,與SiH4氣體的情況相同,通過改 變在供給B2H6氣體的步驟之后的清潔步驟進行的時間,可以改變第一
鎢膜所包含的非晶質(amorphous)的比例。并且,由于B2H6氣體表 現出比SiH4氣體更強的還原能力,所以通過使用H2氣體等具有還原性 的稀釋氣體進行稀釋使用,由此,即使其后的清潔步驟縮短,也可以 直接剝離晶片表面的剩余氣體,同時將處理容器114內的殘留氣體充
分排除。因此,即使縮短供給B2H6氣體的步驟之后的清潔步驟的進行
時間,也可以形成包含非晶質(amorphous)的第一鎢膜。
在此,在本實施方式中當供給B2H/氣體時,供給的是通過具有還 原性的稀釋氣體(例如H2氣體)將其稀釋至例如5。/。的B2H6氣體。由 此,即使在供給B2H6氣體的步驟之后的清潔步驟的進行時間比將SiH4 氣體作為還原性氣體使用的情況下短,也可以形成包含非晶質 (amorphous)的第一鎢膜。例如12|423為1.5sec左右的情況下,即使 在B2H6氣體供給步驟之后的排放步驟的進行時間124縮短設定為 1.5sec,也可以形成完全地非晶質(amorphous)化的第一鎢膜。
進一步,通過使用由H2氣體稀釋的B2H6氣體,可以抑制不穩定 的B2H6氣體例如聚合變成十硼烷。由此,可以防止例如生成的十硼烷 微粒凝聚在供給管路的通路而不能進行穩定的供給,或者防止顆粒生 成。因此,優選將82&氣體通過抑制聚合的H2氣體稀釋再填充到儲 氣罐中,用于氣體供給。
通過像這樣將B2H6氣體通過具有還原性的稀釋氣體(例如H2氣
體)稀釋再使用,可以形成包含非晶質(amorphous)的第一鎢膜(也 包含完全非晶質化的情況)。由此,可以通過接下來的第二鎢膜成膜步 驟使(110)面方位的取向性高的結晶結構的第二鎢膜生長。并且,根 據B2H6氣體的稀釋程度,可以改變第一鎢膜所包含的非晶質的比例。 另外,關于第二鎢膜成膜步驟,由于與圖3所示的情況相同所以省略 其詳細說明。
另外,也可以使用與上述B2H6氣體同樣的,具有很強還原性的PH3
氣體等氫化物氣體。例如,通過將PH3氣體以H2氣體作為稀釋氣體稀
釋至5%使用,在供給PH3氣體步驟之后的清潔步驟的進行時間即使比
使用SiH4氣體的情況下短,也可以形成包含非晶質的第一鎢膜等,起 到與使用B2H6氣體的情況下相同的效果。 (第一鎢膜的結晶性的驗證) 接下來,對于驗證通過成膜裝置100實際上形成膜后的第一鎢膜
的結晶性的結果進行說明。圖6 圖8是表示,用電子衍射法觀察第一 鎢膜的電子衍射圖像。圖6和圖7是表示以SiH4氣體作為氫化物使用 的在圖3所示的供給方式中將tu t13設定為1.5sec的情況,圖6是表示, 將清潔步驟的進行時間{14設定為1.5sec左右的較短時間進行第一鎢膜 的成膜的情況,即"SiHV短清潔"的情況,圖7表示的是,將清潔步 驟的進行時間tM設定為60sec的較長時間進行第一鎢膜的成膜的情況, 即"S線/長清潔"的情況。
另外,如圖8表示的是將作為氫化物的B2H6氣體以&氣體作為 稀釋氣體稀釋至5%使用的在圖5所示的供給方式中將121 123設定為 1.5sec的情況下,將{24設定為1.5sec左右的較短時間形成第一鎢膜的 情況,即"B2Hs/H2稀釋"的情況。
在這樣的實驗結果中,圖6所示的電子衍射圖像中,反映出鎢的 結晶質結構,由于觀察到原子排列時具有明顯的周期性的衍射運動, 在供給SiH4氣體步驟之后的清潔步驟的進行時間較短的情況下,即 "SiH4/短清潔"的情況下,第一鎢膜成為結晶質。但是,在圖6中由 于沒有觀察到反映非晶質結構的輪廓模糊的光環圖形(halo pattern), 所以可以明白通過"SiH4/短清潔"成膜的第一鎢膜成為不包含非晶質 (amorphous)的完全結晶質的結晶結構。
與此相對,在圖7和圖8所示的電子衍射圖像中,反映出鎢膜的 非晶質結構,由于觀察到光環圖形,在供給SiH4氣體步驟之后的清潔 步驟的進行時間較長的情況下("SiH4/長清潔"的情況下)或者用H2
氣體將B2H6氣體稀釋再使用的情況下("B2H6/H2稀釋"的情況下),
第一鎢膜成為非晶質(amorphous)。但是,在圖7中不僅是光環圖形, 也多少觀察到衍射運動,所以在"SiH4/長清潔"的情況下第一鎢膜中 包含有結晶質和非結晶質兩種。另一方面,在圖8中,沒有觀察到衍 射運動,所以在"B2H6/H2稀釋"的情況下第一鎢膜完全地成為非晶質 (amorphous )。
(鎢膜整體的結晶結構的驗證) 接下來,通過在上述的各第一鎢膜(參照圖6~圖8)上分別進行 第二鎢膜的成膜,驗證所形成的各鎢膜整體的結晶結構的結果如圖9
所示。圖9是,對于包含第一鎢膜和第二鎢膜的各鎢膜整體進行X射
線衍射分析,將由此觀察到的體心立方的結晶結構的(iio)面方位和
(200)面方位的取向性,以各面的衍射最高強度的強度比(U10) / (200))的柱狀圖表示的示意圖。在像這樣的圖9中,表示強度比((110) / (200))越大(110)面方位的取向性就越高,強度比((110) / (200)) 越小(200)面方位的取向性就越高。
依據圖9所示的柱狀圖,按照第一鎢膜為結晶質的情況(參照圖6) 的"SiH4/短清潔",第一鎢膜包含結晶質和非晶質(amorphous)的情 況(參照圖7)的"SiH4/長清潔",第一鎢膜為非晶質(amorphous)的 情況(參照圖8)的"B2l"VH2稀釋"的順序強度比((110) / (200)) 變大。因此,第一鎢膜包含的非晶質(amorphous)的比例越高,如圖 9所示作為鎢膜整體(110)面方位的取向性變得越高。 (鎢膜整體的電阻率的驗證) 接下來,驗證通過在上述各第一鎢膜(參照圖6~圖8)上分別進 行第二鴇膜的成膜而形成的各鎢膜整體的電阻率,其結果在圖10中表 示。圖10是表示包含第一鴇膜和第二鎢膜的各鉤膜整體的電阻率的柱 狀圖。并且,在此第一鎢膜的膜厚是6nm,第二鎢膜的膜厚是20nm。 依據圖10所示的柱狀圖,按照第一鎢膜為結晶質的情況(參照圖 6)的"SiHV短清潔",第一鎢膜包含結晶質和非晶質(amorphous)的 情況(參照圖7)的"SiIV長清潔",第一鎢膜為非晶質(amorphous) 的情況(參照圖8)的"B2fVH2稀釋"的順序電阻率變低。因此,第 一鎢膜包含的非晶質(amorphous)的比例越高,如圖10所示鎢膜整 體的電阻率越低。
但是,與如現有技術那樣第一鎢膜為結晶質的情況(例如"SiH4/ 短清潔"的情況)相比,第一鎢膜是包含非晶質的情況下(例如"SiH4/ 長清潔"的情況)電阻率大約降低20%,第一鎢膜是非晶質的情況下 (例如,"13必6/; 2稀釋")電阻率大幅下降大約降低40%。因此,依據 本實施方式,與現有技術相比,可以形成電阻率更低的鎢膜。
以上,通過圖6~圖10的結果可以驗證,第一鎢膜包含的非晶質
(amorphous)的比例越高,在該第一鎢膜上生長的第二鎢膜,如圖9 所示作為鎢膜整體的(110)面方位的取向性越高,如圖10所示電阻 率變得越低。
像這樣,依據本實施方式,在包含非晶質(amorphous)的第一金 屬類膜上形成的第二金屬類膜,通過利用易于形成原子密度最高的原 子配置穩定(例如體心立方結構的情況下的(110)面方位等)的取向 性的原理,可以形成具有更低電阻的金屬類膜。例如,通過以包含非 晶質(amorphous)的方式進行第一鎢膜的成膜,可以將在該第一鎢膜 上被成膜的第二鎢膜的結晶結構改變為具有更低電阻的結晶結構(例 如體心立方結構的情況下的(110)面方位的取向性高的結晶結構), 由此可以進一步降低金屬類膜整體的電阻。
并且,作為以包含非晶質的方式形成第一金屬類膜的方法(也包 括以,全非晶質化的方式進行成膜的情況),說明了例如如圖3所示在 第--^膜成膜步驟中改變供給SiH4氣體等氫化物氣體的步驟之后的清 潔步驟的進行時間,例如如圖5所示利用H2氣體將1321"16氣體等的氫 化物氣體稀釋再使用的情況,但是并不局限于此。例如也可以通過改 變不活潑氣體的供給方式或者壓力,來改變第一金屬類膜包含的非晶 質(amorphous)的比例。
例如也可以在供給金屬類原料氣體的步驟和供給氫化物氣體的步 驟之后分別進行的清潔步驟中,至少在供給氫化物氣體的步驟之后的 清潔步驟中插入停止供給不活潑氣體的步驟,由此改變第一金屬類膜 包含的非晶質的比例。
具體地,例如如圖ll所示的各氣體供給方式,在將WF6氣體作為 金屬類原料氣體供給的步驟,和將SiH4氣體作為氫化物氣體供給的步 驟之后分別進行的清潔步驟中,插入停止向各清潔步驟供給不活潑氣 體(Ar氣體、N2氣體)的步驟。
通過上述做法,在各清潔步驟&、 t34中的大致中間期間t35、 t36完
全停止不活潑氣體(Ar氣體、N2氣體)的供給,這期間僅繼續進行抽 真空,處理容器114內壓力急劇下降。通過這樣的壓力變化,可以進 一步提高晶片表面或者處理容器114內的殘留氣體的排除效果。
這樣一來,在將SiHU氣體作為氫化物氣體供給的步驟之后進行的 清潔步驟(t34)中,通過插入停止供給不活潑氣體(Ar氣體、N2氣體) 的步驟{36,可以進一步提高晶片表面或者處理容器114內的殘留氣體 的排除效果,因此即使供給SiH4氣體的步驟之后進行的清潔步驟的時 間縮短,也可以進行包含非晶質的第一鎢膜的成膜。
并且,在將WF6氣體作為金屬類原料氣體供給的步驟之后進行的 清潔步驟(t32)中,通過插入停止供給不活潑氣體(Ar氣體、N2氣體) 的步驟(例如T35),可以減少第一鎢膜的氟元素濃度。由此,當在阻 擋層上形成鴨膜的情況下,由于可以減少阻擋層與鎢膜的邊界部分的 氟元素濃度,因此可以抑制氟元素向阻擋層的擴散,或者穿透的發生, 阻止噴射出(volcano)等的發生。
另外,雖然對于如圖11所示的各氣體供給方式中,在供給WF6 氣體的步驟,和供給SiH4氣體的步驟之后分別進行的清潔步驟中,插 入停止向各清潔步驟供給不活潑氣體(Ar氣體、N2氣體)的步驟的情 況進行了說明,但是并不局限于此,例如即使僅在供給SiH4氣體的步 驟之后進行的清潔步驟插入停止不活潑氣體(Ar氣體、N/氣體)的供 給,也可以進行包含非晶質的第一鎢膜的成膜。
另外,在供給SiH4氣體的步驟之后進行的清潔步驟之間通常也可 以停止不活潑氣體(Ar氣體、N2氣體)的供給,進一步也可以在供給 SiH4氣體期間停止不活潑氣體(Ar氣體、N2氣體)的供給。由此,由 于處理容器114內變成低壓,可以進一步提高晶片表面或者處理容器 114內的殘留氣體的排除效果,因此就是供給SiH4氣體等的氫化物氣 體的步驟之后進行的清潔步驟的進行時間縮短,也可以進行包含非晶 質的第一鎢膜的成膜。
并且,關于通過上述實施方式詳細說明的本發明,既可以應用于 有多個機器構成的系統,也可以應用于由一個機器構成的裝置。給系 統或者裝置提供存儲介質等的介質,該介質是存儲有實現上述實施方 式的功能的軟件的程序的介質,通過該系統或者裝置的計算機(或者 CPU、 MPU)讀取在存儲介質等的介質中收納的程序并進行,從而實 現本發明。
這樣的情況下,從存儲介質等介質讀取的程序本身可以實現上述
實施方式的功能,存儲有該程序的存儲介質等的介質構成本發明。作 為用于提供程序的存儲介質等介質,例如,可以使用軟盤(登錄商標),
硬盤,光盤,光磁盤,CD-ROM, CD-R, CD-RW, DVD-ROM, DVD-RAM, DVD-RW, DVD+RW,磁帶,永久性存儲卡,ROM或者通過網絡下載等。
另外,通過執行利用計算機讀取的程序,并不僅僅實現上述實施 方式的功能,根據該程序的指示,在計算機上工作的OS等進行實際處 理的一部分或者全部,通過該處理實現上述實施方式的功能的情況也 屬于本發明。
進一步,從存儲介質等介質讀取的程序,被寫入在計算機中被插 入的功能擴展板或者計算機上連接的功能擴展單元中具備的存儲器 后,根據該程序的指示,該功能擴展板或者功能擴展單元中具備的CPU 等進行實際處理的一部分或者全部,通過該處理實現上述實施方式的 功能的情況也屬于本發明。
以上,參照附圖對本發明的適當的實施方式進行了說明,當然本 發明并不局限于上述的實施例。本領域的技術人員應該明白,在權力 要求范圍中所記載的范疇內,可以發明出各種變更例或者修正例,這 些當然也屬于本發明的技術范圍。
例如在上述實施方式中,說明了作為金屬類原料氣體使用W&氣 體進行鎢膜的成膜的情況,但是并不局限于此,作為金屬類原料氣體 例如也可以使用TaCl類的金屬鹵化物進行Ta膜、TaN膜等的成膜。 并且,也可以作為第一金屬類膜的金屬類原料氣體使用有機鎢化合物, 同時作為第二金屬類膜的金屬類原料氣體使用WF6氣體。
工業實用性
本發明適用于在被處理體的表面形成金屬類膜的金屬類膜的成膜 方法以及存儲程序的存儲介質。
權利要求
1.一種金屬類膜形成方法,其特征在于,包括通過交替地反復供給所述金屬類原料氣體和氫化物氣體,形成包含非晶質的第一金屬類膜的第一金屬類膜成膜步驟;在所述第一金屬類膜上,通過同時供給所述金屬類原料氣體和還原性氣體,形成第二金屬類膜的第二金屬類膜成膜步驟。
2. 根據權利要求1所述的金屬類膜形成方法,其特征在于 至少所述第二金屬類膜的結晶結構為體心立方結構。
3. 根據權利要求1所述的金屬類膜形成方法,其特征在于 所述第一金屬類膜成膜步驟通過在供給所述金屬類原料氣體的步驟和供給所述氫化物氣體的步驟之間插入供給不活潑氣體的清潔步 驟,交替地反復進行,形成所述第一金屬類膜。
4. 根據權利要求3所述的金屬類膜形成方法,其特征在于 在所述清潔步驟中,通過改變供給所述氫化物氣體的步驟之后的清潔步驟的進行時間,改變所述第一金屬類膜包含的非晶質的比例。
5. 根據權利要求3所述的金屬類膜形成方法,其特征在于 在所述清潔步驟中,通過至少在供給所述氫化物氣體的步驟之后的清潔步驟中插入停止供給所述不活潑氣體的步驟,改變所述第一金 屬類膜中包含的非晶質的比例。
6. 根據權利要求1 5中任一項所述的金屬類膜形成方法,其特征在于所述金屬類原料氣體為鹵化物氣體。
7. 根據權利要求1 5中任一項所述的金屬類膜形成方法,其特征 所述氫化物氣體為SiH4氣體、B,—H6氣體、所述SiHU氣體和所述B2H6氣體的混合氣體中的任一種。
8. 根據權利要求3所述的金屬類膜形成方法,其特征在于 通過利用具有還原性的稀釋氣體稀釋所述氫化物氣體,改變所述第一金屬類膜中包含的非晶質的比例。
9. 根據權利要求8所述的金屬類膜形成方法,其特征在于 所述氫化物氣體為B2H6氣體或PH3氣體。
10. 根據權利要求8或者9所述的金屬類膜形成方法,其特征在于 所述氫化物氣體是以H2氣體作為稀釋氣體稀釋至5%以下的氣體。
11. 一種計算機能夠讀取的存儲介質,其特征在于,存儲有用于在計算機中執行下述步驟的程序通過在供給所述金屬類原料氣體的步驟和供給所述氫化物氣體的 步驟之間插入供給不活潑氣體的清潔步驟,交替地反復進行,形成所述第一金屬類膜的第一金屬類膜成膜步驟;和在所述第一金屬類膜上,通過同時供給所述金屬類原料氣體和還 原性氣體,形成第二金屬類膜的第二金屬類膜成膜步驟。
全文摘要
本發明提供通過控制結晶結構形成具有比現有技術中更低電阻的金屬類膜的方法。該方法包括通過在作為金屬類原料氣體例如供給WF<sub>6</sub>氣體的步驟和作為氫化物氣體例如供給SiH<sub>4</sub>氣體的步驟之間,插入供給不活潑氣體例如Ar氣體、N<sub>2</sub>氣體的清潔步驟,交替地反復進行,形成包含非品質的第一鎢膜的第一鎢膜成膜步驟;和在第一鎢膜上,通過同時供給上述WF<sub>6</sub>氣體和作為還原性氣體的例如H<sub>2</sub>氣體,形成第二鎢膜的第二鎢膜成膜步驟。通過改變在供給SiH<sub>4</sub>氣體的步驟之后的清潔步驟的進行時間控制第一鎢膜包含的非晶質的比例。
文檔編號C23C16/44GK101208458SQ20068002322
公開日2008年6月25日 申請日期2006年7月6日 優先權日2005年8月11日
發明者佐藤耕一, 杉浦正仁, 立花光博, 西森崇 申請人:東京毅力科創株式會社