專利名稱：一種摻雜穩定化氧化鋯的耐高溫光學膜及其制備方法
技術領域：
本發明屬于光學功能薄膜制備技術領域，具體涉及摻雜穩定化氧化鋯的耐高溫光學膜及其磁控反應濺射制備方法
背景技術：
據《光學手冊》(陜西科學技術出版社1986年版，609-637頁)介紹，光學多層薄膜是用折射率不同的兩種或多種材料堆疊而成，當光透過薄膜時，在每一層界面反射，不同界面的反射光之間相互干涉，從而得到各種光學效果。故通過調節控制各層的厚度可以實現不同的光學性質，比如對特定波長的光可使其透光率增強或者反射率增強，例如可應用于照相機或攝像機鏡頭的增透膜，彩色攝影、彩色復印中光束分色用到的介質截止濾光膜和帶通濾光膜，以及投影儀用到的紅綠藍三色濾光片及紅外和紫外截止的濾光片(UV-IRcut)。
傳統的低折射率材料SiO2可以在常溫到1000℃的溫度下光學性能不變。但傳統的高折射率材料，包括Nb2O5、Ta2O5或TiO2，當工作溫度上升時，由于發生結晶或晶型變化等相變過程，會使得薄膜發生破裂、起霧或光學性質發生改變。據瑞士《表面與薄膜技術》(Surface&Coatings Technology，196，2005，69-75)介紹，Ta2O5材料用作光學薄膜的工作溫度不宜超過500℃；據荷蘭《表面科學應用》(Applied Surface Science 218，2003，97-105)報導，TiO2材料用作光學膜在300℃就會由于結晶而使薄膜的性質發生很大變化；瑞士《固態薄膜》(Thin Solid Films 488，2005，314-320)指出，Nb2O5材料光學膜在500℃結晶，光學性質也隨之變化。另外，純ZrO2材料在500℃到600℃會發生相變，使膜因為應力而破裂，因此工作溫度都不宜超過500℃，這一點在《氧化鋯陶瓷及其復合材料》(化學工業出版社2004年版，2-6頁)一書中也有記載。綜上所述，現有高折射率材料制備的光學膜能承受的溫度都不超過600℃。而市場上現有薄膜產品也沒有更好的耐高溫性能。例如，據http://www.pida.org.tw/ComDB/Online/85.htm介紹，臺灣圓普企業股份有限公司在網絡上展出的可用于較高溫度的光學薄膜產品，其能經受的溫度不超過450℃。
現代科技的發展對光學多層薄膜提出了越來越高的要求。比如，需要用于高溫環境下進行光學測量的薄膜；投影機中的紫外一近紅外截止濾光片的作用是將光源發出的紫外和近紅外光截止，隨著投影機亮度的提高，對濾光片工作溫度的要求也不斷提高。因此提高光學薄膜的耐高溫性能是非常有意義的。
據中國《現代儀器》(2005年06期)介紹，反應濺射方法現已被廣泛應用于制備光學薄膜，包括Ti、Ta、Al、Zr、Nb或Hf的金屬氧化物或氮化物光學膜，但至今未見將反應濺射制備Y和Zr或Al和Zr混合的氧化物體系用于光學膜的報導；據《氧化鋯陶瓷及其復合材料》(化學工業出版社2004年版，9-12頁)介紹，摻雜ZrO2，特別是摻Y穩定ZrO2的體系常用于燃料電池、耐溫耐磨以及壓電陶瓷等領域，但未見被應用于光學薄膜。
發明內容
本發明的目的是提供一種摻雜穩定化氧化鋯的耐高溫光學膜及其制備方法，以克服現有技術的上述缺陷。
本發明的摻雜穩定化氧化鋯的光學膜，是由高折射率層和低折射率層交替堆疊而成的多層膜，其特征在于所述高折射率層的材料為穩定化的氧化鋯，所述低折射率層的材料為非晶SiO2；所述穩定化的氧化鋯是摻Y2O3或Al2O3作穩定劑的ZrO2；若摻雜的是Y2O3，則Y2O3與ZrO2的摩爾比為7--25∶100；若摻雜的是Al2O3，則Al2O3和ZrO2的摩爾比為1.7-4.5∶10。
本發明的摻雜穩定化氧化鋯的耐高溫光學膜的制備方法，包括將磁控反應濺射儀的真空腔氣壓抽至小于0.001Pa，按氧氣與氬氣流速比1-1.5∶1通入氧氣和氬氣至腔內氣壓為0.1-1Pa；將襯底盤與靶面平行放置，使襯底盤以每分鐘100-600轉的速度繞法線旋轉，控制金屬靶材上的濺射電源功率在0.7--4kW；或者，將自由基輔助濺射儀的真空腔氣壓抽至小于0.001Pa，氬氣流速控制在標準狀態下150-400毫升/秒，調節金屬靶材上的濺射電源的功率在1000-4000W，氧氣流速控制在標準狀態下100-400毫升/秒，氧化槍的射頻電源功率調節在1000-3000W；根據所需的成膜厚度來設定濺射時間；其特征在于所述金屬靶材采用由Y與Zr按摩爾比為14-50∶100或由Al與Zr按摩爾比為3.5-9∶10組成的混合靶材作為濺射源。
所述混合靶材可以是由Y和Zr按摩爾比為14-50∶100或由Al和Zr按摩爾比為3.5-9∶10的金屬塊拼接而成的混合金屬靶，或者是由Y和Zr按摩爾比為14-50∶100或由Al和Zr按摩爾比為3.5-9∶10組成的合金靶。
本發明摻雜穩定化氧化鋯的耐高溫光學膜的制備方法，由于采用Y和Zr或者Al和Zr按上述范圍的摩爾比形成的混合靶材作為磁控反應濺射儀的濺射源，所制備的光學薄膜濾波片或其它光學器件能夠在常溫到1000℃范圍內工作而不會破壞其光學性能。而現有采用其它常用的光學材料如五氧化二鈮(Nb2O5)、五氧化二鉭(Ta2O5)或二氧化鈦(TiO2)做成的光學膜，其工作溫度范圍都在常溫到500℃；當溫度超過500℃時，現有光學薄膜的膜面就會變粗糙、光散射增加或膜表面產生裂紋，其光學性能會被破壞。
本發明所制備的摻雜穩定化的ZrO2材料作高折射率材料，可以使ZrO2在常溫到1000℃的高溫范圍內保持晶相不變，從而保持在此溫度范圍內材料的結構和光學性質穩定；以SiO2作低折射率材料制備的光學多層膜可以耐1000℃甚至更高的高溫，而光學性能不改變。采用本發明方法可以制備對溫度穩定性有一定要求的光學薄膜器件，例如投影儀光路中的紅外和紫外光截止可見光透過的濾波片(UV-IR cut)濾波片。應用了具有耐高溫性能的UV-IR cut濾波片的投影儀可以采用更高功率的光源，從而使投影儀的亮度更高，分辨率也能隨之提高。本發明的摻雜穩定化氧化鋯的光學膜也可用作燈泡外層的濾紅外光的薄膜(IR cut filter)，以及在500-1000℃高溫環境下進行光學測量用的薄膜器件。
圖1為一塊Y和Zr混合金屬板的設計示意圖；圖2為另一塊Y和Zr混合金屬板的設計示意圖。
圖3為磁控反應濺射儀示意圖。
圖4為20層長波透過濾波片在熱處理前和不同溫度熱處理后的透射率對應波長的曲線比較。
圖5為摻雜ZrO2和SiO2的多層膜的示意圖。
圖6為紅外和紫外光截止可見光透過的濾波片(UV-IR cut)熱處理前后的透射率對應波長的曲線比較。
具體實施例方式實施例1采用磁控反應濺射制備具有耐高溫特性的長波透過濾波片本實施例中采用的是日本Shincron公司生產的ASC-800磁控反應濺射儀。
利用該磁控反應濺射儀制備三氧化二釔穩定的氧化鋯與二氧化硅(YSZ/SiO2)20層的長波透過濾波片的過程如下首先制備YSZ和SiO2單層薄膜。制備YSZ層采用的金屬靶材是金屬釔(Y)和金屬鋯(Zr)拼接而成的混合金屬板，如圖1和圖2所示。圖3所示磁控濺射儀示意圖中的混合靶1需要由如圖1和圖2所示的兩塊混合金屬板并排放置而成。圖1和圖2所示的每塊混合金屬板都是用12塊金屬鋯(在圖中用P1到P24標記的方塊)和2塊金屬釔(在圖中用Q1到Q4標記的方塊)排列在銅板上拼接制成；每塊金屬寬51.5cm，長52.5cm，厚0.8cm，將金屬塊擺成兩列，每列7塊，第一塊金屬板中的兩塊金屬釔Q1和Q2分別放在第一列的第5個的位置和第二列的第三個的位置，其他位置放置金屬鋯，第二塊金屬板中的兩塊金屬釔Q3和Q4分別放在的第二列的第3個和第6個的位置，其他位置放置金屬鋯；通過計算機模擬，這樣的位置鍍出來的薄膜中釔與鋯混合較均勻。
圖3為磁控濺射儀示意圖。其中，硅靶2與由圖1和圖2所示的兩塊混合金屬板并排放置而成的混合靶1分別置于真空腔3的兩側，襯底4置于真空腔內面向靶的位置，用分子泵5將腔抽成2.0×10-4真空，并由氣路6通入氬氣與氧氣，通過步進電機7控制襯底的轉向在鍍制低折射率的二氧化硅(SiO2)膜層時使襯底轉向硅靶2，在鍍制高折射率的釔穩定氧化鋯膜層時將襯底轉向釔鋯混合靶1。
本實施例中制備YSZ濺射過程采用的氣壓為0.17Pa，電源功率為1.5kW，氧氣與氬氣流速都為標準狀態下每秒100毫升(單位sccm)。通過能譜分析得到YSZ薄膜中Y2O3與ZrO2的比例為9.5∶100。
制備SiO2層采用金屬Si作為靶材，濺射過程氣壓為0.17Pa，氧氣與氬氣流速都為標準狀態下每秒100毫升，電源功率為3kW，襯底用的是石英基片。
通過測量單層薄膜的厚度得到生長YSZ層和SiO2層的速率生長YSZ層的速率為每秒0.0884納米，生長SiO2層的速率為每秒0.4981納米。
然后利用美國Thin Film Center公司的薄膜軟件Essential Macleod，依據薄膜中多次反射光束之間的干涉效應，設計出對于波長大于500納米的光透過，而波長小于500納米的光截止的多層膜濾波片，本實施例中將該多層膜濾波片設計為20層。
表1給出了這20層長波透過濾波片每一層的材料以及厚度的設計參數
按照以上設計的各膜層的厚度、以及前面得到的生長速率，根據所需的成膜厚度來設定控制磁控反應濺射儀鍍制每一層膜的濺射時間，交替的鍍制YSZ和SiO2層，就能制備出上面設計的20層薄膜濾光片。
檢驗制備好的20層薄膜濾光片是否具有耐高溫性能將上述制備好的20層薄膜濾光片放入一控溫電爐中，分別選擇調節恒溫的溫度為400℃、800℃和1000℃，在每個溫度上恒溫2小時后取出，用UV-4100分光光度計測量透過率是否變化；再放回爐中，調節到下一個恒溫溫度上恒溫2小時后取出，再測量透過率是否變化；經如此升溫、恒溫操作并用UV-4100分光光度計測量，得到不同波長可見光透過率對光波長的曲線如圖4所示該濾光片對于波長大于500納米的光透過率在90％以上，而對于波長小于500納米的光透過率小于1％；熱處理之前的樣品的透過率光譜曲線A、400℃恒溫熱處理后的透過率曲線B、800℃恒溫熱處理后的透過率曲線C以及1000℃恒溫熱處理后的透過率曲線D，這四條曲線非常接近，可見熱處理前后光譜性能穩定；光學截止的邊沿變化僅在3nm之內，可見從常溫到1000℃，該濾光片的光學性質不會因為溫度改變而發生變化。
圖5為用穩定化的ZrO2與SiO2形成的多層膜的斷面示意圖。其中高折射率層H材料是穩定化的ZrO2；低折射率層L的材料是SiO2，兩種材料交替長在石英襯底S上形成多層膜；用這種方法制備的濾波片能夠在1000℃高溫下保持光學性質穩定。而以傳統材料例如五氧化二鈮(Nb2O5)、二氧化鈦(TiO2)或五氧化二鉭(Ta2O5)為高折射率層制備的光學膜都不能在超過500℃的溫度下保持光學性質穩定。由此可見，用本發明制備的多層膜可以克服現有技術中薄膜的工作溫度不能太高的缺陷。
穩定ZrO2的耐高溫性主要是因為摻雜一定濃度雜質以后的ZrO2能在常溫到1000℃高溫下保持晶相不變。以摻Y2O3的ZrO2為例，當Y2O3與ZrO2摩爾比在7--25∶100，ZrO2的晶相就保持在立方相，晶相穩定，不會因為高溫而發生相變。本實施例中制備得到的YSZ薄膜中Y2O3與ZrO2摩爾比為9.5∶100，因此能在常溫到1000℃環境光學性能穩定。
只要控制所得薄膜中的Y2O3與ZrO2摩爾比在7--25∶100，該薄膜就具有耐高溫性能。
本發明的光學多層膜由穩定化的ZrO2層與SiO2層交替堆疊而成，其耐高溫性能是源于穩定化ZrO2層的熱穩定性能以及它與SiO2層的匹配，因此只要研究鍍在石英襯底(成分也為SiO2)上的單層ZrO2的熱穩定性能就能表征ZrO2與SiO2多層膜體系的耐高溫性能。以下實施例就以單層的ZrO2為樣品檢驗其耐高溫性能。
實施例2調節濺射電源的功率可以得到不同配比的單層YSZ薄膜的耐高溫特性對于混合金屬靶，可通過改變靶材中Y和Zr的配比，或調節其濺射電源的功率來調節最后薄膜中的Y2O3與ZrO2摩爾比例在7--25∶100，使薄膜具有耐高溫性能。這是由于在不同的功率下作用下金屬Y和金屬Zr的濺射速率比例不同，因此利用混合金屬靶制備的薄膜的配比隨功率變化而改變；而對于Y和Zr的合金靶而言，Y和Zr的濺射速率比例則是嚴格遵循合金中Y和Zr的比例，不隨功率的變化而改變，因此對于合金靶，只能通過改變靶材中Y和Zr的配比來調節最后薄膜中的Y2O3與ZrO2摩爾比例在7--25∶100，使薄膜具有耐高溫性能。
本實施例中將金屬靶的濺射電源的功率調到0.7kW以得到與實施例1不同配比的YSZ薄膜。
本實施例中利用磁控反應濺射儀來制備YSZ透明單層膜，所用的金屬靶即實施例1中設計使用的由金屬Y和Zr拼接而成的混合靶；采用濺射過程氣壓為0.17Pa，電源功率為0.7kW，氧氣與氬氣流速都為標準狀態下每秒100毫升。
用X射線光電子能譜分析本實施例中制備的YSZ薄膜，得出其Y2O3與ZrO2的摩爾比為25∶100，在這個比例下的ZrO2為穩定化的，具有耐高溫性能。
通過在400℃到1000℃的溫度范圍內選取幾個溫度作本實施例中制備的YSZ薄膜的透過率光譜的測試，所的透過率曲線對應波長的曲線變化極小，說明本實施例制備的該薄膜光學性能穩定，可以耐不低于1000℃的高溫。
實施例3改變電源功率制備另一種配比的單層YSZ薄膜及其耐高溫特性本實施例中利用磁控反應濺射儀制備YSZ透明單層膜所用的金屬靶即實施例1中設計使用的由金屬Y和Zr拼接而成的混合靶；采用濺射過程氣壓為0.17Pa，將電源功率調到4kW，氧氣與氬氣流速都為標準狀態下每秒100毫升。
用X射線光電子能譜分析本實施例中制備的YSZ薄膜，得出其Y2O3與ZrO2的摩爾比為7∶100。
通過在400℃到1000℃的溫度范圍內選取幾個溫度作本實施例中制備的YSZ薄膜透過率光譜的測試，所得透過率曲線對應波長的曲線基本上沒有變化，說明該薄膜光學性能穩定，可以耐不低于1000℃的高溫。
實施例4采用合金靶制備的單層YSZ薄膜及其耐高溫特性如實施例2所描述，對于合金靶，只能通過改變靶材中Y和Zr的配比來調節最后薄膜中的Y2O3與ZrO2摩爾比例在7--25∶100，使薄膜具有耐高溫性能。
本實施例中利用磁控反應濺射儀制備YSZ透明單層膜制備YSZ層所用混合靶材是由金屬Y和金屬Zr按摩爾比為50∶100燒結而成的合金靶；濺射過程氣壓為0.17Pa，電源功率為4kW，氧氣與氬氣流速都為標準狀態下每秒100毫升。
用X射線光電子能譜分析本實施例中制備的YSZ薄膜，得出其Y2O3與ZrO2的摩爾比為25∶100。
通過在400℃到1000℃的溫度范圍內選取幾個溫度作本實施例中制備的YSZ薄膜透過率光譜的測試，證明透過率曲線對應波長的曲線基本上沒有變化，說明該薄膜光學性能穩定，可以耐不低于1000℃的高溫。
實施例5以YSZ和SiO2為材料制備紅外和紫外光截止可見光透過的濾波片產品本實施例中用磁控反應濺射儀制備紅外(波長大于700納米)和紫外(波長小于420nm)光截止可見光透過的濾波片(即投影儀里用到的UV-IR cut)。
具體實施方案為用YSZ和SiO2作多層膜材料，在石英基片的一面鍍上紅外光截止薄膜，另一端鍍上紫外光截止的薄膜，該薄膜每層需要的厚度采用實施例1中用到的多層膜的設計方法設計出來。
制備YSZ層所用的金屬靶即實施例1中設計使用的由金屬Y和Zr拼接而成的混合靶，濺射過程氣壓為0.17Pa，電源功率為1.5kW，制備SiO2層利用的是金屬Si作為靶材，電源功率為3kW。
檢驗該薄膜的耐高溫性能用UV-4100分光光度計測量其透過率對應波長的曲線，然后把制備好的薄膜放入一控溫電爐中調節到800℃恒溫2小時后取出，再用UV-4100分光光度計測量透過率對應波長的曲線，與恒溫前的曲線比較。圖6中給出了紅外和紫外光截止可見光透過的濾波片(UV-IR cut)恒溫處理前后的透射率對應波長的曲線比較結果，該種濾波片的光學性質是波長為420納米到700納米的可見光透過率大于90％，而波長小于420納米的紫外光和波長大于700納米的紅外光透過率小于1％，圖6中恒溫熱處理前的樣品的透過率曲線E為虛線，800℃恒溫熱處理后的曲線F為實線，通過曲線的比較可見恒溫熱處理前后光學性能基本上沒有沒有變化，說明該器件可以在常溫到800℃的溫度范圍正常工作。
本實施例中制備的這種紅外和紫外光截止濾波片器件與傳統投影儀里的紅外和紫外光截止濾波片相比能夠耐較高的溫度，因此可用于投影儀以使光源的光強以及投影儀的分辨率的大大提高。
實施例6單層摻Al2O3的ZrO2薄膜的耐高溫特性與YSZ不同，摻Al2O3會使ZrO2穩定在四方晶相而非立方相，但穩定后的ZrO2依然具有高溫下晶相穩定、不相變的性質，因此只要摻雜一定的濃度，使ZrO2達到穩定，就可使所得薄膜具有耐高溫的性能；Al2O3和ZrO2的摩爾比控制在1.7-4.5∶10，ZrO2就達到穩定，因此只要摻雜比例在這個范圍內，ZrO2薄膜也具有耐高溫性能。
本實施例中用磁控反應濺射儀制備摻Al2O3的ZrO2單層透明光學薄膜，將實施例1中所述靶材中金屬Y的部分用金屬Al來代替，做成Zr-Al混合金屬靶，控制濺射功率為4kW，氣壓為0.17Pa，氧氣與氬氣流速都為標準狀態下每秒100毫升，得到透明的薄膜。
通過能譜分析可知，該薄膜中Al2O3與ZrO2的摩爾比為4.5∶10；通過在400℃到1000℃的溫度范圍內選取幾個溫度對其作透過率光譜的測試，其透過率曲線對應波長的曲線基本上沒有變化，說明該薄膜光學性能穩定，可以耐不低于1000℃的高溫。
同樣，對于金屬靶，可通過改變靶材中Al和Zr的配比，或改變其濺射電源的功率來調節最后薄膜中的Al2O3與ZrO2摩爾比例在1.7-4.5∶10，使薄膜具有耐高溫性能。
實施例7改變電源功率制備與實施例6薄膜配比不同的單層摻Al2O3的ZrO2薄膜及其耐高溫特性本實施例通過調節金屬靶的濺射電源的功率以得到配比不同于實施例6的摻Al2O3的ZrO2薄膜。
本實施例中用磁控反應濺射儀制備摻Al2O3的ZrO2單層透明光學薄膜，同樣將實施例1中所述靶材中金屬Y的部分用金屬Al來代替，做成Zr-Al混合金屬靶，將濺射功率調為1kW，氣壓為0.17Pa，氧氣與氬氣流速都為100sccm，得到透明的薄膜。
通過能譜分析可知，本實施例所制備的透明薄膜中，Al2O3與ZrO2比例為2∶10；通過在400℃到1000℃的溫度范圍內選取幾個溫度對其作透過率光譜的測試，其透過率曲線對應波長的曲線基本上沒有變化，說明該薄膜光學性能穩定，可以耐不低于1000℃的高溫。
實施例8采用自由基輔助濺射制備單層摻Al2O3的ZrO2薄膜薄膜本實施例中使用日本Shincron公司生產的RAS-1100自由基輔助濺射儀制備YSZ透明單層膜，所用的金屬靶即實施例6中設計使用的由金屬Al和Zr拼接而成的混合靶；濺射電源的功率為3kW，氬氣流速都為200sccm，氧化槍的射頻電源功率為2.5kW，氧流速為300sccm。
用X射線光電子能譜分析所得到的摻Al2O3的ZrO2透明單層膜，其Al2O3與ZrO2的摩爾比為1.7∶10；通過在400℃到1000℃的溫度范圍內選取幾個溫度對該摻Al2O3的ZrO2，透明單層膜作透過率光譜的測試，其透過率曲線對應波長的曲線基本上沒有變化，說明該薄膜光學性能穩定，可以耐不低于1000℃高溫。
綜上所述，利用本發明方法所制備的光學薄膜濾波片以及其它光學器件，能夠在常溫到1000℃工作溫度下正常工作而不會破壞其光學性能。隨著現在光電技術的發展，很多情況對薄膜的耐高溫性能有很高要求，用現有傳統材料制備的光學膜已達不到這種要求，而本發明制備的光學膜則可以勝任。
權利要求
1.一種摻雜穩定化氧化鋯的光學膜，是由高折射率層和低折射率層交替堆疊而成的多層膜，其特征在于所述高折射率層的材料為穩定化的氧化鋯，所述低折射率層的材料為非晶SiO2；所述穩定化的氧化鋯是摻Y2O3或Al2O3作穩定劑的ZrO2；若摻雜的是Y2O3，則Y2O3與ZrO2的摩爾比為5--25∶100；若摻雜的是Al2O3，則Al2O3和ZrO2的摩爾比為1.7-4.5∶10。
2.一種摻雜穩定化氧化鋯的耐高溫光學膜的制備方法，包括將磁控反應濺射儀的真空腔氣壓抽至小于0.001Pa，按氧氣與氬氣流速比1-1.5∶1通入氧氣和氬氣至腔內氣壓為0.1-1Pa；將襯底盤與靶面平行放置，使襯底盤以每分鐘100-600轉的速度繞法線旋轉，控制金屬靶材上的濺射電源功率在0.7--4kW；或者，將自由基輔助濺射儀的真空腔氣壓抽至小于0.001Pa，氬氣流速控制在標準狀態下150-400毫升/秒，調節金屬靶材上的濺射電源的功率在1000-4000W，氧氣流速控制在標準狀態下100-400毫升/秒，氧化槍的射頻電源功率調節在1000-3000W；根據所需的成膜厚度來設定濺射時間；其特征在于所述金屬靶材采用由Y與Zr按摩爾比為10-50∶100或由Al與Zr按摩爾比為3.5-9∶10組成的混合靶材作為濺射源。
3.如權利要求2所述摻雜穩定化氧化鋯的耐高溫光學膜的制備方法，特征在于所述混合靶材為由Y和Zr按摩爾比為10-50∶100或由Al和Zr按摩爾比為3.5-9∶10的金屬塊拼接而成的混合金屬靶，或者是由Y和Zr按摩爾比為10-50∶100或由Al和Zr按摩爾比為3.5-9∶10組成的合金靶。
全文摘要
本發明摻雜穩定化氧化鋯的耐高溫光學膜及其制備方法，特征是采用磁控反應濺射儀或自由基輔助濺射儀，由Y與Zr按摩爾比為10－50∶100或由Al與Zr按摩爾比為3.5－9∶10組成的混合靶材作為濺射源；所得到的由穩定化的氧化鋯高折射率層和非晶SiO
文檔編號C23C14/35GK1996055SQ20061016133
公開日2007年7月11日 申請日期2006年12月18日 優先權日2006年12月18日
發明者黃烽, 王海千, 李明, 謝斌, 侯建國, 宋亦周, 姜友松 申請人:中國科學技術大學