一種真空濺鍍防電磁波干擾膜之不良膜面的處理方法

專利名稱：一種真空濺鍍防電磁波干擾膜之不良膜面的處理方法
技術領域：
本發明涉及一種處理不良膜面的方法，特別是涉及---種真空濺鍍不良膜面 的處理方法。
背景技術：
隨著科技的持續發展，各種電子組件精密度及靈敏度不斷提升，因此對于
電磁波干擾(EMI)的防治上更有嚴苛的要求，以避免造成電子組件的誤動作及 損壞，而在電磁波干擾的防治上，金屬磁屏(借用金屬膜層隔離電磁波)乃是一 傳統簡單且有效的應用方法，而目前業界通常采用真空濺鍍工藝來形成防電磁 波干擾(EMI)膜層。然而，真空濺鍍防電磁波干擾(EMI)膜層可能會因電場、磁
場或環境因素等原因而造成膜面的不良，具體表現為附著力不夠，顏色異常等 不良現象。日前針對此種現象一般采用化學試劑腐蝕掉表面膜層再重新鍍膜， 而其中的化學試劑對環境及操作人員產生了不利影響。

發明內容
本發明的目的在于提供一種利用噴砂機處理真空濺鍍防電磁波干擾(EMI) 膜之不良膜面的方法。
為實現本發明的目的，采用的技朮方案如下
一種真空濺鍍防電磁波干擾(EMI)膜之不良膜面的處理方法，其特征為 在室溫條件下用噴砂機對經過真空濺鍍防電磁波干擾(EMI)膜的基材上存在的 不良膜面進行噴砂處理，其工作壓力為0. 1 0. 5MPa ，壓力源為空壓機，采用 的砂材為棕剛玉，砂材尺寸可為60# 120# ，通過本方法對表面進行處理完后 可以重新在基材上鍍膜，并且可以改善之前的不良現象。
本發明的優點在于該工藝技朮完全采用物理方法，沒用使用任何化學試劑 ,對環境不造成任何污染，且其操作過程簡單方便，制程速度快，即提高了生 產效率。
具體實施例方式
以下結合實施例對本發明作出進一步詳細說明。 實施例一
選取一經過真空濺鍍防電磁波干擾(EMI)膜且存在不良膜面的基材作為樣 品，在室溫條件下，以噴砂機進行處理，其中，壓力為0. 2MPa ，使用IO(W棕剛
玉，噴砂完成后再進行鍍膜，鍍上之后續膜層可達到百格測試3B級以上標準。 實施例二
選取一經過真空濺鍍防電磁波干擾(EMI)膜且存在不良膜面的基材作為樣 品，在室溫條件下，以噴砂機進行處理，其中，壓力為0. IMPa ，使用80#棕剛 玉，噴砂完成后再進行鍍膜，鍍上之后續膜層可達到百格測試3B級以上標準。
通過上述實施例證明，采用該技朮工藝一方面可以將其基材表面的不良膜 面完全或者部分打下來，另一方面，可以增強基材表面的粗糙程度，有利于后 續膜層與基材之間的附著效果，并且可以盡量避免反彈的砂礫對外觀面的影 響。
權利要求
1.一種真空濺鍍防電磁波干擾膜之不良膜面的處理方法，其特征為在室溫條件下用噴砂機對經過真空濺鍍防電磁波干擾膜的基材上存在的不良膜面進行噴砂處理，其工作壓力為0.1～0.5MPa，采用的砂材為棕剛玉，砂材尺寸可為60#～120#。
2. 根據權利要求1所述的真空濺鍍防電磁波干擾膜之不良膜面的處理方法 ，其特征在于，該工藝方法采用的壓力源為空壓機。
3. 根據權利要求1所述的真空濺鍍防電磁波干擾膜之不良膜面的處理方法 ,其特征在于，所述工作壓力優選為0. lMPa。
4. 根據權利要求1所述的真空濺鍍防電磁波干擾膜之不良膜面的處理方法 ，其特征在于，所述砂材尺寸優選為80tt。
全文摘要
一種真空濺鍍防電磁波干擾(EMI)膜之不良膜面的處理方法，其特征為在室溫條件下用噴砂機對經過真空濺鍍防電磁波干擾(EMI)膜的基材上存在的不良膜面進行噴砂處理，其工作壓力為0.1～0.5MPa，壓力源為空壓機，采用的砂材為棕剛玉，砂材尺寸可為60^#～120^#，通過本方法對表面進行處理完后可以重新在基材上鍍膜，并且可以改善之前的不良現象。該工藝技術完全采用物理方法，無需任何化學試劑，對環境不造成任何污染，且其操作過程簡單方便，制程速度快，即提高了生產效率。
文檔編號C23C14/54GK101096751SQ200610036269
公開日2008年1月2日 申請日期2006年6月30日 優先權日2006年6月30日
發明者覃飛祥, 陳志明 申請人:佛山市順德區漢達精密電子科技有限公司