專利名稱：用于半導體設備的下電極組件的制作方法
技術領域：
本發明涉及微電子技術領域，具體地涉及一種下電極組件。
背景技術：
加工諸如IC制造中所用的半導體襯底或平板顯示器應用中所用的平板(例如玻璃、塑料等)之類的襯底的裝置應用到下電極組件。Applied Material(應用材料)公司曾設計過一套下電極組件裝置，用來實現下電極所有的功能，結構如圖1所示，此下電極組件是由聚焦環1，、靜電卡盤2，、隔離環3，、基座4，、陰極內襯5’、底蓋6’、以及內部的陰極內襯等組件構成。但由于體積較大，內部結構復雜，尤其是下電極護罩部分，安裝較為繁瑣，不利于下電極頻繁維護的要求。
發明內容
(一)要解決的技術問題本發明的目的是提供一種下電極組件裝置，裝配、維護十分方便，滿足下電極使用的各種要求。
(二)技術方案為了達到上述目的，本發明采取以下方案本發明的一種用于半導體設備的下電極組件，包括靜電卡盤、卡盤基座、下電極，陰極內襯，陰極內襯設有法蘭邊，還包括卡盤支架、螺釘掩蓋和下電極護罩，其中，卡盤支架置于卡盤基座內，螺釘掩蓋套與陰極內襯的法蘭邊上表面配合，下電極護罩套裝在下電極外面，所述的下電極護罩為分體結構，分為下電極護罩上部分、下電極護罩下部分。
(三)有益效果本發明的下電極組件中的下電極護罩是由上、下兩部分組成，在裝配下電極前，可先將這兩個部件組裝為一體后，再將其固定在腔室內；這種結構大大減小了下電極護罩加工制造以及裝配的難度，同時，使下電極的維護變得更加方便。
圖1是本發明的現有技術結構示意圖；圖2是本發明的裝配關系結構示意圖；圖3是本發明裝配后的結構示意圖；圖4是本發明中的下電極護罩結構示意圖。
圖中1’聚焦環；2’靜電卡盤；3’隔離環；4’基座；5’陰極內襯；6’底蓋；1聚焦環；2靜電卡盤；3隔離環；4卡盤支架；5卡盤基座；6陰極內襯；7螺釘掩蓋；8下電極護罩；9底蓋；10下電極護罩上部分；下電極護罩下部分。
具體實施例方式
以下實施例用于說明本發明，但不用來限制本發明的范圍。
一種用于半導體設備的下電極組件，包括聚焦環1、靜電卡盤2、下電極，隔離環3、卡盤基座5、陰極內襯6、底蓋9、以及內部的陰極內襯，陰極內襯設有法蘭邊，還包括卡盤支架4、螺釘掩蓋7和下電極護罩8；所述的下電極護罩8為分體結構，分為下電極護罩上部分下電極護罩下部分；所述的卡盤支架4位于下電極組件的內部，支撐靜電卡盤；螺釘掩蓋7套與陰極內襯6的法蘭邊上表面配合。
其具體結構及位置關系如圖2所示，整個下電極裝配后如圖3所示。本發明的下電極組件最大的特點在于其結構更為合理，各部件裝配關系明確，安裝、維護十分方便。
如圖4所示，本發明的下電極組件中的下電極護罩8是由上、下兩部分組成，在裝配下電極前，可先將這兩個部件組裝為一體后，再將其固定在腔室內。這一結構大大減小了下電極護罩8加工制造以及裝配的難度，同時，使下電極的維護變得更加方便。
雖然詳細地描述了等離子體反應下電極，但本方明本身不局限于任何特定類型的襯底加工裝置，而是可以適用于任何已知的襯底加工系統，包括但不局限于適合于淀積工藝的反應器和系統，包括化學氣相淀積、等離子體增強化學氣相淀積、以及濺射之類的物理氣相淀積。而且，本發明可以被用于一些適當的已知腐蝕工藝中的任何一個，包括適合于干法腐蝕、等離子體刻蝕、反應離子刻蝕、磁增強反應離子刻蝕、電子回旋共振之類的工藝。而且，可以預見本發明可以在任何上述反應器以及其它適當的等離子體加工反應器中被應用。
權利要求
1.一種用于半導體設備的下電極組件，包括靜電卡盤(2)、卡盤基座(5)、下電極，陰極內襯(6)、以及內部的陰極內襯，陰極內襯(6)設有法蘭邊，其特征在于還包括卡盤支架(4)、螺釘掩蓋(7)和下電極護罩(8)，其中，卡盤支架(4)置于卡盤基座(5)內，螺釘掩蓋套(7)與陰極內襯(6)的法蘭邊上表面配合，下電極護罩(8)套裝在下電極外面，所述的下電極護罩(8)為分體結構，分為下電極護罩上部分(10)、下電極護罩下部分(11)。
全文摘要
本發明涉及微電子技術領域，具體地涉及一種下電極組件。本發明公開的一種用于半導體設備的下電極組件，包括靜電卡盤、卡盤基座、下電極，陰極內襯，陰極內襯設有法蘭邊，還包括卡盤支架、螺釘掩蓋和下電極護罩，其中，卡盤支架置于卡盤基座內，螺釘掩蓋套與陰極內襯的法蘭邊上表面配合，下電極護罩套裝在下電極外面，所述的下電極護罩為分體結構，分為下電極護罩上部分、下電極護罩下部分。本發明的結構能大大減小下電極護罩加工制造以及裝配的難度，同時，使下電極的維護變得更加方便。
文檔編號C23C14/00GK1851860SQ200510126388
公開日2006年10月25日 申請日期2005年12月8日 優先權日2005年12月8日
發明者國欣 申請人:北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司