耐氫吸收性優異的鈦合金材料的制作方法

專利名稱：耐氫吸收性優異的鈦合金材料的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種在由于吸收氫而可能發生脆性破壞的環境中所使用的鈦合金材料，具體涉及一種適用于使用酸溶液、氨、硫化氫氣體、氫氣、二氧化碳等的各種化工廠、海水淡化工廠、給水加熱器、冷凝器等熱交換器和各種配管等中的鈦合金材料。
背景技術：
純鈦或鈦合金(以下，有時僅稱作鈦合金)，對于包括海水等含有氯化物的環境在內的各種腐蝕環境具有優良的耐腐蝕性，因此各種化工廠和海水淡化工廠等對其的需求量較大。但是，鈦與氫的親和力較大，因而根據使用環境，鈦會吸收大量的氫。例如，在海水淡化工廠的熱交換器管道中使用鈦合金時，為了防止與鈦合金接觸的鋼材的腐蝕，有時會實施電防蝕(陰極防蝕)，而如果這樣做，由鈦合金形成的部件的電極電位就會在氫產生電位以下，因此產生的氫會被鈦合金部件吸收。
作為鈦合金容易吸收氫的環境，除了上述那樣的熱交換器用管道以外，還可以舉出非氧化性酸溶液環境、石油精制工廠等的硫化氫氣氛、發電廠的渦輪葉片等高溫水蒸氣氣氛、化工廠等的高溫氫氣氣氛等。
此外，在鈦合金材料和鐵鋼材相接觸的情況下，如果由于鐵鋼材的腐蝕而產生氫，則鈦合金材料就會吸收該氫而變脆。如果鈦合金吸收氫，則在鈦合金中形成脆弱的氫化物，并且當這種氫化物的形成量變多時，由該鈦合金形成的部件即便在設計應力以下的較小外力的作用下也受破壞(氫脆化裂紋)。
由于存在這種伴隨氫吸收而發生脆化的問題，因此實情是在能夠發生上述那種氫吸收的環境下避免使用鈦合金作為結構部件的材料。
作為防止鈦合金由于吸收氫而發生脆化的技術，已知有像在日本海水學會第44卷第3號或防蝕技術Vol.28.p490(1979)等中公開的將鈦合金進行大氣氧化處理從而抑制氫的吸收的方法。即，如果通過大氣氧化處理而事先在鈦合金的表面上形成氧化膜，則此氧化膜會起到氫的擴散阻擋層的作用，從而抑制氫從環境侵入到合金中。
此外，在特許第2824174號、特開平7-3364號公報中公開了通過將炭化鈦、氮化鈦或碳·氮化鈦的覆蓋面積率設定在1.0％以下，從而抑制氫的侵入的技術。即，在壓延、退火等制造工序中，在鈦合金材料的表面上不可避免地形成碳化鈦、氮化鈦或碳·氮化鈦。在特許公報2824147號中記載的技術，是一種通過減少使鈦合金的氫吸收速度加快的上述碳·氮化鈦量來抑制氫吸收的技術。
此外，像上述那樣通過將鈦合金部件大氣氧化處理而在表面上形成起到氫的擴散阻擋層作用的氧化膜，可以多少抑制鈦的氫吸收。但是在作為結構部件實用化時，施工時等難以避免與其他材料的接觸和沖突，因此在鈦合金材料的表面所形成的大氣氧化膜受損傷或氧化膜發生剝離。若產生這樣的損傷和剝離，則氫容易侵入到該部分中，因此與在實驗室等理想狀態下形成了大氣氧化膜的鈦合金材料相比，實用部件的氫吸收抑制效果較小。
此外，通過減少碳·氮化鈦的表面覆蓋量也能在一定程度上抑制鈦合金的氫吸收。但是，由于鈦合金本身與氫的親和力較大，因此即便減少加速氫吸收的表面碳·氮化鈦量，也不能得到滿意的氫吸收抑制效果。并且，鈦和碳、氮的親和力較大，因此即便完全去除在制造工序中形成的表面碳·氮化鈦，有時在之后表面上形成碳·氮化鈦，使氫吸收量增大。
另一方面，在將鈦合金用作熱交換器用管道或各種化學裝置部件的材料時，要求與JIS2種的純鈦同等水平的冷加工性。

發明內容
本發明是鑒于以上問題而提出的，其目的在于提供即便在容易引起氫吸收的環境下使用時也不會有發生脆性破壞的危險，并且具有與純鈦同等的冷加工性的鈦合金材料。
本發明者對鈦的氫吸收特性進行研究的結果，得到了以下構思，并完成了本發明。即，①氫在Ti-Al系合金內的擴散比氫在純Ti中的擴散慢，因此如果在純Ti中添加特定量的A1，則氫在該Ti合金內的擴散速度得到抑制，從而抑制氫的吸收，以及②如果在鈦合金的表面上形成氫擴散抑制層，則Ti-Al系合金的耐氫吸收特性將會大幅度提高。
即本發明的鈦合金材料，是用作在氫吸收環境下使用的結構部件的材料的鈦合金材料，由含有0.50～3.0％(以下，化學成分的情況下均表示質量％)Al、其余由Ti和不可避免的雜質構成的Ti-Al合金形成。有時作為雜質而混入到該Ti-Al合金內的Fe、Mo、Ni、Nb以及Mn的各含量優選分別被控制在Fe0.15％以下，Mo小于0.10％，Ni小于0.20％，Nb小于1.0％，Mn小于1.0％。
作為本發明的鈦合金材料的優選實施方式，由滿足上述優選化學組成的Ti-Al合金形成的主體部和覆蓋其上部的氧化膜構成，該氧化膜的優選厚度是1.0～100nm的范圍。這時，優選該氧化膜的50％以上是由結晶氧化物形成。此外，在上述主體部和氧化膜之間或者在上述主體部上面成為一體地形成有Al濃度比主體部的Al濃度高0.3％以上且收斂于0.8～25％范圍的Al濃縮層的鈦合金材料，因為發揮更加優良的耐氫吸收性，所以優選。該Al濃縮層優選以0.10～30微米的厚度形成。
本發明的鈦合金材料在如酸溶液、氨、硫化氫氣體、氫氣等存在的環境或者實施了電防蝕的環境那樣容易引起氫吸收的環境中，發揮優良的耐氫吸收性，特別是即便在與鐵鋼材料接觸的狀態下使用的用途中，也顯示出優良的耐氫吸收特性。


圖1是表示Ti-Al2元系合金中的Al含量對冷加工性的影響的曲線圖。
圖2是在表面形成了氧化膜的鈦合金材料的斷面示意圖，圖3是具有Al濃縮層和氧化膜的鈦合金材料的斷面模式圖。
圖中1-主體部，2-氧化膜，3-Al濃縮層
具體實施例方式
本發明的鈦合金材料是由含有0.50～3.0％Al、其余實質上由Ti和不可避免的雜質構成的Ti-Al合金形成。添加了合金元素Al的鈦合金顯示出優良的耐氫吸收性的原因被認為是，氫在Ti-Al合金內的擴散速度與氫在純Ti內的擴散速度相比非常小。對于氫在Ti-Al合金內的擴散速度而言，Al的含量越多擴散速度越慢，當Al含量小于0.50％時，氫的擴散速度不能充分變慢，從而不能得到充分的氫吸收抑制效果。因此，將Al含量的下限設定為0.50％。優選設定在1.0％以上。
另一方面，如果Al含量過多，則在冷扎時容易發生邊裂等，冷加工性顯著下降。在75％壓下率下進行冷軋的情況下，只要Al含量在2.5～3.0％的范圍，即便發生了邊裂，因其邊裂微小，所以可以容易除去。相反當Al含量超過3.0％時，邊裂非常大，難以除去，同時生產性顯著降低。因此，Al含量應該控制在3.0％以下，優選控制在2.5％以下。
此外，如果冷軋時的壓下率能夠確保最低限度75％，就可以采用與目前廣泛地用作焊接鈦管的JIS2種純鈦相同的工序能夠加工成薄板狀。
圖1是表示Ti-Al 2元系合金中的Al含量對冷加工性的影響的圖，是將在冷軋中要發生邊裂之前的壓下率(臨界壓下率)曲線化表示的圖。在該實驗中將壓下率的上限設定為75％。
由圖1可知，在Al含量為2～2.3％以下的區域中，即使以75％的壓下率來進行冷軋時也不發生邊裂，可保證充分的壓延性。但是，如果Al含量超過2.5％，臨界壓下率明顯下降，如果超過5.0％，不僅發生邊裂，在整個板的寬度上發生裂紋。此外，在Al含量超過2.5％而3.0％以下的情況下，由于發生邊裂而生產性下降，但由于該邊裂輕微僅限于板邊緣的附近，因而可以足以加工成薄板或焊接鈦管。
在本發明的Ti-Al合金中，Fe、Mo、Ni、Nb、Mn等雜質元素要少，不能過量，但在本發明中允許Fe0.20％左右以下、Mo0.15％左右以下、Ni0.25％左右以下、Nb1.1％左右以下、Mn1.1％左右以下。優選控制在Fe0.15％左右以下、Mo小于0.10％、Ni小于0.20％、Nb小于1.0％、Mn小于1.0％。
上述Fe不僅使鈦合金的氫吸收量增加而且使耐腐蝕性劣化。此外，如果Fe含量超過0.15％，則鈦合金的氫過電壓顯著降低而容易引起氫的發生，耐氫吸收性降低。因此，Fe含量優選0.15％以下，更優選0.10％以下。
Mo、Ni、Nb、Mn也是屬于防礙耐氫吸收性的元素，應該將它們分別控制在Mo小于0.10％、Ni小于0.20％、Nb小于1.0％、Mn小于1.0％。
作為本發明的鈦合金材料的其他優選形態，可以舉出如圖2中所示的，在由Ti-Al合金構成的主體部1的表面上形成了厚度為1.0～100nm的氧化膜2的合金材料。在滿足上述化學組成的鈦合金材料中，如果在其表面上形成厚度為1.0～100nm的氧化膜，則該氧化膜對氫的擴散阻擋層作用和母材合金的抑制氫擴散的作用協同，可以得到非常優良的耐氫吸收性。
在氧化膜的厚度小于1.0mm的情況下，其作為對氫的擴散阻擋層的作用變小，因此對于抑制氫吸收難以發揮上述的協同效果。另一方面，如果氧化膜的厚度超過100nm而變得過厚，則特別是在加工時容易發生氧化膜的局部性裂紋和剝離，氫容易從裂紋和剝離部分侵入而氫吸收抑制效果降低。據此，在鈦合金部件的表面上形成的氧化膜的膜厚優選在1.0～100nm。
作為所述氧化膜的形成方法，例如可以舉出在大氣氣氛或在將氧分壓調整為適當的氣氛中，加熱氧化Ti-Al合金材料的方法。通過將加熱時的溫度和氣氛中的氧分壓等調整為適當的值，可以控制膜厚。此外，通過在磷酸水溶液等電解液中進行陽極氧化也可形成氧化膜。在進行陽極氧化時，通過調整外加電壓和電解液溫度等，可以控制陽極氧化膜的膜厚。不過，氧化膜的形成方法并不限于這些方法。
本發明的鈦合金材料，通常是根據需要將鑄塊鍛造、退火之后，熱軋，將得到的熱軋板根據需要進行退火而脫軋屑，進一步冷軋至給定的厚度，最后將得到的冷軋板退火而制造，但在該冷軋板的退火過程中，可以在進行退火的同時進行加熱氧化。
本發明中在鈦合金材料的表面上所形成的氧化膜的厚度可以根據以下方法來決定。即，根據俄歇電子分光法(AES)法，從表面向深度方向進行濺射的同時進行氧的分析，在任意5個地方測定氧濃度的最大值達到一半時的深度，將其平均值作為氧化膜的厚度(平均膜厚)。
根據本發明人等的見解，如果將上述氧化膜的一部分或全部作成結晶物質，可以確認鈦合金的耐氫吸收性顯著提高。即，在大氣中自然形成的表面氧化膜的結晶性低、非結晶部分多，而用上述方法形成的氧化膜，在構成主體部的Ti-Al合金的表面上將成為銳鈦礦(Anatase)型、金紅石(Rutile)型、板鈦礦(Brookite)型等結晶氧化膜。通過形成這樣的結晶氧化膜，氧化膜變得更加致密，對氫的擴散阻擋層的作用得到強化，更加有效地抑制氫吸收。氧化膜中的結晶氧化物即便是任意的結晶結構均可發揮這樣的作用，但是與作為正方晶的銳鈦礦型和金紅石型相比，作為斜方晶的板鈦礦型更優選。
像上述那樣的耐氫吸收性的提高效果在表面氧化膜的50％以上為結晶物質的場合下顯著。在本發明中按照以下方式決定這種結晶物質部分的比例。首先，在垂直于表面的方向上切斷試樣，接著通過銑削等制作薄膜樣品，根據氧化膜的膜厚，以100～150萬倍的倍率進行電子射線衍射。將此時各結晶的衍射峰成像，區分從斷面看見的氧化膜的結晶部分和非結晶部分，在照片上求出結晶部分的面積率。對于任意10倍的薄膜樣品進行這種電子射線衍射，求得結晶部分面積率的平均值。對于結晶結構也可以同樣通過電子射線衍射來確定。
對于所述氧化膜的結晶性，例如可以通過調整加熱氧化處理時的溫度和氧分壓、或者陽極氧化處理時的外加電壓和電解液溫度等而任意地控制。然而，氧化膜的結晶化并不限于這些方法。
作為本發明的鈦合金材料的其他優選方式，可以舉出如圖3所示的，在由Ti-Al合金構成的主體部1和氧化膜2之間形成了Al濃度比主體部的Al濃度高0.3％以上且該Al濃度為0.8～25％的Al濃縮層3的合金材料。
此外，上述氧化膜2并不是必需的，即使在主體部1的上面僅是一體地形成Al濃縮層3，也與僅由Ti-Al合金構成的主體材料相比，可以得到更優良的耐氫吸收效果。
如上所述，本發明通過在鈦中添加適量的Al，抑制了氫擴散，提高了耐氫吸收性，但在另一方面，如上所述如果添加Al，則冷加工性下降。因此，如果只增加表層部的Al含量，則可以在不損害冷加工性的前提下提高氫吸收抑制作用，進而，通過與極薄的氧化膜的協同作用，能夠使耐氫吸收性飛躍性地提高。
如前所述，如果Ti-Al合金材料主體部的Al濃度在0.5％以上，則可很好地發揮氫擴散阻擋層作用，從而發揮優良的氫吸收抑制效果，但如果使上述Al濃縮層的Al濃度比主體部的Al濃度高0.30％以上，則可進一步提高抑制氫吸收的作用。
Al濃縮層中的Al含量下限，由主體部的Al含量下限和主體部Al量的最小差可知，約為0.8％。但是，如果Al濃縮層的Al含量超過25％，則會生成以Ti-Al為基礎的非常脆弱的γ相，加工時表面層(Al濃縮層和氧化膜)容易發生裂紋和剝離。此外，由于從該表面層的裂紋和剝離發生部發生氫的侵入，因而不能發揮氫擴散阻擋層作用。因此，Al濃縮層中的Al含量優選控制在25％以下。進而，優選作為不生成ε相的成分范圍的16％以下，更優選作為不生成α2相(Ti2Al)的成分范圍的6％以下。
Al濃縮層的厚度，如果在0.10微米以上，則與沒有Al濃縮層的情況(只有主體部)的情況相比氫吸收抑制效果顯著提高。但是如果其厚度超過30微米而變得過厚，則加工時Al濃縮層容易發生剝離，氫吸收抑制劣化。因此，Al濃縮層的厚度優選在0.10～30微米的范圍。
但是，對在Ti等高熔點金屬中添加Al等低熔點金屬的合金進行了加熱處理的情況下，有時會由于表層部中的低熔點金屬的擴散而濃度發生變化。這種現象是由高熔點金屬和低熔點金屬的蒸汽壓差而產生的，如果是除去表面氧化膜的狀態，則低熔點金屬的表面濃度會降低，相反如果是形成了表面氧化膜的狀態，則表面濃度將增加。因此，對于Al濃縮層，像上述那樣通過調整加熱氧化處理時的溫度和氧分壓，可以任意地控制該Al濃縮層的Al濃度和厚度。此外，在進行陽極氧化處理的情況下，通過調整外加電壓和電解液溫度，同樣也可以任意地控制該Al濃縮層的Al濃度和厚度。但是，對于Al濃縮層的形成，并不限定于這些方法。
上述Al濃縮層的Al濃度(平均濃度)和厚度，可以采用俄歇電子分光法，邊從表面向深度方向進行濺射邊進行Al元素分析而測定。
實施例下面，舉出實施例來更具體地說明本發明，但本發明并不受以下實施例的限制，可以在以上和以下所記的宗旨的范圍內適當地進行變更后實施，這些變更均包括在本發明的技術范圍內。此外，只要沒有特別的說明，以下的“％”均表示“質量％”。
實施例1(通過恒定電流電解評價耐氫吸收性)將JIS1種(相當于ASTM Gr.1)的純Ti和Al、Fe等各種純金屬用作原料，在真空電弧熔化爐熔煉表1中所示的各種鈦合金，制造了鑄塊(約500g)。對于各鑄塊進行了調質退火(1000℃×2小時)之后，通過熱軋(800～900℃)加工成厚度4.2mm的板狀片。接著，通過酸洗除去軋屑，然后以75％壓下率冷軋至板厚為1.0mm，根據該冷軋時的邊裂發生狀況評價了各試驗片的冷加工性。
之后，從實施了真空退火(800℃×1小時)的各板狀片切出大小為10mm×10mm的試驗片，進行濕式研磨(砂紙#1200)，然后立刻將各試驗片在0.1摩爾/升的硫酸水溶液(80℃大氣開放)中進行了恒定電流陰極電解，測定了吸收的氫量。此時的電流密度設定為-1mA/cm2、電解時間設定為240小時，根據熔融法測定了吸收的氫量。將在該試驗中得到的冷加工性和氫吸收性的評價結果示于表1中。
表1

(注)*1冷加工性 ◎沒有發生邊裂 ○發生長度小于1mm的邊裂 ×發生長度1mm以上的邊裂*2氫吸收量 ○○小于100ppm ○100～499 ppm，△500～999ppm，×1000ppm以上表1中表示出相當于本發明實施例的試樣與作為原料來使用的JIS1種純Ti的試樣No.1相比，總的來說顯示了更優良的冷加工性和耐氫吸收特性。特別是Al含量為1.0％以上、雜質元素含量降低至規定值以下的試樣No.9～11(實施例)，其耐氫吸收性的改善顯著。
實施例2(通過鹽酸浸漬評價耐氫吸收性)作為容易引起氫吸收、腐蝕性嚴重的環境的代表，例舉鹽酸來進行了浸漬腐蝕試驗。
采用與上述實施例1相同的方法，制作了下記表2中所示的各種鈦合金的試驗片。但是，對于本實施例中使用的試驗片，真空退火之后進一步在1vol％磷酸水溶液中實施了陽極氧化處理。此時的外加電壓為1～50V，電解液溫度在20～50℃的范圍內適當變化，調整了在主體材料表面上形成的氧化膜的厚度和結晶性。與上述同樣，氧化膜的厚度是采用俄歇電子分光法測定，并根據電子射線衍射來求得結晶部分的比例(結晶性)和結晶結構。
鹽酸浸漬試驗，是在0.1摩爾/升-HCl水溶液(沸騰)中進行，浸漬時間設定為10天。根據浸漬試驗前后的重量變化來求出腐蝕速度，同時用熔融法測定了吸收的氫量。此外，對各試驗片與上述同樣地評價了冷加工性。
將冷加工性、氧化膜的膜度等以及吸收氫量的測定結果示于表2中。此外，所有試樣的腐蝕速度均在0.01mm/y以下。
表2

(注)*1冷加工性 ◎沒有發生邊裂 ○發生長度小于1mm的邊裂 ×發生長度1mm以上的邊裂*2結晶結構 R金紅石型 A銳鈦礦型 B板鈦礦型*3氫吸收量 ○○○50ppm，○○50～99ppm，○100～499ppm，△500～999ppm，×1000ppm以上由表2可知，滿足本發明的規定必要條件的實施例的試樣，具有與作為原料來使用的JIS1種試樣No.21(純Ti)同等的冷加工性和耐腐蝕性，且具有比純Ti更優良的耐氫吸收特性。特別是，在Al含量為1.0％以上、氧化膜的厚度為1.0nm以上、結晶物質為50％以上的試樣No.31～38的實施例顯示出非常優良的耐氫吸收性。不過，No.39中盡管氧化膜大致為結晶物質，但因其厚度超過了100nm，因此耐氫吸收性劣化。
實施例3(在與鋼材接觸的狀態下的耐氫吸收性的評價)按照與上述實施例2相同的方法制成了試樣片。但是，對于本實施例中使用的試驗片在陽極氧化處理之后實施了大氣氧化處理。通過調整此時的氧化溫度和處理時間，調整了表面氧化膜的膜厚和結晶性、Al濃縮層的Al量和厚度。
對于氧化膜的厚度和結晶性，與上述實施例2相同根據俄歇電子分光法和電子射線衍射法求得。此外，采用俄歇電子分光法測定各試驗片的從表面向深度方向的Al濃度分布，求出Al濃縮層的平均Al濃度和厚度。
從板狀片切出30mm×30mm大小的試樣片，在其中心挖出直徑5mm的孔，與相同形狀的碳鋼(JIS SPCC)粘在一起，在用鈦制的螺栓·螺母緊固的狀態下浸漬于腐蝕溶液中。使用的腐蝕溶液是3％NaCl水溶液(沸騰)，浸漬時間為2個月。根據熔融法測定試驗后的吸收氫量，并將結果示于表3中。
此外，與上述實施例1和實施例2相同地評價了冷加工性。所有的試樣中均未發現冷加工時的邊裂。
表3

(注)*1結晶結構 R金紅石型 A銳鈦礦型 B板鈦礦型*2氫吸收量 ○○○○小于10ppm，○○○10～49ppm，○○50～99ppm，○100～499ppm， △500～999ppm，×1000ppm以上由表3可知，在形成了Al濃縮層的實施例No.46～59、特別是其層厚為0.10微米以上的No.50～59，與在表面形成的氧化膜的結晶物質比例無關，顯示出極其優良的耐氫吸收性。
在本發明的鈦合金材料中，由Ti-Al合金構成的基材材料本身、或者在由相同合金構成的主體部的上面形成的氧化膜、Al濃縮層或Al濃縮層和氧化膜很好地起到氫擴散阻擋層的作用，因此本發明的鈦合金材料顯示了卓越的耐氫吸收性。并且這種Ti-Al合金具有與純Ti同等的冷加工性，因此容易加工成為各種形狀。其耐蝕性也與純Ti同等，因而與碳鋼和不銹鋼相比耐蝕性良好。因此，本發明的鈦合金材料適合作為暴露在容易引起氫吸收的腐蝕性嚴重的環境中的結構部件。具體可以適用于使用酸溶液、氨、硫化氫氣體、氫氣、二氧化碳等的各種化工廠、海水淡化工廠、給水加熱器、冷凝器等熱交換器管和各種配管等的材料。
權利要求
1.一種鈦合金材料，是用作在吸收氫的環境下使用的結構部件的材料的鈦合金材料，由含有Al0.50～3.0％(質量％，以下化學成分的情況下均表示質量％)、其余由Ti和不可避免的雜質構成的Ti-Al合金形成，該鈦合金材料具有優良的耐氫吸收性。
2.根據權利要求1所述的鈦合金材料，其中作為雜質含有的Fe、Mo、Ni、Nb以及Mn的各含量分別被控制在Fe0.15％以下，Mo小于0.10％，Ni小于0.20％，Nb小于1.0％，Mn小于1.0％。
3.一種鈦合金材料，包括由具有權利要求1記載的化學組成的Ti-Al合金所構成的主體部和覆蓋其上部的氧化膜，所述氧化膜的厚度為1.0～100nm。
4.根據權利要求3所述的鈦合金材料，其中所述氧化膜的50％以上是結晶氧化物。
5.根據權利要求3所述的鈦合金材料，其中在上述主體部和所述氧化膜之間形成有Al濃度比主體部的Al濃度高0.3％以上且Al濃度在0.8～25％范圍的Al濃縮層。
6.一種鈦合金材料，在由滿足權利要求1記載的化學成分的Ti-Al合金所形成的主體部的上面，形成了Al濃度比主體部的Al濃度高0.3％以上且Al濃度在0.8～25％范圍的Al濃縮層。
7.根據權利要求5所述的鈦合金材料，其中所述Al濃縮層的厚度為0.10～30微米。
8.一種鈦合金材料，是權利要求1中記載的鈦合金材料，在與鐵鋼材接觸的狀態下使用。
全文摘要
本發明提供一種即使在氫吸收環境下使用也很難引起氫脆化的鈦合金材料，由含有Al0.50～3.0％、其余由Ti和不可避免的雜質構成的Ti－Al合金形成。另外本發明還提供一種以下所述的耐氫吸收性優異的鈦合金材料，包括由具有上述化學組成的Ti－Al合金所構成的主體部和覆蓋其上部的氧化膜，所述氧化膜的厚度為1.0～100nm，或者進而在上述主體部和所述氧化膜之間形成有Al濃度比主體部的Al濃度高0.3％以上且Al濃度在0.8～25％范圍的Al濃縮層。
文檔編號C22C14/00GK1671873SQ0381798
公開日2005年9月21日 申請日期2003年2月6日 優先權日2002年8月7日
發明者阪下真司, 屋敷貴司, 松門克浩, 中山武典 申請人:株式會社神戶制鋼所