雙掃描薄膜處理系統的制作方法

專利名稱：雙掃描薄膜處理系統的制作方法
技術領域：
本發明總體上涉及薄膜沉積和蝕刻系統。具體地說，本發明涉及非常均勻地沉積薄膜或以非常均勻的蝕刻速度蝕刻材料的方法和設備。
背景技術：
將薄膜沉積到底層上通常有三種技術。這些技術是蒸發法、磁電管濺射法和離子束沉積法。

圖1表示現有技術電子束蒸汽沉積系統10的示意圖。蒸汽系統10被裝在一個真空腔12中。電子槍14產生電子束16以便將裝有沉積材料的坩鍋18加熱到使該沉積材料蒸發的溫度。利用磁體20使電子束發生偏轉，使電子束撞擊到坩鍋18上希望的位置。一般的蒸發系統具有多個坩鍋。
一些蒸發系統包括多個電子槍，使得從兩個或多個源來的沉積材料同時沉積到一個底層上。還可以是用加熱元件(未表示出)加熱坩鍋18。一般支撐多個底層23的底層支撐物22位于被蒸發材料的通路中。為了提高被沉積薄膜的均勻性，底層支撐物22可以利用電機24旋轉。
磁電管濺射沉積系統使用一個二極管器件和一個磁體來產生一個等離子區。一個靶相對于負電勢偏置，該負電勢足夠高能夠在周圍氣體引起雪崩，并維持等離子區。靶原子被濺射到要沉積的底層上，該底層放置在靶的前面，距離范圍一般在2到10英寸之間。為了吸收電子，該磁體在靶的后面產生一個磁場，因此增強了離子的轟擊效率。
圖2表示現有技術中離子束濺射沉積系統50的原理圖。離子束濺射沉積系統50被圍在真空腔52中。離子源54產生直接到一個或多個靶58上的離子束56。離子束56撞擊靶58，并且利用沉積流量60從靶58中濺射中性原子。一般支撐多個底層64的底層支撐物62位于沉積流量60的通路上。沉積流量60轟擊底層，從而將被濺射的薄膜沉積。為了提高被濺射薄膜的均勻性，底層支撐物62可以利用電機66旋轉。離子束濺射是有優勢的，因為它允許獨立控制轟擊離子的能量和電流密度。
利用這些現有技術實現的厚度均勻性是受到底層平面上流量均勻性和底層旋轉類型限制的。流量均勻性可能受到靶或者引起熱點和冷點的沉積材料缺陷的負面影響。一般地，流量均勻性隨著時間而變化。流量均勻性可以利用較大的靶或使用從靶到底層較長距離在某種程度上加以提高。但是，對于靶的大小和從靶到底層的距離是有實際限制的。較高均勻性的薄膜不可能利用這些現有技術來實際實現。
因此，本發明的特征是一個沉積系統。該沉積系統包括一個產生含有中性原子和分子沉積流量的沉積源。在一個實施例中，沉積源是一個離子束濺射沉積源，包括一個離子源和一個位于離子束通路上的靶。當該靶暴露到離子束中時就產生沉積流量。在一個實施例中，離子束濺射沉積源包括一個磁電管濺射源。在一個實施例中，沉積系統還包括一個產生離子束的離子源，該離子束撞擊沉積區，用于離子束的輔助沉積。
一個定義了一個孔的屏蔽物位于沉積流量的通路中。屏蔽物經該孔穿過沉積流量，并且實際上阻擋沉積流量傳播到屏蔽物后面的其它任何地方。在一個實施例中，該孔變成增加傳輸沉積流量的形狀。在一個實施例中，該孔變成減少完全掃描區的形狀。底層支撐物位于該屏蔽物的附近。
該沉積系統還包括一個雙掃描系統。雙掃描，我們指這樣一種掃描系統，它利用第一種和第二種運動掃描與該孔相關的底層支撐物。第一種和第二種運動可以是任何一種類型運動，如平移或旋轉運動。第一和第二種類型的運動可以是相同或不同類型的運動。例如，在一個實施例中，雙掃描系統利用一種平移和一種旋轉運動掃描。在另一個實施例中，雙掃描系統利用第一和第二種平移運動掃描。
在一個實施例中，一種運動的掃描速率實際上大于其它運動的掃描速率。例如，一種運動的掃描速率可以比其它類型運動掃描速率至少大5倍。在一個實施例中，在沉積期間，至少一種運動的掃描速率是隨時間而變化的。
雙掃描系統可以是利用任何一種類型的掃描系統，它利用兩種運動掃描與該孔相關的底層支撐物。在一個實施例中，雙掃描系統包括一個旋轉掃描系統和一個平移掃描系統。旋轉掃描系統引起具有一個掃描速率的旋轉運動。平移掃描系統引起具有一個平移速率的平移運動。在一個實施例中，旋轉運動比平移運動平移速率至少大5倍。
沉積系統可以包括一個隔板，使得沉積源上的壓力高于底層支撐物上的壓力。沉積系統可以包括一個氣體管線，其位置使在沉積源上的壓力大于在底層支撐物上的壓力。沉積系統還可以包括一個在原處的監視系統，監視在沉積期間薄膜的特性。
本發明的特征還在于一種沉積均勻薄膜的方法。該方法包括產生沉積流量。在一個實施例中，沉積流量是通過離子束濺射產生的。在另一個實施例中，沉積流量是由蒸發法產生的。利用第一種和第二種運動掃描與沉積流量相關的底層，因而，將均勻的薄膜沉積到底層上。
第一種運動的掃描速率實際上大于第二種運動的掃描速率。在一個實施例中，第一種運動是具有一個旋轉速率的旋轉運動，而第二種運動是具有一個平移掃描速率的平移運動。例如，在平移尺度上，該旋轉運動的旋轉速率可能比平移掃描速率大5倍。
在一個實施例中，該方法包括經一個孔穿過沉積流量，因而增加了沉積的流量。該方法可以包括利用第一種運動與第二種運動之一，完全掃描與沉積流量相關的底層。該方法還可以包括監視在原處薄膜的沉積參數。
本發明的特征還在于一種離子束濺射沉積系統，包括產生離子束的離子源。一個靶位于離子束的通路上。在一個實施例中，該靶是一個具有至少兩種不同靶材料的復合靶。在一個實施例中，該靶是可以旋轉的，具有至少兩個靶面。當離子束撞擊該靶時，利用沉積流量，中性原子和/或分子被從該靶上濺射出。
一個定義了一個孔的屏蔽物，位于沉積流量的通路中。屏蔽物經該孔穿過沉積流量，并且實際上阻擋沉積流量傳播到屏蔽物的后面的其它任何地方。在一個實施例中，該孔變成增加傳輸的沉積流量的形狀。在一個實施例中，該孔變成減少完全掃描區的形狀。底層支撐物位于該屏蔽物的附近。
離子束濺射沉積系統還包括一個旋轉和一個平移掃描系統，掃描與該孔相關的底層支撐物。旋轉掃描系統產生具有一個掃描速率的旋轉運動。平移掃描系統產生一個具有平移速率的平移運動。在一個實施例中，旋轉速率大于平移速率。例如，旋轉速率可以比平移掃描速率至少大5倍。在沉積期間，旋轉速率和/或平移速率可以隨時間而變化。
離子束濺射沉積系統可能包括不均勻抽吸。離子束濺射沉積系統可以包括一個具有入口的真空泵，該入口位于與該靶和底層支撐物相關的位置上，以使在底層支撐物上的壓力低于在靶上的壓力。沉積系統可以包括一個隔板，使得在底層支撐物上的壓力低于在靶上的壓力。
圖1表示現有技術電子束蒸發沉積系統的示意圖。
圖2表示現有技術離子束濺射沉積系統的示意圖。
圖3表示依據本發明，包含一個束孔和一個機械雙掃描系統的離子束濺射沉積系統的示意圖。
圖4表示使用圖3離子束濺射沉積系統，一種在沉積期間完全掃描(over-scanning)底層的方法。
圖5表示在圖3離子束濺射沉積系統中，增加沉積流量的本發明的圓形和成型孔。
圖6表示使用成型靶提供增強束強度的本發明離子束濺射沉積系統的示意圖。
在光纖通信系統中增加帶寬的一種方法是增加在光纖中傳播光的波長。波分復用(WDM)是一種在相同光纖中傳播多個波長的光學技術，因而有效地將每條纖維的總帶寬增加到每個波長的位速率的總和。大于1T/s(terabits/sec，兆兆位/秒)的帶寬已經表示在了基于WDM通信系統中。
密集波分復用(DWDM)是一種利用很多個波長實現WDM的技術。DWDM一般用于說明在單一光纖中傳播超過40個波長的WDM的技術。隨著波長數量的增加，信道寬度和信號間距都減少了。為了在DWDM通信系統中實現要求的信道寬度和信道間距，要求高質量、高性能的光纖。這些光纖的波長在1.3μm到1.55μm上必須表現出較低的損耗以及窄帶傳輸特性。濾波器必須具有良好的機械特性，并且必須在多種不同的操作環境中是穩定的。
例如，DWDM通信系統要求很多帶通濾波器，能夠從在系統中傳播的其它波長(信道)中分離出單一波長(信道)。在DWDM通信系統中，一種用作帶通濾波器類型的光學濾波器是Fabry Perot相干濾波器。Fabry Perot濾波器包含被λ/2層分離出來的兩種高反射系數的多層膜。在運行時，在λ/2空間層中的多個干涉，使得該濾波器輸出光譜特性在λ/2空間層倍數的窄帶波長上銳利地到達峰值。
在DWDM通信系統中使用的另一種類型的光學濾波器是一種電介質薄膜相干濾波器。這些濾波器包括可選擇的高折射指數和低折射指數材料層。每層是λ/4厚。在運行中，從高指數層反射的光不經歷相移，但是從低指數層反射的光要經歷180度的相移。連續的反射在前面板上重新組合，產生具有較窄波長范圍高反射束。具有在這個較窄范圍之外波長的光僅在非常低強度水平上反射。
電介質薄膜相干濾波器可以通過將高和低折射指數材料的交換層沉積到一個玻璃底層上來構造。例如，可以使用SiO2和Ta2O5的交換層。折射指數和濾波器中的均勻性必須被控制在非常高的精度上，以便達到希望的濾波器特性。
本發明的一個實施例通過開孔沉積流量，然后利用第一種和第二種運動在開孔的沉積流量通路中傳送該底層，來實現精確薄膜均勻性。圖3表示了一個離子束濺射沉積系統100的示意圖，依據本發明系統100包括定義了一個束孔103的離子屏蔽物102，以及機械的雙掃描系統104。系統100還包括一個真空腔106。在一個實施例中，真空腔106可以達到小于10-7托范圍的高度真空。
系統100還包括產生離子束110的離子源108。在一個實施例中，系統100還包括兩個或更多個離子源，每個都產生一個離子束。將氣體如氬氣或氧氣，或混合氣體引入到離子源108中。在離子源108中產生等離子區。離子被從兩個或更多個多孔電極112中的等離子區中提取出來。然后這些離子被加速。在一個實施例中，這些離子被加速到500eV到2000eV范圍的能量。
一個或多個靶114位于被加速離子束110的通路上。靶114可以包括金屬或電介質材料。靶114可以由單一個的靶材料形成，或者由包括兩種或更多種材料的復合靶材料形成。在一些應用中，電介質薄膜是通過使用金屬靶以及通過在離子源108中注入第二種氣體如氧氣或氮氣而形成的。在其它的應用中，電介質薄膜是通過直接在真空腔106中注入第二種氣體形成的。
在本發明的沉積系統100中可以使用任意靶結構，在專業技術中有很多熟知的靶結構，并且可通過商業渠道得到。在一個實施例中，系統100包括一個帶有至少兩個靶面的可旋轉靶，如圖3所示。利用沉積流量115，離子束110撞擊該靶并且從靶114中濺射出中性原子。
定義了孔103的屏蔽物102位于沉積流量115的通路中。屏蔽物102經孔103穿過沉積流量115，并且實際上阻擋沉積流量傳播到屏蔽物后面的其它任何地方。孔103在空間上定義了到達底層的沉積流量115。
底層支撐物116位于沉積流量115的通路上接近孔103的位置。在一個實施例中，底層支撐物116是一個如圖3所示的盤。底層支撐物116一般有擁有多個底層118，但是在一些系統和對于一些應用可能僅擁有一個底層。底層支撐物116附著于機械雙掃描系統104上，該系統利用兩種運動以兩種掃描速率進行掃描。在一個實施例中，兩種掃描運動的掃描速率是不同的，并且是可以單獨控制的。該掃描速率依賴于掃描運動的類型，可以是旋轉速率或平移速率。
在一個實施例中，機械雙掃描系統104包括一個旋轉的掃描系統120和一個平移的掃描系統122。旋轉的掃描系統120包括一根軸124，該軸旋轉地附著于底層支撐物116上，并且通過經126供給的真空定位。軸124由電機128帶動以旋轉速率旋轉。在一個實施例中，電機128以大于1000RPMs的旋轉速率使軸124旋轉。在一個實施例中，電機128位于外殼130中，外殼130附著于帶有真空風箱132的真空腔106。這就使得電機128沿真空腔106的表面平移。外殼130的內部可以保持在大氣壓力下。
平移的掃描系統122包括一個線性驅動機械結構134，機械結構134以一個平移速率在線性方向上平移底層支撐物116。線性驅動機械結構134可以附著于底層支撐物116，并且還可以附著于真空腔106。隨著線性驅動機械結構134的運動，底層支撐物116與驅動機械結構134一起平移，因而引起底層支撐物以該平移速率相對于孔103平移。
在一個實施例中，一個掃描運動的掃描速率比其它運動的掃描速率快得多。使用比其它掃描速率快得多的掃描速率減少了厚度上均勻性的波動。快得多，我們是指一個掃描速率大于其它掃描速率的近似5倍。例如，旋轉速率可能比線性掃描速率大得多。
在一個實施例中，至少一種運動的掃描速率在沉積期間是變化的。改變掃描速率可以提高均勻性。例如，在機械雙掃描系統104包括一個旋轉掃描系統120的系統中，一般有一個徑向均勻性效應。這是因為沉積流量115是離孔103中心的徑向位置的函數。徑向均勻性效應可以通過改變線性平移速率進行部分地補償。例如，在一個實施例中，常數1/R修正應用到線性平移速率上，以提高徑向均勻性。
本發明的機械雙掃描系統104有很多其它的實施例。掃描底層支撐物116、孔103和/或靶114與至少兩種掃描運動的任意組合，將提高這里所說明的均勻性。例如，在一個實施例中，底層支撐物116是靜止的，孔103和/或靶114是利用兩種掃描運動來掃描的。在另一個實施例中，底層支撐物116是利用一種掃描運動來掃描的，孔103和/或靶114是利用另一種掃描運動來掃描的。
在一個實施例中，離子束濺射沉積系統100包括產生第二個離子束138的第二個離子源136，第二個離子束138用于離子束的輔助沉積。第二個離子束138可以用來提高薄膜與底層118的附著力。第二個離子束138還可以用于在沉積期間改變薄膜的特性。
第二離子源136處于這樣的位置，在暴露于沉積流量115的區中，使第二離子束138撞擊底層。在圖3所示的實施例中，底層支撐物116包括一個旋轉盤，該旋轉盤的一端位于接近穿過沉積流量115的孔103附近。該旋轉盤的另一端位于第二個離子束138的通路上。到孔103的徑向距離與到第二個離子束138的通路的徑向距離相同。
在一個實施例中，離子束濺射處理系統100包括用于檢測沉積流量115的離子檢測器140。離子檢測器140可能是測量薄模厚度和/或沉積速率的石英振蕩器。在一個實施例中，屏蔽物102包括穿過一部分沉積流量115的第二個孔(未表示出)。離子檢測器140位于第二個孔后以檢測和測量沉積流量115。
對于各種應用包括產生更均勻離子束，沉積流量115的測量可以改變離子源108的參數。另外，沉積流量115的測量可用于控制旋轉掃描系統120的旋轉速率和/或平移掃描系統122的平移速率。
本發明的特征還在于一個磁電管濺射沉積系統，包括一個束孔和/或一個提高沉積均勻性的雙掃描系統。磁電管濺射系統與圖3的離子束濺射沉積系統100相似。但是，磁電管濺射源產生沉積流量115。
另外，本發明的特征在于一種蒸發系統，它包括一個束孔和/或一個提高沉積均勻性的雙掃描系統。該蒸發系統與圖3離子束濺射沉積系統100相似。但是，一個蒸發源，例如電子束蒸發源，產生沉積流量115。
在一個實施例中，離子束沉積系統100包括不均勻抽吸。該系統這樣構成，以便圍繞靶114和圍繞產生沉積流量115的離子源108的區被抽吸為一種壓力，而圍繞底層118的區被抽吸為另一種不同的壓力。在一個實施例中，圍繞底層118的區被抽吸為比圍繞靶114和離子源108的區更低的壓力。本發明不均勻地抽吸離子束濺射系統比現有技術中的系統有很多優點。例如，由這樣的系統沉積的濺射膜通常具有較高的純度，因為它們是在較低壓力下被沉積的。
圖4表示使用圖3中離子束濺射沉積系統100，一種完全掃描底層的方法。本發明的完全掃描方法通過擴展掃描尺寸以消除邊緣效應，提高了被沉積薄膜的均勻性。在一個實施例中，希望的沉積區域200，其中希望有一個均勻的薄膜，是圓形或環形。完全掃描區202相應于圓形的邊緣。完全掃描區202是相應于線性驅動機械結構134(圖3)改變方向的區。
完全掃描方法包括在線性方向上，將線性驅動機械結構134平移過希望的沉積區200，使得希望的沉積區200暴露到相同數量的沉積流量115中。在一個實施例，多個底層位于希望的沉積區200中。在另一個實施例中，一個較大的底層位于底層支撐物116上，而希望的沉積區在沉積之后被劈開或從底層割斷。
圖5表示本發明圓形230和孔形232，增加在圖3的離子束濺射沉積系統100中的沉積流量。圓形230和孔形232被疊加在底層234上。本發明的孔103(圖3)可用很多形狀增加沉積流量。例如，孔103可以是圓形、橢圓形、矩形、環形或其它挑選用于增加沉積流量的形狀。
在一個實施例中，挑選孔形來同時增加傳輸的沉積流量115和減少完全掃描區域202。例如，同時增加傳輸的沉積流量115和減少完全掃描區202的一種形狀是徑向尺寸充分小于圍繞希望沉積區圓的切線尺寸。在一個實施例中，屏蔽物包括兩個孔，并且兩個孔之一用于監視沉積流量，或用于穿過第二個離子束，用作離子的束輔助沉積。
圖6表示本發明的離子束濺射沉積系統250的示意圖，使用一個靶形252來提供增強的束強度。該靶發出利用余弦θ分布擴展的中性粒子(neutral)。因此，傳輸過孔103的沉積流量一般是從靶發出的沉積流量115的一小部分。在一個實施例中，離子束濺射沉積系統100使用將中性束聚焦的靶形252，以便提高通過孔103的沉積流量。靶形252可以是增加通過孔103沉積流量的任何形狀。在一個實施例中，靶形是凹的、拋物線或半球狀的。
在一個實施例中，本發明的離子束濺射沉積系統包括一個在原處的薄膜監視器。在原處薄膜監視是一種當薄膜正被沉積時，用于監視薄膜厚度和/或其它特性的技術。來自在原處監視的信息可以通知用戶或控制該系統的處理器有關正在被沉積薄膜的各種物理參數，以及該沉積系統的特性度量。例如，在原處的監視可以通知用戶或處理器該層被沉積成了希望的厚度，并具有希望的物理特性，這樣就可以結束沉積處理。
在一個實施例中，在原處的薄膜監視器包括一個光源，例如可以產生單一波長光束的可調制激光。該激光的波長這樣挑選，使得該沉積材料吸收一部分的激光。該激光直接到希望的沉積區域，并且通過沉積區和底層傳播。在一個實施例中，該激光處于這樣的位置，以便該光束與離子束一起傳播。
一個檢測器位于底層的后邊附近，并監視通過該沉積區和底層的傳輸光的強度。隨著膜厚度的增加，大部分的光束被吸收在了薄膜上，并且被傳輸的光束和這樣檢測的光束具有較低的強度。厚度和沉積速率可以從被檢測光束強度的測量中確定。該信息可以用于控制沉積的處理。
等同說明雖然參考具體的優選實施例對本發明進行了特定的表示和說明，但是本專業的普通技術人員應該知道，在不脫離附加的權利要求書所定義的本發明精神和范圍內，可以做各種形式和細節上的變化。例如，利用非常高的均勻性處理薄膜的方法和設備，應用于很多種沉積以及蝕刻系統中，而不限于離子束和磁電管濺射系統。而且，本發明的離子束濺射沉積系統還可以包括提高沉積流量的任何孔。另外，有很多雙掃描系統的實施例，掃描至少一個底層支撐物、孔和離子束或靶。
權利要求
1.一種沉積系統，包括a.一個沉積源，產生含有中性原子和分子的沉積流量；b.一個定義了一個孔的屏蔽物，位于所述沉積流量的通路中，所述屏蔽物經該孔穿過沉積流量，并且實際上阻擋沉積流量傳播到屏蔽物的后面的其它任何地方；c.一個底層支撐物位于接近所述屏蔽物的位置；d.一個雙掃描系統，利用第一種和第二種運動，掃描與該孔相關的底層支撐物。
2.依據權利要求1的沉積系統，其中雙掃描系統包括一個機械掃描系統。
3.依據權利要求1的沉積系統，其中第一種運動的掃描速率實際上大于第二種運動的掃描速率。
4.依據權利要求1的沉積系統，其中，在沉積期間，第一種運動和第二種運動至少之一的掃描速率是隨時間變化的。
5.依據權利要求1的沉積系統，其中所述雙掃描系統包括一個旋轉掃描系統和一個平移掃描系統，其中第一種運動包括一個具有一個旋轉速率的旋轉運動，而第二種運動包括具有一個平移速率的平移運動。
6.依據權利要求5的沉積系統，其中所述旋轉運動的旋轉速率比平移運動的平移速率至少大5倍。
7.依據權利要求1的沉積系統，其中，所述孔變成增加傳輸沉積流量的形狀。
8.依據權利要求1的沉積系統，其中，所述孔變成減少完全掃描區的形狀。
9.依據權利要求1的沉積系統還包括一個隔板，使所述支撐物上的壓力低于所述沉積源上的壓力。
10.依據權利要求1的沉積系統還包括一個氣體管線，該氣體管線的位置使得在沉積源上的壓力高于在底層支撐物上的壓力。
11.依據權利要求1的沉積系統，其中所述沉積源包括一個離子束濺射沉積源，該離子束濺射沉積源包括一個產生離子束的離子束源和位于離子束通路上的靶，當該靶暴露在離子束上時產生沉積流量。
12.依據權利要求11的沉積系統，其中所述離子束濺射沉積源包括一個磁電管濺射源。
13.依據權利要求1的沉積系統，其中所述沉積源是一個蒸發源。
14.依據權利要求1的沉積系統還包括一個在原處的監視系統，監視在沉積期間薄膜的特性。
15.依據權利要求1的沉積系統進一步包括一個產生用于離子束輔助沉積的離子束，該離子源的位置使離子束撞擊沉積區。
16.一種沉積均勻薄膜的方法，該方法包括a.產生沉積流量；以及b.利用第一種和第二種運動，掃描與沉積流量相關的底層，其中第一種運動的掃描速率大于第二種運動的掃描速率，因而在底層沉積出均勻的薄膜。
17.依據權利要求16的方法，其中第一種運動是具有一個旋轉掃描速率的旋轉運動，而第二種運動是具有一個平移掃描速率的平移運動。
18.依據權利要求17的方法，其中所述旋轉運動的旋轉速率比平移掃描速率至少大5倍。
19.依據權利要求16的方法還包括經一個孔穿過所述沉積流量。
20.依據權利要求16的方法，其中沉積流量是由離子束濺射產生的。
21.依據權利要求16的方法還包括經過一個孔穿過沉積流量，因而增加沉積流量。
22.依據權利要求16的方法還包括在第一種運動和第二種運動至少之一中，完全掃描與沉積流量相關的底層。
23.依據權利要求16的方法還包括監視在原處薄膜的沉積參數。
24.一種離子束濺射沉積系統包括a.一個產生離子束的離子源；b.一個靶位于所述離子束通路上，當該靶暴露在離子束上時產生沉積流量；c.一個定義了一個孔的屏蔽物，位于沉積流量的通路上，所述屏蔽物經該孔穿過沉積流量，并且實際上阻擋沉積流量傳播到屏蔽物后面的其它任何地方；d.一個底層支撐物位于接近所述屏蔽物的位置；e.一個掃描底層支撐物的雙掃描系統，該雙掃描系統包括一個以旋轉速率掃描底層支撐物的旋轉掃描系統，還包括一個以平移速率掃描與該孔相關的底層支撐物。
25.依據權利要求24的離子束濺射沉積系統，其中所述旋轉速率實際上大于平移速率。
26.依據權利要求24的離子束濺射沉積系統，其中第一種運動和第二種運動中至少之一的掃描速率在沉積期間是隨著時間而變化的。
27.依據權利要求24的離子束濺射沉積系統還包括在位置上與所述靶相關并具有入口的真空泵，以及底層支撐物，使得在底層支撐物上的壓力小于在所述靶上的壓力。
28.依據權利要求24的離子束濺射沉積系統，其中離子束濺射沉積源包括一個磁電管濺射系統。
29.依據權利要求24的離子束濺射沉積系統，其中所述靶包括至少兩個靶面，所述靶在至少兩個靶面之間是可旋轉的。
30.依據要求24的離子束濺射沉積系統，其中所述靶包括一個含有至少兩個不同靶材料的復合濺射靶。
全文摘要
本發明說明了一種沉積系統。該沉積系統包括一個沉積源，該沉積源產生含有中性原子和分子的沉積流量。定義了一個孔的屏蔽物位于沉積流量的通路上。該屏蔽物經該孔穿過沉積流量，并且實際上阻擋沉積流量傳播到屏蔽物后面的其它任何地方。在屏蔽物附近有一個底層支撐物。一種雙掃描系統利用第一種和第二種運動掃描與該孔相關的底層支撐物。
文檔編號C23C14/35GK1447865SQ01814155
公開日2003年10月8日 申請日期2001年7月9日 優先權日2000年7月10日
發明者皮埃羅·斯弗拉佐, 李中新 申請人:尤納克西斯美國公司