帶吸附功能的受熱均勻的雙工位工作臺的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種應用于引線鍵合領域的加熱工作臺，特別涉及一種帶吸附功能的雙工位的面板式加熱工作臺。
【背景技術】
[0002]全自動引線鍵合設備是通過加熱工作臺來實現器件引線鍵合前的預熱功能的，加熱工作臺采用真空吸附的方式，實現多個器件的固定，防止其在焊接壓力的作用下產生移位，從而完成芯片和基板的吸附和定位。現有的全自動引線鍵合設備上的加熱工作臺均不可以移動，只能通過設備機頭的運動來實現器件陣列的引線鍵合。所以加熱工作臺的大小(熱臺臺面所放器件的多少)是由引線鍵合設備機頭XY方向行程來決定的。如若要增加單批次焊接器件的數量以增加焊接效率時，只能增大機頭XY方向的行程，這樣做一方面會大大增加設備的成本，另一方面也會影響機頭鍵合的精度。現有的全自動引線鍵合專用設備的加熱工作臺，主要是采用加熱管來進行加熱的，盡管加熱管在加熱臺內盡可能地均勻密集布置，但受加熱管加工和結構所限，這種加熱方法存在加熱速度慢，溫度均勻性差，難以達到引線鍵合工藝要求。
【發明內容】
[0003]本實用新型提供了一種帶吸附功能的受熱均勻的雙工位工作臺，解決了引線鍵合機中的加熱臺加熱速度慢和溫度均勻性差的技術問題。
[0004]本實用新型是通過以下技術方案解決以上技術問題的:
[0005]—種帶吸附功能的受熱均勻的雙工位工作臺，包括加熱臺底架，在加熱臺底架上分別設置有導軌和氣缸，在導軌上設置有熱臺移動座，氣缸的輸出軸與熱臺移動座連接在一起，在熱臺移動座上分別設置有左熱臺、右熱臺、右熱臺控制器和左熱臺控制器，左熱臺與右熱臺的結構是完全相同的，在左熱臺的左加熱臺板的下底面上設置有加熱膜，在左加熱臺板中分別設置有夾具負壓吸附氣路和芯片負壓吸附氣路。
[0006]加熱膜的厚度為1.5毫米。
[0007]本實用新型由于兩個熱臺的溫度控制單元和氣路相互獨立，兩個熱臺可同時使用也可單獨使用。右熱臺控制器和左熱臺控制器控溫精度高，操作簡單方便，有利于溫度調控，實現了加熱工作臺溫控精度高的功能。
【附圖說明】
[0008]圖1是本實用新型的結構不意圖；
[0009]圖2是本實用新型的熱臺的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0010]下面結合附圖對本實用新型進行詳細說明:
[0011]—種帶吸附功能的受熱均勻的雙工位工作臺，包括加熱臺底架I，在加熱臺底架I上分別設置有導軌2和氣缸8，在導軌2上設置有熱臺移動座4，氣缸8的輸出軸與熱臺移動座4連接在一起，在熱臺移動座4上分別設置有左熱臺3、右熱臺5、右熱臺控制器6和左熱臺控制器7，左熱臺3與右熱臺5的結構是完全相同的，在左熱臺3的左加熱臺板10的下底面上設置有加熱膜9，在左加熱臺板10中分別設置有夾具負壓吸附氣路11和芯片負壓吸附氣路12。
[0012]加熱膜9的厚度為1.5毫米。
[0013]氣路與加熱臺板所連接處均采用耐高溫氣路接頭和管路，從而延長了各零件的使用壽命。所述的加熱臺板內部腔體空間大，有效增強了真空栗的流量，有利于真空栗維持較高的真空度，從而對芯片夾具或芯片產生更大的吸附力。
【主權項】
1.一種帶吸附功能的受熱均勻的雙工位工作臺，包括加熱臺底架(I )，在加熱臺底架(I)上分別設置有導軌(2)和氣缸(8)，在導軌(2)上設置有熱臺移動座(4)，氣缸(8)的輸出軸與熱臺移動座(4)連接在一起，其特征在于，在熱臺移動座(4)上分別設置有左熱臺(3)、右熱臺(5)、右熱臺控制器(6)和左熱臺控制器(7)，左熱臺(3)與右熱臺(5)的結構是完全相同的，在左熱臺(3)的左加熱臺板(10)的下底面上設置有加熱膜(9)，在左加熱臺板(10)中分別設置有夾具負壓吸附氣路(11)和芯片負壓吸附氣路(12)。2.根據權利要求1所述的一種帶吸附功能的受熱均勻的雙工位工作臺，其特征在于，加熱膜(9)的厚度為1.5毫米。
【專利摘要】本實用新型公開了一種帶吸附功能的受熱均勻的雙工位工作臺，解決了引線鍵合機中的加熱臺加熱速度慢和溫度均勻性差的問題。包括加熱臺底架（1），在加熱臺底架（1）上分別設置有導軌（2）和氣缸（8），在導軌（2）上設置有熱臺移動座（4），氣缸（8）的輸出軸與熱臺移動座（4）連接在一起，在熱臺移動座（4）上分別設置有左熱臺（3）、右熱臺（5）、右熱臺控制器（6）和左熱臺控制器（7），左熱臺（3）與右熱臺（5）的結構是完全相同的，在左熱臺（3）的左加熱臺板（10）的下底面上設置有加熱膜（9），在左加熱臺板（10）中分別設置有夾具負壓吸附氣路（11）和芯片負壓吸附氣路（12）。實現了加熱工作臺溫控精度高的功能。
【IPC分類】B23K37/00, B23K37/04, B23K101/40
【公開號】CN205325013
【申請號】CN201521051702
【發明人】崔海龍, 郝艷鵬, 馬生生, 王彩萍
【申請人】中國電子科技集團公司第二研究所
【公開日】2016年6月22日
【申請日】2016年3月28日