本技術涉及半導體晶圓切割,尤其涉及一種半導體晶圓切割機。
背景技術:
1、晶圓是指制作硅半導體電路所用的硅晶片,其原始材料是硅,高純度的多晶硅溶解后摻入硅晶體晶種,然后慢慢拉出,形成圓柱形的單晶硅,硅晶棒在經過研磨、拋光、切片后,形成硅晶圓片,也就是晶圓,國內晶圓生產線以8英寸和12英寸為主,晶圓的主要加工方式為片加工和批加工,即同時加工1片或多片晶圓。
2、在對半導體晶圓進行切割時,需要對半導體晶圓表面進行降溫,可現有技術中,在對半導體晶圓切割降溫的過程中,冷卻水會滲入半導體晶圓和切割機放置臺之間,導致半導體晶圓吸附在切割機放置臺上,使半導體晶圓難以被取下,從而給工作人員帶來了不便,鑒于此,我們提出一種半導體晶圓切割機。
技術實現思路
1、本實用新型的目的在于克服現有技術的不足,適應現實需要,提供一種半導體晶圓切割機,以解決當前不便將切割后的半導體晶圓從放置臺上取下的技術問題。
2、為了實現本實用新型的目的,本實用新型所采用的技術方案為:設計一種半導體晶圓切割機,包括晶圓切割機本體和頂升組件;其中,所述晶圓切割機本體包括機體、激光切割頭和放置板;所述激光切割頭通過升降機構與機體連接,所述放置板通過移動機構與機體連接;所述頂升組件布置于所述放置板上;其中,所述頂升組件包括活動槽、固定板、移動桿、楔形板a、彈簧、驅動氣缸和楔形板b;所述放置板內開設有活動槽;所述固定板固設于所述活動槽內;所述移動桿穿設于所述固定板上;所述楔形板a與所述移動桿端部固定連接;其中,所述楔形板a與活動槽滑動配合;所述彈簧套設于所述移動桿上,且所述移動桿一端與移動桿固定連接,另一端與楔形板a固定連接;所述驅動氣缸通過氣缸座固設于放置板一側,且所述驅動氣缸活塞端穿過放置板延伸至活動槽內;所述楔形板b與驅動氣缸活塞端固定連接,且所述楔形板b與活動槽滑動配合。
3、優選地,所述活動槽呈l型結構。
4、優選地,所述楔形板a和楔形板b均呈直角三角結構,且所述楔形板a傾斜面與楔形板b傾斜面滑動接觸。
5、優選地,還包括頂出組件;所述頂出組件布置于所述活動槽內。
6、優選地,所述頂出組件包括頂出槽和頂出塊;所述活動槽內開設有頂出槽;所述頂出塊與所述移動桿遠離楔形板a一端固定連接;其中,所述頂出塊與頂出槽插接配合。
7、優選地,所述頂出塊包括接觸部、抵壓部和固定部,所述接觸部尺寸大于固定部尺寸,所述抵壓部呈扇形傾斜結構。
8、與現有技術相比,本實用新型的有益效果在于:
9、1.本實用新型通過設置頂升組件,在需要將切割后的半導體晶圓從放置板上取下時,首先,解除放置板上的夾緊機構對半導體晶圓的夾緊,隨后,啟動驅動氣缸,使驅動氣缸活塞桿開始伸張,使楔形板b在活動槽內滑動,使楔形板b擠壓楔形板a,使楔形板a在活動槽內滑動,使彈簧受力收縮,使移動桿向上發生移動,使移動桿可以將吸附在放置板上的半導體晶圓頂出,再將半導體晶圓頂出后控制驅動氣缸,使驅動氣缸活塞桿開始收縮,使楔形板b在活動槽內向相反方向滑動,此時,彈簧不再受力,開始伸張,使楔形板a在活動槽內向相反方向滑動,使移動桿向下發生移動,直至彈簧恢復至原來形狀,本實用新型可方便將切割后的半導體晶圓從放置板上取下,有利于提高對半導體晶圓切割加工效率。
10、2.本實用新型通過設置頂出槽和頂出塊,利用頂出塊與頂出槽插接配合,將接觸部尺寸設置成大于固定部尺寸,將抵壓部設置成扇形傾斜結構,不僅可以增加頂出塊與頂出槽之間的接觸面積,提高頂出塊與頂出槽之間的密封性,還可以增加頂出塊與半導體晶圓的接觸面積,進一步提高了半導體晶圓頂出的便捷性。
1.一種半導體晶圓切割機,其特征在于,包括:
2.如權利要求1所述的半導體晶圓切割機,其特征在于,所述活動槽(201)呈l型結構。
3.如權利要求2所述的半導體晶圓切割機,其特征在于,所述楔形板a(204)和楔形板b(207)均呈直角三角結構,且所述楔形板a(204)傾斜面與楔形板b(207)傾斜面滑動接觸。
4.如權利要求3所述的半導體晶圓切割機,其特征在于,還包括:
5.如權利要求4所述的半導體晶圓切割機,其特征在于,所述頂出組件(3)包括:
6.如權利要求5所述的半導體晶圓切割機,其特征在于,所述頂出塊(302)包括接觸部(3021)、抵壓部(3022)和固定部(3023),所述接觸部(3021)尺寸大于固定部(3023)尺寸,所述抵壓部(3022)呈扇形傾斜結構。