專利名稱：電氣元件用銅合金材料及其制造方法
技術領域：
本發明涉及接線柱、連接器和導線框等電氣元件用銅合金材料及其制造方法，特別是涉及抗拉強度、0.2％屈服強度、延伸率及導電性優異并且彎曲加工性良好的電氣元件用銅合金材料及其制造方法。
背景技術：
近年來，移動電話和筆記本個人電腦等電子設備在向小型、薄型化和輕量化發展，所使用的接線柱和連接器等部件使用更小型、電極間距更狹小的電氣元件。并且，導線框也在向更加小型化、薄壁化發展。
由于這樣的小型化，所使用的材料也變得更薄，但是，從必須保持連接的可靠性的角度考慮，雖然材料的壁厚減小，仍然要求具有更高強度、高彈性和良好的彎曲加工性能。
另一方面，伴隨著設備的高性能化，電極的數目增加或者通電的電流增大，產生大量的焦耳熱，因而對導電率高的材料的需求比以往更強烈。這樣的高導電率材料，尤其是作為通電電流急速增加的用于汽車的接線柱和連接器材料、功率集成電路用的導線框材料，需求十分強烈。
以往，這樣的接線柱和連接器用材料一直廣泛使用磷青銅。但是，磷青銅不能充分滿足對上述連接器材料所要求的性能。例如，由于磷青銅的導電率低到20％IACS左右，不能適應通電電流的增大(因為焦耳熱的增大顯著)，另外，還存在耐遷移性較差的缺點。這里所說的遷移，是指在電極間產生結露等時，陽極側的Cu離子化而在陰極側析出，最終導致電極間短路的現象。特別是像汽車那樣在高溫、高濕環境下使用的連接器和引線框，問題更大，同時還需要考慮由于小型化使電極間距狹小的連接器和導線框。
作為改善上述問題的材料，有人提出了以Cu-Ni-Si為主成分的銅合金并已得到應用(例如參照專利文獻1～3)。
專利文獻1特許第2572042號公報專利文獻2特許第2977845號公報專利文獻3特許第3465541號公報發明內容但是，對于這樣的Cu-Ni-Si合金，若要實現良好的強度和彈性時，依賴于軋制加工方向的彎曲加工的各向異性就會增強(彎曲加工性能惡化)。
因此，本發明的目的是，提供強度(抗拉強度)、0.2％屈服強度、延伸率和導電性優異并且對彎曲加工的各向異性小的、具有良好彎曲加工性的接線柱、連接器和引線框等電氣元件用銅合金材料及其制造方法。
為了實現上述目的，本發明提供了一種電氣元件用銅合金材料，其特征在于，含有1.0～5.0質量％的Ni、0.2～1.0質量％的Si、0.05～2.0質量％的Sn、0.1～5.0質量％的Zn、0.01～0.3質量％的P、合計0.05～1.0質量％的選自Fe和Co中的至少一種，余量是Cu和不可避免的雜質，所述Ni、Fe和Co的合計質量與所述Si和P的合計質量之比[(Ni+Fe+Co)/(Si+P)]為4～10，并且抗拉強度大于等于700N/mm2，延伸率大于等于10％，導電率大于等于40％IACS。
另外，為了實現上述目的，本發明提供了一種電氣元件用銅合金材料，其特征在于，含有1.0～5.0質量％的Ni、0.2～1.0質量％的Si、0.05～2.0質量％的Sn、0.1～5.0質量％的Zn、0.01～0.3質量％的P、合計0.05～1.0質量％的選自Fe和Co中的至少一種，合計0.01～1.0質量％的選自Mg、Ti、Cr和Zr中的至少一種，余量是Cu和不可避免的雜質，所述Ni、Fe和Co的合計質量與所述Si和P的合計質量之比[(Ni+Fe+Co)/(Si+P)]為4～10，并且抗拉強度大于等于700N/mm2，延伸率大于等于10％，導電率大于等于40％IACS。
此外，為了實現上述目的，本發明提供了一種電氣元件用銅合金材料的制造方法，該方法是上述電氣元件用銅合金材料的制造方法，其特征在于，包括下述工序第1冷軋工序，即，在形成具有上述組成的銅合金原料后，將所形成的銅合金原料冷軋至目標最終板厚的1.1～1.3倍的厚度；第1熱處理工序，即，將第1冷軋后的材料加熱至700～850℃，然后以每分鐘大于等于25℃的降溫速度冷卻至小于等于300℃；第2冷軋工序，即，將第1熱處理后的材料冷軋至目標最終板厚；第2熱處理工序，即，將第2冷軋后的材料加熱至400～500℃，保持30分鐘～3小時。
根據本發明，可以提供抗拉強度、0.2％屈服強度(有時也簡稱為“屈服強度”)、延伸率和導電性優異并且彎曲加工時的各向異性小的、具有良好的彎曲加工性能的接線柱、連接器和引線框等電氣元件用銅合金材料。
圖1是表示本發明的實施方式的接線柱、連接器和引線框等電氣元件用銅合金材料的制造工藝的流程圖。
具體實施例方式
<第1實施方式]>
電氣元件用銅合金材料的組成本實施方式中的電氣元件用銅合金材料，其特征在于，在其平均組成中含有1.0～5.0質量％的Ni、0.2～1.0質量％的Si、0.05～2.0質量％的Sn、0.1～5.0質量％的Zn、0.01～0.3質量％的P、合計0.05～1.0質量％的選自Fe和Co中的至少一種，余量為Cu和不可避免的雜質，Ni、Fe和Co的合計質量與Si和P的合計質量之比[(Ni+Fe+Co)/(Si+P)]為4～10。
以下說明在本實施方式中構成接線柱、連接器、引線框等電氣元件用銅合金材料的合金成分的添加理由和限定理由。
Ni、Fe、Co與Si、P一起添加，會形成Si化合物、P化合物并在材料中彌散析出。以往的Cu-Ni-Si合金，通過Ni和Si的化合物彌散析出來提高強度，而在本實施方式中，除此之外，通過增加Ni和P的化合物、Fe和Co的Si化合物、P化合物的析出所引起的效果，可以進一步高強度化。
在此，通過將Ni、Fe、Co、Si、P的含量(添加量)和組成比規定為特定范圍，可以抑制降低導電率的銅中固溶元素量，同時，利用析出物的彌散強化效果提高強度和彈性。
Si的添加量不足0.2質量％時，不能形成足夠量的Si化合物，得不到令人滿意的強度、彈性，添加超過1.0質量％時，會產生導電性降低的不良影響，同時，在銅合金原料的形成過程(鑄造時或鑄造后的熱加工時)中容易因Si化合物的偏析而產生裂紋。因此，Si的組成范圍規定為0.2～1.0質量％。更優選規定為0.4～0.7質量％。
P的添加量不足0.01質量％時，不能形成有效的P化合物；添加超過0.3質量％時，在銅合金原料的形成過程(例如鑄造)中容易因P化合物的偏析而產生裂紋。因此，P的組成范圍規定為0.01～0.3質量％，更優選規定為0.1～0.2質量％。
另外，對于該Si和P的組成范圍，為了有效地形成化合物，并兼顧高強度和高導電性，需要使Ni的組成范圍規定為1.0～5.0質量％、Fe和Co的合計組成范圍規定為0.05～1.0質量％，并且將Ni、Fe和Co的合計質量與Si和P的合計質量之比[(Ni+Fe+Co)/(Si+P)]規定為4～10。Ni、Fe和Co的含量低于組成范圍的下限時，化合物的形成量不充分，強度和彈性不足。反之，超過組成范圍的上限時，多余的Ni、Fe和Co會固溶到銅中，降低導電率。另外，Ni、Fe和Co的合計量不到Si和P的合計量的4倍時，在形成化合物時Si和P過剩；超過10倍時，相反Ni、Fe、Co過剩。由于這樣的過剩成分以固溶狀態存在于銅中，其結果是導電率降低。更優選的是，將Ni的組成范圍規定為2.5～3.5質量％、Fe和Co的合計組成范圍規定為0.3～0.7質量％，并且將Ni、Fe和Co的合計質量與Si和P的合計質量之比[(Ni+Fe+Co)/(Si+P)]規定為4～7。
除了上述組成以外，還含有0.05～2.0質量％的Sn和0.1～5.0質量％的Zn。
Sn對于提高強度、彈性具有很大的效果，同時還具有改善150℃左右的溫度環境下的耐應力松弛性(耐熱性)的作用，對于電氣元件用材料是有效的添加元素。但是，其含量不足0.05質量％時，效果不充分；超過2.0質量％時，則降低導電率的不良影響增大。因此，Sn的組成范圍規定為0.05～2.0質量％，更優選地規定為0.3～1.0質量％。
Zn具有提高強度、彈性的效果，同時具有大幅度提高耐遷移性的作用。另外，對于改善作為電氣、電子元件材料所必需的焊料潤濕性、鍍Sn附著性也具有明顯效果。但是，其含量不足0.1質量％時，效果不充分；超過5.0質量％時，降低導電率的不良影響增大。因此，Zn的組成范圍規定為0.1～5.0質量％，更優選地規定為0.3～2.0質量％。
<第2實施方式>
電氣元件用銅合金材料的組成本實施方式中的電氣元件用銅合金材料，其特征在于，在其平均組成中含有1.0～5.0質量％的Ni、0.2～1.0質量％的Si、0.05～2.0質量％的Sn、0.1～5.0質量％的Zn、0.01～0.3質量％的P、合計0.05～1.0質量％的選自Fe和Co中的至少一種，合計0.01～1.0質量％的選自Mg、Ti、Cr和Zr中的至少一種，余量為Cu和不可避免的雜質，Ni、Fe和Co的合計質量與Si和P的合計質量之比[(Ni+Fe+Co)/(Si+P)]為4～10。
以下說明在本實施方式中構成電氣元件用銅合金材料的合金成分的添加理由和限定理由。
添加Ni、Si、Sn、Zn、P、Fe、Co的理由以及規定含量(添加量)和組成比的理由，與第1實施方式相同。
另外，除了上述組成以外，還添加選自Mg、Ti、Cr、Zr中的至少一種，合計0.01～1.0質量％的范圍，因為這樣可以期待更好的特性。這些元素分別具有進一步改善強度、彈性、耐遷移性、耐熱性的作用，同時由于對導電率的不良影響比較少，作為進一步補充上述各元素的作用的添加元素是有效的。但是，其合計含量不足0.01質量％時，不能期待充分的效果；超過1.0質量％時，在銅合金原料形成過程中會產生鑄造性降低等不良影響。因此，Mg、Ti、Cr、Zr的組成范圍規定為合計0.01～1.0質量％，更優選規定為0.1～0.3質量％。
<電氣元件用銅合金材料的制造方法>
圖1是表示本發明的實施方式涉及的電氣元件用銅合金材料的制造工藝的流程圖。上述第1和第2實施方式的電氣元件用銅合金材料按以下所述的工序來制造第1冷軋工序，在形成具有上述平均組成的銅合金原料后，將所形成的銅合金原料冷軋至目標最終板厚的1.1～1.3倍的厚度；第1熱處理工序，將第1冷軋后的材料升溫至700～850℃，然后，以每分鐘大于等于25℃的降溫速度冷卻至小于等于300℃；第2冷軋工序，將第1熱處理后的材料冷軋至目標最終板厚；第2熱處理工序，將第2冷軋后的材料加熱至400～500℃，保持30分鐘～3小時。其中，所述的銅合金原料的形成工序，作為一個例子可舉出包括合金鑄造工序和鑄造后的熱加工工序的工序。
<第1冷軋工序>
在第1冷軋工序中，對形成的銅合金原料進行冷軋，直至目標最終板厚的1.1～1.3倍的厚度。這樣，在后續的第1熱處理工序中容易產生再結晶，同時，再結晶后可以得到大小一致的晶粒組織。在此將軋制后的板厚規定為最終板厚的1.1～1.3倍，是為了在后述的第1熱處理工序后的冷軋(第2冷軋工序)中導入適當量的晶格缺陷(例如位錯)。板厚比規定范圍厚時，在熱處理后的冷軋(第2冷軋工序)中會導入過量的晶格缺陷，因此最終材料的延伸特性降低，并且對于彎曲加工來說，會產生依賴于軋制方向的各向異性，不能確保良好的彎曲加工性。另外，板厚比規定范圍薄時，在熱處理后的冷軋(第2冷軋工序)中導入的晶格缺陷減少，因此只能得到較低的屈服強度。
<第1熱處理工序>
在第1熱處理工序中，進行固溶熱處理(固溶化熱處理)，將第1冷軋后的銅合金材料加熱升溫至700～850℃，然后，以每分鐘大于等于25℃的速度冷卻至小于等于300℃。更優選的是，加熱升溫至770～850℃，然后，以每分鐘大于等于150℃的速度冷卻至小于等于300℃。加熱升溫時的保持時間沒有特別限制，不過，從生產率的角度考慮，保持時間短一些為好，只要在該溫度區域保持1秒鐘或1秒鐘以上即可。本工序的固溶熱處理的目的在于，將合金成分均勻地分散(固溶)在銅母相中，以使合金成分在最終的材料中均勻微細地彌散析出。這樣，可以將銅合金原料的形成工序中可能產生的不均勻析出物再固溶到銅母相中。通過將加熱溫度規定為大于等于700℃，可以充分地進行固溶；通過將冷卻速度規定為大于等于25℃/分鐘，可以防止在冷卻中再形成粗大的析出物。
另外，通過該第1熱處理，可以使由于強的冷軋(第1冷軋工序)處于變形狀態的結晶進行再結晶，變成各向異性小的結晶組織，同時通過恢復軋制材料的延伸特性，也可以實現良好的彎曲加工性。加熱溫度超過850℃時，會產生晶粒的粗大化(過度再結晶)，存在彎曲加工性降低的危險，因此將加熱溫度的上限規定為850℃。
<第2冷軋工序>
在第2冷軋工序中，對第1熱處理后的銅合金材料進行冷軋，直至目標最終板厚。這樣，在材料中適當地導入在后述的熱處理(第2熱處理工序)中成為形成析出物的起點的晶格缺陷，從而在后續的熱處理(第2熱處理工序)中可以促進形成均勻微細的析出物，同時可以提高屈服強度。
<第2熱處理工序>
在第2熱處理工序中，進行時效硬化熱處理(沉淀硬化熱處理)。將第2冷軋后的銅合金材料加熱至400～500℃，保持30分鐘～3小時，更優選的是，加熱至430～480℃，保持1～2小時。這樣，Ni、Fe、Co與Si、P形成化合物，在銅母相中以微小形狀彌散析出，可以兼具高的強度和優異的導電率。如果處理的條件比規定范圍的“400～500℃、30分鐘～3小時”的溫度高、時間長，析出物粗大化，因而得不到充分的強度；反之，如果溫度低、時間短，析出不能充分地進行，導電率、強度也得不到充分的值。
<實施方式的效果>
根據上述的本發明的實施方式，可以達到下述的效果。
(1)可以得到同時具有大于等于700N/mm2的抗拉強度、大于等于650N/mm2的屈服強度、大于等于10％的延伸率、大于等于40％IACS的導電率，并且彎曲加工時的各向異性小(具有良好的彎曲加工性)的接線柱、連接器和引線框等電氣元件用銅合金材料。
(2)由于同時具有上述(1)的優異性質，對于接線柱、連接器和引線框等電氣元件，可以大幅度擴展其設計自由度。
(3)盡管同時具有上述(1)的優異性質，卻能夠以與以往材料同等的成本來制造。
以下基于實施例更詳細地說明本發明，但是本發明并不限于這些實施例。
實施例1以無氧銅為母材，在高頻熔煉爐中熔煉具有Ni3.0質量％、Si0.5質量％、P0.15質量％、Fe0.15質量％、Co0.15質量％、Sn1.0質量％、Zn1.5質量％的組成的銅合金，鑄造成直徑30mm、長度250mm的鑄錠。
將其加熱至850℃后進行擠壓加工(熱加工)，形成寬度20mm、厚度8mm的板狀，得到銅合金原料，然后冷軋至厚度0.36mm(第1冷軋)。接著，將冷軋后的材料在800℃保持10分鐘，然后投入水中，進行以約300℃/分鐘的速度冷卻至室溫(約20℃)的第1熱處理。接著，將冷卻后的材料冷軋至厚度0.3mm(第2冷軋)，然后進行在470℃保持2小時的第2熱處理(試樣No.1)。
針對如上制造的試樣No.1，測定抗拉強度、0.2％屈服強度、延伸率、導電率等各性能值。對于抗拉強度、0.2％屈服強度、延伸率，按照JIS Z 2241中規定的方法測定，對于導電率，按照JIS H 0505中規定的方法測定。測定的結果示于表2中。
由表2可以看出，得到了抗拉強度740N/mm2、0.2％屈服強度684N/mm2、延伸率12％、導電率42％IACS這樣的良好的特性，可以得到適于本發明目的的材料。
實施例2～9接著，與實施例1(試樣No.1)同樣操作，澆鑄表1的試樣No.2～No.9所示組成的銅合金，按照與實施例1(試樣No.1)同樣的工序加工成厚度0.3mm的試樣后，進行在470℃保持2小時的第2熱處理。對于上述試樣No.2～No.9，與實施例1同樣地測定抗拉強度、0.2％屈服強度、延伸率、導電率等各性能值。測定的結果示于表2中。
由表2可以看出，得到的試樣No.2～No.9也都同時具有適合本發明目的的良好特性。另外還可以看出，試樣No.6～No.9是向No.1的組成中分別添加0.1質量％的Mg、Ti、Cr、Zr的試樣，與No.1相比均得到更高的強度和屈服強度，作為次要成分添加是有效的。其中，試樣No.4是Ni含量、Si含量、Fe和Co的合計含量比上述更優選的組成范圍稍少的例子，此時與試樣No.1相比，雖然延伸率和導電率高，但是抗拉強度和屈服強度顯示出稍微低的值。另外，試樣No.5是Ni含量比上述的更優選的組成范圍稍多的例子，此時與試樣No.1相比，雖然抗拉強度和屈服強度高，但是延伸率和導電率顯示出稍微低的值。但是，任意一個試樣(試樣No.4和5)均充分得到上述期待的效果(大于等于700N/mm2的抗拉強度、大于等于650N/mm2的0.2％屈服強度、大于等于10％的延伸率、大于等于40％IACS的導電率)。
比較例1～13對于本發明的材料，列舉比較例說明其合金組成的限定理由。
與實施例1(試樣No.1)同樣操作，澆鑄表1的試樣No.10～No.22所示組成的銅合金，按照與實施例1(試樣No.1)同樣的工序加工成厚度0.3mm的試樣，然后，進行在470℃保持2小時的第2熱處理。對于所得到的試樣No.10～No.22，與實施例1同樣地測定抗拉強度、0.2％屈服強度、延伸率、導電率等各性能值。測定的結果示于表2中。
試樣No.10～No.15是Ni、Si的含量在規定范圍以外的例子。特別是試樣No.10和試樣No.14，由于Si的含量過多，產生鑄塊開裂。試樣No.12是Ni的含量過剩的例子，此時雖然抗拉強度良好，但導電率差。另外，試樣No.11、No.13和No.15是Ni和Si中的一方或二者的含量過少的例子，沒有得到充分的抗拉強度。
試樣No.16是P的量過剩的例子。此時與Si過剩的情況同樣產生鑄錠開裂。試樣No.17是Fe和Co的量過剩的例子。此時雖然抗拉強度良好，但導電率差。
試樣No.18和No.19是Ni、Fe、Co的合計量與Si、P的合計量的比率在規定范圍以外的例子。Ni、Fe、Co的合計量與Si、P的合計量之比[(Ni+Fe+Co)/(Si+P)]比規定值小時(試樣No.18)及比規定值大時(試樣No.19)，導電率都降低，抗拉強度和屈服強度也未得到良好的值。
試樣No.20是Sn的量過剩的例子，試樣No.21是Zn的量過剩的例子。抗拉強度均良好，但導電率均低下。另外，試樣No.22是Mg的量過剩的例子。此時導電率惡化，延伸率也得不到良好的值。
表1實施例和比較例的合金組成
表2實施例和比較例的評價和測定結果
比較例14～19下面，列舉比較例說明本發明的銅合金材料的制造條件的限定理由。
對于與實施例1中的試樣No.1相同組成的銅合金，在采用與實施例1同樣的工序進行加工時，按照表3所示的第1冷軋材料和最終材料的板厚比、第1和第2熱處理的各加熱條件進行操作，制造試樣No.23～28。對于所得到的各試樣，與實施例1同樣地測定抗拉強度、0.2％屈服強度、延伸率、導電率等各性能值。另外，為了評價彎曲加工性能，進行了彎曲試驗。試驗方法是根據JIS H 3110中規定的W彎曲試驗，以彎曲半徑0mm彎成90°，觀察彎曲部分的表面，調查有無龜裂。在此，分別進行彎曲軸的方向垂直于軋制方向以及彎曲軸的方向平行于軋制方向的彎曲試驗。此時，將不依賴于軋制方向、在2個方向上都沒有產生龜裂的情況評價為“良好”，將至少在任意一個方向產生龜裂的情況評價為“不良”。結果示于表4中。
由表4可以看出，本發明的試樣No.1(實施例1)同時具有超過700N/mm2的高抗拉強度、超過650N/mm2的高屈服強度、超過10％的良好延伸率以及超過40％IACS的良好導電率，并且實現了良好的彎曲加工性，與此相對，試樣No.23～28(比較例14～19)的各項性能(抗拉強度、屈服強度、延伸率、導電率、彎曲加工性)較差。
試樣No.23和No.24是第1冷軋工序形成的板厚與最終材料的板厚之比(第1冷軋工序形成的板厚/最終板厚)在規定范圍以外的例子。第1冷軋工序形成的板厚過薄(板厚比小于1.1)時(試樣No.23)，由于在第2冷軋工序中導入的晶格缺陷減少，因而最終材料的屈服強度停留在較低的值，抗拉強度也低。相反，第1冷軋工序形成的板厚過厚(板厚比大于1.3)時(試樣No.24)，由于在第2冷軋工序中導入過多的晶格缺陷，因而最終材料的延伸特性降低，并且產生對于彎曲的各向異性，彎曲加工性惡化(以與軋制方向平行的彎曲軸彎曲時產生龜裂)。
試樣No.25和No.26是第1熱處理的加熱溫度在規定范圍以外的例子。此時，無論加熱溫度在高或低的任一方向偏離規定范圍，抗拉強度和屈服強度都會降低。溫度過高時(試樣No.26)，除了抗拉強度和屈服強度以外，延伸率、導電率和彎曲加工性也都降低。
試樣No.27和No.28是第2熱處理的加熱溫度在規定范圍以外的例子。加熱溫度過低時(試樣No.27)，導電率低，抗拉強度、屈服強度和延伸率也變得不充分，同時彎曲加工性較差。反之，加熱溫度過高時(試樣No.28)，雖然導電率高，但抗拉強度和屈服強度不充分。
表3實施例和比較例的制造條件
表4實施例和比較例的測定結果
權利要求
1.電氣元件用銅合金材料，含有1.0～5.0質量％的Ni、0.2～1.0質量％的Si、0.05～2.0質量％的Sn、0.1～5.0質量％的Zn、0.01～0.3質量％的P、合計0.05～1.0質量％的選自Fe和Co中的至少一種，余量為Cu和不可避免的雜質，其中，所述Ni、Fe和Co的合計質量與所述Si和P的合計質量之比(Ni+Fe+Co)/(Si+P)是4～10。
2.根據權利要求1所述的銅合金材料，其中，所述的銅合金材料具有大于等于700N/mm2的抗拉強度。
3.根據權利要求1所述的銅合金材料，其中，所述的銅合金材料具有大于等于10％的延伸率。
4.根據權利要求1所述的銅合金材料，其中，所述的銅合金材料具有大于等于40％IACS的導電率。
5.電氣元件用銅合金材料，含有1.0～5.0質量％的Ni、0.2～1.0質量％的Si、0.05～2.0質量％的Sn、0.1～5.0質量％的Zn、0.01～0.3質量％的P、合計0.05～1.0質量％的選自Fe和Co中的至少一種、合計0.01～1.0質量％的選自Mg、Ti、Cr和Zr中的至少一種，余量為Cu和不可避免的雜質，其中，所述Ni、Fe和Co的合計質量與所述Si和P的合計質量之比(Ni+Fe+Co)/(Si+P)為4～10。
6.根據權利要求5所述的銅合金材料，其中，所述的銅合金材料具有大于等于700N/mm2的抗拉強度。
7.根據權利要求5所述的銅合金材料，其中，所述的銅合金材料具有大于等于10％的延伸率。
8.根據權利要求5所述的銅合金材料，其中，所述的銅合金材料具有大于等于40％IACS的導電率。
9.權利要求1所述的電氣元件用銅合金材料的制造方法，包括下述工序制備具有與權利要求1所述相同組成和相同質量比的銅合金原料；將所述銅合金原料冷軋至最終產品目標厚度的1.1～1.3倍的厚度的第1冷軋工序；將在第1冷軋工序中經過冷軋的材料加熱至700～850℃，然后以大于等于25℃/分鐘的冷卻速度冷卻至小于等于300℃的第1熱處理工序；將在第1熱處理工序中處理過的材料冷軋至目標厚度的第2冷軋工序；將在第2冷軋工序中經過冷軋的材料加熱至400～500℃并保持30分鐘～3小時的第2熱處理工序。
10.權利要求5所述的電氣元件用銅合金材料的制造方法，包括下述工序制備具有與權利要求5所述相同組成和相同質量比的銅合金原料；將所述銅合金原料冷軋至最終產品目標厚度的1.1～1.3倍的厚度的第1冷軋工序；將在第1冷軋工序中經過冷軋的材料加熱至700～850℃，然后以大于等于25℃/分鐘的冷卻速度冷卻至小于等于300℃的第1熱處理工序；將在第1熱處理工序中處理過的材料冷軋至目標厚度的第2冷軋工序；將在第2冷軋工序中經過冷軋的材料加熱至400～500℃并保持30分鐘～3小時的第2熱處理工序。
全文摘要
本發明提供了強度、屈服強度、延伸率及導電性優異且具有良好彎曲加工性能的電氣元件用銅合金材料。該銅合金含有(質量％)1.0～5.0％Ni、0.2～1.0％Si、0.05～2.0％Sn、0.1～5.0％Zn、0.01～0.3％P、合計0.05～1.0％的選自Fe和Co中的至少一種，余量為Cu和不可避免的雜質，所述Ni、Fe和Co的合計質量與所述Si和P的合計質量之比是4～10，抗拉強度大于等于700N/mm
文檔編號B21B3/00GK1925065SQ20061008467
公開日2007年3月7日 申請日期2006年5月29日 優先權日2005年9月2日
發明者山本佳紀, 高野浩聰, 古德浩一, 佟慶平, 野村克己 申請人:日立電線株式會社