偏轉系統和用于偏轉系統的偏轉磁軛的制作方法

專利名稱：：偏轉系統和用于偏轉系統的偏轉磁軛的制作方法
技術領域：
：本發明涉及用于CRT(陰極射線管)的偏轉系統和用于偏轉系統的偏轉磁軛，特別涉及能夠容易地補償失會聚的偏轉系統和具有精確尺寸及低磁芯損耗比如渦流損耗的良好磁特性的偏轉磁軛。在用作例如個人計算機和計算機網絡的計算機顯示裝置或作為用于高清晰度圖象的顯示裝置的彩色CRT(陰極射線管)的顯示裝置中，需要具有低顏色失真和低圖象失真的高清晰度顯示功能。因此，在用于產生沿水平和垂直兩個方向偏轉電子束的磁場的偏轉線圈系統(稱為偏轉系統)中，需要使產生的磁場具有高精度性能，以滿足要求的指標。圖1是裝有偏轉系統的CRT的透視圖。如圖1所示，作為密封管的CRT一般包括屏盤1，錐體2和管頸3。再有，偏轉系統4一般包括水平偏轉線圈(未示出)，由塑料制成的隔離器(未示出)，垂直偏轉線圈(未示出)和偏轉磁軛5。偏轉磁軛5安裝成覆蓋水平和垂直線圈的外圍部分。把偏轉系統4從管頸3的末端插入由此安裝在錐體2上。偏轉系統4偏轉由設置在管頸3中的電子槍發射的電子束。靠近管頸3末端的錐體2為圓錐體，以便實現CRT的高生產率。在任何位置上錐體2的剖面都是圓形的，剖面的中心與CRT的軸一致。一般來說，裝在錐體2上的偏轉系統4的偏轉磁軛5有與錐體2形狀對應的圓錐形狀。如下構成具有圓錐形狀的偏轉磁軛5。圖2表示制作偏轉磁軛的金屬模具的剖面圖；和圖3表示圖2所示的金屬模具的金屬凹模的平面圖。如圖2所示，在確定接收孔9的支承基座10上，固定金屬凹模11。如圖3所示，在以金屬凹模11圓形剖面的中心線11a相互面對的金屬凹模11的內壁上，形成一對凸緣15，以便在偏轉磁軛5上形成分隔槽14，使偏轉磁軛5在模制后被分成兩片。再有，形成一對凸出部分15、15，以便在各個凸緣14、14的兩邊上形成偏轉磁軛5上的一對連接槽。在形成在其中心的接收孔部分9中，金屬凸模13的一部分與其緊密配合。在金屬凹模11和金屬凸模13之間，填充由Mg-Zn、Ni-Zn或Mn-Zn制成的鐵氧體磁性粉末12，通過把金屬凸模13向下如圖2中箭頭A1所示方向擠壓，將磁性粉末12模壓成預定的形狀。在下文中把上述偏轉磁軛5的初級制品稱為模壓制品5’。圖4是偏轉磁軛模壓制品的透視圖；和圖5是沿圖4中A-A線剖切的剖面圖。圖4示出模壓制品5’。在燒結后，模壓制品5’變為偏轉磁軛5。如下所述，當燒結模壓制品5’時，由于收縮其尺寸會稍稍減小。圖4中，忽略燒結后尺寸的變化，用同一圖表示偏轉磁軛5和模壓制品5’兩者。參照圖4，形成分隔槽6、6，并在各分隔槽6兩邊形成用于在模壓制品5’(偏轉磁軛5)中安裝金屬固定件8、8的連接槽7、7。如圖5所示，模壓制品5’(偏轉磁軛5)的內壁5a’(5a)為圓錐形。在燒結后，利用分隔槽6、6，把模壓制品5’(偏轉磁軛5)分隔成兩部分。然后，把這兩部分裝在水平和垂直線圈組件的外表面上，該組件裝在具有如下所述的圓錐形狀的隔離器(未示出)內外表面上，通過在連接槽7、7中插入金屬固定件8、8連接成一體。下面，說明通過燒結模壓制品5’形成偏轉磁軛5的工藝方法。圖6是燒結前模壓制品的剖面圖；圖7是燒結后模壓制品的剖面圖；圖8是燒結托架的透視圖；和圖9是沿圖8中B-B線剖切的剖面圖。如圖6所示，模壓制品5’在按下述方式裝在燒結托架16上的情況下進行燒結，即由限定開口16a為燒結托架16中的支撐部分的邊緣16a1，以線接觸方式支撐模壓制品5’的具有圓錐形較小直徑的周邊部分B。在燒結后，由于收縮模壓制品5’的尺寸減小15-20％。因此，模壓制品5’向下移動與開口16a的邊緣16a1接觸，結果，圖7所示，由邊緣16a1支撐模壓制品5’的具有較大直徑的周緣C。在上述偏轉磁軛5中，存在下列問題。(1)很難獲得具有精確尺寸的偏轉磁軛5。(2)很難獲得具有復雜形狀的偏轉磁軛5，例如橢圓錐形狀，矩形錐體形狀，和除圓錐形狀外在其內壁上具有非規則壁的形狀。關于(1)，不能獲得精確尺寸的原因之一是模壓制品5’有分隔槽6和連接槽7。如圖2所示，當在凹模11和凸模13之間填充磁性粉末12和通過用金屬凸模13加壓形成模壓制品5’時，由于靠近分隔槽6和連接槽7部分的密度與其它部分的密度不同，所以在磁性粉末中存在不均勻的密度分布。因此，當燒結模壓制品5’時，在靠近分隔槽6和連接槽7的部分與其它部分之間，會出現因不均勻密度導致的應力。由此產生的問題是由于在上述工藝方法中一個方向上出現的應力使偏轉磁軛5容易變為橢圓形，所以偏轉磁軛5有不同于真正圓形的形狀。另一個不能獲得精確尺寸的原因是由于燒結托架16。準確地說，當燒結時，因材料收縮，模壓制品5’的尺寸會減小15-20％。因此，因加熱軟化的模壓制品5’向下滑動，同時與開口16a的邊緣16a1接觸。于是，模壓制品5’的圓錐形狀基本上被復制成燒結托架16的開口16a的邊緣16a1的形狀。順便說明一下，燒結托架16由具有不低于1300℃的耐熱溫度的陶瓷構成，并在高溫下通過燒結模壓的陶瓷粉末形成。因此，由于其高硬度，在燒結后無需進一步加工，所以使用燒結托架16，而且，如果使用它可節省昂貴的成本。圖10表示在燒結托架中定義為支撐截面的開口邊緣的測量形狀。圖10中，開口16a的邊緣16a1的測量形狀用實線表示，邊緣的理想形狀用虛線表示。圖10中，在徑向設有多個刻度，表示距支撐截面(開口16a)中心0的距離，其中，單位刻度表示20μm的距離。如圖10所示，可以看出，邊緣16a1的測量形狀偏離了理想形狀。在形成時模壓制品5’的圓錐形狀大量地成為如上所述的開口16a的邊緣16a1的形狀。圖11(A)表示在較小直徑的偏轉磁軛附近沿橫切其上裝有偏轉磁軛的CRT管軸的方向的測量截面；圖11(B)表示按圖6中的工藝方法燒結后在偏轉磁軛圖示位置B附近沿橫切管軸的方向的測量截面；圖11(C)表示按圖6中的工藝方法燒結后在偏轉磁軛圖示位置C附近沿橫切管軸的方向的測量截面；結果，如圖11(A)至圖11(C)所示，偏轉磁軛5的截面形狀在其各位置上是不同的，并沒有規律性。因此，采用這種偏轉磁軛5的偏轉系統產生的磁場各不相同，從而導致圖象的顏色失真。由于不可能僅通過燒結模壓制品5’來獲得精確的尺寸，所以按大于實際尺寸預先形成偏轉磁軛5，允許加工偏轉磁軛5，因而生產成本增加。為了解決這些問題，在日本特許公開57-11092、日本特許公開5-15023、日本特許公報6-215970和日本特許公報6-325961中披露了解決上述問題的技術。但是，它們并未達到實際的清晰度，特別是在高清晰度圖象顯示裝置中。再有，在有多個一字形電子槍的CRT上裝配的偏轉系統中，由水平偏轉線圈產生的水平偏轉磁場為枕形，由垂直偏轉線圈產生的垂直偏轉磁場為桶形。因而，在理論上可消除失會聚。把這種偏轉系統稱為自會聚偏轉系統。但是，實際上由于CRT的結構、偏轉系統結構的限制和生產中的偏離，很難獲得理論上的這種理想特性，從而產生多種失會聚。作為失會聚的實例，有稱為XH和YH的失會聚。圖12是解釋失會聚XH和YH的示意圖；和圖13是解釋VCR變窄的示意圖。即如圖12所示，把失會聚XH定義為這種現象，即在圖象的X軸方向上(水平軸)，B(藍色)和R(紅色)電子束未會聚在圖象遠端側的同一點上，導致水平方向上的軸向偏離。把失會聚YH定義為這種現象，即在圖象的Y軸方向上(垂直軸)各顏色(R、G、B)電子束未會聚在圖象遠端側的同一點上，導致垂直方向上的軸向偏離。從而，使用由坡莫合金或硅鋼制成的補償磁片來補償失會聚XH、YH。在設置于電子槍側表面的隔離器上配置補償磁片，其與電子槍排列方向成90°的角度(X軸)或平行(Y軸)。在采用鞍形偏轉線圈作為水平和垂直線圈的自會聚鞍形偏轉系統中，垂直偏轉磁場形成桶形磁場。因此，如圖13所示，會出現稱為VCR變窄的現象，其中，與R和B電子束相比，G電子束的偏轉量被減小。由于結構所限，所以用CRT和偏轉系統的組合不能補償這種失會聚。因此，通過使補償電流流過VCT補償線圈(會差補償)來補償這種失會聚。下面，參照圖14和圖15，說明現有技術中偏轉系統的結構。圖14是裝在CRT上的偏轉系統的局部剖面圖；和圖15是圖14的右側視圖。參照圖14，偏轉系統108一般包括隔離器101；在隔離器101內表面上設置的一對鞍形水平偏轉線圈102；在隔離器101的外表面上設置的一對鞍形垂直偏轉線圈103，和覆蓋如上所述的水平和垂直偏轉線圈102、103的偏轉磁軛104。如圖14所示，隔離器101有從CRT109的管頸109N至其錐體前部109F延伸且變寬的圓錐形狀。隔離器101包括在隔離器末端用于容納水平偏轉線圈102的后側彎曲部分的圓柱形后部101R，；從圓柱形后部101R伸出的固定部分101P和在錐體前部109F側用于容納水平偏轉線圈102的前側彎曲部分的圓柱形前部101F。偏轉系統108裝在錐體前部109F和管頸109N之間，使用箍105和固定部件101P固定在CRT109上。從在管頸109N中設置的電子槍110發射的電子束R、G、B被偏轉系統108偏轉。再有，如圖15所示，在隔離器101圓柱形后部101R的背表面101RP上，在靠近管頸109N的位置形成一對其間插有CRT109的X軸的凹槽111，用于插入一對補償失會聚XH的第一補償磁片106。再有，在靠近管頸109N的背表面101RP上設置一對在其間插有CRT109的Y軸的VCR補償線圈107。此外，在靠近管頸109N的位置上設置用于補償失會聚YH的一對其間插有Y軸的第二補償磁片112。圖16是表示非對稱水平磁場實例的示意圖；圖17是表示非對稱水平磁場另一實例的示意圖；圖18是表示按照圖16所示的非對稱水平磁場的失會聚XH實例的示意圖；和圖19是表示按照圖17所示的非對稱水平磁場的失會聚XH另一實例的示意圖。在圖16、17中，示出對于左右方向非對稱磁場的實例。因此，失會聚XH按這樣的方式出現，即在X軸方向上在圖象兩遠端B電子束和R電子束未會聚于同一點，導致圖18、19所示的在X軸方向上的軸向偏離；或導致R電子束和B電子束之間的偏離量在左邊與在右邊不同。圖20是表示補償磁片的平面圖；和圖21是表示補償失會聚XH狀態的示意圖。如圖20所示的由坡莫合金或硅鋼制成的補償磁片106從圖15所示的方向A或方向B插入凹槽111中。可將兩片磁片沿方向A或方向B插入凹槽111中。因此，利用磁場分布局部抵消或由補償磁片106改變其分布，在左右方向上補償水平磁場分布的不平衡。因此，如圖21所示，補償失會聚XH，在X軸的兩遠端部B和R電子束會聚于同一點。其中，由補償磁片106產生的補償磁場取決于補償磁片106的體積。因此，體積越大，補償磁場越大。因此，如圖20所示，補償磁片106具有長邊為106B、上短邊為106C、下短邊為106D的矩形形狀，形成有與CRT109的管頸109N相同曲率半徑的內拱形表面106A。因此，能夠有效地消除或改變水平偏轉磁場。另一方面，通過補償線圈107和VCR補償電路(未示出)的組合和使補償電流流過VCR補償線圈107，能夠補償失會聚YH和VCR變窄。再有，在隔離器101的圓柱形后部101R的背表面101RP上沿X軸方向的上或下預定位置，通過設置由硅鋼制成的軟磁片也能補償失會聚YH。圖22是表示由圖16所示水平偏轉磁場分布引起的R、G、B失會聚的示意圖；和圖23是表示當補償磁片靠近B電子束設置時的水平磁場分布示意圖。當出現圖18所示的失會聚XH時，水平偏轉磁場分布保持圖16所示的狀態，其中，在B電子束側的枕形磁場比在R電子束側磁場更強。在這種狀態下，包括沿X軸在圖象兩遠端部分的G電子束的失會聚圖形呈圖22所示的狀態。為了用補償磁片106補償圖22所示的失會聚XH，把補償磁片106按方向B插入凹槽111。然后，如圖23所示，在B電子束側的一部分水平偏轉磁通量φH分布在補償磁片106上。因此，與R電子束側的磁通量相比，B電子束側的磁通量降低。在整體上，使磁通量分布相對R和B電子束平衡，以消除R/B電子束的偏離，從而補償失會聚XH。圖24是表示用補償磁片補償失會聚XH時忽略渦流損耗效應狀態的示意圖；和圖25是表示用補償磁片補償失會聚XH時考慮渦流損耗效應狀態的示意圖。在這種情況下，如圖24所示，G電子束(中心電子束)在X方向兩遠端應偏離到R/B電子束外邊。可是，實際上，如圖25所示，G電子束卻偏離到R/B電子束右邊。此外，在左方向上的G電子束的偏離量大于在右方向上G電子束的偏離量。其原因如后面所述。圖26是表示鋸齒電流流過水平偏轉線圈的示意圖；和圖27是表示因渦流電流流過補償磁片產生的磁場的示意圖。如圖26所示的鋸齒電流流過水平偏轉線圈102。鋸齒電流有重復周期T，由在圖象中從左至右掃描電子束的掃描期間ts和使電子束返回左邊的返回跟蹤期間ts組合而成。由水平偏轉頻率確定重復期間T。在高清晰度顯示器中，選擇較高的水平偏轉頻率。由于電子束被迅速地返回到圖象的左邊，所以重復跟蹤期間tr的值是掃描期間ts的1/5，即掃描頻率是重復跟蹤頻率的5倍。因此，在重復跟蹤期間tr時，在補償磁片106中產生渦流。在重復跟蹤期間tr時產生的渦流的值大于在掃描期間ts的渦流值，導致在開始時因渦流產生的如圖27所示的磁場φe。由渦流產生的磁場φe重疊在水平偏轉磁場上，導致由補償磁片106產生的失會聚補償作用被減弱。特別是，靠近偏轉系統端部的枕形偏轉磁場比靠近其中間部分的水平偏轉磁場更強。因此，在圖象左邊的G電子束偏向右邊。因此，為了避免G電子束偏向右邊，有效的方法是消除由補償磁片106產生的渦流。另外，需用不同的方法來消除失會聚XH。為了消除渦流的影響，有效的方法是采用在使用頻帶中具有小渦流的磁片。例如，可在上述偏轉磁軛中使用Mg-Zn鐵氧體。但是，Mg-Zn鐵氧體有機械強度較差的缺點。因此，必須使其厚度厚于坡莫合金和硅鋼的厚度，導致形狀的局限性。此外，Mg-Zn鐵氧體的補償磁片成本較昂貴。作為另一個方法，采用會聚系統來補償失會聚，其中，把模擬或數字補償電流加在會聚系統上。但是，由于采用偏轉系統和補償電路，所以這種方法存在高成本的缺點。因此，在普通應用的偏轉系統中不能采用這種方法。下面，說明現有技術中VCR變窄補償的實例。在CRT電子槍側設置的絕緣體上按下述方式設置一對分別帶有E形磁芯的多極線圈，其中各E形磁芯有圍繞其繞制線圈的多個腿，即在垂直于電子槍排列方向的方向上互相對置多極線圈。多極線圈對的線圈串聯連接，它們與垂直偏轉線圈連接，使垂直偏轉電流流經多極線圈，以便進行VCR補償(會差補償)。圖28是垂直于圖14剖面的局部剖面圖，展示在CRT上裝配的偏轉系統；和圖29是表示圖28的俯視圖。參照圖28，偏轉系統207一般包括隔離器201；在隔離器201的內表面設置的一對鞍形水平偏轉線圈202；在隔離器201的外表面設置的一對鞍形垂直偏轉線圈203和覆蓋上述水平和垂直偏轉線圈202、203的偏轉磁軛204。如圖28所示，隔離器201有從CRT208的管頸208N至其錐體前部208F延伸變寬的圓錐形。隔離器201包括在其遠端用于容納水平偏轉線圈202的后側彎曲部分的圓柱形后部201R；從圓柱形后部201R伸出的固定部分201P和在錐體前部208F側用于容納水平偏轉線圈202的前側彎曲部分的圓柱形前部201F。偏轉系統207裝在錐體前部208F和管頸208N之間，使用箍205和固定部件201P將其固定在CRT208上。從在管頸208N中設置的電子槍209發射的R、G、B電子束由偏轉系統207偏轉。再有，如圖29所示，在隔離器201圓柱形后部201R的背表面201RP上靠近管頸208N的位置設置多極線圈(VCR補償線圈)206、206’，管頸插在它們之間，以便補償失會聚VCR。各多極線圈206、206’包括E形磁芯211；分別纏繞在E形磁芯211腿部的線圈212a至212c(212d至212f)。圖30是表示在多極線圈的E形磁芯中使用的軟磁片的平面圖；和圖31是表示多極線圈的平面圖。如圖30所示，由硅鋼片或坡莫合金通過沖壓形成具有E形的軟磁片210。通過堆積多個軟磁片210構成E形磁芯211。如圖31所示，多極線圈206(206’)由圍繞E形磁芯211的腿部的繞組212a、212b、212c(212d、212e、212f)組成。圖32是表示偏轉系統的底視圖，用于解釋多極線圈的工作，其中按照圖象的上半部分進行電子束的偏轉。各個線圈212a至212f被如下電連接。當根據圖象的上半部分進行電子束的偏轉時，多極線圈206的E形磁芯211的磁極按S極(南極)、N極(北極)和S極(南極)的頁序向下，多極線圈206’的E形磁芯211的磁極按N極(北極)、S極(南極)和N極(北極)的順序向下。當垂直偏轉磁場為零，在橫向方向(水平)排列的由電子槍發射的R、G、B電子束位于多極線圈206、206’的E形磁芯211的兩個中心磁極之間的位置。當根據圖象上半部分進行電子束偏轉時，正方向的偏轉電流流過垂直線圈203和多極線圈206、206’。利用流過多極線圈206、206’的電流，在圖示箭頭216方向上中心磁極(N極)和兩個端部磁極(S極)之間產生第一磁場，在圖示箭頭217方向上兩個端部磁極(N極)和中心磁極(S極)之間產生第二磁場。因此，根據上述磁場，電子束R、G、B如下運動。R和B電子束分別靠近多極線圈206和206’的中心磁極位置。由多極線圈206的中心磁極(線圈212b)產生的第一磁場作用于R電子束，由多極線圈206’的中心磁極(線圈212e)產生的第二磁場作用于B電子束。因此，R電子束按圖示箭頭213方向向下運動，B電子束按圖示箭頭214方向也向下運動。再有，在圖示箭頭方向218、219上兩端磁極(N極線圈212d、212f)和兩端磁極(S極線圈212a、212c)之間產生第三磁場。在線圈212b的中心N極和線圈212e的中心S極之間產生的磁場被用圖示箭頭218、219表示的第三磁場抵消。因此，僅第三磁場作用于G電子束，以便G電子束在圖示箭頭215方向上向上運動。如上所述，僅在水平方向上產生的磁場作用于R、G、B電子束。因此，R、G、B電子束在向上和向下方向上偏轉。這就能夠補償失會聚VCR變窄。依靠補償VCR變窄，隨著使G電子束位于三束電子束的中心位置，偏轉量往往變小。因此，可能產生稱為生長環的其它失會聚，其中在中心部分的偏轉量不能抵消周邊部分的偏轉量，以致與R和B顏色直線相比，G顏色線變為弧線形狀。疊置具有由垂直偏轉期間調制的水平偏轉期間的拋物線電流，能夠補償這種失會聚。如上所述，在隔離器201圓柱形后部201R的背表面201RP上靠近管頸208N的位置設置多極線圈206、206’，它們之間插有管頸208N1RP。因此，一部分水平偏轉磁場(磁通)分布在各E形磁芯211上，結果在各E形磁芯211中產生渦流。通過使圖26所示的鋸齒電流流過水平偏轉線圈202，產生水平偏轉磁場。由水平偏轉頻率確定重復期間T。在高清晰度顯示器中，選擇較高的水平偏轉頻率。由于電子束被迅速地返回到圖象的左邊，所以重復跟蹤期間tr的值是掃描期間ts的1/5，即掃描頻率是重復跟蹤頻率的5倍。因此，E形磁芯211中產生的渦流值在開始和重復跟蹤期間tr結束時變得最大，在圖形中心隨著該電流變為零而逐漸下降。然后，在圖象右邊隨著該電流變為最大而逐漸增加。圖33是表示由E形磁芯的渦流產生的磁場的示意圖。其中，當電子束從左邊偏轉到圖象的中心時，由在E形磁芯211引起的渦流產生圖33所示箭頭方向上的磁場φE。磁場φE重疊在同一方向上由水平偏轉線圈202產生的水平偏轉磁場上。因此，由于其呈靠近圖象端部的位置，因而水平偏轉磁場在后部具有比前部較強的枕形分布。具體地說，與其它部分相比，在圖象的左邊(電子束掃描的開始位置)這種傾向更強。因此，當補償在X方向上圖象的各端產生的垂直R線與垂直B線的偏離(失會聚XH)時，如圖25所示，垂直G線在圖象的各端偏離垂直R/B線。此外，在圖象左邊的偏轉量大于其右邊的偏轉量，導致失會聚補償質量的下降。除了E形磁芯之外，這種現象也出現在其它類型的磁芯中。因此，本發明的一般目的在于提供可消除上述缺陷的偏轉系統和偏轉磁軛。本發明的特定目的在于提供用于偏轉由CRT(陰極射線管)的電子槍發射的電子束的偏轉系統，偏轉系統裝在CRT上，位于CRT的具有較小直徑的管頸與具有較大直徑的錐體之間的部分，偏轉系統包括用于在CRT的水平方向上偏轉電子束的水平偏轉線圈；用于在CRT的垂直方向上偏轉電子束的垂直偏轉線圈；和偏轉磁軛，在錐體側的一個端部上有具有較大直徑部分的圓錐形狀，在管頸側的另一端部有具有較小直徑部分的圓錐形狀，以便使偏轉磁軛覆蓋水平和垂直偏轉線圈，偏轉磁軛由加熱固化的模壓磁性材料制成，模壓磁性材料包括包含樹脂的粘合劑和用表面處理劑處理的磁性粉末，該表面處理劑包括有作為結構單元的氨基醌基團的化合物，氨基醌基團可從用公式(1)和(2)表示的一組氨基醌基團中選擇其中Y氫原子，具有選自直鏈、環鏈和支鏈中的至少一種的C1～C6烷基、芳烷基、苯基，Z1C2～C16亞烷基，亞苯基，亞芳烷基，烷芳烯基，-(CH2CH2-O)n-CH2-CH2(n整數1-50)，和Z2具有選自直鏈和支鏈中的至少一種的C1～C6亞烷基。本發明的另一個和更具體的目的在于提供偏轉磁軛，用于對由CRT(陰極射線管)電子槍發射的電子束進行偏轉的偏轉系統中，偏轉磁軛裝在CRT的管頸和錐體之間的部分上，其中偏轉磁軛在錐體側的一個端部上有具有較大直徑部分的圓錐形狀，在管頸側的另一端部有具有較小直徑部分的圓錐形狀，以便使偏轉磁軛覆蓋水平和垂直偏轉線圈，偏轉磁軛由加熱固化的模壓磁性材料制成，模壓磁性材料包括包含樹脂的粘合劑和用表面處理劑處理的磁性粉末，該表面處理劑包括有作為結構單元的氨基醌基團的化合物，氨基醌基團可從用公式(1)和(2)表示的一組氨基醌基團中選擇。本發明的其它和更具體的目的在于提供裝在彩色CRT(陰極射線管)上的偏轉系統，用于偏轉由在彩色CRT中一字排列的多個電子槍發射的電子束，偏轉系統配有用于補償在CRT的顯示屏上產生的失會聚的補償磁片，其中通過加熱固化由模壓磁性制品構成補償磁片，模壓磁性材料包括包含樹脂的粘合劑和用表面處理劑處理的磁性粉末，該表面處理劑包括有作為結構單元的氨基醌基團的化合物，氨基醌基團可從用公式(1)和(2)表示的一組氨基醌基團中選擇。本發明的其它和更具體的目的在于提供用于偏轉系統的偏轉磁軛，該偏轉系統裝在彩色CRT(陰極射線管)上用于偏轉由在彩色CRT中一字排列的多個電子槍發射的電子束，偏轉磁軛配有在其上纏繞線圈的磁芯，用于補償在CRT的顯示屏上產生的失會聚，其中通過加熱固化由模壓磁性制品構成磁芯，模壓磁性材料包括包含樹脂的粘合劑和用表面處理劑處理的磁性粉末，該表面處理劑包括有作為結構單元的氨基醌基團的化合物，氨基醌基團可從用公式(1)和(2)表示的一組氨基醌基團中選擇。通過下面的詳細論述，使本發明的其它目的和特性會更明確。圖1是裝有偏轉系統的CRT的透視圖；圖2是表示用于偏轉磁軛的金屬模具的剖面圖；圖3是表示圖2所示金屬模具的金屬凹模的平面圖；圖4是用于偏轉磁軛的模壓制品的透視圖；圖5表示沿圖4所示的A-A線剖切的剖面圖；圖6是燒結前模壓制品的剖面圖；圖7是燒結后模壓制品的剖面圖；圖8是燒結托架的透視圖；圖9是表示沿圖8所示的B-B線剖切的剖面圖；圖10示出在燒結托架中由托架截面定義的開口邊緣的測量形狀；圖11(A)表示在小直徑附近沿橫切管軸的方向的偏轉磁軛的測量截面；圖11(B)表示在圖6中的燒結之后在圖示位置B附近沿橫切于管軸的方向的偏轉磁軛的測量截面；圖11(C)表示在圖7中的燒結之后在圖示位置C附近沿橫切于管軸的方向的偏轉磁軛的測量截面；圖12是解釋失會聚XH和YH的示意圖；圖13是解釋VCR變窄的示意圖；圖14是表示裝在CRT上的偏轉系統的局部剖面圖；圖15是圖14的右視圖；圖16是表示非對稱水平磁場實例的示意圖；圖17是表示非對稱水平磁場另一實例的示意圖；圖18是表示按照圖16所示的非對稱水平磁場的失會聚XH實例的示意圖；圖19是表示按照圖17所示的非對稱水平磁場的失會聚XH另一實例的示意圖；圖20是表示補償磁片的平面圖；圖21是表示補償失會聚XH狀態的示意圖；圖22是表示圖16中由水平偏轉磁場分布引起的R、G、B失會聚的示意圖；圖23是表示當補償磁片靠近B電子束設置時水平磁場分布的示意圖；圖24是表示用補償磁片補償失會聚XH時忽略渦流損耗效應狀態的示意圖；圖25是表示用補償磁片補償失會聚XH時考慮渦流損耗效應狀態的示意圖；圖26是表示流過水平偏轉線圈的鋸齒電流的示意圖；圖27是表示因渦流流過補償磁片產生的磁場的示意圖；圖28是垂直于圖14截面的局部剖面圖，表示裝在CRT上的偏轉系統；圖29是圖28的右視圖；圖30是表示在多極線圈的E形磁芯中使用的軟磁片的平面圖；圖31是多極線圈的平面圖；圖32是偏轉系統的示意性后視圖，用于解釋多極線圈的工作，其中按照圖象的上半部分進行電子束的偏轉；圖33是表示由E形磁芯的渦流產生的磁場的示意圖；圖34是表示本發明的偏轉系統的局部側剖面圖；圖35是鞍形偏轉線圈的透視圖；圖36是本發明偏轉系統的分解圖；圖37是沿圖34中C-C線剖切的剖面圖，說明當在偏轉系統中未設置偏轉磁軛時水平偏轉線圈的水平偏轉磁場分布；圖38是沿圖34中C-C線剖切的剖面圖，說明當在偏轉系統中設置偏轉磁軛時水平偏轉線圈的水平偏轉磁場分布；圖39(a)和39(b)是表示由本發明的AQ粘結磁性材料制成的環的透視圖；圖40是表示AQ粘結磁性材料的磁芯損耗特性的曲線圖；圖41是表示AQ粘結磁性材料的測試位置的側視圖；圖42是表示按照從試驗片1-5中選出的實例測試的內徑和外徑的曲線圖；圖43是表示普通圓錐形偏轉磁軛的典型結構的剖面圖；圖44是表示本發明圓錐形偏轉磁軛的典型結構和尺寸的剖面圖；圖45是表示本發明的另一對偏轉磁軛之一的透視圖；圖46是表示在其上裝有圖45所示的偏轉磁軛的偏轉系統的剖面圖；圖47是表示拆除偏轉磁軛情況下靠近CRT的偏轉系統(偏轉系統組件)的管頸處的剖面圖；圖48是表示本發明在其裝配圖47所示偏轉系統組件的內表面上有凸狀部分的一個偏轉磁軛的透視圖；圖49是表示本發明的帶有圖48所示偏轉磁軛的偏轉系統的剖面圖；圖50是表示在其上裝有另一對偏轉磁軛的圖47所示的偏轉系統的剖面圖；圖51是表示本發明的在其內表面上帶有凹狀部分的另外一對偏轉磁軛的透視圖；圖52是表示具有矩形錐體的彩色CRT的透視圖；圖53是表示圖52所示的矩形錐體截面的放大圖54是表示相對于在圓形錐和矩形錐之間的參考表面Rf進行形狀比較的圖；圖55是用于圖52所示的一字形電子槍系統(RIS)的CRT中的偏轉磁軛的透視圖；圖56是本發明的另一實施例的偏轉磁軛的透視圖；圖57是本發明的另一實施例的偏轉磁軛的透視圖；圖58是本發明第四實施例的偏轉系統的后視圖；圖59是表示用于圖58所示的偏轉系統中的補償磁片的平面圖；圖60是表示在其上纏繞線圈的圖59所示的補償磁片的平面圖；圖61是表示在作為比較例的偏轉系統中使用的補償磁片的平面圖；圖62是表示本發明第五實施例的偏轉系統的后視圖；和圖63是在本發明的偏轉系統中使用的E形磁芯的平面圖。下面，參照偏轉系統和偏轉磁軛的實施例。首先，說明用于偏轉磁軛的粘接磁性材料的磁性粉末的處理方法。作為表面處理劑，預備至少包括一種用公式(1)和(2)表示的作為結構單元的氨基醌基團化合物。然后，把磁性粉末與表面處理劑一起進行處理。在公式(1)中，Y氫原子，具有選自直鏈、環鏈和支鏈中的至少一種的C1～C6烷基、芳烷基、苯基，Z1C2～Cl6亞烷基，亞苯基，亞芳烷基，烷芳烯基(alkarilenegroup)，-(CH2CH2-O)n-CH2-CH2(n整數1-50)。在公式(2)中，Z2是具有選自直鏈和支鏈中的至少一種的C1～C6亞烷基。具體地說，表面處理劑最好是聚合物，例如由二醇與包含用公式(1)和(2)表示的氨基醌基團的異氰酸酯反應而獲得的聚氨酯。對于100wt％的磁性粉末來說，包含氨基醌基團的化合物的重量比不超過10wt％。化合物的重量比在0.1wt％至10wt％較好，在0.1wt％至5wt％更好。無論用公式(1)或(2)表示的氨基醌基團或它們兩者都可以包含在化合物中。在包含氨基醌基團的化合物中，作為單體的氨基醌基團的重量比不少于50wt％較好，最好不少于40wt％。為了上述目的，增加作為單體的氨基醌基團的重量比是有效的，但是，其過大的重量比會導致難以進行單體聚合。因此，氨基醌基團重量比的上限最大為50wt％。在本發明中，作為單體的氨基醌基團的重量比為5～40wt％較好。通過在溶劑中溶解包含氨基醌的化合物，獲得可調的用于磁性粉末的表面處理劑。將羥基引入到用公式(1)和(2)表示的氨基醌基團的兩遠端獲得二醇單體，使二醇單體達到二醇的其它種類和二乙氰酸酯，于是可調整地獲得聚氨酯。作為上述另一種二醇，可使用丁烷二醇、己二酸丁二醇酯、己內酯、聚酯、聚醚、乙二醇、聚己酸內酯、聚酯酰胺、聚鏈烷二醇、聚丁烷二醇和聚縮醛。作為二異氰酸酯，可使用亞甲基二異氰酸酯、甲苯二異氰酸酯。如上所述，把上述聚氨酯聚合物溶解于溶劑比如環己醇中來獲得用于磁性粉末的表面處理劑。更具體地說，作為氨基醌(AQ)單體，使用包括選自公式(3)表示的二醇單體(AQ-01)和公式(4)表示的另一二醇單體(AQ-02)中的至少一種的作為結構單元的化合物。如下構成表面處理劑。首先，使上述化合物與分子量為500至5000的多種二醇和二乙氰酸酯進行反應，制成分子量為5000至50000的聚氨酯聚合物。然后，調整表面處理劑的溶液濃度，對于100wt％的磁性粉末，使聚氨酯的重量比變為0.1～10.0wt％，從而產生表面處理劑。把250g的表面處理劑分散在1kg的磁性粉末中。然后，使其中的溶劑蒸發。因此，完成磁性粉末的表面處理。再有，把上述磁性粉末與熱固性樹脂例如環氧樹脂混合，產生具有預定顆粒直徑的顆粒狀粉末。使用金屬模具模壓顆粒狀粉末，產生加熱后具有預定形狀的粘結磁性材料。其中，該粘結磁性材料不必象通常的鐵氧體材料那樣進行燒結，但需在相對較低的溫度下加熱1～2小時。結果，可以發現，用包含氨基醌基團的表面處理劑處理的粘結磁性材料的電阻率值，比未用表面處理劑處理的粘結磁性材料的電阻率值高6～2600倍。再有，可以發現，用包含氨基醌基團的表面處理劑處理的粘結磁性材料的電阻率值，比用未包含氨基醌基團的表面處理劑處理的粘結磁性材料的電阻率值高3～1300倍。換句話說，具有進行上述表面處理的粘結磁性材料有108～109[μΩ·cm]的較高的電阻率值。它克服了有10～100[μΩ·cm]的較低電阻率值的軟磁性粉末的不足。結果，即使在高頻區域，也能夠獲得全部軟磁性粉末固有的良好磁特性的優點。再有，為了增加粘結磁性材料的電阻率值和提高其機械強度，有效的辦法是在用包含氨基醌基團的化合物的表面處理劑進行表面處理前用硅烷偶合劑表面處理磁性粉末。此后，可以用硅烷偶合劑再進行表面處理。作為替代，可以使用在其中整體地摻有0.1～6％的硅烷偶合劑的表面處理劑。因此，由于氨基醌基團和硅烷偶合劑的相互作用，所以能夠均勻地把表面處理劑涂敷在磁性粉末粒子的表面，從而進一步按大于10倍地增加粘結磁性材料的阻率值。再有，作為用于粘結磁性材料模壓的粘合劑，可采用包含硅烷偶合劑的聚合物樹脂。當使用硅烷偶合劑時，由于磁性粉末和聚合物樹脂之間偶合力的改善，所以能夠提高粘結磁性材料的機械強度。下面，說明偏轉系統和偏轉磁軛的實施例。圖34是本發明偏轉系統的局部剖切的側面圖；圖35是鞍形偏轉線圈的透視圖；圖36是本發明偏轉系統的分解圖；一般來說，高清晰度顯示器的偏轉系統配有一對鞍形偏轉線圈23。各鞍形偏轉線圈23有大致平行于彩色CRT軸(未示出)的中間部分23a、23b；較小直徑部分23c和較大直徑部分23d，各自以90°角度橫切彩色CRT軸；和被中間部分23a、23b、較小直徑部分23c和較大直徑部分23d包圍限定的窗口23w。再有，如圖36所示，偏轉系統包括一對水平偏轉線圈23h和一對垂直偏轉線圈23v，各自構成鞍形偏轉線圈23。水平偏轉線圈23h裝在隔離器24的內側，垂直偏轉線圈23v裝在隔離器24的外側。再有，由一對偏轉磁軛25、25覆蓋垂直偏轉線圈23v，形成如圖34所示的鞍-鞍形偏轉系統30。在鞍-鞍形偏轉系統30中，各線圈23h、23v中間部分23a、23b的電感值由于其結構特征受偏轉磁軛25的影響較大，但是，較小直徑部分23c和較大直徑部分23d的電感值就不受那樣大的影響。圖37是沿圖34中C-C線剖切的剖面圖，說明當在偏轉系統中未設置偏轉磁軛時水平偏轉線圈的水平偏轉磁場分布；圖38是沿圖34中C-C線剖切的剖面圖，說明當在偏轉系統中設置偏轉磁軛時水平偏轉線圈的水平偏轉磁場分布；如圖37和圖38所示，在圖34所示的偏轉系統30中，因偏轉磁軛25的存在，使偏轉線圈的偏轉磁場分布受到極大影響。如圖37所示，當在偏轉系統30內流過的磁通量為φ，偏轉系統內部的磁場為H時，則1/2φ+1/2φ的磁通量從偏轉系統漏出，流到偏轉系統30的外部。如圖38所示，當把偏轉磁軛25設置在偏轉系統30中時，上述1/2φ+1/2φ的磁通量流過偏轉磁軛25，在偏轉系統30內產生較大的偏轉磁場H。該偏轉磁場有助于電子束的偏轉。正如上面看到的那樣，偏轉電子束所需電流，即偏轉磁場強度受偏轉磁軛25本身的影響比受偏轉磁軛25電感的影響大。因此，在偏轉系統中偏轉磁場分布的對稱性受尺寸變化的影響較大，例如偏轉磁軛25的內徑和厚度變化，和例如在偏轉磁軛25中磁導率分布的變化。對于偏轉磁軛25的磁導率來說，可以大于預定值，但是，在磁芯中的均勻分布比其數值更重要。就磁芯損耗而言，磁芯損耗越少，磁特性就越好。但是，因偏轉線圈23產生的熱量大于因磁芯損耗產生的熱量。因此，因磁芯損耗產生的熱量分布相對于其總量是比較小的。當用Ni-Zn鐵氧體磁芯代替Mn-Zn鐵氧體磁芯時，Mn-Zn鐵氧體磁芯的磁芯損耗比Ni-Zn鐵氧體磁芯的磁芯損耗大2倍。但是，偏轉系統的峰值溫度僅升高15％。因此，就磁芯損耗而言，它十分小，或與通常使用的Mn-Zn鐵氧體磁芯的磁芯損耗相同。圖39(a)和39(b)是表示由本發明的AQ粘結磁性材料制成的環的透視圖。為了評價粘結磁性材料的磁特性，制成多個圖39(a)所示的環形磁芯并作如下測試。其中，采用平均粒徑為70μm的還原鐵粉末作為磁性粉末。把還原鐵粉末進行如下預處理還原鐵粉末1kg表面處理劑40g(包含30％的AQ單體聚氨酯)接著，把20g的環氧樹脂(包含固化劑)加到1kg的預處理還原鐵粉末中，使其混合擴散，產生平均粒徑為74μm粒狀粉末。把粒狀粉末用金屬模具模壓，通過在160℃溫度下加熱1小時來固化模壓磁性制品。結果，如圖39(a)所示，獲得AQ粘結磁性材料的多個試驗片(外徑23mm，內徑20mm，高度7.5mm)。在圖39(b)中，參考序號22表示帶有線圈的AQ粘結磁性材料20的試驗片，其中13磁體導線的標示(ritz)線(各自為φ0.1mm，2UEW(漆包線))纏繞AQ粘結磁性材料20十匝。如圖40所示，在1-100kHz的頻率范圍內測試試驗片22的磁芯損耗。表1-1和表1-2表示在預定位置上試驗片22的尺寸。表1-1表1-2圖41是表示AQ粘結磁性材料的測試位置的側視圖.在表1-1中，如圖41所示，參考序號a、b、c表示距AQ粘結磁性材料20的端部(參照面)1mm、3.5mm、7mm的位置，參考序號φd、φD分別表示AQ粘結磁性材料20的內徑和外徑。在上述每個位置上表示了試驗片1-5的內徑和外徑。在表1-2中，符號h表示AQ粘結磁性材料20的高度。按90°間隔表示各試驗片1-5的高度h。圖42是表示根據選自試驗片1-5的實例測試的內徑和外徑的曲線圖。如表1-1、1-2和圖42所示，AQ粘結磁性材料20在各部分上有較小的尺寸變形，并有精確的圓柱形狀。順便說明一下，模壓粉末的密度為6.95[g/cm3]，其磁導率為72。圖40是表示AQ粘結磁性材料的磁芯損耗特性的曲線圖。如圖40所示，粘結磁性材料20的特性與廣泛用于偏轉磁軛的Mn-Zn鐵氧體的特性不相上下。因此，由于在高清晰度顯示器CRT中使用的水平掃描頻率主要在24～100kHz范圍內，所以顯然可以把粘結磁性材料20作為用于高清晰度顯示器CRT的偏轉磁軛。在本實施例中，使用了還原鐵粉末，但是，還可以使用其它軟磁材料，例如Fe-Al合金、Fe-Si-Al合金、Ni-Fe合金、Fe-Si合金和軟磁材料的組合體。磁性粉末的平均粒徑不限于70μm，但實際上應按滿足需要的磁特性例如在使用的頻率范圍中的磁芯損耗特性、磁飽和和磁導率進行最佳選擇。再有，本發明的偏轉磁軛不僅用于鞍形偏轉系統，而且還可用于半喇叭形偏轉系統和喇叭形偏轉系統。如上所述，本發明的偏轉磁軛具有比較小的磁芯損耗，并且由于表面處理過的磁性粉末與用作粘接劑的環氧樹脂之間的較強粘接力，即使當在偏轉磁軛中的環氧樹脂的重量比較小，也具有良好的機械強度。因此，能夠增加偏轉磁軛中磁性粉末的填充率，從而減小因固化引起的收縮百分率。因此，偏轉磁軛在每個部分保持較小的磁導率的變化，具有精確的尺寸，在不附加切割和研磨處理的情況下，可實現偏轉系統中穩定的磁場分布。結果，按照本發明，能夠提供在現有技術中不能實現的具有多種形狀的偏轉磁軛。下面，參照偏轉磁軛的實施例。(第一實施例)圖43是表示普通圓錐形偏轉磁軛的典型結構的剖面圖；圖44是表示本發明圓錐形偏轉磁軛的典型結構和尺寸的剖面圖。如圖43所示，普通圓錐形偏轉磁軛的典型結構一般由較小直徑部分的遠端的內徑φd1和外徑φD1、較大直徑部分的遠端的內徑φd2和外徑φD2及偏轉磁軛的高度H來確定。再有，把長度為h的圓柱部分C1限定在外徑φD2的遠端，以便偏轉磁軛的高度方向(縱軸方向)與中心軸(未示出)平行。圓錐部分的厚度t由沿圓錐部分的延長線和圓柱部分C1限定的角度θ來確定，其中參考序號φdH表示在圓錐部分延長線和圓柱部分C1的延長線的相交點A的內徑。在現有技術中，確定角度θ，使圓錐部分的厚度均勻。因此，當使水平和垂直電流流過偏轉線圈進行偏轉工作時，穿過偏轉磁軛的最大磁通密度隨著磁通從較小直徑部分靠近較大直徑部分而減小。再有，在偏轉磁軛任意高度的圓周方向上的磁場強度是相互不同的。表2</tables>*1在較小直徑部分的遠端*2靠近較小直徑部分的位置*3靠近較大直徑部分的位置*4在較大直徑部分的遠端表2表示在偏轉磁軛的高度h方向上中心位置的最大磁通密度。如表2所示，在鞍-鞍形偏轉系統中，靠近較大直徑部分位置上的最大磁通密度降至較小直徑部分遠端最大磁通密度的80％，在水平和垂直的偏轉線圈按喇叭形直接纏繞在偏轉磁軛上的半喇叭形偏轉系統中，靠近較大直徑部分位置上的最大磁通密度降至不足較小直徑部分遠端最大磁通密度的70％。在本實施例中，通過采用上述磁性粉末處理技術，用僅在較低的溫度比如160℃的溫度下固化制成具有任意結構的磁性粉末模壓磁性材料，制作偏轉磁軛。因此，可制作這樣的偏轉磁軛，即在制作過程中尺寸較小變化的情況下，其厚度在從較小直徑部分至較大直徑部分的高度方向上逐漸變小。因此，通過控制偏轉磁軛的厚度t能夠使穿過偏轉磁軛的磁通密度均勻。圖44是表示本發明圓錐形偏轉磁軛的典型結構和尺寸的剖面圖。具體地說，如圖44所示，在鞍-鞍形偏轉系統31中，把靠近較大直徑部分遠端位置與靠近較小直徑部分遠端位置的厚度t之比率設為80％，在半喇叭形偏轉系統中，把靠近較大直徑部分遠端位置與靠近較小直徑部分遠端位置的厚度t的比率設為70％。圖45是表示本發明的另一對偏轉磁軛之一的透視圖。圖46是表示在其上裝有圖45所示的偏轉磁軛的偏轉系統的剖面圖。如圖45所示，在本實施例中，偏轉磁軛32在較小直徑部分的圓錐表面上相對于CRT顯示器表面而言的一對對角線Ld的位置處有按下述方式設置的四個凸部32t，即每個凸部32t從偏轉磁軛32的較小直徑部分向較大直徑部分逐漸減小。因此，偏轉磁軛32中的磁通密度在偏轉磁軛的任何部分基本保持恒定。在本實施例中，在到達較大直徑部分前，把各凸部32t的高度設置為零。在圖45中，表示了在偏轉磁軛32的對角線Ld和水平軸Ah之間定義的角度α1至α4。在高寬比為4∶3的CRT中，各角度α1至α4被設置為37°，在高寬比為16∶9的CRT中，各角度α1至α4被設置為30°。在圖46中，示出在裝有圖45所示偏轉磁軛32的偏轉系統33靠近偏轉磁軛32的較小直徑部分的位置上的截面。按照圖44和圖45所示的偏轉系統31、32，在從較小直徑部分至較大直徑部分的高度方向(CRT的縱軸方向)和偏轉磁軛截面中的任何位置上，工作時該系統能夠使偏轉磁軛中的磁通密度均勻。此外，該系統能夠有效地降低磁性粉末的使用量、偏轉磁軛的重量、偏轉功率和偏轉磁軛溫度的升高。圖47是拆除偏轉磁軛情況下靠近CRT偏轉系統(偏轉系統組件)的管頸處的剖面圖。圖48是本發明在內表面上有凸狀部分的一個偏轉磁軛的透視圖，圖47所示的偏轉系統組件裝配于該內表面上。下面，說明進一步改善偏轉磁軛的實例。如圖47所示，偏轉系統組件包括隔離器24；一對垂直偏轉線圈23v、23v，在它們之間限定窗口23Vw、23Vw和一對水平偏轉線圈23h、23h，在它們之間限定窗口23hw、23hw。垂直偏轉線圈23v、23v設置在隔離器24外表面上，水平偏轉線圈23h、23h設置在隔離器24內表面上。在圖47中，參考序號24Vs、24Vs表示把垂直偏轉線圈23h、23h置于隔離器24的預定位置上的凸出部分。圖49是表示本發明帶有圖48所示偏轉磁軛的偏轉系統的剖面圖。在圖49所示的偏轉系統中，裝有圖48所示的偏轉磁軛34。偏轉磁軛34有在偏轉磁軛34的內表面上沿中心線(未示出)從較小直徑部分至較大直徑部分的凸緣34’。如圖49所示，當一對偏轉磁軛34、34裝在偏轉系統35上時，凸緣34’、34’處于垂直偏轉線圈23v、23v的窗口23Vw、23Vw的位置，并限定偏轉磁軛34、34和垂直線圈23v、23v之間的間隙35g、35g。圖50是其上裝有另一對偏轉磁軛的圖47所示偏轉系統的剖面圖；如圖50所示，偏轉磁軛36在其內表面上設置有凸緣36’、36’和36″、36″，該偏轉磁軛36裝在帶有隔離器37、垂直偏轉線圈23v、23v和水平偏轉線圈23h、23h的另一偏轉線圈組件上。凸緣36’、36’同樣位于窗口23Vw、23Vw位置，凸緣36″、36″固定在對應于圖47所示的凸出部分24Vs、24Vs位置的隔離器24Vs’、24Vs’上。再有，偏轉磁軛36為橢圓形狀，以消除圖48所示的間隙35g、35g。圖51是表示本發明另外一對偏轉磁軛的一個磁芯的透視圖。如圖51所示，可把凹部39設置在一對偏轉磁軛40的一個內表面的某一位置上。按照在其內表面上設置凸出部分34’、36’和36”及凹部39的偏轉磁軛的上述實施例，能夠增強或削弱相應部分的磁場強度。這一結果使僅靠改變偏轉線圈23線圈分布不能實現的局部補償水平和垂直磁場分布變為可能。因此，通過采用繞組線圈分布和偏轉磁軛的形狀的補償組合及凸出部分34’、36’和36”及凹部39的組合，能夠有效地獲得期望的磁場分布，在不增加生產成本的情況下，獲得具有很小顏色變化和失真的良好偏轉系統。再有，通過在未繞線的位置上設置凸出部分34’、36’作為垂直偏轉線圈23v的窗口23Vw，由于在對應的位置上減小了內徑，所以能夠提高偏轉靈敏度。此外，由于在其上下方向上的內直徑變短的偏轉磁軛的橢圓形狀，可把偏轉磁軛的內表面盡量靠近垂直偏轉線圈23v、23v，所以能夠降低水平偏轉功率。下面，說明本發明第二實施例的具有矩形錐體形狀的偏轉磁軛。圖52是表示具有矩形錐體的彩色CRT的透視圖。如圖52所示，展示一種具有矩形錐體部分41的彩色CRT44，其作為RIS(矩形錐體，一字形電子槍系統)型彩色CRT，其中矩形錐體部分41在較大直徑側(彩色CRT的顯示表面側)上有與彩色CRT的顯示表面43類似的矩形形狀和在較小直徑側(管頸42側)有大致圓形的形狀。圖53是圖52所示矩形錐體部分41的放大圖。圖54是表示在圓形錐和矩形錐之間相對于參考表面Rf進行形狀比較的圖。如圖54所示，圓錐具有在圖53所示的參考表面Rf用點劃線表示的半徑為Rh的圓形45。另一方面，矩形錐體具有在圖中用實線表示的沿水平方向為長邊的矩形形狀46，其中，參考序號47表示矩形形狀的半徑為Rv的內切圓，其頂部和底部分別與水平方向上的長邊接觸。再有，Rv∶Rh的比率大致確定為后者的長度與顯示器表面43的縱向長度之比。由于彩色CRT的矩形錐體部分41有這樣的矩形錐體形狀，所以使用的偏轉系統具有在較大直徑部分上為矩形錐體和在較小直徑部分上為圓錐的這樣的矩形錐體。因此，使用的偏轉磁軛也有與偏轉系統相同的形狀。圖55是在圖52所示的RIS型CRT中使用的偏轉磁軛的透視圖。如圖55所示，偏轉磁軛49的形狀在較大直徑部分被制成矩形錐體。根據高寬比、電子束偏轉角、管頸直徑和所需的磁場分布，其較小直徑部分的形狀可從圓形、橢圓形和矩形中任意選擇。在圖55中，參考序號48表示偏轉磁軛49的分隔線。在現有技術的鐵氧體磁芯中，在燒結時經常出現裂紋。因此，不可能以低成本大量生產具有矩形錐體的成型的偏轉磁軛。但是，按照本發明，就能夠以低成本大量生產偏轉磁軛49。在具有矩形錐體形狀的偏轉磁軛49中，在其上下方向上(圖54)的尺寸與具有圓錐形狀的偏轉磁軛的尺寸比較，在高寬比為4∶3的情況下減小到75％，在高寬比為16∶9的情況下減小到56％。這意味著依據在上下方向上尺寸的減小，使水平偏轉磁場的磁極距離減小。由于所需的水平偏轉功率與磁極距離呈正比，所以偏轉磁軛49的功率與具有圓錐形狀的偏轉磁軛的功率比較，在高寬比為4∶3的情況下減小到75％，在高寬比為16∶9的情況下減小到56％。再有，矩形錐體的對角線是圓錐對角線的1.2倍。因此，改善了因電子束碰撞圓錐造成的管頸暗影。因此，通過增加偏轉線圈的長度能夠降低偏轉功率，或通過稍微增加偏轉功率增大偏轉角來減小深度方向上(或高度方向)CRT的尺寸。圖56是本發明另一實施例的偏轉磁軛的透視圖。如圖56所示，本實施例的偏轉磁軛52在偏轉磁軛52的內表面上有徑向分布的沿管軸方向延伸的多個槽50和凸緣51，以便改善CRT中偏轉靈敏度和磁場分布，達到更好的高清晰度顯示。槽50用于纏繞偏轉線圈。圖57是本發明另一實施例的偏轉磁軛的透視圖。如圖57所示，本實施例的偏轉磁軛56在偏轉磁軛56的內表面上有多個徑向分布且沿管軸方向延伸的槽53。再有，成圓形地切過與槽53交替地形成的多個凸緣54以此限定多個切口55。把具有這樣復雜形狀的偏轉磁軛52、56用于CRT的偏轉磁軛，以實現更好的高清晰度顯示。在大于100kHz的較高水平偏轉頻率范圍，在由在水平和垂直偏轉線圈中的渦流損耗和集膚效應損耗引起的偏轉系統的許多部分上，往往增加了異常熱的產生。但是，這些偏轉磁軛52、56可防止異常熱的增加。在現有技術的鐵氧體偏轉磁軛中，必須增加偏轉磁軛的厚度，以防止因燒結引起的變形，不能獲得精確的尺寸。按照本發明，在不增加附加厚度的情況下，能夠獲得這種偏轉磁軛。事實上能夠大量生產具有如上所述的復雜形狀的偏轉磁軛。具體地說，按照本發明的偏轉磁軛52、56，能夠使偏轉磁軛52、56的內表面與CRT的圓錐部分41的距離最小，此外，在偏轉磁軛52、56內磁通的磁路是暢通的，從而降低了偏轉電流。這減小了在偏轉磁軛52、56中產生的熱。如上所述，按照本發明，由于用包含有氨基醌基團作為結構單元的化合物的表面處理劑和樹脂粘合劑表面處理過的磁性粉末的熱固化模壓磁性材料來獲得偏轉磁軛，因而偏轉磁軛有精確的尺寸。因此，在不附加加工過程的情況下，能夠生產多種偏轉磁軛，從而降低了偏轉磁軛的生產成本。此外，由于其很小的渦流損耗，所以偏轉磁軛具有良好的磁特性。圖58是本發明第四實施例的偏轉系統的后視圖。圖59是展示在圖58所示的偏轉系統中使用的補償磁片的平面圖。圖60是展示在其上纏繞線圈的圖59所示的補償磁片的平面圖。圖61是展示在作為比較例的偏轉系統中使用的補償磁片的平面圖。參照圖14和圖58，偏轉系統308一般包括隔離器301(101)；在隔離器301的內表面上設置的一對鞍形水平偏轉線圈302(102)；在隔離器301的外表面上的一對鞍形水平偏轉線圈303和覆蓋上述水平和垂直偏轉線圈的偏轉磁軛304。如圖14所示，隔離器301(101)有朝向其錐體前部309F延伸并逐漸變寬的腔的圓錐形狀。隔離器301包括在其后部用于容納水平偏轉線圈302的后側彎曲部分的圓柱形后部301R；從圓柱形后部301R后面伸出的連接部分301P；和在隔離器301的前部設置的用于容納水平偏轉線圈302的前側彎曲部分的圓柱形前部301F。偏轉系統308裝在錐體前部309F和管頸309N之間的CRT上，使用箍305和固定部件301P將其固定于CRT309上。由偏轉系統308偏轉從在管頸309N中設置的電子槍310上發射的R、G、B電子束。再有，如圖58所示，在隔離器301圓柱形后部301R的背表面301RP上靠近管頸309N的位置處形成一對窄縫311，在它們之間插有管頸309N，窄縫311沿CRT309的X軸延長，以支撐補償失會聚XH的一對第一補償磁片320。再有，一對VCR補償線圈307設置在背表面301RP上靠近管頸309N處，在補償線圈307之間插有管頸309N，一對VCR補償線圈307設置于CRT309的Y軸上。此外，一對第二補償磁片324設置在靠近管頸309N的位置上，它們之間插有管頸309N，一對第二補償磁片324設置在Y軸上，以補償失會聚YH。下面，說明作為用于本發明的偏轉系統的第四實施例的主要部分的補償磁片320。補償磁片320由與本發明第一實施例中所述的相同粘結磁性材料構成。如上所述，為了評價粘結磁性材料的磁特性，制成圖59所示的多個補償磁片320，并如下測試。其中，平均粒徑為70μm的還原鐵粉末用作磁性粉末。把還原鐵粉末進行如下預處理還原鐵粉末1kg表面處理劑40g(包含30wt％的AQ單體聚氨酯和處理劑溶液濃度為3wt％)接著，把20g的環氧樹脂(包含固化劑)加到預處理的1kg還原鐵粉末中，使其混合分散，產生平均粒徑為74μm粒狀粉末。把粒狀粉末用金屬模具模壓，通過在160℃溫度下加熱1小時來固化模壓磁性制品。結果，可獲得如圖59所示的厚度為0.8mm的AQ粘結磁性材料的補償磁片320。如圖60所示，繞各補償磁片320，纏繞直徑為0.3mm的2UEW(漆包線)的磁體導線321，按相等的間距形成長度為15mm的20匝線圈322。通過測試線圈322的電感，計算補償磁片320的有效磁導率μe。相對于各自厚度為0.4mm的由坡莫合金制成的比較例1和由硅鋼制成的比較例2，按與上述實施例相同的方式，也可評價其有效磁導率。在表3中表示了這些結果。表3</tables>*縱向方向上補償磁片遠端之間的電阻值。**右方向上G電子束(綠色)的變形。***左方向上G電子束(綠色)的變形。如下獲得有效磁導率μe。μe＝纏繞在補償磁片上的線圈的電感/沒有補償磁片情況下線圈的電感在表3中，表示了縱向方向上各試驗片遠端之間的電阻值，其中，通過在其之間外加100V電壓來測試該值。當使用由AQ粘結磁性材料、坡莫合金或硅鋼制成的補償磁片320補償圖22所示的失會聚XH時，G電子束對R/B電子束的偏離量和方向就如表3所示的實施例、比較例1和2。在補償磁片320的實施例中，把磁性粉末粒子均勻地涂敷在包含氨基醌基團的化合物的薄層上。因此，如表3所示，實施例縱向方向上補償磁片320的兩端之間的電阻值是采用坡莫合金的補償磁片323的比較例1的電阻值的109倍。因此，在補償磁片320中產生的渦流在高頻區域明顯降低，與使用補償磁片323的情況比較，使G電子束對R/B電子束的右旋偏離幾乎消失。此外，由于在圖象兩遠端G電子束被同樣地偏離到R/B電子束外邊的相同范圍，所以改善了失會聚的對稱性。因此，即使仍存在較輕的失會聚，也能夠用許多補償方法迅速地消除。因此，在補償處理下，能夠獲得短時間內沒有顏色失真的高質量的CRT偏轉磁軛。再有，由于生產量增加，因而能夠降低生產成本。再有，包含以氨基醌基團作為結構單元的化合物的表面處理劑與例如用作粘合劑的環氧樹脂有較強的粘接力，即使在使用少量粘合劑時也具有較高的機械強度和良好的撞擊阻力。因此，在不產生裂縫和破碎的情況下，容易加工補償磁片。結果，由于磁性粉末的高填充密度，所以能夠減小補償磁片的厚度和形狀。在由AQ粘結磁性材料制成的補償磁片320中，磁性粉末的平均粒徑越大，有效磁導率的值就越大。但是，相反地，渦流增加。因此，不能減小其厚度。這會帶來機械強度的問題。當平均粒徑約5μm時，消磁場增加，導致有效磁導率也下降。這會帶來難以補償失會聚。因此，在補償磁片320中使用的磁性粉末的平均粒徑最好為10μm～200μm。在本實施例中，作為在補償磁片中使用的磁性粉末，采用了還原鐵粉末，但是，還可以使用坡莫合金粉末(Ni-Fe合金)、硅鐵或硅鋼粉末(Fe-Si合金)、鐵硅鋁磁合金粉末(Fe-Si-Al合金)和高導磁合金粉末(Fe-Al合金)。根據要求，使用的磁性粉末可從上述材料中選擇。這些材料被稱為軟磁材料，在補償磁片中使用的磁性材料，可從例如鐵粉末或以鐵為基體的磁性粉末的軟磁材料中選擇。再有，AQ單體的濃度和作為粘合劑的熱固化樹脂和磁性粉末的混合比例并不限于這些實施例。當磁性粉末的混合比低于60wt％時，補償磁片的有效磁導率就小到維持必要的補償量。因此，磁性粉末的混合比最好在不低于60wt％至少于99.5wt％。就使用的粘合劑來說，不論液態或固態，并不限于環氧樹脂。就補償磁片的形狀而言，不限于實施例中的形狀。可采用與這些實施例有同樣性能和效力的形狀。在本實施例中，用于補償失會聚XH的補償磁片320和用于補償失會聚YH的軟磁片324都用AQ粘結磁性材料構成，但是，也可以僅使其中一個用AQ粘結磁性材料構成。具體地說，為了迅速補償失會聚XH，用AQ粘結磁性材料構成補償磁片較好。圖62是本發明第五實施例的偏轉系統的后視圖；圖63是在本發明的偏轉系統中使用的E形磁芯的平面圖。圖62中，本發明第五實施例的偏轉系統470一般包括隔離器401(對應于圖28中的201)；在隔離器401的內表面上設置的一對鞍形水平偏轉線圈402(對應于圖28中的202)；在隔離器401的外表面上的一對鞍形垂直偏轉線圈403和覆蓋上述水平和垂直偏轉線圈402、403的偏轉磁軛404。如圖28所示，隔離器401(對應于圖28中的201)有向其錐體前部408F(208F)延伸且逐漸變寬的腔的圓錐形狀。隔離器401(201)包括在其遠端上用于容納水平偏轉線圈402的背面彎曲部分的圓柱形后部401R；展寬至圓柱形后部401R的固定部分401P和在隔離器401(201)前部設置的用于容納水平偏轉線圈402的前部彎曲部分的圓柱形前部401F。偏轉系統470裝在錐體前部408F和管頸408N之間的CRT408(208)上，使用箍405和固定部件401P將其固定于CRT408上。由偏轉系統470偏轉從在管頸408N中設置的電子槍409發射的R、G、B電子束。再有，如圖62所示，在隔離器401(201)圓柱形后部401R的背表面401RP上靠近管頸408N的位置處設置多極線圈426、426’(VCR補償線圈)，在它們之間插有管頸408N，以便補償失會聚VCR。各多極線圈426、426’包括E形磁芯420；分別纏繞在E形磁芯420腿部上的線圈412a至412c(412d至412f)。按與在補償磁片320中所述的相同方式，用AQ粘結磁性材料制成如圖63所示的厚度為2.0mm的E形磁芯420。通過在1kHz頻率下測試電感來計算E形磁芯420的有效磁導率μe。作為比較例，重疊厚度0.5mm的硅鋼制成的四片軟磁片來獲得E形磁芯441，在同樣的頻率下按與上述相同的方式替換E形磁芯420并測試電感來計算有效磁導率μe。表4表示其結果。表4*縱向方向上E形磁芯端部之間的電阻值。**右方向上G電子束(綠色)的變形。***左方向上G電子束(綠色)的變形。如下獲得有效磁導率μe。μe＝纏繞在E形磁芯上的線圈的電感/沒有E形磁芯情況下線圈的電感在表4中，表示了縱向方向上各試驗片端部之間的電阻值，其中，通過在其之間外加100V電壓來測試其值。當使用AQ粘結磁性材料的E形磁芯420或硅鋼的E形磁芯211補償如圖25所示的失會聚XH時，G電子束相對于R/B電子束的偏離量和偏離方向如表4中的實施例和比較例所示。在E形磁芯420的實施例中，把磁性粉末粒子均勻地涂敷在包含氨基醌基團化合物的薄層上。因此，如表4所示，實施例縱向方向上E形磁芯420的兩端之間的電阻值是采用硅鋼的E形磁芯211的比較例電阻值的109倍。因此，在E形磁芯420中產生的渦流在高頻區域明顯降低，與使用硅鋼片制成的E形磁芯的比較例相比，使G電子束對R/B電子束的右旋偏離幾乎消失。因此，即使仍存在輕微的失會聚，也能夠用許多補償方法迅速地消除。因此，在補償處理下，能夠獲得短時間內沒有顏色失真的高質量的CRT偏轉磁軛。再有，由于生產量增加，所以能夠降低生產成本。再有，包含以氨基醌基團作為結構單元的化合物的表面處理劑與例如用作粘合劑的環氧樹脂有較強的粘接力，即使在使用少量粘合劑時也具有較高的機械強度和良好的撞擊阻力。因此，在不產生裂縫和破碎的情況下，容易加工E形磁芯。結果，由于磁性粉末的高填充密度，所以能夠減小E形磁芯的厚度和形狀。在由AQ粘結磁性材料制成的E形磁芯420中，磁性粉末的平均粒徑越大，有效磁導率的值就越大。但是，相反地，渦流增加。因此，不能減小其厚度。這會帶來機械強度的問題。當平均粒徑約5μm時，消磁場增加，導致有效磁導率也下降。這會帶來難以補償失會聚的問題。因此，在E形磁芯420中使用的磁性粉末的平均粒徑最好為10μm～200μm。就有效磁導率來說，當有效磁導率大于8時就足以補償失會聚。在本實施例中，作為在E形磁芯420中使用的磁性粉末，采用了還原鐵粉末，但是，還可以使用坡莫合金粉末(Ni-Fe合金)、硅鐵或硅鋼粉末(Fe-Si合金)、鐵硅鋁磁合金粉末(Fe-Si-Al合金)和高導磁合金粉末(Fe-Al合金)。根據要求，使用的磁性粉末可從上述材料中選擇。這些材料被稱為軟磁材料，在E形磁芯420中使用的磁性材料，可從例如鐵粉末或以鐵為基體的磁性粉末的軟磁材料中選擇。再有，AQ單體的濃度和作為粘合劑的熱固化樹脂和磁性粉末的混合比并不限于這些實施例。當磁性粉末的混合比低于60wt％時，補償磁片的有效磁導率就小到維持必要的補償量。因此，磁性粉末的混合比最好在不低于60wt％至少于99.5wt％。就使用的粘合劑來說，不論液態或固態，并不限于環氧樹脂。就E形磁芯420的形狀而言，不限于實施例中的形狀。可采用與這些實施例有同樣工作性能和效力的形狀。在本實施例中，使用AQ粘結磁性材料構成裝配有E形磁芯420的多極磁芯426、426’，但是，磁芯的形狀并不限于E形，還可以使用AQ粘結磁性材料構成的U形或I形。權利要求1.一種用于偏轉由CRT(陰極射線管)的電子槍發射的電子束的偏轉系統，該偏轉系統裝在CRT上，位于CRT的有較小直徑部分的管頸和有較大直徑部分的錐體之間的位置上，包括在CRT的水平方向上偏轉電子束的水平偏轉線圈；在CRT的垂直方向上偏轉電子束的垂直偏轉線圈；和偏轉磁軛，在錐體側的一個端部有具有較大直徑部分的圓錐形狀，在管頸側的另一端部有具有較小直徑部分的圓錐形狀，以便使偏轉磁軛覆蓋水平和垂直偏轉線圈，偏轉磁軛由加熱固化的模壓磁性材料制成，模壓磁性材料包括包含樹脂的粘合劑和用表面處理劑處理的磁性粉末，該表面處理劑包括有作為結構單元的氨基醌基團的化合物，氨基醌基團可從用公式(1)和(2)表示的一組氨基醌基團中選擇其中Y氫原子，具有選自直鏈、環鏈和支鏈中的至少一種的C1～C6烷基、芳烷基、苯基，Z1C2～C16亞烷基，亞苯基，亞芳烷基，烷芳烯基，-(CH2CH2-O)n-CH2-CH2-(n整數1-50)，和Z2具有選自直鏈和支鏈中的至少一種的C1～C6亞烷基。2.如權利要求1所述的偏轉系統，其特征在于，表面處理劑還包括環烷烴偶合劑。3.如權利要求1所述的偏轉系統，其特征在于，粘合劑還包括環烷烴偶合劑。4.一種用于偏轉由CRT(陰極射線管)的電子槍發射的電子束的偏轉系統中使用的偏轉磁軛，該偏轉磁軛裝在CRT上，位于CRT的管頸和錐體之間的部分上，其中偏轉磁軛在錐體側的一個端部上有具有較大直徑部分的圓錐形狀，在管頸側的另一端部有具有較小直徑部分的圓錐形狀，以便使偏轉磁軛覆蓋水平和垂直偏轉線圈，偏轉磁軛由加熱固化的模壓磁性材料制成，模壓磁性材料包括包含樹脂的粘合劑和用表面處理劑處理的磁性粉末，該表面處理劑包括有作為結構單元的氨基醌基團的化合物，氨基醌基團可從用公式(1)和(2)表示的一組氨基醌基團中選擇，其中Y氫原子，具有選自直鏈、環鏈和支鏈中的至少一種的C1～C6烷基、芳烷基、苯基，Z1C2～C16亞烷基，亞苯基，亞芳烷基，烷芳烯基，-(CH2CH2-O)n-CH2-CH2-(n整數1-50)，和Z2具有選自直鏈和支鏈中的至少一種的C1～C6亞烷基。5.如權利要求4所述的偏轉磁軛，其特征在于，表面處理劑還包括環烷烴偶合劑。6.如權利要求4所述的偏轉磁軛，其特征在于，粘合劑還包括環烷烴偶合劑。7.如權利要求1所述的偏轉系統，其特征在于，偏轉磁軛較小直徑部分和較大直徑部分的厚度分別這樣確定，使穿過偏轉磁軛較小直徑部分的磁通的工作磁通密度基本等于穿過較大直徑部分的磁通的工作磁通密度。8.如權利要求4所述的偏轉磁軛，其特征在于，偏轉磁軛較小直徑部分和較大直徑部分的厚度分別這樣確定，使穿過偏轉磁軛較小直徑部分的磁通的工作磁通密度基本等于穿過較大直徑部分的磁通的工作磁通密度。9.如權利要求1所述的偏轉系統，其特征在于，偏轉磁軛在位于圓錐形狀的圓錐表面上的各自四個對角線位置設有四個凸部，四個對角線位置徑向對應于CRT的顯示表面上一對對角線，四個凸部按這樣的方式從較小直徑部分延伸，即朝向較大直徑部分逐漸減小各個凸部的高度，以便穿過偏轉磁軛的磁通的磁通密度大致均勻穿過橫跨垂直于管頸軸的偏轉磁軛的截面。10.如權利要求4所述的偏轉磁軛，其特征在于，偏轉磁軛在位于圓錐形狀的圓錐表面上各自的四個對角位置上分別設有四個凸部，四個對角位置徑向地對應于CRT的顯示表面上的一對對角線，四個凸部按朝向較大直徑部分逐漸減小各個凸部高度的方式從較小直徑部分延伸，以便穿過偏轉磁軛的磁通的磁通密度大致均勻地穿過垂直于管頸軸的偏轉磁軛的截面。11如權利要求1所述的偏轉系統，其特征在于，把凸出部分設置在偏轉磁軛的內表面上。12如權利要求1所述的偏轉系統，其特征在于，把凹部設置在偏轉磁軛的內表面。13如權利要求4所述的偏轉磁軛，其特征在于，把凸出部分設置在偏轉磁軛的內表面。14如權利要求4所述的偏轉磁軛，其特征在于，把凹部設置在偏轉磁軛的內表面。15如權利要求1所述的偏轉系統，其特征在于，偏轉磁軛的較大直徑部分的形狀被近似地制成矩形。16如權利要求1所述的偏轉系統，其特征在于，偏轉磁軛的較大直徑部分的形狀被近似地制成橢圓形。17如權利要求4所述的偏轉磁軛，其特征在于，偏轉磁軛的較大直徑部分的形狀被近似地制成矩形。18如權利要求4所述的偏轉磁軛，其特征在于，偏轉磁軛的較大直徑部分的形狀被近似地制成橢圓形。19如權利要求1所述的偏轉系統，其特征在于，凹槽被限定和徑向分布在纏繞線圈的偏轉磁軛的內表面上，其中，凹槽從偏轉磁軛的較小直徑部分延伸至偏轉磁軛的較大直徑部分。20如權利要求4所述的偏轉磁軛，其特征在于，凹槽被限定和徑向分布在纏繞線圈的偏轉磁軛的內表面上，其中，凹槽從偏轉磁軛的較小直徑部分延伸至偏轉磁軛的較大直徑部分。22如權利要求19所述的偏轉系統，其特征在于，按多個切口構成圓形形狀的方式把切口限定在相鄰凹槽之間插入的凸出部分上。22如權利要求20所述的偏轉磁軛，其特征在于，按多個切口構成圓形形狀的方式把切口限定在相鄰凹槽之間插入的凸出部分上。23.一種裝在彩色CRT(陰極射線管)上的偏轉系統，用于偏轉由在CRT中裝配的一字形的電子槍發射的多個電子束，偏轉系統配有補償磁片，以補償在CRT的顯示屏盤上產生的失會聚，其特征在于補償磁片由加熱固化的模壓磁性材料制成，模壓磁性材料包括包含樹脂的粘合劑和用表面處理劑處理的磁性粉末，該表面處理劑包括有作為結構單元的氨基醌基團的化合物，氨基醌基團可從用公式(1)和(2)表示的一組氨基醌基團中選擇，其中Y氫原子，具有選自直鏈、環鏈和支鏈中的至少一種的C1～C6烷基、芳烷基、苯基，Z1C2～C16亞烷基，亞苯基，亞芳烷基，烷芳烯基，-(CH2CH2-O)n-CH2-CH2-(n整數1-50)，和Z2具有選自直鏈和支鏈中的至少一種的C1～C6亞烷基。24.如權利要求23所述的偏轉系統，其特征在于，磁性粉末的平均粒徑為10μm至200μm。25.如權利要求23所述的偏轉系統，其特征在于，磁片中磁性粉末的重量比不低于60％。26.如權利要求23所述的偏轉系統，其特征在于，以氨基醌基團作為結構單元的化合物與磁性粉末的重量比不低于0.1％。27.一種裝在彩色CRT(陰極射線管)上的偏轉系統，用于偏轉由在CRT中裝配的一字形的電子槍發射的多個電子束，偏轉系統配有在其上纏繞線圈的磁芯，以補償在CRT的顯示屏盤上產生的失會聚，其特征在于，磁芯由加熱固化的模壓磁性材料制成，模壓磁性材料包括包含樹脂的粘合劑和用表面處理劑處理的磁性粉末，該表面處理劑包括有作為結構單元的氨基醌基團的化合物，氨基醌基團可從用公式(1)和(2)表示的一組氨基醌基團中選擇，其中Y氫原子，具有選自直鏈、環鏈和支鏈中的至少一種的C1～C6烷基、芳烷基、苯基，Z1C2～C16亞烷基，亞苯基，亞芳烷基，-(CH2CH2-O)n-CH2-CH2-(n整數1-50)，和Z2具有選自直鏈和支鏈中的至少一種的C1～C6亞烷基。28.如權利要求27所述的偏轉磁軛，其特征在于，磁性粉末的平均粒徑小于250μm。29.如權利要求27所述的偏轉磁軛，其特征在于，磁芯中磁性粉末的重量比不低于60％。30.如權利要求27所述的偏轉磁軛，其特征在于，以氨基醌基團作為結構單元的化合物與磁性粉末的重量比不低于0.1％。全文摘要本發明提供用于偏轉由CRT(陰極射線管)的電子槍發射的電子束的偏轉系統。偏轉系統裝在CRT上,位于CRT的有較小直徑部分的管頸和有較大直徑部分的錐體之間位置。偏轉磁軛由加熱固化的模壓磁性材料制成。模壓磁性材料包括包含樹脂的粘合劑和用表面處理劑處理的磁性粉末,該表面處理劑包括有作為結構單元的氨基醌基團的化合物。文檔編號H01J29/76GK1196568SQ98107010公開日1998年10月21日申請日期1998年2月17日優先權日1997年2月17日發明者菱城秀夫,八代勉,渡邊孝夫申請人:日本勝利株式會社