直流等離子體尋址結(jié)構(gòu)中的抗濺射低脫出功的陰極電極導(dǎo)電涂層的制作方法

專(zhuān)利名稱(chēng)：直流等離子體尋址結(jié)構(gòu)中的抗濺射低脫出功的陰極電極導(dǎo)電涂層的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及了具有特殊性能的電極的形式，更具體地說(shuō)，涉及了用于直流等離子體尋址結(jié)構(gòu)的抗濺射的陰極電極的形成。
應(yīng)用數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件的系統(tǒng)包括，例如，攝象機(jī)和圖象顯示器。這樣的系統(tǒng)都應(yīng)用了用以向存儲(chǔ)元件提供數(shù)據(jù)或從存儲(chǔ)元件取回?cái)?shù)據(jù)的尋址結(jié)構(gòu)。一種這個(gè)類(lèi)型的，也是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例具體針對(duì)的系統(tǒng)是一種通用的平板顯示器，它的存儲(chǔ)或顯示元件存儲(chǔ)光圖案數(shù)據(jù)、基于平板的顯示系統(tǒng)提供一種代替相對(duì)笨重，體積龐大和使用高電壓的陰極射線管的系統(tǒng)的理想的替代物。
平板顯示器包括遍及于顯示器表面視野區(qū)域分布的多重顯示元件或“象素”。在液晶平板顯示器中，每個(gè)象素的光學(xué)行為由施加于象素兩端的電位梯度的大小而確定。在這樣的器件中能在每個(gè)象素的兩端獨(dú)立地建立電位梯度是所希望的。各種不同的方案被設(shè)計(jì)出來(lái)用以達(dá)到這個(gè)目的。在現(xiàn)行可取的有源矩陣液晶陣列中通常對(duì)每一個(gè)象素都有一個(gè)薄膜晶體管。這個(gè)晶體管通常由行驅(qū)動(dòng)線選通“on”，而在晶體管這個(gè)點(diǎn)上它將從列驅(qū)動(dòng)線接收到一個(gè)數(shù)值，這數(shù)值在下一個(gè)行驅(qū)動(dòng)線選通之前一直被存儲(chǔ)起來(lái)。象素的兩面透明的電極給象素兩端施加一個(gè)符合于存儲(chǔ)值的電位梯度，這樣就確定了象素的光學(xué)行為。
美國(guó)專(zhuān)利號(hào)No.4896149的專(zhuān)利敘述了另一種型號(hào)的有源矩陣液晶陣列，取名為“等離子體可尋址液晶”或“PALC”顯示器的結(jié)構(gòu)和工作。這個(gè)技術(shù)避免了對(duì)每個(gè)象素要使用一個(gè)薄膜晶體管的麻煩和限制。液晶元件的每一個(gè)象素位于一薄的密封的絕緣阻擋層和導(dǎo)電的表面之間，在薄膜的阻擋層的相對(duì)的另一面儲(chǔ)存著惰性氣體，該惰性氣體可通過(guò)施加在氣體體積兩端的足夠的電位梯度而有選擇地從非電離非導(dǎo)電狀態(tài)到電離的導(dǎo)電的等離子狀態(tài)進(jìn)行變換。
當(dāng)氣體處于導(dǎo)電狀態(tài)，這有效地將薄阻擋層的表面設(shè)置到地電位。在這個(gè)狀態(tài)，象素和薄的阻擋層兩端的電位等于導(dǎo)電表面達(dá)到的任何電壓值。當(dāng)氣體體積兩端的電壓被移去以后，電離的氣體又重新回轉(zhuǎn)到不導(dǎo)電的狀態(tài)。被引進(jìn)到象素兩端的電位梯度被液晶材料和絕緣的阻擋層的固有電容存儲(chǔ)。這個(gè)電位梯度保持恒定和導(dǎo)電表面的電壓水平無(wú)關(guān)是因?yàn)楸〉淖钃鯇拥碾妷簩⒃趯?dǎo)電表面的電壓水平以下以一個(gè)它當(dāng)初被接地時(shí)引進(jìn)的一個(gè)電位差浮動(dòng)。
宏觀上看，PALC顯示器包括在頂板下面的、在絕緣板中形成的并含有惰性氣體的一組通道，所述頂板與形成通道的肋條的頂端接觸并且圍繞周緣與絕緣板密封連接。在相對(duì)的兩面，平行的電極沿著每根通道的長(zhǎng)度延伸。在工作期間，氣體于相對(duì)的電極間引進(jìn)大的電位梯度而被電離并由此而變成導(dǎo)電的等離子體。在顯示器處于工作狀態(tài)下，這一過(guò)程在一秒內(nèi)發(fā)生很多次。
在氣體的電離狀態(tài)中，為避免沿著電極長(zhǎng)度上電位的差別，電極每單位長(zhǎng)度的電阻不大于每厘米2歐姆(每英寸5歐姆)是所希望的。為使電極得到在具有很小的橫截面積情況下可供利用的這樣小的單位長(zhǎng)度電阻值，使用高導(dǎo)電能力的金屬諸如金、銀、銅或鋁。
在生產(chǎn)PALC的部分工藝中，在標(biāo)準(zhǔn)大氣壓下一小時(shí)的烘烤雖然金和銀被氧化的程度最小，但由于它們昂貴的代價(jià)而不合需要。銅在如此烘烤中被顯著氧化并失去導(dǎo)電能力，不幸的是鋁的導(dǎo)電性比希望的更小。用一種抗氧化的金屬鍍復(fù)的銅提供了一種單位長(zhǎng)度有均勻低電阻的電極，其具有充分抗氧化的性能。
鉻已經(jīng)被試驗(yàn)來(lái)作為鍍復(fù)在銅上的金屬并被發(fā)現(xiàn)具有相當(dāng)好的抗氧化作用。不幸的是，這種結(jié)構(gòu)會(huì)導(dǎo)致“濺射破壞”。濺射破壞在字面上就是陰極表面一個(gè)一個(gè)原子的升華作用，并且發(fā)生在隋性氣體的正離子和陰極表面碰撞的時(shí)候。如果陰極表面材料對(duì)濺射敏感，陰極最后就變得越來(lái)越薄，電阻越來(lái)越大，被濺射出來(lái)的陰極材料淀積在通道中的光傳輸部分上，最后使顯示器變黑。
鉻電鍍的使用在兩個(gè)方面導(dǎo)致濺射破壞。首先，鉻有高脫出功，并且由此不是好的二次電子發(fā)射體。因?yàn)檫@些電子必須被發(fā)射出達(dá)到足夠的數(shù)量才能使惰性氣體進(jìn)入導(dǎo)電的等離子體狀態(tài)。這樣，陰極和陽(yáng)極間的電位差就必須大大提高。作為結(jié)果，氣體離子將被更大的電壓梯度加速并由此隨著時(shí)間而獲得更高的動(dòng)能，它們和陰極表面碰撞，由此而導(dǎo)致更快的濺射破壞。
其次，鉻有相當(dāng)?shù)偷纳A熱。這直接轉(zhuǎn)化為對(duì)濺射破壞的相當(dāng)高的敏感性。作為結(jié)果，當(dāng)鉻的鍍層構(gòu)成了陰極的外層，顯示器就只能延續(xù)大約500小時(shí)，其后濺射破壞的結(jié)果是那么嚴(yán)重，以致于顯示器已不再能使用了。要在商業(yè)上能接受，一個(gè)產(chǎn)品應(yīng)該要有可供使用的至少10000工作小時(shí)的壽命，最好要超過(guò)20000小時(shí)。
陰極上的外部鍍層不僅必須是良好的二次電子的發(fā)射體以及抗濺射破壞，在PALC顯示器的生產(chǎn)工藝中是必要的一部分的一小時(shí)空氣烘烤中它也必須對(duì)氧化不敏感。好的二次電子發(fā)射體要有低的脫出功。具有好的抗濺射性能的材料要有高的升華熱。
最后，有關(guān)用于形成能充分解決上述問(wèn)題的陰極的材料的任何方案都將是辦不到的，除非能得到一種能實(shí)現(xiàn)這種方案的經(jīng)濟(jì)的工藝。
因此，本發(fā)明的一個(gè)目的是要提供一種抗氧化和濺射破壞并且是良好的二次電子發(fā)射體的陰極電極。本發(fā)明的另一個(gè)目的是要提供PALC顯示器中那樣的陰極電極。
本發(fā)明是一種至少包括一種難熔的化合物的陰極電極的涂層以及一種用至少一種難熔的化合物的粒子的電泳淀積的方法涂復(fù)陰極電極的工藝。在本發(fā)明中，一種二級(jí)粒子，已知的一種“燒結(jié)物”，也被淀積了。在其后的一小時(shí)空氣烘烤中，這種粒子熔化了并由此把難熔的化合物的粒子燒結(jié)在電極的表面。
本發(fā)明也是一種等離子體尋址結(jié)構(gòu)，在此結(jié)構(gòu)中至少一種難熔的化合物粒子用電泳淀積的方法淀積在顯示器的陰極上。
本發(fā)明的另外的目的和優(yōu)點(diǎn)從以下參考附圖對(duì)最佳實(shí)施例的詳細(xì)的敘述中將是很明白的。


圖1是先有技術(shù)的顯示板的顯示表面的正視圖以及相聯(lián)系的本發(fā)明的其中被應(yīng)用的等離子體尋址結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)電路。
圖2為從圖1的左面看的放大的斷塊等角圖，顯示了形成先有技術(shù)顯示板的結(jié)構(gòu)元件的層次。
圖3為放大的斷塊的帶有部分剝離的正視圖，顯示圖2的先有技術(shù)顯示板內(nèi)部不同深度方面的正視圖。
圖4為放大的等離子體尋址結(jié)構(gòu)中通道的剖面圖，同時(shí)顯示先有技術(shù)陰極電極的剖面(為表達(dá)清楚起見(jiàn)，按比例放大后顯示)。
圖5為被大大地放大的圖4所顯示的先有技術(shù)陰極的表面的剖面圖，圖中同時(shí)顯示了向陰極表面?zhèn)鞑サ恼x子。
圖6為被大大地放大的圖4所顯示的先有技術(shù)陰極的表面的剖面圖，為正離子撞擊陰極表面后的情形。
圖7為被大大地?cái)U(kuò)張的PALC顯示器中通道的剖面圖，圖中為根據(jù)本發(fā)明正在進(jìn)行電泳的情形，同時(shí)畫(huà)出難熔化合物和燒結(jié)物的粒子，為表達(dá)清楚起見(jiàn)，按比例放大后顯示。
圖8為被大大地?cái)U(kuò)張的圖7所示的通道和粒子的剖面圖，為電泳完成后的情形；以及圖9為被大大地?cái)U(kuò)張的圖7所示的通道和粒子的剖面圖，為一小時(shí)空氣烘烤后的情形，圖中燒結(jié)物粒子已經(jīng)熔化。
圖1-3顯示了平板顯示器系統(tǒng)10，提供了先有技術(shù)等離子體尋址結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括一組延伸的陰極62，本發(fā)明的實(shí)施與這些陰極有關(guān)。參考圖1-3，平板顯示器系統(tǒng)10包括一有顯示表面14的顯示板12，顯示表面14包括一由矩形平面的陣列形成的圖案，此矩形平面的陣列由在垂直和水平方向上互相隔開(kāi)預(yù)先設(shè)定的距離的標(biāo)稱(chēng)相同的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)或顯示元件(“象素”)16組成。陣列中每一個(gè)顯示元件或象素16表示一薄的，狹窄的垂直方向定向的電極18和一延伸的狹窄的水平方向定向的等離子體通道20的重疊的交叉點(diǎn)。(電極18在下文被稱(chēng)為“列電極18”)。在特定的等離子通道20上的所有的顯示元件或象素16，當(dāng)在此等離子體通道內(nèi)的惰性氣體被充分電離時(shí)就被同時(shí)置1。每個(gè)象素被設(shè)定至此時(shí)列電極和地之間的電位梯度。
列電極18和等離子體通道20的寬度確定了矩形的顯示元件的尺寸。列電極18被淀積在第一層電絕緣光透明基片的主要表面上，等離子體通道20被刻在第二層電絕緣光透明基片的主要表面上。本專(zhuān)業(yè)的技術(shù)人員能理解，一定的系統(tǒng)，如直接觀察型的或是投影型的反射顯示器將只要求所述基片中的一片是光透明的。
列電極18接收模擬電壓型的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)信號(hào)，該信號(hào)由數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器或驅(qū)動(dòng)電路24的輸出放大器22(見(jiàn)圖2和3)的不同的個(gè)體在并行的輸出導(dǎo)線22’上產(chǎn)生，等離子體通道20接收電壓脈沖型的數(shù)據(jù)選通信號(hào)，該信號(hào)由輸出放大器26(見(jiàn)圖2和3)的不同的個(gè)體從選通電路28的輸出端在輸出導(dǎo)線26’上產(chǎn)生。每個(gè)等離子體通道20包含基準(zhǔn)電極30，每個(gè)通道20和數(shù)據(jù)選通28共用的基準(zhǔn)電位加到該基準(zhǔn)電極30上。
為了在顯示表面14的所有區(qū)域里合成圖象，顯示系統(tǒng)10應(yīng)用了掃描控制電路32，該電路協(xié)調(diào)了數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器24和數(shù)據(jù)選通28的功能，這樣，顯示板12的顯示元件16的所有的列都被一行一行地以行掃描的方式被尋址。顯示板12可以應(yīng)用不同類(lèi)型的電光材料。例如，應(yīng)用了能改變?nèi)肷涔饩€33(見(jiàn)圖3)的偏振狀態(tài)的材料，則顯示板12就被安放在一對(duì)偏振濾光片34和36(見(jiàn)圖2)間，此對(duì)濾光片能配合顯示板12改變通過(guò)它們傳播的光的亮度。應(yīng)用了散射液晶元件作為電光材料就不再需要應(yīng)用偏振濾光片34和36。濾色片(未示出)可被安裝在顯示板12內(nèi)用以改進(jìn)多種顏色的可控制色光強(qiáng)度的圖象。對(duì)投影式顯示器，顏色可由用三塊單獨(dú)的每塊控制一種顏色的單色板10來(lái)獲得。
通過(guò)具體參考圖2和圖3可知，顯示板12包括一尋址結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括一對(duì)基本上平行的被電光材料層44和絕緣材料薄層46隔開(kāi)的電極結(jié)構(gòu)40和42，電光材料層44可以是向列液晶，而絕緣材料薄層46可以是玻璃、云母或塑料。電極結(jié)構(gòu)40包括一玻璃絕緣基片48，光學(xué)透明的條狀的氧化銦錫的列電極18就被淀積在該玻璃基片的內(nèi)表面50上。相鄰的列電極對(duì)被隔開(kāi)一個(gè)距離52，該距離為同一行中在下一相鄰的顯示元件16之間限定了水平方向的間隔。
電極結(jié)構(gòu)42包括一玻璃絕緣基片54，梯形剖面帶有完整邊墻的多重等子體通道20被刻制在此基片的頂部表面56里。等離子體通道20有從頂部表面56到基部60測(cè)量而得的深度58。每一個(gè)等離子通道20有一陽(yáng)極電極30和陰極電極62，兩者都是既薄又窄。每個(gè)電極都沿著基部60延伸，并且一個(gè)電極處在一對(duì)內(nèi)邊墻64的范圍之外，該內(nèi)邊墻在從基部60到內(nèi)表面56的方向上逐漸岔開(kāi)。
等離子體通道20的陽(yáng)極電極30被連接到共用的基準(zhǔn)電位，如所示的該基準(zhǔn)電位能被固定在地電位上。等離子體通道20的陰極電極62被連接到數(shù)據(jù)選通28的輸出放大器26的不同的個(gè)體上(在圖2和3中分別示出3至5個(gè))。為保證尋址結(jié)構(gòu)的正常工作，陽(yáng)極電極30和陰極電極62最好分別連接到在顯示板10相對(duì)的兩邊緣上的基準(zhǔn)電位和數(shù)據(jù)選通28的放大后的輸出26’上。
相鄰的等離子體通道20間的邊墻64限定了多元支持結(jié)構(gòu)66，其頂部表面56支持了絕緣材料層46。相鄰的等離子體通道20被每個(gè)支持結(jié)構(gòu)66的頂部寬度68隔開(kāi)，該寬度68為同一列中在下一相鄰的顯示元件16之間限定了垂直方向的間隔。列電極18和等離子體通道20的重疊區(qū)域70限定了顯示元件16的尺寸，該區(qū)域在圖2和圖3中用虛線示出。圖2更清楚地顯示了顯示元件16的陣列以及這些元件之間在垂直和水平方向的位置。
加到列電極18上的電壓的值規(guī)定了將相鄰的列電極18隔離的距離52。距離52通常大大小于列電極18的寬度。相鄰的等離子體通道20之間的邊墻64的傾斜度規(guī)定了距離68，該距離通常大大小于等離體通道20的寬度。列電極18的寬度和等離子體通道20的寬度通常是一樣的并且是所希望的圖象分辨力的函數(shù)，該分辨力的大小是由顯示器的用途規(guī)定的。使距離52和68盡可能地小是所希望的。在現(xiàn)行的顯示板12的型號(hào)中，通道的深度58近似為通道寬度的一半。
在每個(gè)等離子體通道20中充滿了可電離的氣態(tài)混和物，通常是惰性氣體混和物。絕緣材料層46起著在通道20中包含的可電離氣態(tài)混和物和液晶材料層44之間的隔離阻擋物的作用。絕緣層46的缺損將使液晶材料流進(jìn)通道20或可電離氣態(tài)混和物污染液晶材料。如果應(yīng)用一種固體或密封的電光材料，則絕材料層46可以從顯示器中除去。
圖4非常詳細(xì)地顯示了先有技術(shù)形成在玻璃基片54上的等離子體通道20。通道20頂部寬450微米，200微米深，底部大約300微米寬。陰極電極62大約寬75微米并具有0.2微米厚的底部鉻層72為的是對(duì)玻璃基片54有良好的附著力，大約2微米厚的銅層74用作良好的傳導(dǎo)以及0.2微米厚的頂部鉻層76為的是密封銅層74抗拒氧化。本專(zhuān)業(yè)的技術(shù)人員將理解到銅是強(qiáng)導(dǎo)電的，鉻是導(dǎo)電并不透氣的。陽(yáng)極電極30通常具有和陰極62相似的外觀和結(jié)構(gòu)。
圖5和圖6顯示出頂部鉻層對(duì)濺射破壞敏感。在圖5中，一個(gè)惰性氣體的離子78被顯示出正向先有技術(shù)陰極62的頂部鉻層76的起伏的表面80傳播。圖6顯示出離子78和表面80碰撞的結(jié)果是鉻原子82被從表面80移去以及離子78被從表面80反射。在一段時(shí)間里，被移去的鉻原子82以逐漸增多的數(shù)目被淀積在通道20的邊上和底部以及復(fù)蓋層上，使可透射的顯示系統(tǒng)10變黑并且破壞了它的使用價(jià)值。進(jìn)一步地，淀積在薄片46上的鉻最后終于使它的表面充分導(dǎo)電，這樣它將不再存儲(chǔ)不同數(shù)量的電荷在不同的象素16上，所以顯示器的這些線條就變成均勻的灰色。
圖7為等離子體通道120的剖面圖，其間顯示器正在經(jīng)歷根據(jù)本發(fā)明實(shí)施的電泳過(guò)程。在圖7里，相同的元件標(biāo)以和它們?cè)趫D1-6中的相同的標(biāo)號(hào)，不過(guò)每個(gè)標(biāo)號(hào)被加上了100。電泳是眾所周知的技術(shù)，在本發(fā)明中應(yīng)用的電泳技術(shù)是標(biāo)準(zhǔn)的并被本專(zhuān)業(yè)的技術(shù)人員了解。
難熔化合物的帶正電的粒子184通常直徑為大約4微米，為表達(dá)清楚起見(jiàn)，按比例放大后顯示。這些粒子被懸浮在不導(dǎo)電的液體如異丙醇的電泳液中。燒結(jié)物粒子186同樣帶正電，如圖所示同樣地被懸浮。施加在陰極162上的負(fù)電位吸引這些帶正電的粒子朝向陰極162。(通常相同的負(fù)電位在淀積過(guò)程中被施加到通道中所有的電極上)。
圖8示出電泳完成以后圖7所示通道的剖面圖。在頂部鉻層176上，難熔化合物粒子184組成的新的一層188和燒結(jié)物粒子相混合，這新的一層大約厚10微米。由于頂部粒子層188不連續(xù)并且不氣密，因此鉻層176仍被用來(lái)防止銅層174的氧化。鉻層176沿銅層174的全部長(zhǎng)度延伸，所以也就沿著陰極162的全部長(zhǎng)度延伸。
圖9示出空氣烘烤完成以后圖7所示通道的剖面圖。燒結(jié)物粒子186已經(jīng)熔化進(jìn)玻璃層190，由此把難熔化合物燒結(jié)到電極表面上并互相燒結(jié)住。
難熔材料有高升華熱的特性，所以撞擊氣體的離子和它們碰撞不會(huì)有助于升華或移去任何難熔材料的分子。此外，所用的難熔化合物是因它們?cè)谝恍r(shí)空氣烘烤中的抗氧化性而被選中的，一小時(shí)空氣烘烤是生產(chǎn)工藝的一部分。
另外，所用的難熔材料是因它們的低脫出功而被選中的，當(dāng)難熔材料的脫出功低時(shí)，因被電離或被激發(fā)的氣體原子的因素而發(fā)射二次電子的概率就被增強(qiáng)了，這樣，當(dāng)電極表面的脫出功低時(shí)，只需很少的被激發(fā)或被電離的氣體原子被用來(lái)產(chǎn)生給定數(shù)量的二次電子。因?yàn)檫@些性能的原因，在陽(yáng)極和陰極之間施加更低的電位梯度就能使PALC顯示器工作也就成為可能。在這樣的工作條件下，用不強(qiáng)的電場(chǎng)加速離子，由此導(dǎo)致低的離子能量和弱的濺射破壞。
很多難熔化合物或難熔化合物組合能在本發(fā)明中起作用，可以相信，稀土金屬的六硼化物群中的化合物，具體地如LaB6，YB6，GdB6或CeB6都可提供和大多數(shù)其它難熔化合物的比較而具有的優(yōu)良性能。值得注意的是，就應(yīng)用的目而言，六硼化釔(YB6)也被計(jì)入稀土金屬的六硼化物之中。雖然釔在技術(shù)上不是稀土金屬元素的一員，但它具有很多稀土金屬的特性。另外兩種難熔化合物Cr3Si和金剛石在此應(yīng)用中也能提供良好的性能?；衔風(fēng)aB6經(jīng)實(shí)驗(yàn)室鑒定其性能很好。
為了確定一難熔化合物的性能，可進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，在該實(shí)驗(yàn)中，該化合物被用來(lái)制造PALC顯示器的等離子體電極，然后該顯示器處于工作狀態(tài)以確定誘發(fā)設(shè)定的濺射破壞等級(jí)所需的工作時(shí)間的長(zhǎng)度。
對(duì)于本專(zhuān)業(yè)的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，顯然，對(duì)上述本發(fā)明的實(shí)施例的詳細(xì)內(nèi)容在不脫離其基本原理的前提下還可作出很多變化。因此，本發(fā)明的范圍應(yīng)該僅由下述的權(quán)利要求書(shū)來(lái)確定。
權(quán)利要求
1.一種對(duì)數(shù)據(jù)元件進(jìn)行尋址的尋址結(jié)構(gòu)，該尋址結(jié)構(gòu)包括可電離的氣態(tài)媒質(zhì)，存儲(chǔ)數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)元件，陰極和陽(yáng)極電極，其中陰極和陽(yáng)極電極間足夠的高電位差引起可電離的氣態(tài)媒質(zhì)從非電離狀態(tài)轉(zhuǎn)變到導(dǎo)電的等離子體狀態(tài)，在數(shù)據(jù)元件和電氣基準(zhǔn)點(diǎn)之間提供可阻斷的電氣連接，用來(lái)對(duì)數(shù)據(jù)元件進(jìn)行選擇性的尋址，其特征在于所述陰極包括沿陰極長(zhǎng)度延伸的高導(dǎo)電材料層，以及沿陰極長(zhǎng)度延伸并復(fù)蓋陰極所有其它部分的至少一種難熔化合物涂層。
2.權(quán)利要求1中的尋址結(jié)構(gòu)，其特征在于該結(jié)構(gòu)中陰極包括一不透氣的材料層，該材料對(duì)氧化不敏感但是導(dǎo)電的，該材料層將高導(dǎo)電材料層和難熔化合物涂層分開(kāi)。
3.權(quán)利要求1或2中的尋址結(jié)構(gòu)，其特征在于該結(jié)構(gòu)中陰極包括把高導(dǎo)電材料層和難熔化合物涂層分開(kāi)的鉻層。
4.任何上述的權(quán)利要求中的尋址結(jié)構(gòu)，其特征在于該結(jié)構(gòu)中難熔化合物涂層由電泳淀積粒子構(gòu)成。
5.權(quán)利要求4中的尋址結(jié)構(gòu)，其特征在于該結(jié)構(gòu)中的粒子由熔化的燒結(jié)物固定就位。
6.權(quán)利要求5中的尋址結(jié)構(gòu)，其特征在于該結(jié)構(gòu)中熔化的燒結(jié)物由玻璃構(gòu)成。
7.權(quán)利要求4中的尋址結(jié)構(gòu)，其特征在于該結(jié)構(gòu)中涂層包括至少一種稀土金屬的六硼化物群中的化合物的粒子。
8.權(quán)利要求4中的尋址結(jié)構(gòu)，其特征在于該結(jié)構(gòu)中涂層包括Cr3Si或金剛石的粒子。
9.生產(chǎn)用于對(duì)數(shù)據(jù)元件進(jìn)行尋址的尋址結(jié)構(gòu)的方法，該尋址結(jié)構(gòu)包括可電離的氣態(tài)媒質(zhì)，存儲(chǔ)數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)元件，陰極和陰極電極，其中陰極和陽(yáng)極電極間的足夠大的電位差引起可電離氣態(tài)媒質(zhì)從非電離狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)電的等離子體狀態(tài)以提供數(shù)據(jù)元件和電氣基準(zhǔn)點(diǎn)間可阻斷的電氣連接，用來(lái)對(duì)數(shù)據(jù)元件進(jìn)行選擇性的尋址，其特征在于該方法包括提供絕緣材料的平板，在其一個(gè)主要表面上有一系列分隔的等離子體通道，長(zhǎng)度方向上沿每一個(gè)等離子體通道形成至少一個(gè)導(dǎo)電材料條，以及進(jìn)行電泳，在每個(gè)通道的至少一個(gè)導(dǎo)電材料條上淀積至少一種難熔化合物的粒子。
10.權(quán)利要求9中的方法，其特征在于在此方法中，在進(jìn)行電泳前，一種不透氣的，對(duì)氧化不敏感但導(dǎo)電的材料層被緊密地形成在每個(gè)導(dǎo)電材料條的頂部。
11.權(quán)利要求9中的方法，其特征在于在此方法中，所述粒子包括稀土金屬六硼化物的粒子。
12.權(quán)利要求9中的方法，在此方法中，所述粒子包括Cr3Si或金剛石的粒子。
全文摘要
電極的難熔化合物涂層(188)是抗濺射并有低脫出功,所以是良好的二次電子發(fā)射體,非?？寡趸陀秒娪镜姆椒ㄈ菀淄糠?。更具體地說(shuō),陰極電極(162)被應(yīng)用在等離子體尋址結(jié)構(gòu)(10)中。涂層最好是用電泳淀積至少一種難熔化合物的粒子(184)以及燒結(jié)物來(lái)形成。涂層接著被烘烤以熔化燒結(jié)物并把電泳淀積的粒子粘接到電極上去。
文檔編號(hào)H01J17/49GK1177824SQ96111369
公開(kāi)日1998年4月1日 申請(qǐng)日期1996年8月30日 優(yōu)先權(quán)日1996年8月30日
發(fā)明者J·S·穆?tīng)? W·W·施坦, D·E·凱普哈特 申請(qǐng)人:特克特朗尼克公司