一種納米圖形制備系統(tǒng)及其磁場施加裝置制造方法
【專利摘要】一種納米圖形制備系統(tǒng)及其磁場施加裝置，該納米圖形制備系統(tǒng)，包括納米圖形制備裝置、真空腔室、樣品臺和磁場施加裝置，所述樣品臺安裝在所述真空腔室內，所述納米圖形制備裝置和所述磁場施加裝置安裝在所述真空腔室上，所述磁場施加裝置相對于所述納米圖形制備系統(tǒng)的納米圖形制備裝置設置，包括：支撐塊，安裝在所述真空腔室的內壁上；磁場施加機構，與所述支撐塊連接，所述磁場施加機構設置在所述真空腔室內，并相對于所述納米圖形制備裝置的極靴具有一工作位置和一收縮位置；控制機構，與所述磁場施加機構連接，所述控制機構安裝在所述真空腔室的外壁上；以及導向機構，安裝在所述支撐塊上并與所述磁場施加機構連接。
【專利說明】一種納米圖形制備系統(tǒng)及其磁場施加裝置
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種納米圖形制備系統(tǒng)和高頻磁電表征測量系統(tǒng)，特別是一種納米圖形制備系統(tǒng)及其用于高精度電子束曝光系統(tǒng)的真空環(huán)境中的磁場施加裝置。
【背景技術】
[0002]從1988年巨磁效應和隧道磁阻效應發(fā)現(xiàn)以來，納米薄膜材料的制備和微米納米處理技術發(fā)生了不斷進步，自旋電子學取得了快速的發(fā)展成為了新興學科，極大的促進了信息科學的進步。最近，納米磁性材料和器件廣泛應用到了諸如電子學、磁學、化學和生物學等領域。關于納米磁性材料和器件的研宄已經成為凝聚態(tài)物理、現(xiàn)代信息技術和工業(yè)生產的核心問題。這也意味著對磁性材料和器件的研宄成為了一個集成了納米微米圖形制備，納米成像和電場磁場的測量和分析的綜合過程。
[0003]電子束光刻系統(tǒng)是納米圖形制備和觀察的工具，該系統(tǒng)包括帶有掃描電鏡成像功能的電子束光學系統(tǒng)和電子束圖形發(fā)生器，納米圖形可以直接用聚焦電子束寫到抗蝕劑層。由于擁有小束斑和高能量特性，可以生成5-10納米線寬的納米圖形的電子束曝光系統(tǒng)是制備納米材料和器件的理想工具。電學測探針已經被引進到了該系統(tǒng)中，但是目前，直接的對納米材料和器件的觀測還不能在電子束曝光系統(tǒng)中實現(xiàn)。瓶頸問題主要是，用于成像和曝光的電子會被用于原位樣品測量的磁場和電場偏轉，從而嚴重影響電子束的聚焦和掃描。
實用新型內容
[0004]本實用新型所要解決的技術問題是針對現(xiàn)有技術的上述缺陷，提供一種納米圖形制備系統(tǒng)及其磁場施加裝置，以通過微米或納米圖形制備系統(tǒng)和磁場發(fā)生裝置的結合，對微米或納米圖形化的器件的磁電響應特性進行測量和研宄。
[0005]為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供了一種用于納米圖形制備系統(tǒng)的磁場施加裝置，安裝在納米圖形制備系統(tǒng)的真空腔室上，并相對于所述納米圖形制備系統(tǒng)的納米圖形制備裝置設置，其中，包括:
[0006]支撐塊，安裝在所述真空腔室的內壁上；
[0007]磁場施加機構，與所述支撐塊連接，所述磁場施加機構設置在所述真空腔室內，并相對于所述納米圖形制備裝置的極靴具有一工作位置和一收縮位置；
[0008]控制機構，與所述磁場施加機構連接，所述控制機構安裝在所述真空腔室的外壁上；以及
[0009]導向機構，安裝在所述支撐塊上并與所述磁場施加機構連接。
[0010]上述的磁場施加裝置，其中，所述磁場施加機構進一步包括:
[0011]—軟磁鐵芯，為一對稱設置的具有一開口的環(huán)形結構；
[0012]一對線圈，對稱設置在所述軟磁鐵芯靠近開口的兩端，并分別通過真空接口與設置在所述真空腔室外的電源連接；以及
[0013]一對磁極，對稱安裝在所述軟磁鐵芯的開口上，所述一對磁極之間具有一磁隙間距。
[0014]上述的磁場施加裝置，其中，所述磁隙間距小于或等于20mm。
[0015]上述的磁場施加裝置，其中，所述磁極的縱截面為三角形或梯形，所述三角形或梯形在靠近所述磁隙間距的一側尺寸最小。
[0016]上述的磁場施加裝置，其中，所述導向機構進一步包括:
[0017]安裝塊，安裝在所述支撐塊上，所述軟磁鐵芯安裝在所述安裝塊上；
[0018]導軌套筒，設置在所述安裝塊內，并相對于所述安裝塊的上表面具有一第一傾斜角；以及
[0019]滑桿，安裝在所述導軌套筒內并與所述軟磁鐵芯連接。
[0020]上述的磁場施加裝置，其中，還包括導熱機構，所述導熱機構包括:
[0021]導熱槽，設置在所述安裝塊上，并位于靠近所述軟磁鐵芯一側的所述安裝塊的側壁上；以及
[0022]導熱塊，位于所述導熱槽內并與所述導熱槽自由滑動連接，所述導熱塊沿所述導熱槽的滑動距離小于所述導熱塊的長度，所述導熱塊的一端抵接在所述軟磁鐵芯上。
[0023]上述的磁場施加裝置，其中，所述控制機構進一步包括:
[0024]接口件，安裝在所述真空腔室的外壁上；
[0025]限位套筒，包括同軸設置的內套筒和外套筒，所述內套筒安裝在所述外套筒內并與所述外套筒自由滑動連接，所述外套筒與所述接口件連接；
[0026]控制手柄，所述控制手柄的下端與所述內套筒的頂端鄰接；以及
[0027]控制桿，一端與所述軟磁鐵芯靠近所述磁極的一端連接，另一端穿過所述接口件和所述內套筒并與所述控制手柄連接，所述控制桿相對于所述真空腔室的上表面具有一第二傾斜角，所述第二傾斜角與所述第一傾斜角相等。
[0028]上述的磁場施加裝置，其中，所述控制機構還包括導向定位機構，所述導向定位機構包括:
[0029]咬合叉，安裝在所述外套筒靠近所述控制手柄一端的外壁上，所述咬合叉的軸線垂直于所述外套筒的軸線，所述內套筒對應于所述咬合叉設置有咬合孔，所述咬合叉相對于所述外套筒分別具有一咬合位置和一閑置位置；以及
[0030]觸發(fā)針，一端安裝在所述內套筒的頂端，所述觸發(fā)針的軸線平行于所述內套筒的軸線，所述外套筒上對應于所述觸發(fā)針設置有觸發(fā)槽，所述觸發(fā)針相對于所述外套筒分別具有一觸發(fā)位置和一閑置位置。
[0031 ] 上述的磁場施加裝置，其中，還包括電場施加機構，所述電場施加機構包括一對電極，所述一對電極分別通過絕緣材料固定在所述極靴和所述磁極上，并通過真空接口與所述電源連接。
[0032]為了更好地實現(xiàn)上述目的，本實用新型還提供了一種納米圖形制備系統(tǒng)，包括納米圖形制備裝置、真空腔室、樣品臺和磁場施加裝置，所述樣品臺安裝在所述真空腔室內，所述納米圖形制備裝置和所述磁場施加裝置安裝在所述真空腔室上，所述磁場施加裝置相對于所述納米圖形制備裝置設置，其中，所述磁場施加裝置為上述的磁場施加裝置。
[0033]本實用新型的有益功效在于:
[0034]本實用新型通過提供納米圖形制備系統(tǒng)和磁場施加裝置，從而解決了在掃描電鏡成像、電子束曝光成像和聚焦離子束成像功能基礎上，向局部區(qū)域引入磁場的問題。實現(xiàn)了大范圍和局部的磁/電場傳導。磁場可以限制在局部區(qū)域，從而減小磁場或電場對于原納米圖形制備系統(tǒng)的影響?？梢詼y量樣品的局部性質，和現(xiàn)有技術的在掃描電鏡或電子束光刻系統(tǒng)中施加磁場的技術方案相比，本實用新型施加的磁場更精確，更有效，對電鏡或電子束光刻系統(tǒng)的影響更小。因此，本實用新型可以在磁性材料和器件的研宄中，快速有效的施加和傳導磁場，有廣闊的應用范圍和市場需求。
[0035]以下結合附圖和具體實施例對本實用新型進行詳細描述，但不作為對本實用新型的限定。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0036]圖1為實用新型一實施例的納米圖形制備系統(tǒng)的結構示意圖；
[0037]圖2為實用新型一實施例的磁場施加裝置的結構示意圖；
[0038]圖3為圖2的俯視圖；
[0039]圖4為圖3的左視圖；
[0040]圖5為實用新型一實施例的磁場施加機構示意圖；
[0041]圖6為實用新型一實施例的磁極結構示意圖；
[0042]圖7為圖6的局部俯視圖；
[0043]圖8為實用新型一實施例的控制機構工作位置示意圖；
[0044]圖9為實用新型一實施例的控制機構閑置位置示意圖；
[0045]圖10為實用新型一實施例的導熱機構工作位置示意圖；
[0046]圖11為實用新型一實施例的導熱機構閑置位置示意圖；
[0047]圖12為實用新型一實施例的電場施加機構示意圖。
[0048]其中，附圖標記
[0049]I真空腔室
[0050]2樣品臺
[0051]3磁場施加裝置
[0052]31支撐塊
[0053]32磁場施加機構
[0054]321軟磁鐵芯
[0055]322 線圈
[0056]323 磁極
[0057]33控制機構
[0058]331 接口件
[0059]332限位套筒
[0060]3321 內套筒
[0061]3322 外套筒
[0062]333控制手柄
[0063]334控制桿
[0064]335導向定位機構
[0065]3351 咬合叉
[0066]3352 咬合孔
[0067]3353 觸發(fā)針
[0068]3354 開關
[0069]336連接片
[0070]34導向機構
[0071]341安裝塊
[0072]342導軌套筒
[0073]343 滑桿
[0074]35導熱機構
[0075]351導熱槽
[0076]352導熱塊
[0077]36 電場施加機構
[0078]4 樣品
[0079]5納米圖形制備裝置
[0080]51 極靴
[0081]L磁隙間距
[0082]Θ 夾角
【具體實施方式】
[0083]下面結合附圖對本發(fā)明的結構原理和工作原理作具體的描述:
[0084]參見圖1，圖1為實用新型一實施例的納米圖形制備系統(tǒng)的結構示意圖。本實用新型的納米圖形制備系統(tǒng)，包括納米圖形制備裝置5、真空腔室1、樣品臺2和磁場施加裝置3，所述樣品臺2安裝在所述真空腔室I內，所述納米圖形制備裝置5和所述磁場施加裝置3安裝在所述真空腔室I上，所述磁場施加裝置3相對于所述納米圖形制備裝置5設置，樣品4位于樣品臺2上。樣品臺2和納米圖形制備裝置5的極靴51放置在真空腔室I內。磁場施加裝置3與樣品臺2相對，并對應納米圖形制備裝置5的極靴51設置。因為該納米圖形制備系統(tǒng)其他部分的結構、功能以及部件相互位置關系和連接關系等均為較成熟的現(xiàn)有技術，故在此不再贅述，下面僅對本實用新型的磁場施加裝置3予以詳細說明。
[0085]參見圖2-圖4，圖2為實用新型一實施例的磁場施加裝置的結構示意圖，圖3為圖2的俯視圖，圖4為圖3的左視圖。本實用新型的磁場施加裝置3，安裝在納米圖形制備系統(tǒng)的真空腔室I上，并相對于所述納米圖形制備系統(tǒng)的納米圖形制備裝置5設置，包括:
[0086]支撐塊31，安裝在所述真空腔室I的內壁上；磁場施加機構32，與所述支撐塊31連接，所述磁場施加機構32設置在所述真空腔室I內，并相對于所述納米圖形制備裝置5的極靴51具有一工作位置和一收縮位置，可以在工作位置和收縮位置自如切換；控制機構33，與所述磁場施加機構32連接，所述控制機構33安裝在所述真空腔室I的外壁上；以及導向機構34，安裝在所述支撐塊31上并與所述磁場施加機構32連接。
[0087]所述導向機構34進一步包括:安裝塊341，安裝在所述支撐塊31上，所述軟磁鐵芯321安裝在所述安裝塊341上；導軌套筒342，設置在所述安裝塊341內，并相對于所述安裝塊341的上表面具有一第一傾斜角，該導軌套筒342為滑桿343提供固定的導向，該導軌套筒342的導向可為對角線/傾斜角或側向等多種方式引導該滑桿343 ;以及滑桿343，安裝在所述導軌套筒342內并與所述軟磁鐵芯321連接。真空腔體中的樣品臺2置于例如帶電粒子的電子學光柱之類的納米圖形制備裝置5之下，磁極323在樣品臺2上方。線圈322產生的磁場通過磁極323加到樣品臺2上的樣品4。
[0088]參見圖5，圖5為實用新型一實施例的磁場施加機構示意圖。所述磁場施加機構32進一步包括:
[0089]一軟磁鐵芯321，為一對稱設置的具有一開口的環(huán)形結構，可以有不同的半閉式形狀，例如可以是一個不規(guī)則的多邊形，或者規(guī)則的矩形，也可以是圓形等；一對線圈322，采用低真空排氣材料，對稱設置在所述軟磁鐵芯321靠近開口的兩端，并分別通過真空接口與設置在所述真空腔室I外的電源連接，該電源可為一交流或直流電壓源，以施加穩(wěn)恒或交變電場。線圈322繞在軟磁鐵芯321上產生磁場，通過置線圈322于真空環(huán)境中，以改善真空脫氣；以及一對磁極323，對稱安裝在所述軟磁鐵芯321的開口上，所述一對磁極323之間具有一磁隙間距L，磁極323可以有不同形狀的實現(xiàn)方式。線圈322產生的磁場通過軟磁鐵芯321到磁極323，磁極323將局部磁場加到真空腔體中的樣品臺2上。軟磁鐵芯321和磁極323均采用極小剩磁的軟磁材料，以降低真空腔室I中的剩余磁場，磁極323可以置于電子光柱即掃描電鏡的物鏡之下，使得磁場線對電子學光柱/掃描電鏡/納米圖形制備系統(tǒng)的功能和性能有很小影響。軟磁材料可以是NiFe合金、娃鋼片或軟磁鐵等，線圈322可以由OFHC銅和真空兼容的絕緣材料如聚酰亞胺塑料制成。磁極323的形狀以及線圈322和軟磁鐵芯321的尺寸可以按照極靴51的形狀來進行設置。因為線圈322是采用標準接線方式，通過真空接口連接到外部電源，所以圖中沒有給出磁線圈322的電連接。該磁極323工作位置時位于該極靴51的下方，收縮位置即非工作位置時磁極323沿滑桿343的傾斜方向收縮回到初始位置，緊貼真空腔室I的上壁。
[0090]參見圖6、圖7，圖6為實用新型一實施例的磁極結構示意圖，圖7為圖6的局部俯視圖。所述磁隙間距L的尺寸須滿足一定的要求。其尺寸越大，所能實現(xiàn)的磁場越小。在本實施例中，所述磁隙間距L小于或等于20mm，優(yōu)選7mm的磁隙間距L。所述磁極323的縱截面為三角形或梯形，即靠近磁隙間距L的一端需要做成三角形或者梯形，使得氣隙中的磁場強度更大，所述三角形或梯形在靠近所述磁隙間距L的一側尺寸最小。所述三角形或梯形相對的兩斜面之間的夾角Θ為10-180度，本實施例優(yōu)選157度。
[0091]參見圖8、圖9，圖8為實用新型一實施例的控制機構工作位置示意圖，圖9為實用新型一實施例的控制機構閑置位置示意圖。所述控制機構33可以讓磁場施加機構32在使用時置于樣品4上方的工作位置，不用磁場時收回到收縮位置。所述控制機構33進一步包括:
[0092]接口件331，安裝在所述真空腔室I的外壁上；限位套筒332，包括同軸設置的內套筒3321和外套筒3322，所述內套筒3321安裝在所述外套筒3322內并與所述外套筒3322自由滑動連接，所述外套筒3322與所述接口件331連接；控制手柄333，所述控制手柄333的下端與所述內套筒3321的頂端連接；以及控制桿334，一端通過連接片336與所述軟磁鐵芯321靠近所述磁極323的一端連接，另一端穿過所述接口件331和所述內套筒3321并與所述控制手柄333連接，所述控制桿334相對于所述真空腔室I的上表面具有一第二傾斜角，所述第二傾斜角與所述第一傾斜角相等。本實施例中，所述控制機構33還可包括導向定位機構335，所述導向定位機構335包括:
[0093]咬合叉3351，安裝在所述外套筒3322靠近所述控制手柄333 —端的外壁上，所述咬合叉3351的軸線垂直于所述外套筒3322的軸線，所述內套筒3321對應于所述咬合叉3351設置有咬合孔3352，所述咬合叉3351相對于所述外套筒3322分別具有一咬合位置和一閑置位置；以及觸發(fā)針3353，一端安裝在所述內套筒3321的頂端，所述觸發(fā)針3353的軸線平行于所述內套筒3321的軸線，所述外套筒3322上對應于所述觸發(fā)針3353設置有觸發(fā)槽，所述觸發(fā)針3353相對于所述外套筒3322分別具有一觸發(fā)位置和一閑置位置。
[0094]磁場施加機構32從收縮位置到工作位置是通過推進控制手柄333直到被限位套筒332阻止，內套筒3321和控制手柄333相連并和控制手柄333 —起移動；從工作位置到收縮位置的運動是通過控制手柄333，直至終點位置即真空腔體的上壁。當磁場施加機構32到達工作位置，開關3354被觸發(fā)針3353觸發(fā)，咬合叉3351插入咬合孔3352中，磁場施加機構32不能再繼續(xù)運動。
[0095]參見圖10、圖11，圖10為實用新型一實施例的導熱機構工作位置示意圖，圖11為實用新型一實施例的導熱機構閑置位置示意圖。本實施例中，還包括導熱機構35，以在工作位置中軟磁鐵芯321可以通過接觸導熱機構35散熱，該導熱機構35也可通過真空接口向真空腔室I外的冷卻裝置傳熱。所述導熱機構35包括:
[0096]導熱槽351，設置在所述安裝塊341上，并位于靠近所述軟磁鐵芯321 —側的所述安裝塊341的側壁上；以及與該導熱槽351適配的導熱塊352，由導熱材料制成，位于所述導熱槽351內并與所述導熱槽351自由滑動連接，所述導熱塊352沿所述導熱槽351的滑動距離小于所述導熱塊352的長度，即該導熱塊352自由安裝在該導熱槽351中，通過導熱槽351和導熱塊352的結構來限定其活動范圍，以免導熱塊352在工作過程中脫出該導熱槽351，所述導熱塊352的一端抵接在所述軟磁鐵芯321上。該導熱機構35為導熱性好的材料，導熱材料可以是銅和銅合金或者鋁或者其他高熱導率的金屬或者合金等，并且接觸表面平整光滑。熱量從磁場施加機構32的運動部分到導熱塊352，然后到真空腔室1，然后通過熱輻射散熱。該導熱機構35只有磁場施加機構32在工作位置時有效。在工作位置，軟磁鐵芯321機械接觸到該導熱塊352，該導熱塊352通過安裝塊341和支撐塊31將軟磁鐵芯321的熱量傳導到真空腔室I的外部。另外，該導熱塊352也限定了滑桿343的移動下限。
[0097]參見圖12，圖12為實用新型一實施例的電場施加機構36示意圖。本實施例中，還可包括電場施加機構36，所述電場施加機構36包括一對電極，所述一對電極分別通過絕緣材料固定在所述極靴51和所述磁極323上，并通過真空接口與所述電源連接。絕緣材料使軟磁鐵芯321和電場施加機構36的電極絕緣，施加電場的電源和電極相連，從而在樣品4上方施加局部電場。
[0098]本實用新型的磁場施加裝置3能夠在局部或更大的區(qū)域引入磁場或電場。磁場施加裝置3可以廣泛用在納米圖形制備系統(tǒng)(例如SEM，EBL或FIB)或其它裝置中磁場和電場的施加。實現(xiàn)了大范圍和局部的磁/電場傳導。磁場可以限制在局部區(qū)域，從而減小磁場或電場對于原納米圖形制備系統(tǒng)的影響。可以測量樣品4的局部性質，和現(xiàn)有其他的在掃描電鏡或電子束光刻系統(tǒng)中施加磁場的技術相比，本實用新型施加的磁場更精確，更有效，對電鏡或電子束光刻系統(tǒng)的影響更小。因此，磁場施加裝置3可以被廣泛用于半導體、微電子學、磁電子學和自旋電子學中磁性器件或磁學特性的測量和研宄，以及信息產業(yè)中相關電子產品的批量測試和質量控制。
[0099]當然，本實用新型還可有其它多種實施例，在不背離本實用新型精神及其實質的情況下，熟悉本領域的技術人員當可根據本實用新型作出各種相應的改變和變形，但這些相應的改變和變形都應屬于本實用新型所附的權利要求的保護范圍。
【權利要求】
1.一種用于納米圖形制備系統(tǒng)的磁場施加裝置，安裝在納米圖形制備系統(tǒng)的真空腔室上，并相對于所述納米圖形制備系統(tǒng)的納米圖形制備裝置設置，其特征在于，包括: 支撐塊，安裝在所述真空腔室的內壁上； 磁場施加機構，與所述支撐塊連接，所述磁場施加機構設置在所述真空腔室內，并相對于所述納米圖形制備裝置的極靴具有一工作位置和一收縮位置； 控制機構，與所述磁場施加機構連接，所述控制機構安裝在所述真空腔室的外壁上；以及 導向機構，安裝在所述支撐塊上并與所述磁場施加機構連接。
2.如權利要求1所述的磁場施加裝置，其特征在于，所述磁場施加機構進一步包括: 一軟磁鐵芯，為一對稱設置的具有一開口的環(huán)形結構； 一對線圈，對稱設置在所述軟磁鐵芯靠近開口的兩端，并分別通過真空接口與設置在所述真空腔室外的電源連接；以及 一對磁極，對稱安裝在所述軟磁鐵芯的開口上，所述一對磁極之間具有一磁隙間距。
3.如權利要求2所述的磁場施加裝置，其特征在于，所述磁隙間距小于或等于20mm。
4.如權利要求2或3所述的磁場施加裝置，其特征在于，所述磁極的縱截面為三角形或梯形，所述三角形或梯形在靠近所述磁隙間距的一側尺寸最小。
5.如權利要求2或3所述的磁場施加裝置，其特征在于，所述導向機構進一步包括: 安裝塊，安裝在所述支撐塊上，所述軟磁鐵芯安裝在所述安裝塊上； 導軌套筒，設置在所述安裝塊內，并相對于所述安裝塊的上表面具有一第一傾斜角；以及 滑桿，安裝在所述導軌套筒內并與所述軟磁鐵芯連接。
6.如權利要求5所述的磁場施加裝置，其特征在于，還包括導熱機構，所述導熱機構包括: 導熱槽，設置在所述安裝塊上，并位于靠近所述軟磁鐵芯一側的所述安裝塊的側壁上；以及 導熱塊，位于所述導熱槽內并與所述導熱槽自由滑動連接，所述導熱塊沿所述導熱槽的滑動距離小于所述導熱塊的長度，所述導熱塊的一端抵接在所述軟磁鐵芯上。
7.如權利要求5所述的磁場施加裝置，其特征在于，所述控制機構進一步包括: 接口件，安裝在所述真空腔室的外壁上； 限位套筒，包括同軸設置的內套筒和外套筒，所述內套筒安裝在所述外套筒內并與所述外套筒自由滑動連接，所述外套筒與所述接口件連接； 控制手柄，所述控制手柄的下端與所述內套筒的頂端鄰接；以及控制桿，一端與所述軟磁鐵芯靠近所述磁極的一端連接，另一端穿過所述接口件和所述內套筒并與所述控制手柄連接，所述控制桿相對于所述真空腔室的上表面具有一第二傾斜角，所述第二傾斜角與所述第一傾斜角相等。
8.如權利要求7所述的磁場施加裝置，其特征在于，所述控制機構還包括導向定位機構，所述導向定位機構包括: 咬合叉，安裝在所述外套筒靠近所述控制手柄一端的外壁上，所述咬合叉的軸線垂直于所述外套筒的軸線，所述內套筒對應于所述咬合叉設置有咬合孔，所述咬合叉相對于所述外套筒分別具有一咬合位置和一閑置位置；以及 觸發(fā)針，一端安裝在所述內套筒的頂端，所述觸發(fā)針的軸線平行于所述內套筒的軸線，所述外套筒上對應于所述觸發(fā)針設置有觸發(fā)槽，所述觸發(fā)針相對于所述外套筒分別具有一觸發(fā)位置和一閑置位置。
9.如權利要求2、3、6、7或8所述的磁場施加裝置，其特征在于，還包括電場施加機構，所述電場施加機構包括一對電極，所述一對電極分別通過絕緣材料固定在所述極靴和所述磁極上，并通過真空接口與所述電源連接。
10.—種納米圖形制備系統(tǒng)，包括納米圖形制備裝置、真空腔室、樣品臺和磁場施加裝置，所述樣品臺安裝在所述真空腔室內，所述納米圖形制備裝置和所述磁場施加裝置安裝在所述真空腔室上，所述磁場施加裝置相對于所述納米圖形制備裝置設置，其特征在于，所述磁場施加裝置為上述權利要求1-9中任意一項所述的磁場施加裝置。
【文檔編號】H01J37/317GK204162408SQ201420603744
【公開日】2015年2月18日 申請日期:2014年10月17日 優(yōu)先權日:2014年10月17日
【發(fā)明者】托拉夫·克里姆, 簡·海絲特, 萬蔡華, 韓秀峰, 周向前, 孫曉玉 申請人:北京匯德信科技有限公司