一種等離子體刻蝕設備進氣裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種等離子體刻蝕設備進氣裝置，包括連接等離子體刻蝕設備的等離子體源室和反應腔體的中空連接件；所述連接件內固定有勻氣環；所述勻氣環上開設有缺口，所述缺口兩側的勻氣環端口與固定在連接件內的三通接頭的兩個端口連通；所述三通接頭第三個端口與一根連通開設在所述連接件上的進氣口和出氣口的進氣管連通；所述勻氣環內側壁上開設有多個噴淋孔。本實用新型可以大大改善大尺寸基片處的氣流密度均勻性，從而提高等離子體刻蝕均勻性；本實用新型結構簡單，易于制造，可以根據不同應用場合對其進行改進以適應不同需求。
【專利說明】一種等離子體刻蝕設備進氣裝置
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種等離子體處理工藝中的進氣裝置，適用于等離子體刻蝕、等離子體輔助沉積、等離子體清洗設備。
【背景技術】
[0002]在等離子體處理工藝中，工藝氣體在基片表面分配的均勻性是均勻刻蝕的前提和保證。傳統上，工藝氣體都是通過進氣管經過一勻流板直接噴淋，氣體從勻流板中心向四周擴散，這種進氣裝置對于小尺寸基片在一定范圍內基本能滿足要求，對于大尺寸基片由于氣流的衰減使基片邊緣附近氣體密度越來越低，氣體的均勻性變差，從而無法保證等離子體密度的均勻性。傳統進氣裝置示意圖見圖1。由于當前半導體基片尺寸越來越大，特征尺寸越來越小，傳統進氣裝置已無法滿足工藝的需要。為此，迫切需要研究一種新的進氣裝置，解決工藝氣體均勻性問題。
【發明內容】
[0003]本實用新型所要解決的技術問題是，針對現有技術不足，提供一種等離子體刻蝕設備進氣裝置，解決當前等離子體加工工藝中進氣均勻性差的問題。
[0004]為解決上述技術問題，本實用新型所采用的技術方案是:一種等離子體刻蝕設備進氣裝置，包括連接等離子體刻蝕設備的等離子體源室和反應腔體的中空連接件；所述連接件內固定有勻氣環；所述勻氣環上開設有缺口，所述缺口兩側的勻氣環端口與固定在連接件內的三通接頭的兩個端口連通；所述三通接頭第三個端口與一根連通開設在所述連接件上的進氣口和出氣口的進氣管連通；所述勻氣環內側壁上開設有多個噴淋孔。
[0005]本實用新型的勻氣環采用直徑為6?15mm的內拋光316L不銹鋼管制成，所述勻氣環直徑為250mm，所述多個噴淋孔大小相同，各噴淋孔直徑均為0.5?3mm，相鄰兩個噴淋孔的間距為f5mm，所述多個噴淋孔均勻分布在所述勻氣環內側壁上；本實用新型對勻氣環的尺寸大小，噴淋孔的大小、間距進行優化設計，可極大提高大尺寸基片加工的氣流的均勻性。
[0006]勻氣環各噴淋孔的大小可以相同，也可以根據實際情況逐漸增大或減小；噴淋孔的分布可以等間距，也可以根據實際情況逐漸增大或減小。
[0007]所述勻氣環通過緊固件與所述連接件內壁固定連接。
[0008]本實用新型的連接件為法蘭。
[0009]與現有技術相比，本實用新型所具有的有益效果為:本實用新型勻氣環的氣體由四周向中心噴淋，從四周到中心噴淋過程中單個噴淋孔噴淋出的氣體密度越來越低，但是各個噴淋孔噴淋出的氣體將在中心匯集，從而彌補了單個噴淋孔由四周到中心氣體衰減的不足，提高了由四周到中心的氣體密度；本實用新型可以大大改善大尺寸基片處的氣流密度均勻性，從而提高等離子體刻蝕均勻性；本實用新型結構簡單，易于制造，可以根據不同應用場合對其進行改進以適應不同需求。【專利附圖】
【附圖說明】
[0010]圖1為傳統勻流進氣裝置示意圖；
[0011]圖2為本實用新型一實施例俯視圖；
[0012]圖3為本實用新型一實施例側視圖；
[0013]圖4為勻氣環結構示意圖。
【具體實施方式】
[0014]如圖2~圖4所示，本實用新型一實施例包括連接等離子體刻蝕設備的等離子體源室2和反應腔體的中空連接件4 ;所述連接件內固定有勻氣環I ;所述勻氣環I上開設有缺口 9，所述缺口 9兩側的勻氣環I端口與固定在連接件4內的三通接頭3的兩個端口連通；所述三通接頭3第三個端口與一根連通開設在所述連接件4上的進氣口 7和出氣口 8的進氣管10連通；所述勻氣環I內側壁上開設有多個噴淋孔6。
[0015]本實施例中，勻氣環I采用直徑為6~15mm的內拋光316L不銹鋼管制成，所述勻氣環I直徑為250_ ;勻氣環I通過緊固件5與所述連接件4內壁固定連接。
[0016]本實施例中，多個噴淋孔6大小相同，各噴淋孔6直徑均為0.5^3mm,相鄰兩個噴淋孔的間距為1~5mm。
[0017]本實施例中，多個噴淋孔6均勻分布在所述勻氣環I內側壁上。
[0018]本實施例 中，連接件4為法蘭。
[0019]混合好的工藝氣體通過焊接在法蘭上的進氣管10、三通接頭3進入到勻氣環，氣流通過噴淋孔6噴出；采用本實用新型實施例提供的進氣裝置能明顯提高等離子體反應腔體中工藝氣體的均勻性,從而提高等離子體處理的均勻性。
【權利要求】
1.一種等離子體刻蝕設備進氣裝置，包括連接等離子體刻蝕設備的等離子體源室(2)和反應腔體(6 )的中空連接件(4);其特征在于，所述連接件內固定有勻氣環(I);所述勻氣環(I)上開設有缺口( 9 )，所述缺口( 9 )兩側的勻氣環(I)端口與固定在連接件(4)內的三通接頭(3)的兩個端口連通；所述三通接頭(3)第三個端口與一根連通開設在所述連接件(4)上的進氣口(7)和出氣口(8)的進氣管(10)連通；所述勻氣環(I)內側壁上開設有多個噴淋孔(6)。
2.根據權利要求1所述的等離子體刻蝕設備進氣裝置，其特征在于，所述勻氣環(I)采用直徑為6?15mm的內拋光316L不銹鋼管制成，所述勻氣環(I)直徑為250mm。
3.根據權利要求1或2所述的等離子體刻蝕設備進氣裝置，其特征在于，所述勻氣環(I)通過緊固件(5)與所述連接件(4)內壁固定連接。
4.根據權利要求3所述的等離子體刻蝕設備進氣裝置，其特征在于，所述多個噴淋孔(6)大小相同,各噴淋孔(6)直徑均為0.5?3mm,相鄰兩個噴淋孔的間距為l?5mm。
5.根據權利要求4所述的等離子體刻蝕設備進氣裝置，其特征在于，所述多個噴淋孔(6)均勻分布在所述勻氣環(I)內側壁上。
6.根據權利要求5所述的等離子體刻蝕設備進氣裝置，其特征在于，所述連接件(4)為法蘭。
【文檔編號】H01J37/02GK203690266SQ201320839171
【公開日】2014年7月2日 申請日期:2013年12月19日 優先權日:2013年12月19日
【發明者】謝利華, 陳特超, 李健志, 王萍, 王玉明 申請人:中國電子科技集團公司第四十八研究所