專利名稱：一種用于控制強流電子束高頻交變磁場的真空裝置的制作方法
技術領域：
本實用新型屬于一種控制電子束高頻交變磁場的真空裝置，具體涉及一種用于控制強流電子束高頻交變磁場的真空裝置。
背景技術：
電子槍是產生、加速及會聚高能量密度電子束流的裝置，在真空條件下，利用電子束可以進行高純金屬冶煉、難熔金屬熔化、蒸發鍍膜、焊接等多項工業應用。強流電子束具備超高的能量密度，功率密度可達IO5千瓦/平方厘米以上，如此高的能量密度，會使材料表面的蒸氣壓升高，造成孔洞和飛濺，要實現電子束的有效利用，必須對電子束進行高頻的偏擺掃描控制。而導體材料對高頻交變磁場具備一定的抑制作用，且這種抑制作用隨著厚度的增加而增強。如果在真空里采用裸線圈對電子束進行控制，其線圈會受到蒸氣的污染和高溫的烘烤，造成線圈的損壞，而且在真空中維修很不方便，為此需要設計出一種適應于高頻交變磁場的真空裝置，以滿足強流電子束的控制需求。
發明內容為解決上述問題，本實用新型提供了一種用于控制強流電子束高頻交變磁場的真
空裝置。本實用新型的技術方案為:一種用于控制強流電子束高頻交變磁場的真空裝置，包括內管，在內管的外部設置有外管，內管和外管之間形成一定的間隙，在間隙內通有循環冷卻水，在內管和外管的兩端部之間分別設置有內連接接口，在外管的兩端的外部分別設置有外連接接口，在內管和內連接接口兩端部之間分別設置有內接口密封墊圈，在外管和外連接接口兩端部之間分別設置有外接口密封墊圈，環繞外管設置有掃描線圈。
在所述的內管和外管之間形成的間隙內設置有內分水器。所述內管和外管的材料為陶瓷。所述的內分水器為圓筒形，由塑料制成。本實用新型使掃描線圈與真空隔離開，避免了金屬蒸氣的直接蒸鍍污染；利用陶瓷絕緣性能，使高頻交變磁場不會受到抑制；同時采用雙層管狀結構，在夾層中通冷卻水帶走烘烤熱量，避免內外管受高溫損壞。
圖1為本實用新型一種用于控制強流電子束高頻交變磁場的真空裝置的結構示意圖。其中:I內管2外管3內接口密封墊圈 4內連接接口5掃描線圈6內分水器[0014]7電子束8外連接接口9外接口密封墊圈。
具體實施方式
下面，結合附圖對本實用新型一種用于控制強流電子束高頻交變磁場的真空裝置做具體說明:如圖1所示，一種用于控制強流電子束高頻交變磁場的真空裝置，包括內管1，在內管I的外部設置有外管2，內管I內為真空，用于電子束7通過，內管I和外管2之間形成一定的間隙，在間隙內通有循環冷卻水，為了使循環冷卻水分布均勻，在間隙內設置有內分水器6，以避免電子束通過時溫度過高造成內管的損壞。在內管I和外管2的兩端部之間分別設置有內連接接口 4，在外管2的兩端的外部分別設置有外連接接口 8，在內管I和內連接接口 4兩端部之間分別設置有內接口密封墊圈3，在外管2和外連接接口 8兩端部之間分別設置有外接口密封墊圈9，環繞外管2設置有掃描線圈5。所述內管I和外管2的材料為陶瓷。內分水器6為圓筒形，由塑料制成。本實用新型外管的外部為大氣環境，在其外部安裝有掃描線圈，內管內部為真空狀態，在其中心通過一定能量的高速的電子束，當對掃描線圈通入高頻的交變電流信號時，在掃描線圈內部會產生高頻交變磁場，該磁場主要穿過外管、內管和內分水器三個部件，這三個部件均為絕緣材料制成，故不對高頻交變磁場產生影響，可以對電子束實現有效的程序控制。本實用新型采用雙層形式，分為內外兩層，在兩層之間形成一定的間隙，在間隙中通有一定壓力的循環冷卻水，通過循環水帶走熱量，避免內外管過熱造成的損壞。本實用新型使掃描線圈與真空隔離開，避免了金屬蒸氣的直接蒸鍍污染；利用陶瓷絕緣性能，使高頻交變磁場不會受到抑制。
權利要求1.一種用于控制強流電子束高頻交變磁場的真空裝置，包括內管(1)，在內管(I)的外部設置有外管(2)，內管(I)和外管(2)之間形成一定的間隙，其特征在于:在間隙內通有循環冷卻水，在內管(I)和外管(2)的兩端部之間分別設置有內連接接口(4)，在外管(2)的兩端的外部分別設置有外連接接口(8)，在內管(I)和內連接接口( 4 )兩端部之間分別設置有內接口密封墊圈(3)，在外管(2)和外連接接口(8)兩端部之間分別設置有外接口密封墊圈(9)，環繞外管(2)設置有掃描線圈(5)。
2.根據權利要求1所述的一種用于控制強流電子束高頻交變磁場的真空裝置，其特征在于:在所述的內管(I)和外管(2)之間形成的間隙內設置有內分水器(6)。
3.根據權利要求1所述的一種控制強流電子束高頻交變磁場的真空裝置，其特征在于:所述的內管(I)和外管(2)的材料為陶瓷。
4.根據權利要求2所述的一種控制強流電子束高頻交變磁場的真空裝置，其特征在于:所述的內分水 器(6)為圓筒形，由塑料制成。
專利摘要本實用新型公開了一種用于控制強流電子束高頻交變磁場的真空裝置，包括內管和外管，內管和外管之間形成一定的間隙，在間隙內通有循環冷卻水，在內管和外管的兩端部之間分別設置有內連接接口，在外管的兩端的外部分別設置有外連接接口，在內管和內連接接口兩端部之間分別設置有內接口密封墊圈，在外管和外連接接口兩端部之間分別設置有外接口密封墊圈，環繞外管設置有掃描線圈。在內管和外管之間設置有內分水器。本實用新型避免了金屬蒸氣的直接蒸鍍污染，使高頻交變磁場不會受到抑制，避免內外管受高溫損壞。
文檔編號H01J37/30GK203165849SQ201320120860
公開日2013年8月28日 申請日期2013年3月18日 優先權日2013年3月18日
發明者高學林, 張曉衛, 范立男, 王洪強 申請人:核工業理化工程研究院