專利名稱：Led植物助長(zhǎng)燈的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及LED燈具領(lǐng)域，具體而言，涉及一種LED植物助長(zhǎng)燈。
背景技術(shù)：
光照是植物生長(zhǎng)的必備條件，但太陽光的強(qiáng)度隨著地理緯度、季節(jié)和天氣狀況而變化，所以往往會(huì)出現(xiàn)光照不足，以至光照條件達(dá)不到植物生長(zhǎng)需要的情況。而且，不同波長(zhǎng)的光對(duì)植物生長(zhǎng)有不同的影響，如
圖1和表I所示，波長(zhǎng)在400 520nm的藍(lán)光、610 720nm的紅光以及720 IlOOnm的遠(yuǎn)紅光對(duì)植物光合作用具有顯著的促進(jìn)作用。
表I
權(quán)利要求
1.一種LED植物助長(zhǎng)燈，包括基座、LED光源(I)、燈罩(2)，其特征在于， 所述燈罩(2)的內(nèi)表面和/或外表面設(shè)置有量子點(diǎn)材料層(3)，所述LED光源(I)發(fā)出的光通過所述量子點(diǎn)材料層(3)后的發(fā)射光譜波段包括兩個(gè)或兩個(gè)以上400 IlOOnm范圍內(nèi)的發(fā)射峰。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED植物助長(zhǎng)燈，其特征在于，所述發(fā)射光譜波段包括至少一個(gè)范圍在400 720nm可見光波段的發(fā)射峰和至少一個(gè)范圍在720 IlOOnm遠(yuǎn)紅光波段的發(fā)射峰。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的LED植物助長(zhǎng)燈，其特征在于，所述量子點(diǎn)材料層(3)中的量子點(diǎn)材料包括I1-VI族、II1-V族、IV-VI族、1-1I1-VI族和/或I1-1I1-VI族量子點(diǎn)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的LED植物助長(zhǎng)燈，其特征在于，所述量子點(diǎn)材料層(3)中的量子點(diǎn)材料包括 由選自第II族元素Zn、Cd、Hg中的任一種元素和選自第VI族元素0、S、Se、Te中的任一種元素組成的I1-VI族量子點(diǎn)； 由選自第IV族元素Ge、Sn、Pb中的任一種元素和選自第VI族元素0、S、Se、Te中的任一種元素組成的IV-VI族量子點(diǎn)； 由選自第III族元素Al、Ga、In中的任一種元素和選自第V族元素N、P、As、Sb中的任一種元素組成的II1-V族量子點(diǎn)；由選自第I族元素Cu，Ag中的任一種元素，選自第III族元素Al、Ga、In中的任一種元素以及選自第VI族元素0、S、Se、Sb中的任一種元素組成的1-1I1-VI族量子點(diǎn)；和/或由選自第II族元素Zn，Cd、Hg中的任一種元素，選自第III族元素Al、Ga、In中的任一種元素以及選自第VI族元素O、S、Se、Sb中的任一種元素組成的I1-1I1-VI族量子點(diǎn)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的LED植物助長(zhǎng)燈，其特征在于，所述量子點(diǎn)材料層(3)中的量子點(diǎn)材料為核殼結(jié)構(gòu)納米晶，其中， 所述核殼結(jié)構(gòu)納米晶的晶核包括 由選自第II族元素Zn、Cd、Hg中的任一種元素和選自第VI族元素0、S、Se、Te中的任一種元素組成的I1-VI族量子點(diǎn)； 由選自第IV族元素Ge、Sn、Pb中的任一種元素和選自第VI族元素O、S、Se、Te中的任一種元素組成的IV-VI族量子點(diǎn)； 由選自第III族元素Al、Ga、In中的任一種元素和選自第V族元素N、P、As、Sb中的任一種元素組成的II1-V族量子點(diǎn)；由選自第I族元素Cu，Ag中的任一種元素，選自第III族元素Al、Ga、In中的任一種元素以及選自第VI族元素0、S、Se、Sb中的任一種元素組成的1-1I1-VI族量子點(diǎn)；和/或由選自第II族元素Zn，Cd, Hg中的任一種元素，選自第III族元素Al、Ga、In中的任一種元素以及選自第VI族元素O、S、Se、Sb中的任一種元素組成的I1-1I1-VI族量子點(diǎn)；所述核殼結(jié)構(gòu)納米晶的殼層包括 由選自第II族元素Zn、Cd、Hg中的任一種元素和選自第VI族元素O、S、Se、Te中的任一種元素組成的I1-VI族量子點(diǎn)； 由選自第IV族元素Ge、Sn、Pb中的任一種元素和選自第VI族元素O、S、Se、Te中的任一種元素組成的IV-VI族量子點(diǎn)；由選自第III族元素Al、Ga、In中的任一種元素和選自第V族元素N、P、As、Sb中的任一種元素組成的II1-V族量子點(diǎn)；由選自第I族元素Cu，Ag中的任一種元素，選自第III族元素Al、Ga、In中的任一種元素以及選自第VI族元素0、S、Se、Sb中的任一種元素組成的1-1I1-VI族量子點(diǎn)；和/或由選自第II族元素Zn，Cd、Hg中的任一種元素，選自第III族元素Al、Ga、In中的任一種元素以及選自第VI族元素O、S、Se、Sb中的任一種元素組成的I1-1I1-VI族量子點(diǎn)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的LED植物助長(zhǎng)燈，其特征在于，所述量子點(diǎn)材料層(3)中的量子點(diǎn)材料為摻雜半導(dǎo)體納米晶，其中， 所述摻雜半導(dǎo)體納米晶的摻雜元素包括Cu、Mn、Fe、Co和/或稀土元素； 所述摻雜半導(dǎo)體納米晶的母體材料包括 由選自第II族元素Zn、Cd、Hg中的任一種元素和選自第VI族元素0、S、Se、Te中的任一種元素組成的I1-VI族量子點(diǎn)； 由選自第IV族元素Ge、Sn、Pb中的任一種元素和選自第VI族元素0、S、Se、Te中的任一種元素組成的IV-VI族量子點(diǎn)； 由選自第III族元素Al、Ga、In中的任一種元素和選自第V族元素N、P、As、Sb中的任一種元素組成的II1-V族量子點(diǎn)；由選自第I族元素Cu，Ag中的任一種元素，選自第III族元素Al、Ga、In中的任一種元素以及選自第VI族元素0、S、Se、Sb中的任一種元素組成的1-1I1-VI族量子點(diǎn)；和/或由選自第II族元素Zn，Cd, Hg中的任一種元素，選自第III族元素Al、Ga、In中的任一種元素以及選自第VI族元素O、S、Se、Sb中的任一種元素組成的I1-1I1-VI族量子點(diǎn)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的LED植物助長(zhǎng)燈，其特征在于，所述量子點(diǎn)材料層(3)中的量子點(diǎn)材料具有不同粒徑。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的LED植物助長(zhǎng)燈，其特征在于， 所述LED光源(I)是藍(lán)光LED光源或藍(lán)紫光LED光源，發(fā)射波長(zhǎng)為350 470nm ； 所述量子點(diǎn)材料層(3)中還包含有黃綠色熒光粉。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種LED植物助長(zhǎng)燈。該LED植物助長(zhǎng)燈包括基座、LED光源、燈罩，其中，燈罩的內(nèi)表面和/或外表面設(shè)置有量子點(diǎn)材料層，LED光源發(fā)出的光通過量子點(diǎn)材料層后的發(fā)射光譜波段包括兩個(gè)或兩個(gè)以上400～1100nm范圍內(nèi)的發(fā)射峰。本發(fā)明通過量子點(diǎn)材料組成元素的選擇和粒徑的調(diào)節(jié)，可以很方便地實(shí)現(xiàn)發(fā)射光譜波段的發(fā)射峰位置在400～1100nm全波段范圍內(nèi)的調(diào)節(jié)；量子點(diǎn)材料與稀土熒光粉等傳統(tǒng)的發(fā)光材料相比，不僅發(fā)射光譜波段的峰位可調(diào)，而且半峰寬也比較窄，對(duì)于調(diào)制特異性光譜十分有利；只需使用一種LED光源，避免了電路和驅(qū)動(dòng)電源的復(fù)雜設(shè)計(jì)，而且還可以使得發(fā)出的光均勻一致，避免出現(xiàn)混光不完全的現(xiàn)象。
文檔編號(hào)F21S2/00GK103032741SQ20121057853
公開日2013年4月10日 申請(qǐng)日期2012年12月26日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月26日
發(fā)明者吳浩全, 趙飛, 李衛(wèi)陽, 劉煒 申請(qǐng)人:杭州納晶科技有限公司, 浙江銘洋照明科技股份有限公司