利用多極透鏡調整粒子束流的光闌及包含該光闌的設備的制作方法
【專利摘要】本發明的目的是提供一種利用多極透鏡調整粒子束流的光闌及包含該光闌的設備。根據本發明的光闌，包括光闌板，其上包括多個分別具有不同孔徑的小孔；多個多極透鏡，包括位于該光闌板入射側的第一組多個入射多極透鏡及位于該光闌板出射側的第二組多個出射多極透鏡。本發明的優點在于：能夠使得電子束以最優剖面輪廓通過光闌板，從而能夠獲得質量較好的圖像；對光闌進行切換時，只需通過調整加在多極透鏡上的電壓，即可調整電子束的大小，因此光闌的切換更加快速且方便，在實踐中僅需零點幾秒即可完成光闌的切換，極大地提高了光闌的切換效率；并且，根據本發明的光闌比通常采用的使用步進式馬達調整的光闌結構更加簡單，且造價更便宜。
【專利說明】利用多極透鏡調整粒子束流的光闌及包含該光闌的設備
【技術領域】
[0001]本發明涉及電子光學領域，尤其涉及利用多極透鏡調整粒子束流的光闌及包含該光闌的設備。
【背景技術】
[0002]在電子光學領域的應用中，在電子束聚焦鏡筒中往往需要改變電子束流的大小。傳統的改變電子束流的方法包括兩種，一種方法是使用固定的電子束光闌，通過控制電子束交叉光點與光闌的相互位置，來調整電子束的大小，這種方法雖然比較簡單，但是降低了成像質量；另一種方法是采用多個電子束光闌來控制電子束的剖面輪廓，該多個電子束光闌通過步進式馬達來驅動并調整自身的位置，該種方法雖然能夠保證成像質量，但是光闌的轉換較慢，通常至少需要數秒的時間，并且該種調整方法所需的裝置較為復雜，需要花費較高的成本去制造。
【發明內容】
[0003]本發明的目的是提供一種利用多極透鏡調整電子束流的光闌及包含該光闌的設備。
[0004]根據本發明的一個方面，提供一種光闌，其包括:
[0005]-光闌板，其上包括多個分別具有不同孔徑的小孔；
[0006]-多個多極透鏡，包括位于該光闌板入射側的第一組多個入射多極透鏡及位于該光闌板出射側的第二組多個出射多極透鏡；
[0007]其中，所述第一組入射多極透鏡分別具有適合的電場和/或磁場，用于將穿過其中的入射粒子束流調整至與初始光軸平行且相距預定距離的位置，以使所述入射例子束流通過所述光闌板上的特定小孔；
[0008]所述第二組多個出射多極透鏡分別具有與所述第一組入射多極透鏡相對應的適合的電場和/或磁場，以使得穿過所述光闌板上的特定小孔的出射粒子束流回歸到所述初始光軸的位置。
[0009]根據本發明的另一個方面，還提供了 一種掃描電鏡，所述掃描電鏡包含所述光闌。
[0010]根據本發明的另一個方面，還提供了一種用于調節掃描電鏡的方法，其中，所述掃描電鏡包括所述光闌，所述方法包括以下步驟:
[0011]A根據所需粒子束流的大小來控制所述光闌中多個多極透鏡的電場和/或磁場，以使初始粒子束流穿過所述光闌板上與所需粒子束流大小相對應的小孔。
[0012]與現有技術相比，本發明具有以下優點:1)根據本發明的方案，能夠使得電子束以最優剖面輪廓通過光闌板，從而能夠獲得質量比較最好的圖像；2)根據本發明的方案，對光闌進行切換時，只需通過調整加在多極透鏡上的電壓，即可調整電子束的大小，因此光闌的切換更加快速且方便，在實踐中僅需零點幾秒即可完成光闌的切換，極大地提高了光闌的切換效率；3)更進一步地，根據本發明的光闌比通常采用的使用步進式馬達調整的光 闌結構更加簡單，且造價更便宜。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0013]通過閱讀參照以下附圖所作的對非限制性實施例所作的詳細描述，本發明的其它特征、目的和優點將會變得更明顯:
[0014]圖1為根據本發明的一種光闌的結構示意圖；
[0015]圖2為粒子束流通過根據本發明的光闌的前一部分時的偏轉示意圖；
[0016]圖3為包含根據本發明的一種光闌的掃描電鏡的剖面結構不意圖；
[0017]圖4為一種用于條件包含根據本發明的一種光闌的掃描電鏡的方法流程圖。
[0018]附圖中相同或相似的附圖標記代表相同或相似的部件。
【具體實施方式】
[0019]下面結合附圖對本發明作進一步詳細描述。
[0020]圖1示意出了根據本發明的一種光闌。所述光闌(Beam Aperture)用于調節通過自身的粒子束流的大小。其中，所述粒子束流包括但不限于用于成像的帶電粒子的弱束流。優選地，所述粒子束流包括但不限于以下任一種弱束流:
[0021]I)電子束；
[0022]2)離子束。
[0023]具體地，參照圖1，所述光闌I包括光闌板11 (Aperture Plate)和多個多級透鏡。
[0024]其中，所述光闌板11上包含多個分別具有不同孔徑的小孔，用于截取經過自身的粒子束流。
[0025]所述多個多極透鏡包括位于該光闌板11入射側的第一組多個入射多極透鏡12及位于該光闌板11出射側的第二組多個出射多極透鏡12’。
[0026]其中，所述每組多極透鏡能夠使所述粒子束流平移至與其進入該組多級透鏡前的光軸平行且相距預定距離的位置。
[0027]優選地，所述多級透鏡包括偶數級透鏡，更優選地，包括但不限于以下任一種:
[0028]I) 二級透鏡；
[0029]2)四級透鏡；
[0030]3)八極透鏡。
[0031]作為本發明的優選方案之一，所述多級透鏡包括八極透鏡，所述光闌I包括八極透鏡光闌(Octupole Assembly Aperture)。
[0032]所述第一組入射多極透鏡12分別具有適合電場和/或磁場，將穿過其中的入射粒子束流調整至與初始光軸平行且相距預定距離的位置，以使所述入射例子束流通過所述光闌板11上的特定小孔。
[0033]優選地，所述預定距離根據所述特定小孔與所述初始光軸間的距離來確定。
[0034]更優選地，所述初始光軸為光闌所處電子聚焦系統，例如電子掃描顯微鏡等的中軸。
[0035]所述第二組多個出射多極透鏡12’分別具有與所述第一組入射多極透鏡相對應的適合電場和/或磁場，以使得穿過所述光闌板11上的特定小孔的出射粒子束流回歸到所述初始光軸的位置。
[0036]根據本發明的優選實施例之一，所述粒子束流包括電子束，所述多極透鏡具有合適電場。所述第一組入射八極透鏡包括兩個入射八極透鏡，所述第二組出射八極透鏡包括兩個出射八極透鏡。
[0037]其中，所述第二個入射八極透鏡的電場與第一個入射八極透鏡的電場方向相反；所述第二個出射八極透鏡的電場與第一個出射八極透鏡的電場方向相反。
[0038]根據本發明的第一不例，參照圖1，其中，光闌I包含于掃描電鏡I中，光闌I的第一組多個入射多極透鏡12包括兩個八極透鏡Octl和0ct2，光闌I的第二組多個出射多極透鏡12’包括兩個八極透鏡0ct3和0ct4 ;其中，Octl和0ct2的電壓方向相反，0ct3的電壓分布與0ct2相同，0ct4的電壓分布與Octl相同。
[0039]再參照圖2，電子束Beaml的初始光軸與該掃描電鏡的電子聚焦系統中軸平行，當電子束Beaml進入第一個八極透鏡Octl時，由于Octl內部的電場而產生一定角度的偏轉，并保持偏轉后的切線軌跡進入0ct2,接著，電子束Beaml由于受到0ct2內部與Octl相反的電場作用力，而產生第二次偏轉。電子束Beaml在第二次偏轉后，其軌跡變化至與初始光軸平行，但與初始光軸之間相距距離為d的位置。接著，電子束在到達具有多個小孔的光闌板11時，穿過該光闌板11上的、與初始光軸距離為d，且位于由當前的電子束軌跡及初始光軸所確定的平面上的小孔Hl，從而截取到與該小孔Hl相應大小的電子束Beaml’。
[0040]接著，當截取后的電子束Beaml’通過0ct3和0ct4時，0ct3和0ct4內部的電場，通過與在Octl和0ct2中相似的方式，將該所需大小的電子束Beaml’的軌跡調整至進入Octl前的初始光軸位置。
[0041]其中，本領域技術人員應能理解，根據本發明的光闌，可以通過調節加諸于各個多極透鏡上的電壓、以及多極透鏡上各個電極的電壓等參數，來調節粒子束流的偏移角度及距離，以使得粒子束流通過光闌板上合適的小孔，從而獲得所需大小的粒子束流。
[0042]根據本發明的方案，能夠使得電子束以最優剖面輪廓通過光闌板，從而能夠獲得質量比較最好的圖像；其次，根據本發明的方案，對光闌進行切換時，只需通過調整加在多極透鏡上的電壓，即可調整電子束的大小，因此光闌的切換更加快速且方便，在實踐中僅需零點幾秒即可完成光闌的切換，極大地提高了光闌的切換效率；更進一步地，根據本發明的光闌比現有的采用步進式馬達切換光闌的儀器結構更加簡單，且造價更便宜。
[0043]圖3示意出了一種包含如圖1所示的光闌的掃描電鏡的剖面結構的示意圖。所述掃描電鏡包括但不限于能夠利用帶電粒子的弱流束成像的電子光學儀器。
[0044]優選地，所述掃描電鏡包括以下任一種:
[0045]I)常規掃描電鏡(scanning electron microscope, SEM)；
[0046]2)環境掃描電鏡(environmental scanning electron microscope, ESEM)；
[0047]3)場發射掃描電鏡(field emission scanning electron microscope,FESEM)；
[0048]4)掃描透射電鏡(scanning transmission electron microscopy, STEM)。
[0049]參照圖3，所述掃描電鏡包括光闌1、電子源2、用于成像的電子透鏡3(其中包括第一級電子透鏡31以及第二級電子透鏡32)、成像裝置4、樣品臺5以及掃描偏轉裝置6。
[0050]在圖3所示意的掃描電鏡中，來自電子源的電子束先通過光闌I，由光闌I截取成所需大小之后，通過電子透鏡3以及掃描偏轉裝置6將樣品臺5上的樣品成像，并在成像裝置4中展現給用戶。
[0051]其中，所述光闌I可以與掃描電鏡的聚焦系統中軸成任意角度，或者與聚焦系統中軸偏移任意距離。
[0052]根據本發明的一個優選實施例，所述掃描電鏡還包括偏轉控制裝置(圖未示)。
[0053]其中，所述偏轉控制裝置根據所需粒子束流的大小來控制所述光闌中多個多極透鏡的電場和/或磁場，以使初始粒子束流穿過所述光闌板上與所需粒子束流大小相對應的小孔。
[0054]具體地，所述根據所需粒子束流的大小來控制所述光闌中多個多極透鏡的電場和/或磁場，以使初始粒子束流穿過所述光闌板上與所需粒子束流大小相對應的小孔的方式包括但不限于以下任一種:
[0055]I)包含于偏轉控制裝置中的第一確定裝置根據所需粒子束流的大小來查詢預設偏轉數值表，以確定與所需粒子束流的大小相對應的所述多極透鏡電場和/或磁場的相關調整參數；接著，包含于偏轉控制裝置中的第一調整裝置根據所述相關調整參數來控制所述光闌中多個多極透鏡的電場和/或磁場，以使初始粒子束流穿過所述光闌板上與所需粒子束流大小相對應的小孔。
[0056]其中，偏轉控制裝置所存儲的預設偏轉數值表中，包含了與多個粒子束流的大小范圍分別對應的多極透鏡電場和/或磁場的相關調整參數，則第一確定裝置根據已獲得的粒子束流的大小，確定當前所需的粒子束流大小所屬的范圍，并獲取與該粒子束流的大小范圍相對應的多極透鏡電場和/或磁場的相關調整參數。
[0057]2)包含于偏轉控制裝置中的第二確定裝置根據所需粒子束流的大小來確定初始粒子束流所需穿過的所述光闌板上的小孔；接著，包含于偏轉控制裝置中的第二調整裝置根據所確定的小孔相應地調整多個多極透鏡的電場和/或磁場的電壓，以使所述初始粒子束流與初始光軸平行地穿過該所確定的小孔。
[0058]具體地，所述第二確定裝置根據所需粒子束流的大小，來查詢包含了與多個粒子束流的大小范圍分別對應的小孔的預設孔徑列表，以獲得與所需粒子束流的大小對應的小孔。
[0059]其中，所述第二調整裝置根據所確定的小孔相應地調整多個多極透鏡的電場和/或磁場的電壓，以使所述初始粒子束流與初始光軸平行地穿過該所確定的小孔的方式包括但不限于以下任一種:
[0060]a)當存在包含與各個小孔分別對應的各個所述多極透鏡的電場和/或磁場的相關調整參數的預設參數表時，第二調整裝置根據所確定的小孔查詢獲得與該小孔相對應的各個多極透鏡的電場和/或磁場的相關調整參數，并根據所述相關調整參數來調整所述光闌中各個多極透鏡的電場和/或磁場，以使所述初始粒子束流與初始光軸平行地穿過該所確定的小孔。
[0061]b)第二調整裝置獲取第二確定裝置所確定的小孔相對于粒子束流的初始光軸的距離信息，并將該位置信息作為粒子束流的偏移距離；接著，第二調整裝置根據預定公式，確定得需要將粒子束流調整至位于由初始光軸以及所選小孔確定的平面上、與初始光軸平行且相距該偏轉距離的軌跡上時，所需的各個多極透鏡的電場和/或磁場的相關調整參數，以根據所述相關調整參數來調整所述光闌中各個多極透鏡的電場和/或磁場，以使所述初始粒子束流與初始光軸平行地穿過該所確定的小孔。
[0062]其中，所述預定公式包括但不限于用于對于每個多級透鏡，確定其各個電極的相對于初始光軸的方位角、各個電極的電極電壓、粒子束流相對于初始光軸的方位角以及該多級透鏡上的電壓這四者需要滿足的關聯關系。
[0063]優選地，當所述多極透鏡包括八極透鏡時，前述四項信息所需滿足以下公式所示的關聯關系:Vn = A.Cos ( α n- Θ )。
[0064]其中,η表不該電極在八極透鏡的八個電極中第η個電極的序號,Vn表不該第η個電極的電極偏移電壓，A表不該八極透鏡上的基本電壓，α 11表不該第η個電極相對于初始光軸的方位角；Θ表不偏轉后的粒子束流相對于初始光軸的方位角。
[0065]在一示例中，八極透鏡中第I個電極的方位角\為從初始光軸起22.5°，其余各個方位角依次在前一方位角基礎上增加45°后得到，具體如下:
[0066]α 2 = 22.5° +45。= 67.5° ；
[0067]α3 = 67.5。+45。=112.5° ；
[0068]α 4 = 112.5° +45。=157.5° ；
[0069]α 5 = 157.5° +45。= 202.5° ；
[0070]α 6 = 202.5° +45。= 247.5° ；
[0071]α 7 = 247.5° +45° = 292.5° ；
[0072]α 8 = 292.5° +45° = 337.5°。
[0073]其中，上述方位角數值僅為示例，本領域技術人員應可根據實際情況和需求來確定多極透鏡中各個電極的方位角αη。
[0074]接著，第二調整裝置根據偏轉距離以及小孔位置，可確定偏轉后粒子束流相對于初始光軸的方位角Θ，并進而可獲知相對于當前的各個Vn和PA的調整信息。例如，根據新的Cos ( α η- Θ )的值相應地調整各個Vn的值，以使新的各個VnM能滿足Vn = A-Cos ( α η- Θ )；或者，通過同時調整A和Vn來使得新的A與Vn能夠滿足Vn = A.Cos ( α η- Θ )等；又或者，直接由預定的多組A與Vn中選擇與當前的Cos( α η- Θ )相對應的一組A與Vn等。
[0075]需要說明的是，上述具體的關聯關系及相應的調整參數的方式僅為示例，本領域技術人員應可根據實際情況和需求來確定或選擇所使用的關聯關系及對應的預定公式，以及相應地采用所選擇的預定公式來獲得相關調整參數的方式，而不局限于本說明書的舉例中所述的方式，任何可根據粒子束流的偏移信息來獲得各個多極透鏡的電場和/或磁場的相關調整參數的方式，均應包含在本發明的范圍內。
[0076]本領域技術人員應可根據實際情況和需求確定該偏轉控制裝置的位置，例如，將該偏轉控制裝置包含于所述掃描電鏡的控制芯片中的方式等，故不再贅述。
[0077]圖4示意出了一種用于調節包含如圖1所示的光闌的掃描電鏡的方法的流程圖。其中，所述掃描電鏡包括但不限于能夠利用帶電粒子的弱流束成像的電子光學儀器。
[0078]優選地，所述掃描電鏡包括以下任一種:
[0079]I)常規掃描電鏡(scanning electron microscope, SEM)；
[0080]2)環境掃描電鏡(environmental scanning electron microscope, ESEM)；
[0081]3)場發射掃描電鏡(field emission scanning electron microscope,FESEM)；
[0082]4)掃描透射電鏡(scanning transmission electron microscopy, STEM)。[0083]所述方法包括步驟SI。
[0084]具體地，參照圖4，在步驟SI中，掃描電鏡根據所需粒子束流的大小來控制所述光闌中多個多極透鏡的電場和/或磁場，以使初始粒子束流穿過所述光闌板上與所需粒子束流大小相對應的小孔。其中，所述光闌可以與掃描電鏡的聚焦系統中軸成任意角度，或者與聚焦系統中軸偏移任意距離。
[0085]具體地，所述根據所需粒子束流的大小來控制所述光闌中多個多極透鏡的電場和/或磁場，以使初始粒子束流穿過所述光闌板上與所需粒子束流大小相對應的小孔的方式包括但不限于以下任一種:
[0086]I)掃描電鏡根據所需粒子束流的大小來查詢預設偏轉數值表，以確定與所需粒子束流的大小相對應的所述多極透鏡電場和/或磁場的相關調整參數；接著，掃描電鏡根據所述相關調整參數來控制所述光闌中多個多極透鏡的電場和/或磁場，以使初始粒子束流穿過所述光闌板上與所需粒子束流大小相對應的小孔。
[0087]其中，掃描電鏡所存儲的預設偏轉數值表中，包含了與多個粒子束流的大小范圍分別對應的多極透鏡電場和/或磁場的相關調整參數，則掃描電鏡根據已獲得的粒子束流的大小，確定當前所需的粒子束流大小所屬的范圍，并獲取與該粒子束流的大小范圍相對應的多極透鏡電場和/或磁場的相關調整參數。
[0088]2)掃描電鏡根據所需粒子束流的大小來確定初始粒子束流所需穿過的所述光闌板上的小孔；接著，掃描電鏡根據所確定的小孔相應地調整多個多極透鏡的電場和/或磁場的電壓，以使所述初始粒子束流與初始光軸平行地穿過該所確定的小孔。
[0089]具體地，掃描電鏡根據所需粒子束流的大小，來查詢包含了與多個粒子束流的大小范圍分別對應的小孔的預設孔徑列表，以獲得與所需粒子束流的大小對應的小孔。
[0090]其中，掃描電鏡根據所確定的小孔相應地調整多個多極透鏡的電場和/或磁場的電壓，以使所述初始粒子束流與初始光軸平行地穿過該所確定的小孔的方式包括但不限于以下任一種:
[0091]a)當存在包含與各個小孔分別對應的各個所述多極透鏡的電場和/或磁場的相關調整參數的預設參數表時，掃描電鏡根據所確定的小孔查詢獲得與該小孔相對應的各個多極透鏡的電場和/或磁場的相關調整參數，并根據所述相關調整參數來調整所述光闌中各個多極透鏡的電場和/或磁場，以使所述初始粒子束流與初始光軸平行地穿過該所確定的小孔。
[0092]b)掃描電鏡所確定的小孔相對于粒子束流的初始光軸的距離信息，并將該位置信息作為粒子束流的偏移距離；接著，掃描電鏡根據預定公式，確定得需要將粒子束流調整至位于由初始光軸以及所選小孔確定的平面上、與初始光軸平行且相距該偏轉距離的軌跡上時，所需的各個多極透鏡的電場和/或磁場的相關調整參數，以根據所述相關調整參數來調整所述光闌中各個多極透鏡的電場和/或磁場，以使所述初始粒子束流與初始光軸平行地穿過該所確定的小孔。
[0093]其中，所述預定公式包括但不限于用于對于每個多級透鏡，確定其各個電極的相對于初始光軸的方位角、各個電極的電極電壓、粒子束流相對于初始光軸的方位角以及該多級透鏡上的電壓這四者需要滿足的關聯關系。
[0094]優選地，當所述多極透鏡包括八極透鏡時，前述四項信息所需滿足以下公式所示的關聯關系:Vn = A.Cos ( α η- θ )。
[0095]其中,η表不該電極在八極透鏡的八個電極中第η個電極的序號,Vn表不該第η個電極的電極偏移電壓，A表不該八極透鏡上的電壓，α η表不該第η個電極相對于初始光軸的方位角；Θ表不偏轉后的粒子束流相對于初始光軸的方位角。
[0096]在一示例中，八極透鏡中第I個電極的方位角\為從初始光軸起22.5°，其余各個方位角依次在前一方位角基礎上增加45°后得到，具體如下:
【權利要求】
1.一種光闌，其包括: -光闌板，其上包括多個分別具有不同孔徑的小孔； -多個多極透鏡，包括位于該光闌板入射側的第一組多個入射多極透鏡及位于該光闌板出射側的第二組多個出射多極透鏡； 其中，所述第一組多個入射多極透鏡分別具有適合電場和/或磁場，用于將穿過其中的入射粒子束流調整至與初始光軸平行且相距預定距離的位置，以使所述入射例子束流通過所述光闌板上的特定小孔； 所述第二組多個出射多極透鏡分別具有與所述第一組入射多極透鏡相對應的適合電場和/或磁場，以使得穿過所述光闌板上的特定小孔的出射粒子束流回歸到所述初始光軸的位置。
2.根據權利要求1所述的光闌，其中，所述粒子束流包括電子束，所述多極透鏡具有適合電場。
3.根據權利要求2所述的光闌，其中，所述多極透鏡包括八極透鏡。
4.根據權利要求3所述的光闌，其中，所述第一組入射八極透鏡包括兩個入射八極透鏡，所述第二組出射八極透鏡包括兩個出射八極透鏡。
5.根據權利要求4所述的光闌，其中， 所述第二個入射八極透鏡的電場與第一個入射八極透鏡的電場方向相反； 所述第二個出射八極透鏡的電場與第一個出射八極透鏡的電場方向相反。
6.—種掃描電鏡,其包括如權利要求1至5中任一項所述的光闌。
7.根據權利要求6所述的掃描電鏡，還包括: 偏轉控制裝置，用于根據所需粒子束流的大小來控制所述光闌中多個多極透鏡的電場和/或磁場，以使初始粒子束流穿過所述光闌板上與所需粒子束流大小相對應的小孔。
8.根據權利要求7所述的方法，其中，所述偏轉控制裝置包括: 第一確定裝置，用于根據所需粒子束流的大小來查詢預設偏轉數值表，以確定與所需粒子束流的大小相對應的所述多極透鏡電場和/或磁場的相關調整參數； 第一調整裝置，用于根據所述相關調整參數來控制所述光闌中多個多極透鏡的電場和/或磁場，以使初始粒子束流穿過所述光闌板上與所需粒子束流大小相對應的小孔。
9.根據權利要求7所述的方法，其中，所述偏轉控制裝置包括: 第二確定裝置，用于根據所需粒子束流的大小來確定初始粒子束流所需穿過的所述光闌板上的小孔； 第二調整裝置，用于根據所確定的小孔相應地調整多個多極透鏡的電場和/或磁場的電壓，以使所述初始粒子束流與初始光軸平行地穿過該所確定的小孔。
10.根據權利要求6至9中任一項所述的掃描電鏡,所述掃描電鏡包括以下任一種: -常規掃描電鏡； -環境掃描電鏡； -場發射掃描電鏡； -掃描透射電鏡。
11.一種用于調節掃描電鏡的方法，其中，所述掃描電鏡包括如權利要求1至5中任一項所述的光闌，其中，所述方法包括以下步驟:A根據所需粒子束流的大小來控制所述光闌中多個多極透鏡的電場和/或磁場，以使初始粒子束流穿過所述光闌板上與所需粒子束流大小相對應的小孔。
12.根據權利要求11所述的方法，所述步驟A包括以下步驟: -根據所需粒子束流的大小來查詢預設偏轉數值表，以確定與所需粒子束流的大小相對應的所述多極透鏡電場和/或磁場的相關調整參數； -根據所述相關調整參數來控制所述光闌中多個多極透鏡的電場和/或磁場，以使初始粒子束流穿過所述光闌板上與所需粒子束流大小相對應的小孔。
13.根據權利要求11所述的方法，所述步驟A包括以下步驟: -根據所需粒子束流的大小來確定初始粒子束流所需穿過的所述光闌板上的小孔； -根據所確定的小孔相應地調整多個多極透鏡的電場和/或磁場的電壓，以使所述初始粒子束流與初始光軸平行地穿過該所確定的小孔。
14.根據權利要求11至13中任一項所述的方法，其中，所述掃描電鏡包括以下任一種: -常規掃描電鏡； -環境掃描電鏡； -場發射掃描電鏡； -掃描透射電鏡。
【文檔編號】H01J37/26GK103456589SQ201210177109
【公開日】2013年12月18日 申請日期:2012年5月31日 優先權日:2012年5月31日
【發明者】李家錚 申請人:睿勵科學儀器（上海）有限公司