專利名稱：真空設備熒光屏及該熒光屏的無膠制作方法
技術領域：
本發明屬于真空電子學領域，涉及一種適用于真空設備的熒光屏及其無膠制作方 法。
背景技術：
現有真空設備熒光屏的制作方法有不足1、傳統熒光屏的制作方法，兼有涂膠和去膠過程，另外使用的試劑都是一些有毒 有害的有機物，對人體和環境不友好。2、用傳統的熒光屏制作方法，其金屬導電層實際上不是一個完整的金屬薄膜，當 真空室內有發光物體或高溫物體時，會有少部分熱輻射的光線透過金屬膜層的空隙，從而 大大降低熒光屏的對比度。3、一般的絲網印刷技術涂覆熒光粉，其熒光粉的粘附強度不夠，屏很容易受到損 傷。4、通過傳統熒光屏制作方法制得的熒光屏不具有導電的性能，勢必會因為長時間 的積累電荷而影響亮度和縮短熒光屏的壽命。因此提供一種能夠解決上述不足的真空設備熒光屏制作方法是一個需要解決的 技術問題。
發明內容
本發明解決的第一技術問題是提供一種真空設備的熒光屏，使得該熒光屏在真空 室中有高亮度背景光的情況下仍然具有很高的對比度，該屏的熒光粉層具有較高的粘附強 度，且該熒光屏還具有較佳的導電性能。本發明解決的第二技術問題是提供一種真空設備的熒光屏的無膠制作方法，該方 法不僅無需使用有毒試劑和膠、所制得的熒光粉層具有較高的粘附強度，而且還具有較佳 的導電性能。為解決第一技術問題，本發明采用第一技術方案一種真空設備的熒光屏，包括基材、及設置在基材上的熒光粉層，其特征在于所 述熒光粉層為摻雜有納米氧化鋅粉的導電熒光粉層；所述基材和熒光粉層之間還設有第 一黏結層；所述熒光粉層上還依次設有第二黏結層和金屬層。作為上述技術方案的改進之一所述基材為鉛玻璃，所述第一黏結層和第二黏結 層分別為第一鍍鋅膜層和第二鍍鋅膜層，所述金屬層為鍍鋁膜層。作為上述技術方案的改進之二 所述第一鍍鋅膜層的厚度為5-10納米，所述第二 鍍鋅膜層的厚度為10-50納米，所述鍍鋁膜層的厚度為40-150納米。為解決第二技術問題，本發明采用第二技術方案一種真空設備的熒光屏的制作方法，其特征在于首先不分先后順序實施步驟A 和步驟B，最后再實施步驟C;
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其中，步驟A包括以下步驟步驟Al 在第一基材上鍍上第一鋅膜；準備混合有納米氧化鋅粉的熒光粉溶液；步驟A2 用該熒光粉溶液在第一鋅膜上涂覆導電熒光粉層；步驟A3 將第一基材在真空或惰性氣體中烘烤。其中，步驟B包括以下步驟步驟Bl 在第二基材上制作水溶性薄膜；步驟B2 在水溶性薄膜上鍍上金屬膜；步驟B3 在金屬層上鍍上第二鋅膜；其中，步驟C包括以下步驟步驟Cl 將第一基材具有導電熒光粉層的那一面與第二基材具有第二鋅膜的那 一面緊密貼合；步驟C2 將貼在一起的第一基材和第二基材放入真空或惰性氣體中烘烤，烘烤溫 度的選擇要確保黏附層的金屬處于熔融狀態；步驟C3 將貼在一起的第一基材和第二基材讓入水中，水溶性薄膜溶解后將第二 基材移去而得到熒光屏。作為上述技術方案的改進之一在步驟Al中，在第一基材上通過熱蒸發方式鍍上 第一鋅膜；在步驟Bl中，在第二基材上通過熱蒸發方式鍍上水溶性薄膜；在步驟B2中，在 水溶性薄膜層上通過熱蒸發方式鍍上金屬膜，該金屬膜為鋁膜。作為上述技術方案的改進之二 在步驟A3中，所需的烘烤時間為40至80分鐘， 烘烤溫度為380°C至440°C，烘烤溫度的選擇要確保黏附層的金屬處于熔融狀態；在步驟C2 中，所需的烘烤時間為20至40分鐘，烘烤溫度為380°C至440°C，烘烤溫度的選擇要確保黏 附層的金屬處于熔融狀態。作為上述技術方案的改進之三所述水溶性薄膜為NaCl薄膜。作為上述技術方案的改進之四在步驟Al中，先將熒光粉在有機溶液超聲分散， 然后通過沉淀或過濾得到顆粒均勻的熒光粉懸浮液，最后加入納米氧化鋅粉末得到用于步 驟A2的熒光粉溶液。作為上述技術方案的改進之五在步驟A2中，在第一鋅膜上通過濕法噴涂方式涂 覆導電熒光粉層。作為上述技術方案的改進之六所述第一鋅膜的厚度為5-10納米，導電熒光粉層 的厚度為20-60微米，NaCl薄膜的厚度為10-100微米，鋁膜的厚度為40-150納米，第二鋅 膜的厚度為10-50納米。與現有技術相比，本發明第一技術方案的有益效果是其一，熒光屏中的金屬鋁層 是首先在另外一塊基體上蒸鍍然后再轉移到熒光粉層上的，所以該金屬層是一個完整的薄 膜，使得屏后方的背景光沒有機會穿透，從而獲得更高的對比度。其二，由于熒光粉層通過 第一黏結層作為過渡層粘附在基材上，在高溫處理過程中該金屬層處于熔融狀態，使得熒 光粉層具有較強的粘附強度，不容易脫落或脫離基材而影響真空環境。其三，由于采用摻雜 有納米氧化鋅粉的熒光粉，這些納米氧化鋅本身會形成一些導電通道，因此該熒光屏的具 有更佳的導電性能，可以有效防止熒光屏因積累電荷而縮短壽命。與現有技術相比，本發明第二技術方案的有益效果是該熒光屏的制作方法不需要涂膠和去膠過程，不僅無需使用有毒試劑，而且通過該方法制得的熒光粉層和第一基材 之間具有較高的粘附強度，不易脫落，此外，該熒光屏還具有較佳的導電性能。
圖1是本發明實施方式二的熒光粉的涂覆工藝步驟圖；圖2是本發明實施方式二的金屬膜的制作工藝步驟圖3是本發明實施方式二的金屬膜和熒光屏的結合工藝步驟圖。 圖4是本發明實施方式一的結構示意圖。
具體實施例方式實施方式一本實施方式是本發明第一技術方案的具體實施方式
。本實施方式的真空設備熒光屏，包括基材1、及設置在基材上的熒光粉層2，其特 征在于所述熒光粉層為摻雜有納米氧化鋅粉的導電熒光粉層；所述基材和熒光粉層之間 還設有第一黏結層3 ；所述熒光粉層上還依次設有第二黏結層7和金屬層6。其中，所述基材為鉛玻璃，所述第一黏結層和第二黏結層分別為第一鍍鋅膜層和 第二鍍鋅膜層，所述金屬層為鍍鋁膜層。其中，所述第一鍍鋅膜層的厚度為5-10納米，所述第二鍍鋅膜層的厚度為10-50 納米，所述鍍鋁膜層的厚度為40-150納米。實施方式二本實施方式是本發明第一技術方案的具體實施方式
。如圖1至3所示，本實施方式的真空設備熒光屏制作方法包括以下幾個方面1、熒光粉的涂覆工藝(如圖1所示)(1)在鉛玻璃1上用熱蒸發(或其他)方法鍍上一層5-10納米厚的超薄鋅膜2 ；(2)將熒光粉在有機溶劑中超聲分散，并通過沉淀和過濾等篩選出顆粒均勻和細 小的熒光粉；(3)向熒光粉懸浮液中加入適量納米氧化鋅粉末，配成混合溶液。(4)用濕法噴涂的方法在鍍有超薄鋅膜的鉛玻璃上涂上20-60微米厚的熒光粉層 3 ；(5)在真空或者惰性氣體中將涂有熒光粉層3的屏烘烤1個小時。烘烤溫度為 410°C左右，烘烤溫度的選擇要確保黏附層的金屬處于熔融狀態。2、高質量金屬膜的制作工藝(如圖2所示)(1)在一塊比鉛玻璃稍大的普通玻璃4上用熱蒸發(或其他)方法鍍上一層 10-100微米厚的NaCl (或者其他溶于水的材料)薄膜5 ；(2)在NaCl (或者其他溶于水的材料)薄膜5上面用熱蒸發(或其他)方法鍍上 一層40-150納米厚的鋁膜6 ；(3)在鋁膜6上面用熱蒸發(或其他)方法鍍上一層10-50納米厚的鋅膜7 ；3、金屬膜和熒光屏的結合工藝(如圖3所示)(1)將鍍有鋁膜6和鋅膜7的普通玻璃板4與涂有熒光粉層3的鉛玻璃1緊密結合在一起，使金屬膜和熒光粉貼在一起。(2)將貼在一起的鉛玻璃1與普通玻璃板4放在真空或者惰性氣體中烘烤30分 鐘。烘烤溫度為410°C左右，烘烤溫度的選擇要確保黏附層的金屬處于熔融狀態。(3)將結合在一起的玻璃板4輕輕放入水中，靜置一段時間，等待NaC15溶解以后， 移去玻璃板4。(4)輕輕從水中取出附有鋁膜6的熒光屏，將熒光屏放在真空中并烘烤以去水。
權利要求
一種真空設備的熒光屏，包括基材(1)、及設置在基材上的熒光粉層(3)，其特征在于所述熒光粉層為摻雜有納米氧化鋅粉的導電熒光粉層；所述基材和熒光粉層之間還設有第一黏結層(2)；所述熒光粉層上還依次設有第二黏結層(7)和金屬層(6)。
2.根據權利要求1所述的真空設備的熒光屏，其特征在于所述基材為鉛玻璃，所述第 一黏結層和第二黏結層分別為第一鍍鋅膜層和第二鍍鋅膜層，所述金屬層為鍍鋁膜層。
3.根據權利要求2所述的真空設備的熒光屏，其特征在于所述第一鍍鋅膜層的厚度 為5-10納米，所述第二鍍鋅膜層的厚度為10-50納米，所述鍍鋁膜層的厚度為40-150納 米。
4.一種真空設備的熒光屏的制作方法，其特征在于 首先不分先后順序實施步驟A和步驟B，最后再實施步驟C ； 其中，步驟A包括以下步驟步驟Al 在第一基材(1)上鍍上第一鋅膜(2)；準備混合有納米氧化鋅粉的熒光粉溶液；步驟A2 用該熒光粉溶液在第一鋅膜(2)上涂覆導電熒光粉層(3)；步驟A3 將第一基材(1)在真空或惰性氣體中烘烤。其中，步驟B包括以下步驟步驟Bl 在第二基材(4)上制作水溶性薄膜(5)；步驟B2 在水溶性薄膜(5)上鍍上金屬膜(6)；步驟B3 在金屬層(6)上鍍上第二鋅膜(7)；其中，步驟C包括以下步驟步驟Cl 將第一基材(1)具有導電熒光粉層(3)的那一面與第二基材(4)具有第二鋅 膜(7)的那一面緊密貼合；步驟C2 將貼在一起的第一基材(1)和第二基材(4)放入真空或惰性氣體中烘烤； 步驟C3 將貼在一起的第一基材(1)和第二基材(4)讓入水中，水溶性薄膜(5)溶解 后將第二基材(4)移去而得到熒光屏。
5.根據權利要求4所述的真空設備的熒光屏的制作方法，其特征在于在步驟A2中， 在第一鋅膜(2)上通過濕法噴涂方式涂覆導電熒光粉層。
6.根據權利要求5所述的真空設備的熒光屏的制作方法，其特征在于在步驟Al中， 在第一基材(1)上通過熱蒸發方式鍍上第一鋅膜(2)；在步驟Bl中，在第二基材(4)上通 過熱蒸發方式鍍上水溶性薄膜(5)；在步驟B2中，在水溶性薄膜層(5)上通過熱蒸發方式 鍍上金屬膜，該金屬膜為鋁膜。
7.根據權利要求6所述的真空設備的熒光屏的制作方法，其特征在于在步驟A3中， 所需的烘烤時間為40至80分鐘，烘烤溫度為380°C至440°C ；在步驟C2中，所需的烘烤時 間為20至40分鐘，烘烤溫度為380°C至440°C。
8.根據權利要求4至7任一所述的真空設備的熒光屏的制作方法，其特征在于所述 水溶性薄膜(5)為NaCl薄膜。
9.根據權利要求7所述的真空設備的熒光屏的制作方法，其特征在于在步驟Al中， 先將熒光粉在有機溶液超聲分散，然后通過沉淀或過濾得到顆粒均勻的熒光粉懸浮液，最 后加入納米氧化鋅粉末得到用于步驟A2的熒光粉溶液。
10.根據權利要求9所述的真空設備的熒光屏的制作方法，其特征在于所述第一鋅膜 (2)的厚度為5-10納米，導電熒光粉層(3)的厚度為20-60微米，NaCl薄膜的厚度為10-100 微米，鋁膜的厚度為40-150納米，第二鋅膜(7)的厚度為10-50納米。
全文摘要
本發明涉及一種適用于真空設備的熒光屏。該熒光屏，包括基材、及設置在基材上的熒光粉層，所述熒光粉層為摻雜有納米氧化鋅粉的導電熒光粉層；所述基材和熒光粉層之間還設有第一黏結層；所述熒光粉層上還依次設有第二黏結層和金屬層。由于將熒光粉涂層和金屬涂層分別在兩個基底上制作然后再合成在一起，所以不用涂膠和去膠過程，而且使得金屬涂層是完整的薄膜從而提高顯示對比度；由于設置了第一、第二黏結層以及摻雜有納米氧化鋅粉的導電熒光粉層，使得該熒光屏的熒光粉層具有較高的粘附強度，且該熒光屏還具有較佳的導電性能。另外本發明還公開了一種真空設備熒光屏的制作方法。
文檔編號H01J9/22GK101937821SQ20101014021
公開日2011年1月5日 申請日期2010年3月30日 優先權日2010年3月30日
發明者楊春雷, 蔣啟文 申請人:中山大學