專利名稱：顯示裝置的前濾光片及其制造方法
技術領域：
本發明涉及通過增強濾光片的屏蔽能力而改善顯示裝置質量的前濾光片以及該
前濾光片的制造方法。
背景技術：
包括等離子體顯示面板(PDP)的等離子體顯示裝置為平板顯示裝置，其利用氣體放電現象來顯示圖像。 因為在前述等離子體顯示裝置的驅動過程中采用高電壓和高頻率，所以大量的電
磁波輻射到PDP的前面。此外，等離子體顯示裝置發射由諸如Ne或Xe的惰性氣體誘發的
近紅外(NIR)輻射。該NIR輻射的波長非常接近一般遙控的波長，由此導致可能的電氣裝
置故障。此外，設置在PDP前面的玻璃反射外部光，由此導致眩光(glare)，對比度降低等。
因此，在大多數等離子體顯示裝置中，濾光片提供在PDP的前面以補償這些問題。 前濾光片可以是膜型濾光片，該膜型濾光片利用已被使用的單材料膜以降低等離
子體顯示裝置的價格。 然而，對于膜型濾光片，為了獲得等離子體顯示裝置所需的低表面電阻，必須執行暴露接地部分的復雜而精細的工藝。因此，不可避免地增加制造成本，并且降低產量。
如上所述，需要應用膜型濾光片到等離子體顯示裝置以代替回火玻璃濾光片，這是由于膜型濾光片的輕、薄和價低特性。然而，仍然需要改善加工電磁屏蔽層的接地部分時高成本消耗的結構。
發明內容
本發明實施例的一個方面涉及制造前濾光片的方法，該前濾光片可以容易地制造且具有改善的屏蔽能力(或改善的屏蔽力)。 本發明實施例的一個方面涉及利用前述方法制造的顯示裝置的前濾光片，從而保
證了顯示裝置中所需的表面電阻，由此改善了顯示裝置的屏蔽能力和質量。 根據本發明一實施例，提供一種用于顯示裝置的前濾光片，其包括基板、第一屏蔽
結構和第二屏蔽結構。該第一屏蔽結構包括在該基板上的第一下絕緣層、在該第一下絕緣
層上的第一導電層和在該第一導電層上的第一上絕緣層。該第二屏蔽結構包括在該第一上
絕緣層上的第二下絕緣層、在該第二下絕緣層的第二導電層和在該第二導電層上的第二上
絕緣層。這里，第一屏蔽結構的邊緣暴露到第二屏蔽結構外側。 根據本發明另一實施例，提供一種用于顯示裝置的前濾光片，其包括基板、第一屏
蔽結構和第二屏蔽結構。該第一屏蔽結構包括在該基板上的第一導電層和在該第一導電層
上的第一絕緣層。該第二屏蔽結構包括在該第一絕緣層上的第二導電層和在該第二導電層
上的第二絕緣層。這里，第一屏蔽結構的邊緣暴露到第二屏蔽結構外側。 第一絕緣層可以覆蓋第一導電層的位于第一屏蔽結構邊緣的接地部分。 根據本發明再一實施例，提供一種制造顯示裝置的前濾光片的方法，其包括在基板上依次沉積第一下絕緣層、第一導電層和第一上絕緣層以形成第一屏蔽結構；用第一粘合構件覆蓋第一屏蔽結構的邊緣；在第一屏蔽結構上依次沉積第二下絕緣層、第二導電層和第二上絕緣層以形成第二屏蔽結構；以及從第一屏蔽結構的邊緣去除第一粘合構件。
該方法還可以包括用第二粘合構件覆蓋第二屏蔽結構的邊緣；在第二屏蔽結構上依次沉積第三下絕緣層、第三導電層和第三上絕緣層以形成第三屏蔽結構；以及從第二屏蔽結構的邊緣去除第二粘合構件。 形成第一和第二導電層的工藝可以包括濺射工藝。 這樣，在本發明的實施例中，通過改善和/或修改傳統結構可以容易地制造顯示裝置的前濾光片，而不增加(或者顯著增加)制造成本。 此外，在本發明一實施例的包括多層結構的導電層的屏蔽結構中，降低了電連接到面板的接地端子的接地部分的表面電阻，由此改善了濾光片的屏蔽力且提高了顯示裝置的質量。
附圖與說明書一起圖解了本發明的示范性實施例，并且結合描述用于說明本發明的原理。
圖1是示出根據本發明一實施例的利用前濾光片的等離子體顯示裝置的示意 圖2A和2B是根據本發明一實施例的前濾光片的局部截面 圖3A是示出根據比較例的前濾光片中噪聲電壓的電場強度相對于頻率的曲線圖； 圖3B是示出根據本發明一實施例的前濾光片中噪聲電壓的電場強度相對于頻率的曲線圖； 圖4是根據本發明另一實施例的前濾光片的截面圖。
具體實施例方式
在下面的詳細描述中，簡單地借助于圖示，示出和描述了本發明的僅一些示范性實施例。本領域的技術人員應當理解的是，所描述的各實施例可以以各種方式予以修改，所有這些都不脫離本發明的精神或范圍。從而，附圖和說明自然旨在說明而非限定。另外，當元件稱為"在另一個元件上"時，它可以直接在另一個元件上，或者間接在另一個元件上，其間設有一個或多個插入元件。同樣，當元件稱為"連接到"另一個元件時，它可以直接連接到另一個元件，或者間接地連接到另一個元件，其間設有一個或多個插入元件。在下文，相同的附圖標記指代相同的元件。
圖1是示出根據本發明一實施例的利用前濾光片的等離子體顯示裝置的示意圖。
參考圖l，等離子體顯示裝置包括前濾光片10、等離子體顯示面板(PDP)20、濾光片架22和后蓋24。前濾光片IO設置在PDP 20的前面且由濾光片架22支撐。等離子體顯示裝置可以包括在PDP 20后面連接的底架(chassisbase)和驅動電路板，驅動電路板上安裝一個或多個驅動PDP 20的電路。 例如，PDP 20可以包括前板和后板，前板具有設置在第一基板的一個表面上的X-Y電極、介電層和保護層，后板具有設置在面對(或相對于)第一基板的第二基板上的地址電極、介電層、阻擋肋和磷光層。 在一個實施例中，前濾光片10是膜型濾光片，設置在PDP 20的可見表面上。在一個實施例中，前濾光片10為利用單一材料膜的膜型濾光片。 通常，等離子體顯示裝置中的前濾光片可以具有利用導電網或導電層的電磁屏蔽
結構。因此，根據本發明一實施例的前濾光片io具有利用導電層的電磁屏蔽結構，其中其
制造工藝被容易地進行，由此節省了制造成本。利用濺射工藝可以容易地形成利用導電層的電磁屏蔽結構。 在一個實施例中，利用導電層的電磁屏蔽結構對光透明(即具有必要的光透射率)，并且具有顯示裝置所需的屏蔽能力。然而，如果導電層的厚度增大，則濾光片的屏蔽能力增強，但是濾光片的光透射率降低。如果導電層的厚度減小，則濾光片的光透射率增大，但是濾光片的屏蔽力降低。這里，根據本發明一實施例的電磁屏蔽結構具有導電層和透明絕緣層交替層疊的結構。 然而，在通過交替層疊絕緣層和導電層形成的電磁屏蔽結構中，由于覆蓋各導電層的接地部分的絕緣層，增加了電連接到PDP 20的接地端子的接地部分的接觸電阻。因此，不能獲得電磁屏蔽結構中所需的屏蔽能力。因為導電層層疊在電磁屏蔽結構中，所以最上面的導電層可以相對容易地電連接到襯墊(gasket)。然而，較難將襯墊電連接到位于最上面的導電層下面的其它導電層。 盡管可以考慮選擇性去除覆蓋各導電層的接地部分的絕緣層的方法，但是該方法增加了制造成本，并且導電層的暴露于外的接地部分容易被氧化。從而，在一個實施例中，不是通過去除覆蓋各導電層的接地部分的絕緣層，而是通過有效地減小連接到PDP 20的接地端子的接地部分的接觸電阻，來提供能改善濾光片的屏蔽能力的前濾光片10。
圖2A和2B是根據本發明一實施例的前濾光片的局部截面圖。
參考圖2A，前濾光片IO包括第一下絕緣層12a、第一導電層13、第一上絕緣層12b、第二下絕緣層14a、第二導電層15、第二上絕緣層14b、第三下絕緣層16a、第三導電層17、第三上絕緣層16b、第四下絕緣層18a、第四導電層19和第四上絕緣層18b，它們依次層疊在基板ll上。 基板11的材料基于所需的力學屬性(dynamic property)和/或光學屬性而選擇。在一個實施例中，基板11具有高機械強度、低熱伸縮率和受熱產生少量低聚體(oligomer)。 在該實施例中，前濾光片IO包括層疊的四個導電層13U5、17和19以獲得顯示裝置所需的表面電阻和透射率。各導電層與設置于其間的絕緣層一起構成透明屏蔽結構。換言之，第一屏蔽結構包括第一下絕緣層12a、第一導電層13和第一上絕緣層12b。第二屏蔽結構包括第二下絕緣層14a、第二導電層15和第二上絕緣層14b。第三屏蔽結構包括第三下絕緣層16a、第三導電層17和第三上絕緣層16b。而且，第四屏蔽結構包括第四下絕緣層18a、第四導電層19和第四上絕緣層18b。這里，第一屏蔽結構的邊緣暴露到第二屏蔽結構的外面，第二屏蔽結構的邊緣暴露到第三屏蔽結構的外面。第三屏蔽結構的邊緣暴露到第四屏蔽結構的外面。 根據前述結構，前濾光片10包括第一至第四屏蔽結構，它們的邊緣設置為連續的臺階結構。從而，導電層13、 15、 17和19每個的接地部分13a、15a、17a、19a能例如通過隧穿效應穿過一個上絕緣層連接到面板的接地端子。導電層13U5、17和19的位于它們的邊緣處的接地部分分別由上絕緣層12b、14b、16b和18b覆蓋。因此，導電層13U5、17和19每個的接地部分13a、 15a、 17a、 19a不暴露于外，且因此每個導電層被保護免于氧化。
導電層13、15、17和19每個都由具有較高電導率的材料形成。例如，銀(Ag)、銦錫氧化物(IT0)等適于每個導電層的材料。另外，金屬層、金屬氧化物、導電聚合物等可用作每個導電層的材料。金屬層包括鈀、銅、鉬、銠、鋁、鐵、鈷、鎳、鋅、釕、錫、鎢、銥、鉛和/或銀。金屬氧化物包括錫氧化物、銦氧化物、銻氧化物、鋅氧化物、鋯氧化物、鈦氧化物、鎂氧化物、硅氧化物、鋁氧化物、金屬醇鹽、銦錫氧化物(IT0)和/或銻錫氧化物(AT0)。
如圖2B所示，每個導電層的厚度hl設置為在一范圍內以具有合適的電導率和透射率(即有足夠的電導率而不過于減小透射率)。例如，當導電層由銀(Ag)制成時，每個導電層的厚度hl形成為在約10和16nm之間。在一實施例中，如果由銀(Ag)制成的每個導電層的厚度低于10nm，則電導率過低。在另一實施例中，如果由銀(Ag)制成的每個導電層的厚度超過16nm，則透射率過低。 絕緣層12a、12b、14a、14b、16a、16b、18a和18b的每個由氧化物和/或氮化物制成。如圖2B所示，每個絕緣層的厚度h2形成為約50nm。每個屏蔽結構的厚度h3是選擇來產生所希望的低電阻而不過度降低其透射率的值(例如，最小值)。在一實施例中，如果每個屏蔽結構的厚度h3厚于50nm，則增加材料和制造成本。 下面將描述使前濾光片10的接地部分電連接到面板的接地端子的工藝。
如圖2B所示，前濾光片10的接地部分13a、15a、17a和19a每個通過襯墊23連接到面板的接地端子和電連接到襯墊23的導線。襯墊23包括導電彈性體，在濾光片架相對于面板的前面壓并支撐前濾光片10的邊緣時插置于濾光片架和前濾光片IO之間。例如，襯墊23包括導電海綿體，其上涂覆諸如鋁的導電材料。由虛線表示的部分23a示出了襯墊23被濾光片架壓之前的位置。 作為選擇，襯墊23可以實施為臺階襯墊，使得與接地部分13a、15a、17a和19a接觸的部分形成為具有臺階形狀，如圖2B所示的外形。在此情況下，襯墊23可不僅包括海綿體，還可以包括比海綿體硬的導電材料。 根據前述構造，分別被絕緣層覆蓋的接地部分13a、15a、17a和19a由于隧穿效應而逐一電連接到襯墊23，每個接地部分的側面與襯墊23接觸。從而，降低了前濾光片10的接地部分的接觸電阻。 在下文，將參考圖2A簡述制造前濾光片10的方法。 首先，第一下絕緣層12a、第一導電層13和第一上絕緣層12b依次形成在基板11上。此時，利用濺射工藝，第一導電層13沉積至16nm或更小的厚度。利用濺射工藝可以容易地形成大面積薄膜。 隨后，第一粘合構件粘附在第一上絕緣層12b的邊緣上。第一粘合構件包括可粘/可拆帶。 然后，第二下絕緣層14a、第二導電層15和第二上絕緣層14b依次形成在第一上絕緣層12b上。與第一導電層13類似，第二導電層15也利用濺射工藝沉積至16nm或更小的厚度。 接下來，第二粘合構件粘附在第二上絕緣層14b的邊緣上。第二粘合構件包括具
7有比第一粘合構件的寬度更大的寬度的帶。 隨后，第三下絕緣層16a、第三導電層17和第三上絕緣層16b依次形成在第二上絕緣層14b上。與第一和第二導電層13和15類似，第三導電層17也利用濺射工藝沉積至16nm或更小的厚度。 然后，第三粘合構件粘附在第三上絕緣層16b的邊緣上。第三粘合構件包括具有比第二粘合構件的寬度更寬的寬度的帶。 隨后，第四下絕緣層18a、第四導電層19和第四上絕緣層18b依次形成在第三上絕緣層16b上。與第一至第三導電層13、15和17類似，第四導電層19也利用濺射工藝沉積至16nm或更小的厚度。 接下來，第三、第二和第一粘合構件分別從上絕緣層16b、14b和12b拆分。 根據前述構造，可以容易地制造前濾光片IO，其具有分別連接到襯墊且同時被各
絕緣層保護的接地部分。 圖3A是示出根據比較例的前濾光片中噪聲電壓的電場強度相對于頻率的曲線圖。圖3B是示出根據本發明一實施例的前濾光片中噪聲電壓的電場強度相對于頻率的曲線圖。 制造根據比較例的前濾光片，使得每個都具有下絕緣層、導電層和上絕緣層的屏蔽結構堆疊為具有達到四個屏蔽結構的高度，且屏蔽結構不具有臺階形狀。制造根據本發明一實施例的前濾光片，使得每個都具有下絕緣層、導電層和上絕緣層的屏蔽結構堆疊為具有達到四個屏蔽結構的高度，并且屏蔽結構具有臺階形狀。 參考圖3A，采用根據比較例的前濾光片的等離子體顯示裝置在30MHz附近產生約40dBiiV/m的噪聲。這是因為接觸電阻相關于最上導電層上的襯墊遠離其它導電層而增加。
參考圖3B，采用根據本發明一實施例的前濾光片的等離子體顯示裝置在30MHz附近產生約38dByV/m的噪聲。這是因為由于各導電層(堆疊為具有達到四個屏蔽結構的高度)分別連接到襯墊，接觸電阻沒有增加。 如上所述，利用根據本發明一實施例的前濾光片，濾光片的屏蔽能力能得到改善。
圖4是根據本發明另一實施例的前濾光片的截面圖。 參考圖4，前濾光片10a包括電磁屏蔽層31、顏色涂層32和抗反射層36，依次層疊在基板11的一個表面上，且粘合層34形成在基板11的另一表面上。這里，基板11和電磁屏蔽層31對應于前述實施例的前濾光片10。 在前濾光片10a中，設置在電磁屏蔽層31的邊緣部分具有臺階結構的接地部分可以形成在彼此相對的兩側、三側或所有側面(例如所有四個側面)。 基板11用作前濾光片10a的基礎構件，由透射率為80至99%之間的材料制成；并且具有低反射率、較高的熱耐受性和適當的強度。特別地，聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene ter印hthalate， PET)適于作為基板11的材料。另外，基板11的材料可包括聚醚砜(polyethersulphone， PES)、聚丙烯酸酯(polyacrylate， PAR)、聚醚酰亞胺(polyetherimide， PEI)、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene n即thalate， PEN)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide,PPS)、聚丙烯酯(polyallylate)、聚酰亞胺、聚碳酸酯、三醋酸纖維素(triacetatecellulose， TAC)、醋酸丙酸纖維素(CAP)等。 顏色涂層32包括用于顏色校正、近紅外屏蔽或橙色波長吸收的著色物質。著色
8物質包括染料或顏料。例如，著色物質包括鎳絡合基材料、酞菁染料基材料、萘酞菁染料基材料、青色素基材料、二亞銨(diimmoni咖)基材料、方酸菁(squaryli咖)基材料、甲亞胺(axomethine)基材料、氧雜蒽(xanthene)基材料、oxono1基材料、或者偶氮(azo)基材料，它們可屏蔽約800nm和約1200nm之間的波長，或者屏蔽或吸收約585nm和約620nm之間的波長。著色物質的種類和濃度可以基于著色物質的吸收波長和系數、透明導電層的色調、濾光片中所需的透射率和透射特性等確定。 粘合層34用于將前濾光片10a粘附在諸如PDP的顯示裝置的可見表面上。粘合層34的材料可以包括亞克力(acryl)基、硅基、尿烷(urethane)基或聚乙烯基熱塑性樹脂和/或透明粘合劑或膠合劑例如UV固化樹脂。例如，諸如丙烯酸酯基樹脂的硅粘合劑或壓敏粘合劑(PSA)可以用作粘合層34的材料。 此外，粘合層34可以包括用于顏色校正、近紅外屏蔽或橙色波長吸收的著色物質。在此情況下，可以省略顏色涂層36，并且抗反射層36可以直接形成在電磁屏蔽層31上。 所形成的抗反射層36用于減少(或最小化)通過其的光的損耗，并防止外部光的反射和漫反射(diffused reflection)。抗反射層36可以形成單層或多層結構。單層抗反射層36形成的厚度為波長的1/4，由利用氟基透明聚合物樹脂、氟化鎂基樹脂、硅基樹脂的光學膜和/或硅氧化物薄膜形成。多層抗反射層36通過堆疊有機和無機化合物薄膜至兩層或更高而形成。這里，無機化合物薄膜由金屬氧化物、氟化物、硅化物、硼化物、碳化物、氮化物或硫化物等制成，有機化合物薄膜由硅基樹脂、丙烯酸樹脂或氟基樹脂制成。有機和無機化合物薄膜具有不同的折射率。抗反射層36可以利用諸如濺射、離子鍍、離子束輔助、真空沉積、化學氣相沉積(CVD)或物理氣相沉積(PVD)的方法形成。 抗反射層36可以包括執行抗反射功能的膜和形成在該膜的一個表面(頂表面)上的硬涂覆構件。這里，硬涂覆構件用于減少或防止各種類型的外力引起的劃傷。亞克力基、尿烷基、環氧基或硅氧烷基聚合物可以用作硬涂覆構件的材料。作為選擇，諸如低聚物的UV固化樹脂可以用作硬涂覆構件的材料。可以加入硅石(silica)基填料以改善硬涂覆構件的強度。包括硬涂覆構件的抗反射層36的厚度形成在2和7 ii m之間，以獲得預期的效果而不太厚。 在另一實施例中，硬涂覆構件可以不插入執行抗反射功能的膜中，而是可以形成在該膜的另一個表面(底表面)上。 包括硬涂覆構件的前濾光片10a具有這樣的光學特性，l和3X之間的低霧度(haze) 、30和90%之間的可見光透射率、1和20%之間的低外部光反射率、玻璃轉變溫度或更高的熱耐受性以及1和3H之間的鉛筆硬度(pencilhardness)。 同樣，在前述的實施例中已經描述了電磁屏蔽結構具有上和下絕緣層，其間具有
導電層，并且堆疊了多個這樣的電磁屏蔽結構。這是因為覆蓋位于導電層邊緣的接地部分
的絕緣層的厚度可以做得較薄，由此降低接地部分和襯墊之間的接觸電阻。然而，本發明不
限于此。例如，在一個實施例中，可以采用改善的絕緣特性的絕緣材料，從而第二屏蔽結構
的導電層形成在第一屏蔽結構的上絕緣層上，而沒有第二屏蔽結構的下絕緣層。 盡管已經結合一些示范性實施例描述了本發明，但是應當理解的是，本發明不限
于所公開的實施例，而是相反，本發明旨在覆蓋包括在所附權利要求及其等價物的精神和
9范圍內的各種修改和等價布置。 本申請要求2008年12月5日向韓國知識產權局提交的韓國專利申請No. 10-2008-0123145的優先權和權益，其全部內容通過引用而結合于此。
權利要求
一種用于顯示裝置的前濾光片，包括基板；第一屏蔽結構，包括第一下絕緣層，在該基板上，第一導電層，在該第一下絕緣層上，及第一上絕緣層，在該第一導電層上；以及第二屏蔽結構，包括第二下絕緣層，在該第一上絕緣層上，第二導電層，在該第二下絕緣層上，及第二上絕緣層，在該第二導電層上，其中該第一屏蔽結構的邊緣暴露到該第二屏蔽結構的外側。
2. 如權利要求l所述的前濾光片，還包括第三屏蔽結構，在該第二屏蔽結構上；及第四屏蔽結構，在該第三屏蔽結構上，其中該第三屏蔽結構包括依次層疊在該第二上絕緣層上的第三下絕緣層、第三導電層和第三上絕緣層，該第四屏蔽結構包括依次層疊在該第三上絕緣層上的第四下絕緣層、第四導電層和第四上絕緣層，且其中該第四屏蔽結構的邊緣暴露到該第三屏蔽結構的外側，該第三屏蔽結構的邊緣暴露到該第二屏蔽結構的外側。
3. 如權利要求2所述的前濾光片，其中該第-一、第二、第三和第四導電層的接地部分上，該第-別在該第一、第二、第三和第四屏蔽結構的邊緣處
4. 如權利要求2所述的前濾光片，其中該第-狀。
5. 如權利要求4所述的前濾光片，其中該第-綿體或臺階狀海綿體接地。
6. 如權利要求2所述的前濾光片，還包括在該第四屏蔽結構的第四上絕緣層上的顏色涂層。
7. 如權利要求6所述的前濾光片，其中該顏色涂層包括用于顏色校正、近紅外屏蔽或橙色波長吸收的著色物質。
8. 如權利要求2所述的前濾光片，還包括在該第四屏蔽結構上的抗反射層。
9 如權利要求1所述的前濾光片，還包括在該基板下面的粘合層。
10. 如權利要求1所述的前濾光片，其中該第一、第二、第三和第四導電層包括銀。
11. 如權利要求10所述的前濾光片，其中該第一、第二、第三和第四導電層每個具有約16nm或更小的厚度。
12. 如權利要求1所述的前濾光片，其中該第一上、第一下、第二上和第二下絕緣層包括氧化物或氮化物。
13. 如權利要求12所述的前濾光片，其中該屏蔽結構每個具有約50nm的厚度。
14. 一種用于顯示裝置的前濾光片，包括 、第二、第三和第四上絕緣層分別在該第、第二 、第三和第四導電層的接地部分分、第二、第三和第四屏蔽結構具有臺階形、第二、第三和第四屏蔽結構通過導電海基板；第一屏蔽結構，包括第一導電層，在該基板上，及第一絕緣層，在該第一導電層上；以及第二屏蔽結構，包括第二導電層，在該第一絕緣層上，及第二絕緣層，在該第二導電層上，其中該第一屏蔽結構的邊緣暴露于該第二屏蔽結構的外側。
15. 如權利要求14所述的前濾光片，其中該第一絕緣層覆蓋該第一導電層的位于該第 一屏蔽結構的所述邊緣處的接地部分。
16. —種制造用于顯示裝置的前濾光片的方法，該方法包括在基板上依次沉積第一下絕緣層、第一導電層和第一上絕緣層以形成第一屏蔽結構； 用第一粘合構件覆蓋該第一屏蔽結構的邊緣；在該第一屏蔽結構上依次沉積第二下絕緣層、第二導電層和第二上絕緣層以形成第二 屏蔽結構；以及從該第一屏蔽結構的邊緣去除該第一粘合構件。
17. 如權利要求16所述的方法，還包括 用第二粘合構件覆蓋該第二屏蔽結構的邊緣；在該第二屏蔽結構上依次沉積第三下絕緣層、第三導電層和第三上絕緣層以形成第三 屏蔽結構；以及從該第二屏蔽結構的邊緣去除該第二粘合構件。
18. 如權利要求16所述的方法，其中形成該第一和第二導電層的工藝包括濺射工藝。
全文摘要
本發明涉及顯示裝置的前濾光片及其制造方法，該前濾光片通過改善濾光片的屏蔽能力而改善了顯示裝置的質量。在一實施例中，該前濾光片包括基板、第一屏蔽結構和第二屏蔽結構。第一屏蔽結構包括在基板上的第一下絕緣層、在第一下絕緣層上的第一導電層和在第一導電層上的第一上絕緣層。第二屏蔽結構包括在第一上絕緣層上的第二下絕緣層、在第二下絕緣層上的第二導電層和在第二導電層上的第二上絕緣層。在該前濾光片中，第一屏蔽結構的邊緣暴露到第二屏蔽結構的外側。
文檔編號H01J17/49GK101750659SQ20091025267
公開日2010年6月23日 申請日期2009年12月3日 優先權日2008年12月5日
發明者呂宰英 申請人:三星Sdi株式會社