專利名稱：：電子發(fā)射器和圖像顯示裝置的制作方法
技術(shù)領域：
：本發(fā)明涉及電子發(fā)射器和使用電子發(fā)射器的圖像顯示裝置。
背景技術(shù)：
：存在諸如場發(fā)射電子發(fā)射器和表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射器的電子發(fā)射器。在現(xiàn)有的表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射器制造過程中，首先，在絕緣基板上設置一對電極。然后，通過導電膜使該對電極互連?？?across)電極施加電壓以在導電膜的一部分中形成第一間隙，該處理^f皮稱為"通電成形(energizationforming)"。在通電成形處理中，-使電流穿過導電膜以產(chǎn)生焦耳熱，并且焦耳熱被用于在導電膜4的一部分中形成第一間隙。作為通電成形處理的結(jié)果，形成彼此相對在它們之間具有第一間隙的一對導電膜。然后，施加稱為"激活"的處理。在激活處理中，在含碳氣體的氣氛中跨該對電極施加電壓。通過該處理，可在第一間隙內(nèi)的基板的表面上以及在第一間隙附近的導電膜上設置導電碳膜。由此，形成電子發(fā)射器。為了使電子發(fā)射器發(fā)射電子，對于電極中的一個施加較高的電勢，并且對于另一個施加較低的電勢。通過以這種方式跨電極施加電壓，在第二間隙中產(chǎn)生強的電場。結(jié)果，電子隧穿與低電勢電極連接并形成第二間隙的外緣的碳膜邊緣處的許多部分(多個電子發(fā)射部分)，并且，隧穿電子中的一些由此被發(fā)射。日本專利No.2627620、日本專利申請公開No.2002-352699和No.2004-055347公開了這樣的技術(shù)所述技術(shù)控制導電膜的形狀或?qū)щ娔し殖啥鄠€區(qū)段，由此使通電成形處理期間的第一間隙之間的變化、激活處理期間的電子發(fā)射部分中的放電擊穿、或驅(qū)動期間的由于離子轟擊導致的電子發(fā)射部分的破壞最小化?？赏ㄟ^以下步驟制造圖像顯示裝置在基板上布置多個上述的電子發(fā)射器以形成電子源，該基板與具有由熒光體材料制成的發(fā)光膜的另一基板相對，并且將基板之間的空間維持在真空下。近年的圖像顯示裝置需要能夠長時期以最小的亮度變化使顯示圖《象穩(wěn)定地顯示。因此，在具有其中布置多個電子發(fā)射器的電子源的圖像顯示裝置中，每一電子發(fā)射器需要長時期以最小的變化保持良好的性能。但是，當現(xiàn)有的表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射器被驅(qū)動時，如果導電膜4的薄層電阻(sheetresistance)低，那么出現(xiàn)電子發(fā)射的波動(電子發(fā)射電流短時間波動的現(xiàn)象)。如上所述，考慮到電子隧穿作為碳膜之一的邊緣的部分的、并形成間隙的外緣的許多部分。例如，當電極中的一個被驅(qū)動到比另一個高的電勢時，通過導電膜與所述另一個電極連接的碳膜用作發(fā)射器。結(jié)果，可能在形成第二間隙外緣的碳膜的邊緣處的區(qū)域中存在許多電子發(fā)射部分。即，考慮到沿第二間隙在與被施加低電勢的電極連接的碳膜的邊緣處存在許多電子發(fā)射部分，并且各(individual)電子發(fā)射部分以碳膜的電阻值電互連。因此，即使設置具有比碳膜的薄層電阻高的薄層電阻的導電膜，也由于布置在碳膜邊緣處的電子發(fā)射部分的互連的電阻而導致不能充分地使電子發(fā)射的波動最小化。因此，在其中布置許多電子發(fā)射器的電子源中，可能由于導電膜的低電阻或通過碳膜得到的電子發(fā)射部分之間的互連的電阻而導致電子發(fā)射波動。在使用上述的電子發(fā)射器的圖像顯示裝置中，有時出現(xiàn)可能由于上述電子發(fā)射波動導致的相鄰像素之間亮度變化和亮度的波動。因此，難以提供高分辨率和高圖像質(zhì)量的顯示圖像。
發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明的目的是，提供一種長時期以最小波動保持穩(wěn)定電子發(fā)射性能的電子發(fā)射器。本發(fā)明的另一目的是，提供一種通過使用長時期以最小波動保持穩(wěn)定電子發(fā)射性能的電子發(fā)射器而長時期表現(xiàn)出小波動的長壽命圖像顯示裝置。根據(jù)本發(fā)明，提供一種電子發(fā)射器，該電子發(fā)射器包括在絕緣基板上形成的至少一對電極和形成為使電極互連的多個導電膜，其中，導電膜中的每一個在電極之間具有間隙；電極之間的距離Ll和導電膜沿與電極彼此相對的方向正交的方向的寬度Wl滿足Wl/L1^0.18;并且導電膜的薄層電阻在lxl0l至lxl(fQ/口的范圍內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明，還提供一種電子發(fā)射器，該電子發(fā)射器包括在絕緣基板上形成的至少一對電極和形成為使電極互連的導電膜，其中，口，并且沿與電才及彼此相對的方向正交的方向在導電膜中的與開口相鄰的區(qū)域中具有間隙；電極之間的距離L2和與開口相鄰的導電膜沿與電極彼此相對的方向正交的方向的寬度W1滿足W1/L2《0.18;并且導電膜的薄層電阻在lxl(^至lxl(^Q/口的范圍內(nèi)。從參照附圖對示例性實施例的以下描述，本發(fā)明的進一步的特征將變得明顯。圖1A、圖1B和圖1C是示意性地示出^f艮據(jù)本發(fā)明的第一電子發(fā)射器的示例性配置的示圖。圖2A、圖2B和圖2C是示意性地示出用于制造圖1A、圖1B和圖1C所示的電子發(fā)射器的過程的示圖。圖3A、圖3B和圖3C是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的第二電子發(fā)射器的示例性配置的示圖。圖4A、圖4B和圖4C是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的第一電子發(fā)射器的另一示例性配置的示圖。圖5A、圖5B和圖5C是示出用于制造圖4A、圖4B和圖4C所示的電子發(fā)射器的過程的示意圖。5圖6是示出在根據(jù)本發(fā)明的電子發(fā)射器的成形處理期間施加的脈沖的例子的示意圖。圖7是示出在根據(jù)本發(fā)明的電子發(fā)射器的激活處理期間施加的脈沖的例子的示意圖。圖8是示出使用根據(jù)本發(fā)明的電子發(fā)射器的顯示板的配置的示意圖。圖9是本發(fā)明的例子1中的發(fā)射電流波動對于W1/L1的曲線圖。圖10是本發(fā)明的例子2中的發(fā)射電流對于導電膜的薄層電阻的曲線圖。圖11是本發(fā)明的例子5中的發(fā)射電流波動對于W1/(L3+L4)的曲線圖。圖12是本發(fā)明的例子6中的發(fā)射電流波動對于導電膜的薄層電阻的曲線圖。圖13A、圖13B、圖13C、圖13D和圖13E是示出根據(jù)本發(fā)明的例子7的電子'源的制造過程的示意性平面圖。具體實施例方式根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供一種電子發(fā)射器，該電子發(fā)射器包括在絕緣基板上形成的至少一對電極和形成為使電極互連的多個導電膜，其中，導電膜中的每一個在電極之間具有間隙；電極之間的距離Ll和導電膜沿與電極4皮此相對的方向正交的方向的寬度Wl滿足W1/L1S0.18;并且導電膜的薄層電阻在lxl(^至lxl(TQ/口的范圍內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供一種電子發(fā)射器，該電子發(fā)射器包括在絕緣基板上形成的至少一對電極和形成為使電極互連的導電膜，其中，導電膜沿與電極彼此相對的方向正交的方向在電極之間具有多個開口，并且沿與電極彼此相對的方向正交的方向在導電膜中的與開口相鄰的區(qū)域中具有間隙；電極之間的距離L2和與開口相鄰的導電膜沿與電極彼此相對的方向正交的方向的寬度Wl滿足Wl/L2幼.18;并且導電膜的薄層電阻在lxl(^至lxl(TQ/口的范圍內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明的第三方面，提供一種圖像顯示裝置，該圖像顯示裝置包括第一基板，其上設置多個根據(jù)本發(fā)明的電子發(fā)射器；和第二基板，其與第一基板相對，并且被照射從多個電子發(fā)射器發(fā)射的電子的圖像顯示構(gòu)件被設置在其上以面對電子發(fā)射器。根據(jù)本發(fā)明，可以長時期保持良好的電子發(fā)射性能。因此，可以提供能夠以最小化的亮度波動顯示高清晰度顯示圖像的圖像顯示裝置。以下將描述根據(jù)本發(fā)明的電子發(fā)射器和用于制造電子發(fā)射器的方法。但是，在以下的描述中給出的特定材料和數(shù)值僅是例示性的。在可實現(xiàn)本發(fā)明的目的和效果的范圍內(nèi)，可以使用適于本發(fā)明的應用的任何各種其它材料和數(shù)值。以下將描述根據(jù)本發(fā)明的電子發(fā)射器的各種實施例。(第一實施例)首先參照圖1A、圖1B和圖1C描述根據(jù)最典型的實施例的本發(fā)明的第一電子發(fā)射器的基本配置。圖1A是示出根據(jù)本實施例的典型配置的示意性平面圖；圖1B是沿圖1A中的線1B-1B獲取的配置的示意性橫截面圖；圖1C是沿圖1A中的線1B-1B獲取的配置的透視圖。如這里描述的那樣，X方向是電極2、3彼此相對的方向，Y方向是與X方向正交的方向，Z方向是基板1的法線方向。電極2和3被設置在絕緣基板1上，相互分開距離Ll。導電膜4a使電極2與碳膜6a互連。導電膜4b使電極3與碳膜6b互連。導電膜4a和4b彼此相對，在它們之間具有第一間隙5。碳膜6a和6b彼此相對，在它們之間具有第二間隙7。在一對電極2和3處設置多組的這種導電膜4a、碳膜6a、導電膜4b和碳膜6b。為了考慮到驅(qū)動器的成本使驅(qū)動電壓保持在小于或等于30V的值并防止由驅(qū)動期間的意外電壓變化導致的放電，在實際中間隙7的寬度被設為大于或等于lnm且小于或等于10nm的值。在圖1A、圖1B和圖1C中，碳膜6a和6b被示為兩個完全分開的膜。但是，由于間隙7如上面描述的那樣非常小，因此間隙7以及碳膜6a和6b可被統(tǒng)稱為"包含間隙的碳膜"。因此，本發(fā)明的電子發(fā)射器可被稱為當為了驅(qū)動電子發(fā)射器在包含間隙的碳膜的一端和另一端之間施加電壓時發(fā)射電子的電子發(fā)射器。碳膜6a和6b可以在非常小的區(qū)域中相互結(jié)合(unite)。如果該區(qū)域非常小，那么由于該區(qū)域?qū)⒕哂懈唠娮璨⒁虼讼拗圃搮^(qū)域?qū)τ陔娮影l(fā)射性能的影響，因此這是容許的。這種碳膜6a和6b部分結(jié)合的實施方式可被稱為"包含間隙的碳膜"。圖1A的例子中的間隙7是直線(linear)形狀的。雖然間隙7優(yōu)選是直線形狀的，但是間隙7的形狀不限于直線形狀。該間隙可具有諸如以一定的周期性彎曲的形狀、弧形形狀、或弧形和直線的組合的任何形狀。間隙7由彼此相對的碳膜6a的邊緣(外緣)和碳膜6b的邊緣(外緣)形成。例如，當為了驅(qū)動電子發(fā)射器(以導致電子發(fā)射)向電極3施加比向電極2施加的電勢高的電勢時，可能在形成間隙7的外緣的碳膜6a的邊緣的一部分中存在許多的電子發(fā)射部分。與電極2連接的碳膜6a可被視為用作發(fā)射器。即，可能在形成間隙7的外緣的碳膜6a的邊緣的一部分中存在許多的電子發(fā)射部分?？赏ㄟ^對于導電膜應用諸如FIB(聚焦離子束)方法的各種納米級高精度處理方法中的任一種來形成間隙7。因此，本發(fā)明的電子發(fā)射器的間隙7不限于通過后面將描述的"通電成形"處理和"激活"處理形成的間隙7。間隙7可以為將多個導電膜相互電隔離的任何間隙。沿Y方向彼此相鄰的碳膜6a、6b在電學上是相互獨立的。類似地，沿Y方向彼此相鄰的導電膜4a、4b在電學上是相互獨立的。在沒有形成多個碳膜6a、6b和導電膜4a、4b的區(qū)域中，以與膜中的每一個相接觸的形式形成激活抑制層(未示出)。如果通過后面將描述的激活處理形成存在許多電子發(fā)射部分的間隙7，那么優(yōu)選設置激活抑制層。這是因為，如果基板1主要由激活促進(accelerating)材料(Si02)組成，那么，在沒有激活抑制層的情況下，碳膜6a、6b將被沉積在基板1上的寬的區(qū)域之上，并且相鄰的導電膜將變得電短路。如果通過對于導電膜應用各種納米級高精度處理方法中的任一種(諸如FIB)來形成間隙7，即，不使用激活處理，那么激活抑制層可-皮省略。利用上述的配置，可以使電子發(fā)射的波動最小化。導電膜4a、4b可由諸如金屬或半導體的導電材料制成。例如，諸如Pd、Ni、Cr、Au、Ag、Mo、W、Pt、Ti、Al、Cu或Pd的金屬，或任何這些金屬的氧化物，或任何這些金屬的合金，或碳。為了實現(xiàn)作為本發(fā)明效果的電子發(fā)射波動的最小化，導電膜4a、4b形成為具有處于lxl(^至lxl(^Q/口的范圍中的薄層電阻值Rs。表現(xiàn)出該范圍中的電阻值的膜的厚度優(yōu)選為大于或等于5nm且小于或等于100nm。薄層電阻Rs是在等式R-Rs(l/w)中出現(xiàn)的值，這里，R是沿膜的長度方向測量的具有厚度t、寬度w和長度l的膜的電阻，并且，Rs=p/t，這里，p是膜的比電阻(specificresistance)。其上形成導電膜4a、4b的區(qū)域的寬度W3優(yōu)選比電極2、3的寬度W2小(參見圖1A)。根據(jù)電子發(fā)射器的應用，適當?shù)卦O計沿電極2和3彼此相對的方向(X方向)的距離Ll和每一電極的膜厚。例如，如果電子發(fā)射器要被用于諸如電視顯示器的圖像顯示裝置中，那么根據(jù)電視顯示器的分辨率設計距離Ll和厚度。特別地，由于高清晰度(HD)電視顯示器需要有高的分辨率，因此所述顯示器的像素尺寸需要是小的。因此，設計距離Ll和膜厚，使得以有限的電子發(fā)射器尺寸獲得足夠的發(fā)射電流Ie以提供足夠的亮度。在本發(fā)明中，為了使電子發(fā)射的波動最小化，使得電極2和3之間的距離Ll與導電膜沿與電極彼此相對的方向正交的方向(Y方向)的寬度Wl之間的關系滿足W1/L1S0.18。電極2和3之間的實際距離Ll被設為大于或等于50nm且小于或等于200|iim、優(yōu)選大于或等于1pm且小于或等于100pm的值。因此，每一導電膜4a、4b的最小寬度Wl優(yōu)選為大于或等于9nm且小于或等于36nm。在實際中，電極2、3的膜厚為大于或等于100nm且小于或等于10|Lim?；錶可由硅石(silica)玻璃、鈉鉀(sodalime)玻璃、其上沉積氧化硅(典型為Si02)的玻璃基板、或包含少量的堿成分的玻璃基板制成。電極2、3可由諸如金屬或半導體的導電材料制成。例如，電極2、3可由諸如Ni、Cr、Au、Mo、W、Pt、Ti、Al、Cu或Pd的金屬或合金，或諸如Pd、Ag、Au、Ru02或Pd-Ag的金屬或金屬氧化物制成o激活抑制層優(yōu)選由金屬或半導體的氧化物或氮化物、或這些材料的混合物制成。例如，激活抑制層可由W、Ti、Ni、Co、Cu或Ge的氧化物，或Si、Al或Ge的氮化物，或這些材料的混合物制成。為了防止電極2、3的短路和驅(qū)動期間的泄漏電流，激活抑制層的實際薄層電阻優(yōu)選大于或等于lxl04Q/d。不規(guī)定該薄層電阻的上限。但是，如果當在圖像顯示裝置中使用電子發(fā)射器時希望使得激活抑制層還能夠用作抗靜電膜，那么薄層電阻優(yōu)選小于或等于lxl0"n/口。優(yōu)選僅在不形成導電膜4a、4b的區(qū)域中形成激活抑制層。但是，如果由于隨后的成形和激活處理期間的熱使得激活抑制層至少從間隙5及其附近消失或凝聚離散，那么可在形成間隙5之前在導電膜上形成激活抑制層。(第二實施例)將參照圖3A、圖3B和圖3C描述才艮據(jù)本發(fā)明的第二電子發(fā)射器的實施例的基本配置。圖3A是示出該實施例的配置的示意性平面圖；圖3B是沿圖3A中的線3B-3B獲取的配置的示意性橫截面圖；圖3C是沿圖3A中的線3B-3B獲取的配置的透視圖。圖3A、圖3B和圖3C中的與在圖1A、圖1B和圖1C中使用的組件相同的組件由相同的參考數(shù)字和符號標示，并且將省略其描述。雖然在第一實施例中設置多個電獨立的導電膜4a、4b，但是，在第二實施例中，在電極之間，在相連(contiguous)的導電膜4a、4b中設置多個開口。沿與電極2、3彼此相對的方向平行的方向(X方向)在電極2、3之間設置多個這種開口。以滿足Wl/L2幼.18的方式形成開口，這里，L2是導電膜4a、4b的沿Y方向與開口相鄰的區(qū)域的沿X方向的長度L2，Wl是該區(qū)域的寬度。在導電膜4a、4b的沿Y方向與開口相鄰的區(qū)域中形成間隙7。(第三實施例)如在日本專利申請公開No.2001-143606中公開的那樣，已提出垂直表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射器。本發(fā)明也可適用于這些電子發(fā)射器。圖4A、圖4B和圖4C示出本發(fā)明被應用于垂直表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射器的例子。圖4A是示出該例子的典型配置的示意性平面圖；圖4B是沿圖4A中的線4B-4B荻取的配置的示意性橫截面圖；圖4C是沿圖4A中的線4B-4B獲取的配置的透視圖。圖4A、圖4B和圖4C中的與在圖1A、圖1B和圖1C中使用的組件相同的組件由相同的參考數(shù)字和符號標示，并且將省略其描述。在圖4A、圖4B和圖4C所示的例子的電子發(fā)射器中，針對第一實施例已描述的電子發(fā)射器的碳膜6a、6b彼此相對的方向與基板1的表面相交(優(yōu)選基本上垂直)。在示出的例子中，其上設置第二間隙7的多層體(multilayer)的側(cè)面基本上與基板l的表面垂直。在第一實施例中，碳膜6a和6b彼此相對的方向沿著基板1的平面方向(X方向)。但是，為了改善電子發(fā)射效率(T|)的利益，希望碳膜6a和6b彼此相對的方向與基板l的表面垂直(Z方向)。在本發(fā)明的電子發(fā)射器中，在驅(qū)動期間，陽極電極被設置在沿Z方向距基板1的平面的一距離處。因此，可通過沿陽極電極的方向使碳膜6a和6b彼此相對來提高電子發(fā)射效率11。電子發(fā)射效率il是表示為Ie/If的值，這里Ie是電子發(fā)射量，If是元件電流。這里，電子發(fā)射量Ie是流入陽極電極的電流的量，元件電流If可被定義為跨電極2和3流動的電流。但是，本例子中的多層體的側(cè)面不限于與基板l的表面垂直的方向。在實際中，多層體的側(cè)面的角度相對于基板l的表面優(yōu)選被設為大于或等于30度且小于或等于卯度的值。在本例子中的電子發(fā)射器的驅(qū)動期間，電極3的電勢被設為比電極2的電勢高的值。因此，如關于第一實施例描述的那樣，在驅(qū)動期間，與電極2連接的碳膜6a用作電子發(fā)射器。如圖4B和圖4C所示，其中設置間隙7的多層體包含激活促進層11和具有比激活促進層11高的熱導率的高熱導層10。對于在通電成形處理期間在預定的位置(激活促進層11中的位置)中形成第一間隙5來說，這是希望的結(jié)構(gòu)。本例子中的電極2和3之間的距離Ll等于從電極3到高熱導層IO的距離L3與基板1和電極2之間的距離L4的和。以長度L1和導電膜4a、4b的寬度Wl滿足關系Wl/(L3+L4)的方式形成電極2和3。以下將通過例子關于第一實施例的電子發(fā)射器詳細描述根據(jù)本發(fā)明的電子發(fā)射器的制造方法。圖2A、圖2B和圖2C示出制造過程，并且是與圖1C對應的透視圖。例如，可通過遵循以下給出的步驟1至5執(zhí)行根據(jù)本發(fā)明的制造方法。(步驟l)充分清潔基板1，并且通過諸如真空蒸發(fā)或濺射的方法沉積電極2、3的材料。然后，使用諸如光刻的技術(shù)以執(zhí)行構(gòu)圖，從而在基板l上設置電極2、3(圖2A)。電極2、3的材料和膜厚以及距離(Ll)和寬度(W2)可以為適當選擇的以上給出的材料和值中的任一個。(步驟2)然后，形成使設置在基板1上的電極2和3互連的多個導電膜4(圖2B)。導電膜4可例如如下形成。首先，涂敷有機金屬溶液并使其變干，以形成有機金屬膜。該有機金屬膜被加熱和烘焙，以形成金屬膜或諸如金屬氧化物膜的金屬化合物膜。然后，通過諸如剝離或蝕刻的處理對該膜進行構(gòu)圖，以提供預定圖案的導電膜4。導電膜4可由諸如金屬或半導體的導電材料制成。例如，導電膜4可由卞者如Ni、O、Au、Mo、W、Pt、Ti、Al、Cu或Pd的金屬，或金屬化合物(合金或金屬氧化物)制成。雖然在本例子中涂敷有機金屬溶液，但是導電膜4形成方法不限于此。例如，可通過諸如真空蒸發(fā)、濺射、CVD、分散、浸漬(dipping)、旋涂或噴墨方法的已知方法形成導電膜4。形成導電膜4，使得薄層電阻Rs在lx102Q/口至lx107Q/口的范圍內(nèi)。步驟1和2可被互換。(步驟3)然后，在其上已經(jīng)以預定的圖案對導電膜4進行構(gòu)圖的基板1上形成激活抑制層(未示出)如已描述的那樣，激活抑制層優(yōu)選由金屬或半導體的氧化物或氮化物、或它們的混合物制成。例如，激活抑制層可由W、Ti、Ni、Co、Cu或Ge的氧化物，或Si、Al或Ge的氮化物，或這些材料的混合物制成。用于形成激活抑制層的方法不限于特定的方法。例如，可通過諸如真空蒸發(fā)、濺射、CVD、分散、浸潰、旋涂或噴墨方法的已知方法形成激活抑制層。(步驟4)然后，在導電膜4中形成第一間隙5(圖2C)?？赏ㄟ^EB平版印刷(lithography)通過4吏用構(gòu)圖方法形成間隙5。作為替代方案，可對于導電膜4中的要形成間隙5的位置施加FIB(聚焦離子束)，由此在導電膜4中的預定位置中提供間隙5。當然，可通過已知的"通電成形"處理通過使電流穿過導電膜4而在導電膜4的一部分中提供間隙5。特別地，可通過在電極2和3之間施加電壓而使電流穿過導電膜4。作為步驟4的結(jié)果，導電膜4a和4b被設置為沿X方向彼此相對，13在它們之間具有第一間隙5。導電膜4a和4b可以在小部分中相互結(jié)合。(步驟5)然后，施加激活處理。例如可通過在被引入真空系統(tǒng)中的含碳氣體的氣氛中跨電極2和3施加雙極脈沖電壓多次來實現(xiàn)激活處理。即，跨導電膜4a和4b施加雙極脈沖電壓多次。作為所述處理的結(jié)果，可從所述氣氛中的含碳氣體在基板l上設置碳膜6a和6b。特別地，碳膜6a和6b被沉積于導電膜4a和4b之間的基板l上以及附近的導電膜4a和4b上。即，碳膜6a和6b被設置為在它們之間具有間隙7。所述含碳氣體可以為有機材料氣體。所述有機材料可以為諸如烷烴、烯烴或炔烴的脂肪族烴，芳族烴，醇，醛，酮，胺，或諸如酚、香芽酮或磺酸的有機酸。特別地，所述有機材料可以為諸如甲烷、乙烷或丙烷的由組成式CJI^+2表示的飽和烴、或諸如乙烯或丙烯的由組成式CnH^表示的不飽和烴。作為替代方案，所述有機材料可以為苯、甲苯、曱醇、乙醇、甲醛、乙醛、丙酮、甲基乙基酮、甲胺、乙胺、酚、甲酸、乙酸或丙酸。優(yōu)選使用甲苯腈(tolunitrile)。通過步驟1至5，可以制造圖1A、圖1B和圖1C所示的電子發(fā)射器。在制造的電子發(fā)射器被驅(qū)動之前(如果電子發(fā)射器被用于圖像顯示裝置中，那么在向圖像形成構(gòu)件施加電子束之前)，電子發(fā)射器優(yōu)選經(jīng)受在真空中加熱電子發(fā)射器的"穩(wěn)定化，，處理。希望執(zhí)行穩(wěn)定化處理，以去除在上述激活處理或其它處理期間附著到基板1的表面或其它地方的過量的碳和有機材料。特別地，希望排出真空系統(tǒng)內(nèi)的過量的碳和有機材料。希望真空系統(tǒng)內(nèi)的有機材料被去除到最少。有機材料優(yōu)選被降低到小于或等于lxlO-8Pa的分壓。除了有機材料以外還包含其它材料的真空室中的全部氣體的壓力優(yōu)選小于或等于3xl(T6Pa。希望用于上述穩(wěn)定化處理的氣氛被維持，并被用于隨后驅(qū)動電子發(fā)射器。但是，用于驅(qū)動電子發(fā)射器的氣氛不限于此。即使壓力有些升高，也可通過充分地減少有機材料的量來保持足夠穩(wěn)定的性能。作為上述處理的結(jié)果，可形成根據(jù)本發(fā)明的電子發(fā)射器。例如可如下面描述的那樣制造圖4A、圖4B和圖4C所示的電子發(fā)射器。將參照圖5A、圖5B和圖5C描述該例子。在步驟1中描述的基板1上依次形成高熱導層10的材料層和激活促進層11的材料層?？赏ㄟ^諸如真空蒸發(fā)、、濺射或CVD的方法在基板1上沉積這些層。然后，通過諸如真空蒸發(fā)、濺射或CVD的方法在激活促進層11的材料層上沉積電極2、3的材料層。激活促進層11的材料優(yōu)選為Si02。選擇具有比激活促進層11高的熱導率的材料作為高熱導層10的材料。特別地，高熱導層10可以由氮化硅、氧化鋁、氮化鋁、鉭的五氧化物、或氧化鈦制成。然后，使用諸如光刻的已知構(gòu)圖方法，以在基板l的表面的一部分上形成臺階(step)形狀的多層體。然后，在基板1上形成電極3(圖5A)。以與步驟2中描述的相同的方式，以導電膜4覆蓋多層體的側(cè)面并且使電極2和3互連的方式形成導電膜4(圖5B)。執(zhí)行與上述的步驟3和4相同的步驟，以形成導電膜4a、4b(圖5C)。最后，執(zhí)行上述的步驟5，以完成圖4A、圖4B和圖4C所示的電子發(fā)射器。上述的電子發(fā)射器的制造方法僅是例示性的。上述的第一到第三實施例不限于通過這些制造方法制造的電子發(fā)射器。以下將描述在第一到第三實施例中給出的電子發(fā)射器的示例性應用。通過在基板上布置本發(fā)明的多個電子發(fā)射器而形成電子源。電子源可被用于制造諸如平板電視顯示器的圖像顯示裝置。特別地，其上布置本發(fā)明的多個電子發(fā)射器的第一基板與其上設置面對電子發(fā)射器并被從電子發(fā)射器發(fā)射的電子照射的圖像顯示構(gòu)件的第二基板相對。例如，可以以矩陣來布置基板上的電子發(fā)射器。將參照圖8描述使用其上以上述的矩陣布置電子發(fā)射器的電子源基板的電子源和圖像顯示裝置的例子。圖8是示出構(gòu)成圖像顯示裝置的顯示板的基本配置的剖視圖。在圖8中，在電子源基板(后板或第一基板)31上以矩陣布置本發(fā)明的多個電子發(fā)射器34。前板(faceplate)(第二基板)46包含由諸如玻璃的材料制成并具有在其內(nèi)表面中形成的熒光體涂層44和金屬背(metalback)45的透明基板43。在前板46和后板31之間設置支撐框架42。后板31、支撐框架42和前板46利用施加到它們之間的接合部的諸如燒結(jié)玻璃(fritglass)或銦的粘接劑被緊緊地彼此固定(affix)。得到的密封結(jié)構(gòu)形成外殼(enclosure)?？梢愿鶕?jù)需要在前板46和后板31之間設置未示出的稱為間隔件的支撐元件，以形成對于大氣壓力具有充分的強度的外殼。外殼中的電子發(fā)射器34與X方向互連線32和Y方向互連線33連接。因此，通過與電子發(fā)射器34連接的端子Dxl至Dxm和Dyl至Dyn中的任意端子向希望的電子發(fā)射器34施加電壓，可導致電子發(fā)射器34發(fā)射電子。在這樣做時，通過高電壓端子47向金屬背45施加大于或等于5kV且小于或等于30kV、優(yōu)選大于或等于10kV且小于或等于25kV的電壓。該電壓導致從選擇的電子發(fā)射器發(fā)射的電子穿過金屬背45，并撞擊熒光體涂層44。這激發(fā)熒光體52并導致其發(fā)光，由此顯示圖像。例子將針對例子進一步詳細描述本發(fā)明。(例子l)在例子1中，通過遵循圖2A、圖2B和圖2C所示的過程來制造針對第一實施例描述的電子發(fā)射器。例子1中的電子發(fā)射器的配置與圖1A、圖1B和圖1C中所示的電子發(fā)射器的配置相同。(步驟-a)首先，使用濺射，以在清潔過的石英基板l上沉積5nm厚的Ti，并然后在Ti上沉積40nm厚的Pt。然后，使用光刻，以通過構(gòu)圖在16基板1上形成電極2、3。形成9個這種元件的兩組。一組中的每一元件中的電極2和3之間的距離Ll為20)im，另一組中的每一元件中的電極2和3之間的距離為100pm。每一電極2、3的寬度W2(參見圖1A)為500pm(圖2A)。(步驟-b)然后，通過旋涂對于每一基板1涂敷有機鈀化合物溶液，并然后施加加熱和烘焙。結(jié)果，形成包含Pd作為主要成分的導電膜4。然后，通過用步進機(stepper)光刻對導電膜4進行構(gòu)圖，以形成多個電獨立的導電膜4，從而使電極2和3互連(圖2B)。對于在步驟-a中形成的兩組中的每一組中的9個元件使用不同的條件，使得獨立的導電膜4具有200nm、1|im、3|im、3.6(xm、4(Jin、18拜、20|im、60(xm和180jam的不同寬度Wl。鄰近的導電膜4之間的距離W4與寬度Wl相等。在所有的元件中，導電膜4的總凈寬W3為180jam。因此，每一電子發(fā)射器的獨立的導電膜的數(shù)量為180/(2xWl)。形成的導電膜4具有l(wèi)xl(^Q/口的薄層電阻Rs且為10nm厚。(步驟-c)然后，在每一基板l上形成W(鵠)和GeN(氮化鍺)的混合物的層作為激活抑制層。形成的混合物層為10nm厚且具有2xl(TQ/口的薄層電阻Rs。(步驟-d)將每一基板1放在真空系統(tǒng)中，并且用真空泵對真空系統(tǒng)抽真空，直到系統(tǒng)內(nèi)的真空度達到lxlO"Pa。然后，跨電極2和3施加電壓Vf，并且執(zhí)行成形處理以在導電膜4中形成間隙5，由此形成導電膜4a、4b(圖2C)。在圖6中示出成形處理中的電壓波形。在該例子中，圖6中的Tl為1msec,T2為16.7msec。以0.1V的步幅增加三角波的峰值以執(zhí)行成形處理。在成形處理期間，在電極2和3之間間歇地施加O.lV的電壓的電阻測量脈沖以測量電阻。當用電阻測量l^沖測量的值達到約1MQ或更大時，成形處理結(jié)束。(步驟-e)接下去，執(zhí)行激活處理。特別地，在真空系統(tǒng)中引入甲苯腈。然后，以土20V的最大電壓、1msec的時間Tl和10msec的時間T2在電極2和3之間施加具有圖7所示的波形的脈沖電壓。在開始激活處理之后，進行檢查以確保元件電流If開始逐漸增加。然后，停止電壓的施加以結(jié)束激活處理。結(jié)果，形成碳膜6a和6b。這樣，形成電子發(fā)射器。(步驟-f)然后，對于每一電子發(fā)射器施加穩(wěn)定化處理。特別地，在對真空系統(tǒng)抽真空的同時，真空系統(tǒng)和電子發(fā)射器被加熱器加熱并被維持在約250。C。在經(jīng)過20個小時之后，停止加熱器的加熱以將真空系統(tǒng)內(nèi)的溫度降低到室溫，此時真空系統(tǒng)內(nèi)的壓力約為lxlO-8Pa。然后，以實用的(practical)方式驅(qū)動每一電子發(fā)射器，并且長時期測量發(fā)射電流Ie。在實用的驅(qū)動中，陽極電極和電子發(fā)射器之間的多巨離H為2mm。從高電壓源對陽極電極施加5kV的電勢，并且在每一電子發(fā)射器的電極2和3之間施加具有17V的峰值、100|is的脈沖寬度和60Hz的頻率的矩形脈沖電壓。測量本實施例的每一電子發(fā)射器的發(fā)射電流Ie。以相同的時間間隔多次測量所有電子發(fā)射器的發(fā)射電流Ie的波動。通過計算多個測量數(shù)據(jù)的(標準偏差/平均值x100(%))，獲得發(fā)射電流Ie的波動值。下面的表l示出電子發(fā)射器的發(fā)射電流Ie的波動值。圖9示出發(fā)射電流Ie的波動和W1/L1之間的關系的曲線圖。<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>從表1和圖9可以看出，在W1/L1為0.18的點處，發(fā)射電流Ie波動值開始減小。在測量發(fā)射電流Ie之后，在掃描電子顯微鏡下觀察每一電子發(fā)射器。在所有的電子發(fā)射器中，觀察未顯示相鄰的導電膜4a和4b之間的由碳膜6a、6b導致的短路。(例子2)在例子2中，改變關于第一實施例描述的電子發(fā)射器中的導電膜4的薄層電阻Rs。例子2的電子發(fā)射器的基本配置與圖1A、圖1B和圖1C中的相同。(步驟-a)以與例子1的步驟-a中相同的方式形成5個元件。電極2和3之間的距離Ll為20jam，每一電極2、3的寬度W2(見圖1A)為500pm(圖2A)。(步驟-b)然后，通過旋涂對于每一基板1涂敷有機鈀化合物溶液，并施加加熱和烘焙。調(diào)整有機鈀化合物溶液的濃度和涂敷期間的旋轉(zhuǎn)次數(shù)，以在兩個基板中的一個上形成具有10nm的厚度的膜，并在另一個上形成具有100nm的厚度的膜。在形成之后，10nm和100nm厚的導電膜4的薄層電阻Rs分別為lxl()4Q/口和1x1()3Q/口。通過使用濺射，薄ITO(包含95wt。/。的ln203和5wt。/。的Sn02)膜在經(jīng)過步驟-a的另外兩個基板中的一個上形成為20nm的厚度，并在另一個上形成為100nm的厚度。形成的20nm和100nm厚的導電膜4的薄層電阻Rs分別為100C2/口和25Q/口。通過電子束蒸發(fā)，在經(jīng)過步驟-a的剩下的基板1上形成100nm厚的薄Au膜。形成的導電膜4的薄層電阻Rs為0.8Q/口。因此，在各基板上形成具有不同的薄層電阻Rs的導電膜4。然后，通過用步進機光刻對導電膜4進行構(gòu)圖，以形成多個電獨立的導電膜4，從而使電極2和3互連(圖2B)。在具有不同的導電膜4薄層電阻Rs的5個元件中的每一個上形成寬度Wl為1pm的獨立的導電膜4(W1/L1-0.05)。相鄰的導電膜4之間的距離W4為lpm。導電膜4的總凈寬W3為100^un。因此，獨立的導電膜4的數(shù)量為100jum/(2xljam)=50。對于經(jīng)過步驟-b的每一基板1應用與關于例子1描述的步驟-c至步驟-f相同的步驟，以完成電子發(fā)射器。如在例子l中那樣，測量例子2的電子發(fā)射器的發(fā)射電流Ie。以相同的時間間隔多次測量所有電子發(fā)射器的發(fā)射電流Ie的波動。通過計算多個測量數(shù)據(jù)的(標準偏差/平均值x100(%)),獲得發(fā)射電流Ie的波動值。下面的表2示出電子發(fā)射器的發(fā)射電流Ie的波動值。圖10示出發(fā)射電流Ie的波動和導電膜4的薄層電阻Rs之間的關系的曲線圖。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>從表2和圖10可以看出，在導電膜4的薄層電阻Rs等于或大于100Q/口的情況下，發(fā)射電流Ie值減小。在測量發(fā)射電流Ie之后，在掃描電子顯微鏡下觀察每一電子發(fā)射器。在所有的電子發(fā)射器中，觀察未顯示相鄰的導電膜4a和4b之間的由碳膜6a、6b導致的短路。(例子3)在例子3中，制造了關于第二實施例描述的電子發(fā)射器。例子3的電子發(fā)射器的配置與圖3A、圖3B和圖3C中的相同。(步驟-a)以與例子1的步驟-a中相同的方式形成兩組的9個元件。一組中的每一元件中的電極2和3之間的距離Ll為40fxm，另一組中的每一元件中的電極2和3之間的距離為120jum。每一電極2、3的寬度W2為500拜。(步驟-b)然后，通過旋涂對于每一基板1涂敷有機鈀化合物溶液，并施加加熱和烘焙。結(jié)果，形成包含Pd作為主要成分的導電膜4。然后，通過用步進機光刻對導電膜4進行構(gòu)圖，從而以使電極2和3互連的方式形成具有多個開口的導電膜4。沿X方向的開口之間的導電膜4的長度L2對于電極2和3之間的距離Ll為40pm的元件裙沒為20pm，并且對于Ll為120pm的元件被z沒為100|im。對于具有長度L2的兩組中的每一組中的9個元件使用不同的條件，4吏得開口之間的導電膜4具有200nm、1nm、3pm、3.6|mn、4jim、18|im、20pm、60pm和180fim的不同的寬度Wl。鄰近的導電膜4之間的距離W4與寬度Wl相等。在所有的元件中，導電膜4的總凈寬W3為180pm。因此，每一電子發(fā)射器的導電膜4(每一個在開口之間)的數(shù)量為180/(2xWl)。形成的導電膜4具有l(wèi)xl(^Q/口的薄層電阻Rs且為10nm厚。對于經(jīng)過步驟-b的基板1應用與關于例子1描述的步驟-c至步驟-f相同的步驟，以完成電子發(fā)射器。如在例子l中那樣，測量例子3的電子發(fā)射器的發(fā)射電流Ie。以相同的時間間隔多次測量所有電子發(fā)射器的發(fā)射電流Ie的波動。通過計算多個測量數(shù)據(jù)的(標準偏差/平均值x100(%)),獲得發(fā)射電流Ie的波動值。測量結(jié)果大致與例子1的測量結(jié)果相同。(例子4)在例子4中，改變關于第二實施例描述的電子發(fā)射器中的導電膜4的薄層電阻Rs。例子4的電子發(fā)射器的基本配置與圖3A、圖3B和圖3C中的相同。(步驟-a)以與例子1的步驟-a中相同的方式形成5個元件。電極2和3之間的距離Ll為40pm，每一電極2、3的寬度W2(見圖3A)為500nm。(步驟-b)然后，通過旋涂對于經(jīng)過步驟-a的基板l中的兩個涂敷有機鈀化合物溶液，并執(zhí)行加熱和烘焙。調(diào)整有機鈀化合物溶液的濃度和涂敷期間的旋轉(zhuǎn)次數(shù)，以在兩個基板中的一個上形成具有10nm的厚度的膜，并在另一個上形成具有100nm的厚度的膜。在形成之后，10nm和100nm厚的導電膜4的薄層電阻Rs分別為lx104n/口和lx103朗。通過使用濺射，薄ITO(包含95wt。/o的111203和5wt。/。的Sn02)膜形成在經(jīng)過步驟-a的另外兩個基板l中的每一個上，在一個基板上形成為20nm的厚度，并在另一個上形成為100nm的厚度。形成的20nm和100nm厚的導電膜4的薄層電阻Rs分別為100f2/口和25朗。通過電子束蒸發(fā)，在經(jīng)過步驟-a的剩下的基板1上形成100nm厚的薄Au膜。形成的導電膜4的薄層電阻Rs為0.8Q/口。因此，在各基板上形成具有不同的薄層電阻Rs的導電膜4。然后，通過用步進機光刻對導電膜4進行構(gòu)圖，從而如圖3A所示的那樣以使電極2和3互連的方式形成具有多個開口的導電膜4。沿X方向的開口之間的導電膜4的長度L2被設為20ium。在具有不同的導電膜4薄層電阻Rs的5個元件中的每一個上形成寬度Wl為1pm的開口之間的導電膜4(W1/L2-0.05)。相鄰的導電膜4之間的距離W4為lnm。導電膜4的總凈寬W3為100^m。因此，每一元件的導電膜4(每一個在開口之間)的數(shù)量為100pm/(2xl拜)-50。對于經(jīng)過步驟-b的基板1應用與關于例子1描述的步驟-c至步驟-f相同的步驟，以完成電子發(fā)射器。如在例子l中那樣，測量例子4的電子發(fā)射器的發(fā)射電流Ie。以相同的時間間隔多次測量所有電子發(fā)射器的發(fā)射電流Ie的波動。通過計算多個測量數(shù)據(jù)的(標準偏差/平均值x100(%))，獲得發(fā)射電流Ie的波動值。測量結(jié)果大致與例子2的測量結(jié)果相同。(例子5)在例子5中，通過遵循圖5A、圖5B和圖5C中的過程制造了關于第三實施例描述的電子發(fā)射器。例子5的電子發(fā)射器的配置與圖4A、圖4B和圖4C中的相同。(步驟-a)首先，提供18個清潔過的石英基板。然后，在基板l中的每一個上沉積Si3JNU作為高熱導層10的材料。通過等離子體CVD形成Si3N4的層。同時，在用于測量熱導率的另一基板上沉積相同的材料，并且在室溫下測量基板的熱導率，并且發(fā)現(xiàn)該熱導率為25W/m.K。然后，在所有的基板1上通過等離子體CVD沉積氧化硅(Si02)作為激活促進層11的材料。同時，在用于測量熱導率的另一基板上沉積Si02，并且在室溫下測量基板的熱導率，并且發(fā)現(xiàn)該熱導率為1.4W/m.K。在激活促進層11上，沉積厚度分別為5nm和40nm的Ti和Pt作為電極2的材料。然后，執(zhí)行光致抗蝕劑的旋涂以及掩模圖案的曝光和顯影。執(zhí)行干蝕刻，以形成包含高熱導層IO和激活促進層11的多層體，并在多層體上形成電極2。然后，剝?nèi)ス庵驴刮g劑，并再次執(zhí)行光致抗蝕劑的旋涂以及掩模圖案的曝光和顯影，以形成具有與電極3的圖案對應的開口的光致抗蝕劑。然后，依次在開口中沉積厚度為5nm的Ti和厚度為40nm的Pt。然后剝離光致抗蝕劑，以完成電極3(圖5A)。電極3和2的寬度W2為500iam。高熱導層10為500nm厚，并且激活促進層11為50nm厚。因此，L4為550nm。制造了兩組的9個基板1。一組中的每一基板1中的電極2和3之間的距離(L3+L4)為20nm，另一組中的為100nm。(步驟-b)然后，通過旋涂對于經(jīng)過步驟-a的每一基板1涂敷有機鈀化合物溶液，并施加加熱和烘焙。結(jié)果，形成包含Pd作為主要成分的導電膜4。然后，通過用步進機光刻對導電膜4進行構(gòu)圖，以形成多個電獨立的導電膜4，從而使電極2和3互連(圖5B)。對于在步驟-a中形成的兩組中的每一組中的9個元件使用不同的條件，使得獨立的導電膜4具有200腿、1拜、3拜、3.6拜、4fxm、18jLim、20jnm、60nm和180jim的不同的寬度Wl。鄰近的導電膜4之間的距離W4與寬度Wl相等。在所有的元件中，導電膜4的總凈寬W3為180pm。因此，每一電子發(fā)射器的獨立的導電膜的數(shù)量為180/(2xWl)。形成的導電膜4具有l(wèi)xlO"Q/口的薄層電阻Rs且為10nm厚。然后，執(zhí)行與步驟-c至步驟-f相同的步驟，以完成電子發(fā)射器。如在例子l中那樣，測量本實施例的電子發(fā)射器的發(fā)射電流Ie。以相同的時間間隔多次測量所有電子發(fā)射器的發(fā)射電流Ie的波動。通過計算多個測量數(shù)據(jù)的(標準偏差/平均值x100(%))，獲得發(fā)射電流Ie的波動值。下面的表3示出電子發(fā)射器的發(fā)射電流Ie的波動值。圖ll示出發(fā)射電流Ie的波動和W1/(L3+L4)之間的關系的曲線圖。表3L3+"WlWl/L3+L4Ie波動200腿0.014.3%1pm0.055.4%3jnm0.156.1%3.6pm0.186.5%20^un4ftm0.26.8%18]Lim0.96.8%20]Lim工6.7%60]Lim36.9%180,96.8%200腿0.0024.1%1pm0.014.3%3jam0.034.9%3.6jtm0.0365.0%100拜4Jim0.045.3%18jum0.186.4%20]Lim0.26.9%60,0.66.8%180pm1.86.9%25從表3和圖11可以看出，在Wl/(L3+L4)為0.18或更小的情況下，發(fā)射電流Ie波動值減小。在測量發(fā)射電流Ie之后，在掃描電子顯微鏡下觀察每一電子發(fā)射器。在所有的電子發(fā)射器中，觀察未顯示相鄰的導電膜4a和4b之間的由碳膜6a、6b導致的短路。(例子6)在例子6中，改變關于第三實施例描述的電子發(fā)射器中的導電膜4的薄層電阻Rs。例子6的電子發(fā)射器的基本配置與圖4A、圖4B和圖4C中的相同。(步驟-a)在與例子5的步驟-a相同的步驟中提供具有圖5A所示的結(jié)構(gòu)的5個基板l。電極2和3的寬度W2為500|im。高熱導層10為500nm厚，并且激活促進層ll為50nm厚。電極2和3之間的距離(L3+L4)為20拜。(步驟-b)然后，通過旋涂對于經(jīng)過步驟-a的基板1中的兩個涂敷有機鈀化合物溶液，并施加加熱和烘焙。調(diào)整有機鈀化合物溶液的濃度和涂敷期間的旋轉(zhuǎn)次數(shù)，以在兩個基板中的一個上形成具有10nm的厚度的膜，并在另一個上形成具有100nm的厚度的膜。在形成之后，10nm和100nm厚的導電膜4的薄層電阻Rs分別為lx104Q/口和lx103朗。通過使用濺射，在經(jīng)過步驟-a的另外兩個基板l中的每一個上形成薄ITO(包含95wt。/。的111203和5wt。/。的Sn02)膜，在一個基板上形成為20nm的厚度，并在另一個上形成為100nm的厚度。形成的20nm和100nm厚的導電膜4的薄層電阻Rs分別為100Q/口和25朗。通過電子束蒸發(fā)，在經(jīng)過步驟-a的剩下的基板1上形成100nm厚的薄Au膜。形成的導電膜4的薄層電阻Rs為0.8Q/口。由此，在各基板上形成具有不同的薄層電阻Rs的導電膜4。然后，通過用步進機光刻對導電膜4進行構(gòu)圖，以形成多個電獨立的導電膜4，從而使電極2和3互連(圖5B)。在具有不同的導電膜4薄層電阻Rs的5個元件中的每一個上形成寬度Wl為1jiim的獨立的導電膜4(Wl/(L3+L4)=0.05)。相鄰的導電膜4之間的距離W4為lnm。導電膜4的總凈寬W3為100nm。因此，獨立的導電膜4的數(shù)量為100^m/(2xlnm)=50。對于經(jīng)過步驟-b的基板1應用與關于例子1描述的步驟-c至步驟-f相同的步驟，以完成電子發(fā)射器。如在例子l中那樣，測量例子6的電子發(fā)射器的發(fā)射電流Ie。以相同的時間間隔多次測量所有電子發(fā)射器的發(fā)射電流Ie的波動。通過計算多個測量數(shù)據(jù)的(標準偏差/平均值x100(%))，獲得發(fā)射電流Ie的波動值。下面的表4示出電子發(fā)射器的發(fā)射電流Ie的波動值。圖12示出發(fā)射電流Ie的波動和導電膜4的薄層電阻Rs之間的關系的曲線圖。表4<table>tableseeoriginaldocumentpage27</column></row><table>從表4和圖12可以看出，在導電膜4的薄層電阻Rs等于100Q/口的點處，發(fā)射電流Ie波動值開始減小。在測量發(fā)射電流Ie之后，在掃描電子顯微鏡下觀察每一電子發(fā)射器。在所有的電子發(fā)射器中，觀察未顯示相鄰的導電膜4a和4b之間的由碳膜6a、6b導致的短路。(例子7)在例子7中，在基板上以矩陣布置通過與用于上述例子1中的電子發(fā)射器相同的制造方法制造的許多電子發(fā)射器，以形成電子源。電子源被用于制造圖8所示的圖像顯示裝置。圖13A、圖13B、圖13C、圖13D和圖13E示出制造過程。<電極制造步驟>首先，在基板31上形成許多的電極2、3(圖13A)。特別地，鈦Ti和拍Pt的層的多層膜在基板31上形成為40nm的厚度，并且通過光刻被構(gòu)圖以形成電極2、3。電極2和3之間的距離Ll為20|am，并且電極2、3的寬度為200iam。<￥方向互連線形成步驟>然后，如圖13B所示，形成主要包含^l艮的Y方向互連線33，以與電極3連接。Y方向互連線33用作被施加調(diào)制信號的線。<絕緣層形成步驟>然后，為了使Y方向互連線33與在下一步驟中形成的X方向互連線32絕緣，如圖13C所示的那樣設置由氧化硅制成的絕緣層61。絕緣層61被設置在將在后面描述的X方向互連線32下面，并且在先形成的Y方向互連線33之上且覆蓋它。在絕緣層61的部分中設置接觸孔，使得X方向互連線32和電極2可^皮電互連。<乂方向互連線形成步驟>如圖13D所示的那樣，在先形成的絕緣層61之上形成主要包含銀的X方向互連線32。X方向互連線32與Y方向互連線33相交，絕緣層61在它們之間，并且X方向互連線32通過絕緣層61中的接觸孔與電極2連接。X方向互連線32用作被施加掃描信號的線。這樣，完成了具有矩陣線的基板31。<導電膜形成步驟>使用噴墨印刷，以在其上形成了矩陣線的基板31上在電極2和3之間形成導電膜4(閨13E)。在本例子中，4吏用有機鉭絡合物(complex)溶液作為用于噴墨印刷的墨。有機鈀絡合物溶液被涂敷，以使電極2和3互連。然后，在空氣中加熱和烘焙基板31，以形成氧化鈀(PdO)的導電膜4。然后，對于導電膜4施加FIB，以對于所有的電子發(fā)射器形成50個電獨立的導電膜4。每一導電膜4的寬度W1為lpm，相鄰的導電膜4之間的距離W4為1|im。然后，以與例子1中相同的方式在每一導電膜4中形成間隙5，并且執(zhí)行激活處理。在激活處理期間對于每一單元施加的電壓的波形如關于例子1的電子發(fā)射器制造方法描述的那樣。作為上述的處理的結(jié)果，形成設置有電子源(多個電子發(fā)射器)的基板31。然后，如圖8所示，包含玻璃基板43的前板46通過支撐框架42被放置在基板31之上2mm，所述玻璃基板43具有在其內(nèi)表面上層疊的熒光體涂層44和金屬背45。通過向前板46、支撐框架42和基板31之間的接合部施加作為低熔點金屬的銦(In)并加熱且然后冷卻銦，將前板46、支撐框架42和基板31緊緊固定在一起。在不使用抽真空管的情況下在真空室內(nèi)同時執(zhí)行固定和密封。在本例子中，作為圖像形成構(gòu)件的熒光體涂層44是用于彩色顯示器的帶狀(striped)熒光體涂層。首先，以希望的間隔形成光吸收體。然后，通過使用漿體(slurry)技術(shù)在光吸收體之間涂敷彩色熒光體，形成熒光體涂層44。光吸收體由通常使用的包含石墨作為主要成分的材料制成。在熒光體涂層44的內(nèi)表面上(在電子發(fā)射器側(cè))設置由鋁制成的金屬背45。通過真空沉積在熒光體涂層44的內(nèi)表面上沉積Al，形成金屬背45。通過X方向互連線32和Y方向互連線33選擇由此完成的圖像顯示裝置的希望的電子發(fā)射器，并且對于該電子發(fā)射器施加17V的脈沖電壓。同時，通過高電壓端子Hv對金屬背45施加10kV的電壓。該實驗顯示，可以長時期以最小的亮度不均勻性和變化顯示明亮的高質(zhì)量圖像。上述的實施例和例子僅是例示性的，并且，本發(fā)明包含上述的材料、尺寸和其它細節(jié)的各種變化。雖然已參照示例性實施例描述了本發(fā)明，但應理解，本發(fā)明不限于公開的示例性實施例。以下的權(quán)利要求的范圍應被賦予最寬的解釋，以包含所有這樣的修改以及等同的結(jié)構(gòu)和功能。權(quán)利要求1.一種電子發(fā)射器，包括在絕緣基板上形成的至少一對電極和形成為使所述電極互連的多個導電膜，其中，所述導電膜中的每一個在所述電極之間具有間隙，所述電極之間的距離L1和所述導電膜沿與所述電極彼此相對的方向正交的方向的寬度W1滿足W1/L1≤0.18，并且所述導電膜的薄層電阻在1×102至1×107Ω/口的范圍內(nèi)。2.—種圖像顯示裝置，包括第一基板，其上設置根據(jù)權(quán)利要求l的多個電子發(fā)射器；和第二基板，其與第一基板相對，并且被照射從所述多個電子發(fā)射器發(fā)射的電子的圖像顯示構(gòu)件被設置在其上以面對所述電子發(fā)射器。3.—種電子發(fā)射器，包括在絕緣基板上形成的至少一對電極和形成為使所述電極互連的導電膜，其中，所述導電膜沿與所述電極彼此相對的方向正交的方向在所述電極之間具有多個開口，并且沿與所述電極彼此相對的方向正交的方向在所述導電膜中的與所述開口相鄰的區(qū)域中具有間隙，所述導電膜在所述區(qū)域中沿與所述電極彼此相對的方向平行的方向的長度L2和所述導電膜沿與所述電極彼此相對的方向正交的方向的寬度Wl滿足W1/L2S0.18,并且所述導電膜的薄層電阻在lxl(^至lxl(Tr2/口的范圍內(nèi)。4.一種圖像顯示裝置，包括第一基板，其上設置根據(jù)權(quán)利要求3的多個電子發(fā)射器；和第二基板，其與第一基板相對，并且被照射從所述多個電子發(fā)射器發(fā)射的電子的圖像顯示構(gòu)件被設置在其上以面對所述電子發(fā)射器。全文摘要本發(fā)明提供一種長時期保持具有最小波動的穩(wěn)定電子發(fā)射性能的電子發(fā)射器，所述電子發(fā)射器包括在絕緣基板上形成的至少一對電極和形成為使所述電極互連的多個導電膜，其中，所述導電膜中的每一個在所述電極之間具有間隙，所述電極之間的距離L1和所述導電膜沿與所述電極彼此相對的方向正交的方向的寬度W1滿足W1/L1≤0.18，并且所述導電膜的薄層電阻在1×10<sup>2</sup>至1×10<sup>7</sup>Ω/□的范圍內(nèi)。并且，本發(fā)明提供一種通過使用長時期保持具有最小波動的穩(wěn)定電子發(fā)射性能的電子發(fā)射器而長時期表現(xiàn)出小波動的長壽命圖像顯示裝置。文檔編號H01J31/12GK101582355SQ200910140869公開日2009年11月18日申請日期2009年5月14日優(yōu)先權(quán)日2008年5月14日發(fā)明者佐藤崇廣,森口拓人,竹內(nèi)英司,糠信恒樹申請人:佳能株式會社