專利名稱：Smd發(fā)光二極管支架改良結構的制作方法
技術領域：
一種SMD發(fā)光二極管支架改良結構，尤其是指一種于SMD發(fā)光二極 極管支架改良結構。
背景技術：
近年來，由于發(fā)光二極管(Light Emitting Diode, LED )具有耗電量低、 元件壽命長、無須暖燈時間及反應速度快等優(yōu)點，加上其體積小、耐震動、 適合量產，因此發(fā)光二極管已普遍使用于資訊、通訊及消費性電子產品的指 示燈與顯示裝置上，如行動電話及個人數位助理(Personal Digital Assistant, PDA)螢幕背光源、各種戶外顯示器、交通號志燈及車燈等。
通常發(fā)光二極管晶片是通過表面粘貼技術(Surface Mount Device, SMD ) 固接于SMD發(fā)光二極管支架內，而SMD發(fā)光二極管支架的內部結構對于 發(fā)光二極管晶片的出光效果是具有直接性的影響，以下將說明一種已知的 SMD發(fā)光二極管支架結構。
請參考圖1A所示，圖IA是為已知SMD發(fā)光二極管支架結構支架未 彎折剖面圖。已知SMD發(fā)光二極管支架結構，其包含第一支架91、第二 支架92、電性連"t妄部93。
第一支架91的上表面911的一端用以固接發(fā)光二極管晶片94,發(fā)光二 極管晶片94可以通過第一支架91產生電性連接，第一支架91以提供發(fā)光 二極管晶片94所需的一種電性極性，或是可以與其他電子裝置(未繪示) 進行電性連接。
第二支架92的上表面921的一端用以與第一支架91所固接的發(fā)光二極 管晶片94通過打線接合(wire bonding)技術形成電性連接，第二支架92以提供發(fā)光二極管晶片94所需的另外一種電性極性，或是可以與其他電子 裝置進行電性連接。
電性連接部93自第一支架91以及第二支架92延伸i殳置，用以與外部 電源電性連接，第一支架91所延伸的電性連接部93電性連接其中一種電性 極性，并且以提供發(fā)光二極管晶片94其中一種電性極性；第二支架92所延 伸的電性連接部93電性連接至另外一種電性極性，并且以提供發(fā)光二極管 晶片94另外一種電性極性。
第一支架91以及第二支架92通過射出成型制程被封裝于膠座95內， 而使得第一支架91以及第二支架92個別的電性連接部93外露于膠座95之外。
請參考圖1B以及圖1C所示，圖1B是為已知SMD發(fā)光二極管支架結 構支架彎折剖面圖；圖1C是為已知SMD發(fā)光二極管支架結構支架彎折局 部放大剖面圖。
在將電性連接部93進行彎折且貼合于膠座95外側時，由于膠座95是 為熱塑性樹脂所形成，當受到外力所擠壓時，將無法承受擠壓時的外力，因 此會造成膠座95受外力擠壓的部分造成形變，使得第一支架91或第二支架 92于彎折部分的內側彎折半徑r將小于第一支架91或第二支架92的厚度T， 并且第一支架91或第二支架92的厚度T小于第一支架91或第二支架92 于彎折部分的外側彎折半徑R。
由于第一支架91或第二支架92于彎折部分的外側彎折半徑R大于第一 支架91或第二支架92的厚度T,則會導致彎折部分的外側與膠座95產生 分離的情況(如圖1C所示)，導致形成第一支架91或第二支架92于彎折 部分外側與膠座95之間的空隙96,會使得水氣自此空隙96滲入，影響到 發(fā)光二極管晶片94的發(fā)光功效，甚至導致發(fā)光二極管晶片94失去效用。
對于上述第一支架91或第二支架92于彎折部分外側與膠座95之間所 產生的空隙96使得水氣滲入的問題，更有人進一步提出了一種改善方式， 如圖2A所示，圖2A是為已知SMD發(fā)光二極管支架改良結構支架未彎折 剖面圖。以下將針對改良結構所改良的部份加以說明，其余與先前技術相同部份
將不再進行贅述；此一已知SMD發(fā)光二極管支架改良結構所改良的部分在 于第一支架91的上表面911及第二支架92的上表面921分別設置凹槽97, 并且凹槽97被封裝于膠座95內。
請參考圖2B以及圖2C所示，圖2B是為已知SMD發(fā)光二極管支架改 良結構支架彎折剖面圖；圖2C是為已知SMD發(fā)光二極管支架改良結構支 架彎折局部放大剖面圖。
通過所設置的凹槽97，可以有效的增加水氣的行進5各徑，使得發(fā)光二 極管晶片94可以延長水氣滲入的時間，藉此增加發(fā)光二極管晶片94的壽命。
但是，在將電性連接部93進行彎折且貼合于膠座95外側時，所產生的 彎折部分的外側與膠座95產生分離的情況(如圖2C所示)，于第一支架 91或第二支架92于彎折部分外側與膠座95之間所產生的空隙96，依然會 使得水氣滲入，仍會影響發(fā)光二極管晶片94的發(fā)光功效，甚至導致發(fā)光二 極管晶片94失去效用。故此已知SMD發(fā)光二極管支架改良結構僅為延長水 氣滲入的時間，并不能將水氣滲入問題加以解決。
因此，已知SMD發(fā)光二極管支架改良結構仍然未能解決第一支架91 或第二支架92于彎折部分外側與膠座95之間所產生的空隙96，而使得水 氣滲入的問題。
綜上所述，可知先前技術中長期以來一直存在SMD發(fā)光二極管支架結 構在彎折電性連接部時，由于膠座結構受損而造成水氣滲入的問題，因此有
必要提出改進的技術手段，來解決此一問題。
實用新型內容
有鑒于先前技術存在SMD發(fā)光二極管支架結構在彎折電性連接部時， 由于膠座結構受損而造成水氣滲入的問題，本創(chuàng)作遂揭露一種SMD發(fā)光二 極管支架改良結構，其中
本創(chuàng)作所揭露的SMD發(fā)光二極管支架改良結構，其包含第一支架、 第二支架、膠座、電性連接部以及主要彎折部。
6第一支架用以固接發(fā)光二極管晶片于第一支架的上表面一端；第二支架 的上表面一端與發(fā)光二極管晶片產生電性連接；膠座是將第一支架及第二支 架部分地埋置于膠座內；電性連接部，自第一支架以及第二支架延伸設置， 并設置于膠座外部，用以與外部電源電性連接；主要彎折部，設置于第一支 架及第二支架的下表面與電性連接部交界處，并設置有彎折槽。
本創(chuàng)作所揭露的SMD發(fā)光二極管支架改良結構如上所述，與先前技術 之間的差異在于本創(chuàng)作通過配置于第一支架及第二支架的下表面與電性連 接部交界處的主要彎折部所設置的彎折槽，并將第一支架及第二支架封裝于 膠座中，再將電性連接部進行彎折貼合于膠座時，由于所設置的彎折槽可以 避免膠座受到彎折時的外力擠壓所造成的變形，不會造成膠座結構的受損， 并使得第一支架及第二支架能緊密貼合膠座，可以有效的防止水氣進入所造 成發(fā)光二極管晶片發(fā)光功效的影響。
通過上述的技術手段，本創(chuàng)作可以達成SMD發(fā)光二極管支架結構有效 防止水氣滲入的技術功效。
圖1A為已知SMD發(fā)光二極管支架結構支架未彎折剖面圖。
圖1B為已知SMD發(fā)光二極管支架結構支架彎折剖面圖。
圖1C為已知SMD發(fā)光二極管支架結構支架彎折局部放大剖面圖。
圖2A為已知SMD發(fā)光二極管支架改良結構支架未彎折剖面圖。
圖2B為已知SMD發(fā)光二極管支架改良結構支架彎折剖面圖。
圖2C為已知SMD發(fā)光二極管支架改良結構支架彎折局部放大剖面圖。
圖3A為本創(chuàng)作SMD發(fā)光二極管支架改良結構支架未彎折剖面圖。
圖3B為本創(chuàng)作SMD發(fā)光二極管支架改良結構支架彎折剖面圖。
圖3C為本創(chuàng)作SMD發(fā)光二極管支架改良結構支架彎折局部放大剖面圖。
圖4A至圖4D為本創(chuàng)作SMD發(fā)光二極管支架改良結構的彎折槽剖面示意圖。
具體實施方式
以下將配合圖式及實施例來詳細說明本創(chuàng)作的實施方式，藉此對本創(chuàng)作 并據以實施。
首先介紹本創(chuàng)作所揭露的SMD發(fā)光二極管支架改良結構，并請參照圖 3A所示，圖3A是為本創(chuàng)作SMD發(fā)光二極管支架改良結構支架未彎折剖面 圖。
本創(chuàng)作所揭露的SMD發(fā)光二極管支架改良結構，其包含第一支架10、 第二支架20、月交座60、電性連接部30以及主要彎折部40。
第一支架IO用以固接發(fā)光二極管晶片50于第一支架IO的上表面11 一 端，發(fā)光二極管晶片50可以通過第一支架IO產生電性連接，以提供發(fā)光二 極管晶片50所需的一種電性極性，或是可以與其他電子裝置(圖中未繪示) 進行電性連接。
第二支架20的上表面21 —端與發(fā)光二極管晶片50通過打線接合(wire bonding)技術形成電性連接，以提供發(fā)光二極管晶片50所需的另外一種電 性極性，或是可以與其他電子裝置進行電性連接。
上述第一支架10以及第二支架20是由銅、鐵或其他導電性佳的金屬或 合金材料一體成型所制成，也就是說，第一支架10以及第二支架20所延伸 的電性連接部30的材質可以是銅、鐵或其他導電性佳的金屬或合金。
第一支架IO上表面11以及第二支架20上表面21是可電鍍一層金屬反 射層(圖中未繪示)，金屬反射層是為反光性佳的金屬材料，以增加第一支 架10以及第二支架20表面的光反射率，使其發(fā)光二極管晶片50可藉由金 屬反射層提高發(fā)光亮度。
上述的第一支架10以及第二支架20是部分地埋置于膠座60內，膠座 60是為中空的長多邊形體，膠座60的材質可為聚碳酸酯(Polycarbonate, PC)、聚鄰苯二曱酰胺(Polyphthalamide， PPA)或其他常用來作為SMD發(fā)光二極管支架結構的膠座的熱塑性樹脂。
膠座60中設有內凹的功能區(qū)61，功能區(qū)61是由膠座60的一端面62 向內凹射成型，并以埋入射出(insert molding)的方式^f吏得第一支架10以 及第二支架20部分地埋設置于膠座60內，并使得第一支架10 —端(即為 固接于發(fā)光二極管晶片50的端部)以及第二支架20的一端(即為與發(fā)光二 極管晶片50形成電性連接的端部)是暴露于膠座60的內凹的功能區(qū)61內， 并且電性連接部30自第一支架10以及第二支架20延伸設置于膠座60夕卜。
膠座60功能區(qū)可以設計將發(fā)光二極管晶片50所發(fā)射的光線集中，以提 高發(fā)光亮度，并且可自功能區(qū)61中通過表面粘貼技術(Surface Mount Device, SMD )將發(fā)光二極管晶片50固接于第一支架IO上，以產生電性連 接。
電性連接部30，自第一支架10以及第二支架20延伸設置，并設置于 膠座60外部，用以與外部電源電性連接，第一支架IO所延伸的電性連接部 30電性連接其中一種電性極性，并且以提供發(fā)光二極管晶片50其中一種電 性極性；第二支架20所延伸的電性連接部30電性連接至另外一種電性極性， 并且以提供發(fā)光二極管晶片50另外一種電性極性。
并且，第一支架10以及第二支架20與其他電子裝置進行電性連接方式， 即通過第一支架10以及第二支架20的電性連接部30，換言之，固接于第 一支架10的發(fā)光二極管晶片50即是通過第一支架10及第二支架20的電性 連接部30而與其他電子裝置電性連接。
主要彎折部40配置于第一支架10的下表面12及第二支架20的下表面 22與電性連接部30交界處，并設置有彎折槽41。
請參考圖1A至圖1C所示，先前技術于第一支架91以及第二支架92 中，并未設置任何的彎折槽，因此，在將電性連接部93進行彎折且貼合于 膠座95外側時，由于膠座95是為熱塑性樹脂所形成，當受到外力所擠壓時， 將無法承受擠壓時的外力，因此會造成膠座95受外力擠壓的部分造成形變， 使得第一支架91或第二支架92于彎折部分的內側彎折半徑r將小于第一支 架91或第二支架92的厚度T，并且第一支架91或第二支架92的厚度T小 于第一支架91或第二支架92于彎折部分的外側彎折半徑R。
9由于第一支架91或第二支架92于彎折部分的外側彎折半徑R大于第一 支架91或第二支架92的厚度T，則會導致彎折部分的外側與膠座95產生 分離的情況(如圖1C所示)，導致形成第一支架91或第二支架92于彎折 部分外側與膠座95之間的空隙96,會使得水氣自此空隙96滲入，影響到 發(fā)光二極管晶片94的發(fā)光功效，甚至導致發(fā)光二極管晶片94失去效用。
因此，請參考圖3A以及圖3B所示，圖3A是為本創(chuàng)作SMD發(fā)光二 極管支架改良結構支架未彎折剖面圖；圖3B是為本創(chuàng)作SMD發(fā)光二極管 支架改良結構支架彎折剖面圖。
本創(chuàng)作在第一支架10下表面12及第二支架20下表面22與電性連接部 30交界處的主要彎折部40，特別設置有彎折槽41，可以在將電性連接部30 進行彎折且貼合于膠座60外側時，藉由彎折槽41的緩沖，使得在彎折時所 產生的擠壓外力會直接作用于彎折槽41中，而使得彎折槽41的彎折槽面 42在彎折后相互貼合，彎折時所產生的擠壓外力不會作用于膠座60上，使 得膠座60不會受到外力擠壓而形成形變，并且在擠壓過程中，則可以達到 第一支架10或第二支架20于主要彎折部40內側彎折半徑r為"O",并且第 一支架10或第二支架20于主要彎折部40外側彎折半徑R等于第一支架10 或第二支架20的厚度T。
由于第一支架10或第二支架20于主要彎折部40外側的彎折半徑等于 第一支架10或第二支架20的厚度T，因此，將不會產生主要彎折部40外 側與膠座60產生分離的情況(如圖3C所示，圖3C是為本創(chuàng)作SMD發(fā)光 二極管支架改良結構支架彎折局部放大剖面圖)，而第一支架10或第二支 架20于主要彎折部40外側與膠座60之間也不會形成空隙，水氣則無法滲 入，發(fā)光二極管晶片50的發(fā)光功效不受到影響，使得發(fā)光二極管晶片50可 以正常運作。
并且，在電性連接部30自第一支架10以及第二支架20延伸設置封裝 于膠座60外，設于膠座60的較長同一側面，并且電性連接部30彎折且貼 合于膠座60的外部，以為后續(xù)的電性連接接點，藉此，可以形成側向型(Side View)的SMD發(fā)光二極管支架結構。
當然，電性連接部30自第一支架10以及第二支架20延伸設置封裝于膠座60外，設于膠座60的較長不同側面，并且電性連接部30可彎折且貼 合于膠座60的外部，以為后續(xù)的電性連接接點，藉此，可以形成正向型(T(jp View)的SMD發(fā)光二極管支架結構。
此外，請參考圖3B所示，在電性連接部30中更可以包含次要彎折部 31，用以將電性連接部30超出膠座60的部份再加以彎折，使電性連接部 30可以具有更多種的電性連接方式。
接著，請參考圖4A至圖4D所示，圖4A至圖4D是為本創(chuàng)作SMD發(fā) 光二極管支架改良結構的彎折槽剖面示意圖。
如圖所示，彎折槽41剖面可以為V型槽71、 U型槽72、梯形槽73以 及凹型槽74的組合中任選其中一種形狀，在此僅為舉例，任何可以形成彎 折槽41的形狀，都應包含于本創(chuàng)作之內，并不以此局限本創(chuàng)作的應用。
而彎折槽41的深度D,通?？梢栽O計為第一支架10或第二支架20厚 度T的三分之一 (或者小于三分之一)，若彎折槽41的深度D大于厚度T 的三分之一，甚至超過第一支架10或第二支架20厚度T的一半時，則第一 支架10以及第二支架20于主要彎折部40處的強度會過小，當受到任何的 外力作用時，容易造成電性連接部30于主要彎折部40處斷裂的情況發(fā)生， 因此，彎折槽41的深度D不可以過深。
值得注意的是，彎折槽41選自V型槽71的實施態(tài)樣時，除了可以設 計彎折槽41的深度D為第一支架10或第二支架20厚度T的三分之一之外， V型槽71所形成的夾角a可以設計為垂直角度，在電性連接部30進行彎折 且貼合于膠座60外側，由于V型槽71所形成的夾角a為垂直角度，因此， 可以在第一支架10或第二支架20于主要彎折部40內側形成垂直的彎折角 度，使得電性連接部30可以貼合于膠座60外側。
綜上所述，可知本創(chuàng)作與先前技術之間的差異在于具有本創(chuàng)作通過配置 于第一支架及第二支架的下表面與電性連接部交界處的主要彎折部所設置 的彎折槽，并將第一支架及第二支架封裝于膠座中，再將電性連接部進行彎 折貼合于膠座時，由于所設置的彎折槽可以避免膠座受到彎折時的外力擠壓 所造成的變形，不會造成膠座結構的受損，并使得第一支架及第二支架能緊 密貼合膠座，可以有效的防止水氣進入所造成發(fā)光二極管晶片發(fā)光功效影響
ii的技術手段。
藉由此一技術手段可以來解決先前技術所存在SMD發(fā)光二極管支架結 構在彎折電性連接部時，由于膠座結構受損而造成水氣滲入的問題，進而達 成SMD發(fā)光二極管支架結構有效防止水氣滲入的技術功效。
雖然本創(chuàng)作所揭露的實施方式如上，只是所述的內容并非用以直接限定 本創(chuàng)作的專利保護范圍。任何本創(chuàng)作所屬技術領域中具有通常知識者，在不 脫離本創(chuàng)作所揭露的精神和范圍的前提下，可以在實施的形式上及細節(jié)上作
些許的更動。本創(chuàng)作的專利保護范圍，仍須以所附的權利要求范圍所界定者 為準。
權利要求1. 一種SMD發(fā)光二極管支架改良結構，其特征在于，其包含一第一支架，用以固接一發(fā)光二極管晶片于該第一支架的上表面一端；一第二支架，該第二支架的上表面一端與該發(fā)光二極管晶片產生電性連接；一膠座，該第一支架及該第二支架部分地埋置于該膠座內；一電性連接部，自該第一支架以及該第二支架延伸設置，并設置于該膠座外部，用以與外部電源電性連接；及一主要彎折部，設置于該第一支架及該第二支架的下表面與該電性連接部交界處，并設置有一彎折槽。
2. 如權利要求1所述的SMD發(fā)光二極管支架改良結構，其特征在于， 其中，該膠座設有一內凹的功能區(qū)，而該第一支架及該第二支架的一端是暴 露于該膠座的該內凹的功能區(qū)內。
3. 如權利要求2所述的SMD發(fā)光二極管支架改良結構，其特征在于， 其中該主要彎折部設置于該膠座外部。
4. 如權利要求1所述的SMD發(fā)光二極管支架改良結構，其特征在于， 其中該第一支架以及該第二支架的該電性連接部設于該膠座的同側。
5. 如權利要求1所述的SMD發(fā)光二極管支架改良結構，其特征在于， 其中該第一支架以及該第二支架的該電性連接部設于該月交座的異側。
6. 如權利要求1所述的SMD發(fā)光二極管支架改良結構，其特征在于， 其中該彎折槽可以選自V型槽、U型槽、梯形槽以及凹型槽的組合中任選 其中一種。
7. 如權利要求6所述的SMD發(fā)光二極管支架改良結構，其特征在于， 其中該彎折槽的深度是以不超過該第一支架或該第二支架厚度的三分之一 為限制。
8. 如權利要求6所述的SMD發(fā)光二極管支架改良結構，其特征在于， 其中該彎折槽為V型槽態(tài)樣時，V型槽深度是為該第一支架或第二支架厚 度的三分之一，V型槽所形成的夾角是為垂直角度。
9. 如權利要求1所述的SMD發(fā)光二極管支架改良結構，其特征在于， 其中該電性連接部更包含一次要彎折部。
專利摘要一種SMD發(fā)光二極管支架改良結構，其通過配置于第一支架及第二支架的下表面與電性連接部交界處的主要彎折部所設置的彎折槽，使得當將電性連接部進行彎折貼合于膠座時，可避免膠座受到彎折時的外力擠壓所造成的變形，也不會造成膠座結構受損的技術手段，可以解決SMD發(fā)光二極管支架結構在彎折電性連接部時，由于膠座結構受損而造成水氣滲入的問題，藉此可以達成SMD發(fā)光二極管支架結構有效防止水氣滲入的技術功效。
文檔編號F21V19/00GK201259157SQ20082013692
公開日2009年6月17日 申請日期2008年9月18日 優(yōu)先權日2008年9月18日
發(fā)明者朱新昌, 李廷璽 申請人:一詮精密工業(yè)股份有限公司