專利名稱：超高功率led光源的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種LED光源的封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(LED)因?yàn)榫哂惺‰姟Ⅲw積小、擁有許多不同顏色以及環(huán)保 的優(yōu)勢，使得無論在手機(jī)、汽車、中小尺寸面板背光源、交通標(biāo)志等應(yīng)用上都 有良好的效果，且正逐漸進(jìn)入照明領(lǐng)域中，近來相關(guān)業(yè)者更是致力于開發(fā)戶內(nèi) 外照明的LED燈具，希望有朝一日能用來真正取代傳統(tǒng)照明，但礙于目前大功 率的LED，使用時存在有發(fā)熱的問題，發(fā)熱現(xiàn)象會隨著功率的增加而增強(qiáng)，LED 晶片的溫度升高，又會造成光輸出效率降低以及減短使用壽命，所以如何提供 良好散熱的燈體結(jié)構(gòu)，且設(shè)置符合LED平面發(fā)光特性的導(dǎo)光面，改變光線輸出 角度，提升光學(xué)效率，是整個技術(shù)重要層面極待突破的部份。
另外，現(xiàn)有照明設(shè)備雖然也有加強(qiáng)散熱的設(shè)計(jì)，如中國臺灣專利公告第 M289519號為一種"超高功率封裝結(jié)構(gòu)"，其是將發(fā)光二極管(LED)晶片單 顆或單顆以上，固著在一導(dǎo)熱良好的金屬沉熱體上的承載面上，在金屬沉熱體 下方嵌置固設(shè)有一導(dǎo)熱基座，且在金屬沉熱體與導(dǎo)熱基座間設(shè)有導(dǎo)熱絕緣層， 使三者結(jié)合一體，讓晶片所產(chǎn)生的熱能快速散出，然而，由于多顆晶片陣列方 式排列，晶片間會相互阻隔吸收光線，使出光效率降低，若晶片數(shù)或瓦數(shù)增大 時，熱將過度集中，使晶片區(qū)局部溫度過高，有鑒于此，如何將上述缺失加以 摒除，并提供一種完善的精簡結(jié)構(gòu)，即為本案實(shí)用新型設(shè)計(jì)人所欲解決的技術(shù) 重點(diǎn)所在。
發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型的目的在于提供一種超高功率LED光 源的封裝結(jié)構(gòu)，使設(shè)置在金屬沉熱體上的LED晶片所產(chǎn)生的熱能快速散出，大 幅降低LED晶片溫度。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是 一種超高功率LED光源的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括 一反射杯，其內(nèi)設(shè)置反光曲面；
一金屬沉熱體，其外緣嵌置固設(shè)在所述的反射杯中，金屬沉熱體上設(shè)置有 能夠改變光線輸出角度的導(dǎo)光面，且金屬沉熱體是導(dǎo)熱良好、熱容量大的導(dǎo)熱 體；
以及一導(dǎo)熱基座，設(shè)置嵌槽，供金屬沉熱體作嵌置固定。 與現(xiàn)有技術(shù)相比較，采用上述技術(shù)方案的本實(shí)用新型具有的優(yōu)點(diǎn)在于在 金屬沉熱體上設(shè)置導(dǎo)光面，導(dǎo)光面的幾何結(jié)構(gòu)增加熱擴(kuò)散的截面積，能有效的 擴(kuò)散晶片產(chǎn)生的熱能，使沉熱體上的溫度均勻不致局部過熱，同時改變光線輸 出角度，提升光學(xué)效率，且增加金屬沉熱體表面積，可快速吸收LED晶片熱量， 并擴(kuò)散至導(dǎo)熱基座上，使設(shè)置在金屬沉熱體上的LED晶片所產(chǎn)生的熱能快速散 出，大幅降低LED晶片溫度，達(dá)到有效全方位的散熱功效，以延長LED燈正常 使用壽命。
圖l是本實(shí)用新型的立體分解圖2是本實(shí)用新型的立體組合圖3是本實(shí)用新型的金屬沉熱體實(shí)施例示意圖4是本實(shí)用新型另一較佳實(shí)施例立體分解圖5是本實(shí)用新型的實(shí)施例示意圖。
附圖標(biāo)記說明l反射杯；2金屬沉熱體；3導(dǎo)熱基座 光曲面；12凹緣；13切面；20透孔；21導(dǎo)光面；22翼片 32貫穿孔。
具體實(shí)施方式
為使貴審查委員方便了解本實(shí)用新型的內(nèi)容，以及所能達(dá)成的功效、茲配 合圖式列舉一具體實(shí)施例，詳細(xì)介紹說明如下
請參閱圖1和圖2所示，本實(shí)用新型一種超高功率封裝結(jié)構(gòu)，是由反射杯1、 金屬沉熱體2、以及導(dǎo)熱基座3所組成，導(dǎo)熱基座3設(shè)置嵌槽31和貫穿孔32, 嵌槽31供金屬沉熱體2作嵌置固定，貫穿孔32供螺絲插置鎖合在燈具上，且
;IOLED晶片；11反 ;30通孔；31嵌槽；嵌槽31內(nèi)設(shè)置通孔30;金屬沉熱體2上設(shè)置符合LED平面發(fā)光特性的導(dǎo)光面 21,改變光線輸出角度，提升光學(xué)效率，且金屬沉熱體2是導(dǎo)熱良好、熱容量 大的導(dǎo)熱體，可快速吸收LED晶片熱量，并經(jīng)由較大的表面積擴(kuò)散至導(dǎo)熱基座 3上，使設(shè)置在金屬沉熱體2上的LED晶片所產(chǎn)生的熱能快速散出，大幅降低 LED晶片溫度；金屬沉熱體2外緣嵌置固設(shè)一符合LED平面光源發(fā)光特性的反 射杯l,反射杯l為中空狀，其內(nèi)設(shè)置反光曲面ll,反射杯l的一端口設(shè)置一 凹緣12,另一端口設(shè)置與金屬沉熱體2外緣相結(jié)合的切面13,憑借改變反光曲 率，得到不同光線投射分布。
請參閱圖3和圖5所示，本實(shí)用新型的金屬沉熱體2上設(shè)置透孔20供LED 晶片IO的接腳設(shè)置，且金屬沉熱體2的表面沖壓導(dǎo)光面21，由金屬沉熱體2的 中央向兩旁分別設(shè)置右斜導(dǎo)光面與左斜導(dǎo)光面，將LED晶片IO的光線部份導(dǎo) 向右斜方向與左斜方向，搭配本實(shí)用新型的反射杯1的反光曲面11設(shè)計(jì)，使光 線均勻分布在左、右兩側(cè)。
請參閱圖4所示，是本實(shí)用新型另一較佳實(shí)施例，為符合超高功率的快速 散熱，本實(shí)用新型的金屬沉熱體2為加強(qiáng)散熱面積，更增設(shè)翼片22，擴(kuò)充金屬 沉熱體2與導(dǎo)熱基座3的接觸面積，可快速吸收超高功率的LED晶片熱量，并 快速擴(kuò)散至導(dǎo)熱基座3上，使設(shè)置在金屬沉熱體2上的LED晶片所產(chǎn)生的熱能 快速散出，大幅降低LED晶片溫度。
以上說明對本實(shí)用新型而言只是說明性的，而非限制性的，本領(lǐng)域普通技術(shù) 人員理解，在不脫離權(quán)利要求所限定的精神和范圍的情況下，可作出許多修改、 變化或等效，但都將落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1. 一種超高功率LED光源的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一反射杯，其內(nèi)設(shè)置反光曲面；一金屬沉熱體，其外緣嵌置固設(shè)在所述的反射杯中，金屬沉熱體上設(shè)置有能夠改變光線輸出角度的導(dǎo)光面，且金屬沉熱體是導(dǎo)熱良好、熱容量大的導(dǎo)熱體；以及一導(dǎo)熱基座，設(shè)置嵌槽，供金屬沉熱體作嵌置固定。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的超高功率LED光源的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于導(dǎo)熱基座設(shè)置貫穿孔，供螺絲插置鎖合在燈具上。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的超高功率LED光源的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于金屬沉熱體上設(shè)置透孔，供LED晶片的接腳設(shè)置。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的超高功率LED光源的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于金屬沉熱體上設(shè)置的導(dǎo)光面，是由金屬沉熱體的中央向兩旁分別設(shè)置右斜導(dǎo)光面與左斜導(dǎo)光面。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的超高功率LED光源的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于金屬沉熱體進(jìn)一步設(shè)置有翼片。
專利摘要本實(shí)用新型一種超高功率LED光源的封裝結(jié)構(gòu)，是由反射杯、金屬沉熱體、以及導(dǎo)熱基座所組成，導(dǎo)熱基座設(shè)置嵌槽，供金屬沉熱體作嵌置固定；金屬沉熱體上設(shè)置符合LED平面發(fā)光特性的導(dǎo)光面，改變光線輸出角度，提升光學(xué)效率，且金屬沉熱體是導(dǎo)熱良好、熱容量大的導(dǎo)熱體，可快速吸收LED晶片熱量，并經(jīng)由較大的表面積擴(kuò)散至導(dǎo)熱基座上，使設(shè)置在金屬沉熱體上的LED晶片所產(chǎn)生的熱能快速散出，大幅降低LED晶片溫度；金屬沉熱體外緣嵌置固設(shè)一符合LED平面光源發(fā)光特性的反射杯，反射杯內(nèi)設(shè)置反光曲面，憑借改變反光曲率，得到不同光線投射分布。
文檔編號F21V7/20GK201288953SQ20082013691
公開日2009年8月12日 申請日期2008年9月16日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月16日
發(fā)明者李家茂 申請人:李家茂