氣密容器和使用氣密容器的成像設備的制造方法

專利名稱：氣密容器和使用氣密容器的成像設備的制造方法
技術領域：
本發明涉及氣密容器和成像設備的制造方法，更具體地說，涉及 成像設備的外封殼的接合方法。
背景技術：
成像設備是已知的，其中用于根據圖像信號發射電子的多個電子 發射裝置設置于后板，接收電子的輻照、發光并且顯示圖像的多個螢 光膜設置于前面板，并且內部保持真空狀態。這種成像設備通常具有 這樣一種結構，其中支撐框架還設置在前面板和后板之間，該支撐框 架既接合于前面板又接合于后板，并且形成外封殼。為了使外封殼能 夠起到真空容器的作用，不僅需要接合部分被牢固地固定，而且還需 要接合部分具有足夠的密封性能。具有接合部分的外封殼的制造方法已經公開在專利文獻1中，該 接合部分由具有密封作用的密封材料氣密地接合，并且其氣密接合被 具有粘結作用的粘結劑加強。根據這種技術，密封材料沿著圓周長度 形成在接合部分的一個表面上，密封材料被加熱并軟化，并且將被接 合的部件(例如前面板)擠壓。因此，密封材料充分地延伸到接合部 分并且獲得高密封性能。此后，密封材料的周邊用粘結劑涂覆，因而 提高接合強度。因此，形成既具有密封性能又具有接合強度的接合部 分。專利文獻l:國際公開WO2000/51155在上述相關技術中，出現密封材料的高度的不均勻性并且要求進 一步改善容器的氣密性。具體說，由于密封材料在被擠壓至被接合部 件時變軟，前面板固定到密封材料上的位置變得不穩定，并且存在接 合部分的厚度根據其位置波動的可能性。由于密封材料是厚度小于lmm的薄部件，因此厚度的小波動對密封性能產生很大的影響。如果 密封性能降低，則不能確保并保持外封殼中的真空度。如果前面板的 位置不穩定，則也會發生前面板不能平行于后板固定的可能性。因此， 密封材料的高度的不均勻性的危險將對圖像質量產生很大的影響。發明內容本發明的目的是提供一種氣密容器的制造方法，其中密封材料以 更均勻的高度形成，并且容器的氣密密封能夠進一步改善。本發明的 另一個目的是提供一種利用氣密容器的上述制造方法制造成像設備的 方法。根據本發明，提供一種氣密容器的制造方法，包括接合材料布 置步驟，即將第一接合材料和對于壓力的可壓縮性大于第一接合材料 的可壓縮性的笫二接合材料布置在形成氣密容器的第一和第二部件的 彼此相對的表面中的一個上，使得第二接合材料沿著環形路線布置在 第一和第二部件的彼此相對的表面中的所述一個上，第一和笫二密封接合材料以鄰接(并排)關系設置，并且第一接合材料的高度低于第 二接合材料的高度；擠壓步驟，即通過第一和第二部件的彼此相對的 表面中的另一個擠壓第一和第二接合材料，使得第一和第二接合材料 兩者接觸第一和第二部件的彼此相對的表面中的所述另一個；加熱步 驟，即一部分一部分順序地加熱并熔化接觸第一和第二部件的彼此相 對的表面中的所述另一個的第一接合材料；以及冷卻步驟，即冷卻第 一接合材料的熔化的部分。在根據本發明的成像設備的制造方法中，設置電子發射裝置和成 像部件，并且利用根據本發明的氣密容器的制造方法制造氣密容器。根據本發明提供了一種氣密容器的制造方法，因而密封材料以更 加均勻的高度形成并且容器的氣密密封能夠進一步改善。根據本發明， 能夠提供一種利用氣密容器的上述制造方法的成像裝置的制造方法。從下面參考附圖對示例性實施例的描述中，本發明的其他特征將 變得明顯。


圖l是本發明的成像設備的示意圖。圖2A、 2B、 2C、 2D、 2E、 2F、 2G、 2H和21是本發明的處理流程的(接合部分)的剖視圖。圖3A、 3B-1、 3B-2和3C是本發明的接合部分的俯視平面圖。 圖4A是本發明的一個例子的接合部分的局部剖視圖。可以使用圖4B所示的可選例子。圖5A、 5B和5C是示出根據實例3的處理例子的示意圖。圖6是示出用于本發明的接合材料的壓力和可壓縮性之間的關系的例子的曲線圖。圖7是示出根據實例6的處理例子的示意圖。
具體實施方式
下面將描述本發明的實施例。本發明的氣密容器的制造方法能夠 應用于使用真空容器的成像設備的制造方法。具體說，其中螢光膜和 電子加速電極形成在真空外封殼的前面板上并且電子源形成在后板上 的成像裝置是本發明適用的示例性形式。圖l是示出作為本發明目標的成像設備的例子的透視圖，并且為 了容易理解內部結構，該設備的一部分被切割掉。成像設備ll具有用 作氣密容器的外封殼10，該外封殼10具有笫一部件12和第二部件13 并且具有由第一部件12和第二部件13的(彼此面對)接合表面結合 形成而密封的內部空間。氣密容器的內部(外封殼IO的內部)保持真 空狀態。第一部件12由后板(第一板)22和支撐框架26形成。第二 部件13由前面板32形成。與固定于后板22的(支撐框架26的)表 面相對的表面變成面向前面板32的表面。雖然第一部件12通過接合 后板22和支撐框架26形成，但是它也可以作為整體部件形成。后板 22和前面板32均具有由玻璃部件構成的基底。用于根據圖像信號發射電子的多個電子發射裝置27設置于后板22的玻璃基底21。形成用于使每個電子發射裝置27根據圖像信號工 作的布線(X方向布線28、 Y方向布線29)。接收電子的輻照、發光 并且顯示圖像的熒光膜34設置在前面板32的玻璃基底33上。黑條帶 35也設置在玻璃基底33上。熒光膜34和黑條帶35交替排列并設置。 由Al (鋁)薄膜制造的金屬襯墊(back) 36形成在熒光膜34上。每 個金屬襯墊36具有作為電極的功能，其適于吸引電子并且接收從高壓 端子Hv供給的電勢，高壓端子設置于外封殼10。由Ti(鈦)薄膜制 造的不可蒸發的吸氣劑(getter) 37形成在金屬襯墊36上。隨后將參考圖2A至圖4B具體描述本發明的實施例。圖2A至圖 21是示出本發明的處理流程的(接合部分)剖視圖。圖3A至圖3C 是接合部分的俯視平面圖。圖4A至圖4B是示出接合部分的例子的剖 視圖。(步驟S1:接合材料布置步驟)首先，制備通過接合后板22和支撐框架26形成的第一部件12(參 考圖2A)。隨后，將第一接合材料1沿著周邊長度施加于面向前面板 32的(支撐框架26的)表面并且烘干(參考圖2B和2C)。第一接合 材料1用金屬或玻璃熔料制造。作為第一接合材料l，選擇其對于壓 力的可壓縮性小于第二接合材料2的可壓縮性的接合材料。第一接合 材料1的高度設置成低于第二接合材料的高度，這將在下面描述。隨 后，施加其對于壓力的可壓縮性大于第一接合材料1的可壓縮性的第 二接合材料2 (參考圖2D)。大的可壓縮性表示第二接合材料2比第 一接合材料1軟并且容易被擠壓和變形(這將在下面詳細地描述)。換 句話說，具有小的可壓縮性的第一接合材料l比笫二接合材料2硬并 且難于被擠壓和變形。施加第二接合材料2使得它的高度高于第一接 合材料l的高度。第二接合材料2以鄰接(并排)關系設置。雖然在 所示的實施例中第一接合材料1施加在外側而第二接合材料2施加于 內側，但是它們可以反過來施加在相應側并且它們平行設置就足夠了 。 第二接合材料2設置用來不僅確保接合部分的粘結性能而且還確保密 封。因此，希望將第二接合材料2沿著環形路線施加在面向前面板32的(支撐框架26的)表面的整個周邊上。第一接合材料l設置用來增 強接合部分的粘結性能。因此，雖然在這個實施例中第一接合材料1 施加在面向前面板32的(支撐框架26的)表面的整個周邊上，但是 并非總是需要使用這樣的方法。具體說，第一接合材料l可以沿著設 置在環形路線中的第二接合材料2不連續地設置。但是，在這種情況 下，由于第一接合材料規定第二接合材料的高度(厚度)，因此也需要 以鄰接(并排)關系設置。如圖4A和4B所示，為了使第二接合材料 2容易接合，基礎層4a和4b也可以預先形成在支撐框架26和前面板 32上。(步驟S2:擠壓步驟)隨后，間隔件8設置在布線27和28上(參考圖2E)。在用第一 和第二接合材料1和2涂覆的支撐框架26的表面上，面向支撐框架 26的上述表面的(前面板32的)表面被擠壓(參考圖2F和圖2G)。 圖3A是在圖2G的狀態的平面圖。因此，笫二接合材料2變形并且它 的高度逐漸減小并且與第一接合材料l的高度一致。因此，第二接合 材料和第一接合材料l 一起與前面板32接觸。 (步驟S3:加熱步驟)隨后，只有第一材料1的一部分被加熱并熔化，然后，只有與上 述部分不同的另一部分被加熱并熔化，并且，這個步驟進一步只重復 必要的次數(參考圖2H)。也就是，第一接合材料l一部分一部分地 順序地加熱并熔化。具體說，在前面板32經由第二接合材料2已經擠 壓接合于支撐框架26的情況下，擠壓被取消并且只有第一接合材料1 將要被熔化的一部分局部地、部分地被加熱。圖3C是在圖2G的狀態 下的平面圖。在每個加熱步驟，第一接合材料l的多個位置或多個部 分可以同時局部地加熱(參考圖3B-1)，或者只有一個位置或一個部 分可以局部地加熱(參考圖3B-2)。在加熱步驟中，希望通過在改變 笫 一接合材料l的加熱位置的同時多次加熱第 一接合材料1來加熱并 熔化整個第一接合材料l。在圖2G至圖2H的步驟之間取消擠壓就足夠了。也就是說，在第2說明書第6/13頁二接合材料2被擠壓并變形到圖2G所示的笫一接合材料1的高度之 后擠壓可以取消，或者在保持擠壓狀態的同時，直到擠壓的處理可以 進行到圖2H的加熱步驟為止。在加熱步驟中，如圖5A至圖5C所示， 在沿著第一接合材料1掃描加熱位置的同時可以順序地加熱并熔化第 一接合材料1。(步驟S4:冷卻步驟)冷卻第一接合材料l的被加熱并熔化的部分。因此，當支撐框架 26和前面板32通過第二接合材料2密封時，它們通過笫一接合材料1 牢固地固定。(步驟S5:烘干步驟)為了提高外封殼10中的空間的真空度，加熱步驟之后在預定的溫 度(第一溫度)下進行烘干。具體說，外封殼IO布置在真空室(未示 出)中。當外封殼10的內部通過排氣孔7抽空時，真空室中的真空度 減小到約l(T3 Pa并且整個外封殼IO被加熱，因而激活不可揮發的吸 氣劑37。而且，排氣孔7用密封材料6和密封蓋5密封，因而形成成 像設備ll。雖然希望密封蓋5由與后板22相同的材料制造，但是它 可以由在真空烘干時不熔化的諸如Al (鋁)、Ti(鈦)、Ni(鎳)等的 金屬或其合金制造。圖6是示出對于壓力的可壓縮性的概念的曲線圖。假定在初始階 段接合材料的高度設置為z (0)，在壓力P (Pa)下接合材料的高度 設置為z ( P )，并且高度變形設置為<formula>formula see original document page 9</formula> ，可壓 縮性定義為<formula>formula see original document page 9</formula> (0)可壓縮性表示由于彈性變形在高度方向上的壓縮和由于塑性變形 在高度方向上的壓縮的總和。當可壓縮性等于O時，這意味著壓縮沒 有進行并且表示在可壓縮性增加的情況下壓縮比較容易進行。"第二接 合材料對壓力的可壓縮性大于第一接合材料對壓力的可壓縮性"意味著在假定的壓力范圍內，第二接合材料的可壓縮性超過第一接合材料 的可壓縮性。換句話說，"第一接合材料對壓力的可壓縮性小于第二接合材料對壓力的可壓縮性，，意味著在假定的壓力范圍內，第一接合材料 的可壓縮性低于第二接合材料的可壓縮性。該假定的壓力范圍不是總 需要連續的寬度(范圍)，而是可以不連續地設置。希望在至少室溫(25。C )和這些步驟中必需的溫度(例如，350 °C， 430 。C等)下預先測量接合材料的高度z (P)和壓力P (Pa)之間的 關系。由于實際的可壓縮性不僅取決于接合材料的材料，而且也取決 于截面形狀、尺寸和布置表面的變形程度，因此當測量可壓縮性時， 希望根據要進行的處理確定測量條件。而且，特別是，在利用低熔點 的金屬材料等的情況下，由于材料的可壓縮性還取決于材料寬度，因 此希望在實際使用的寬度下進行測量。在圖6中，兩種材料的可壓縮性通過將溫度用作參數示出。根據 類型l的材料，當施加壓力時即便在室溫(25°C)下它能夠變形，并 且在350 。C和430 。C下更容易變形。根據類型2的材料，雖然當施 加高達約50MPa的壓力時在室溫(25°C)和350 °C下它不變形，但 是當施加壓力時在430 。C下它變形。在這個實施例中，類型2的材料 用作第一接合材料l，而類型1的材料用作第二接合材料。因此，第 二接合材料對壓力的可壓縮性大于第一接合材料對壓力的可壓縮性。需要能夠用于成像設備的外封殼的接合材料滿足下面的條件。1. 耐熱性在真空中烘干步驟(上述步驟S5)中的耐熱性。2. 氣密性隨著時間的流逝適于保持高真空的氣密性。3. 粘結性能對被接合的部件(框架部件、面板材料)的粘結性能。4. 排氣特性低排氣特性。作為滿足上述條件和圖6的條件的第一接合材料1，能夠提到進 行烘干以便至少將有機粘結劑燒盡的玻璃熔料、諸如Al(鋁)、Ti(鈥)、 Ni (鎳)等的金屬或其合金。作為第二接合材料2，能夠提到諸如In (銦)、Sn (錫)、Al (鋁)、Cu (銅)、Au (金)、Ag (銀)等的金屬 或其合金。諸如In (銦)、Sn (錫)等的低熔點金屬，或使用In-Ag 或Sn-Ag的合金制成的低熔點金屬是第二接合材料2最希望的材料之當在室溫下從圖2F向圖2G的狀態對第二接合材料2施加壓力 時，由于類型1的材料在室溫下變形，其高度逐漸減小并且它變形到 接合材料1的高度。但是，由于利用類型2的材料的第一接合材料1 在50 MPa下不變形，第二接合材料2的厚度在第一接合材料1的高 度下變得穩定，并且不再減小。也就是，由于第二接合材料2的壓縮 變形受第一接合材料1的限制，因此在擠壓步驟期間第二接合材料2 的厚度隨著位置而波動的可能性大大減小。由于加熱步驟在大約430。C(第二溫度)下進行，第一接合材料l 也被熔化并且壓縮變形容易發生。但是，由于第一接合材料l用這種 方法加熱并熔化，從而第一接合材料l的僅僅一部分被加熱并熔化， 并且與這部分不同的僅僅另一部分然后^皮加熱并熔化，也就是說，如 上所述第一接合材料1一部分一部分地順序地加熱并熔化，不是整個 第一接合材料l同時熔化。換句話說，由于第一接合材料l沒有加熱 并熔化的部分支撐來自前面板的壓力，如同它們是所謂的支腿部分。 第一接合材料1的整體形狀被保持。因此，即便在加熱步驟，笫二接 合材料2的厚度隨著位置而波動的可能性大大減小。而且，加熱步驟之后，第一接合材料在低于加熱步驟中的溫度的 大約350°C (第一溫度)下進行抽空并烘干(參考圖2H)。但是由于 在這個溫度下第一接合材料的可壓縮性大體上等于0，因此第一接合 材料1不變形。因此即便在烘干步驟，第二接合材料2的厚度隨著位 置而波動的可能性大大減小。以這種方式，實現密封功能的第二接合 材料2的厚度在加壓步驟、加熱步驟、烘干步驟中沿著周邊長度而波 動的可能性減小，并且能夠產生更可靠的密封性能。雖然在圖6的例子中，第一接合材料l在加壓步驟中的壓縮變形 基本上等于0，即便在發生很小的變形時，如果第一接合材料的可壓 縮性小于笫二接合材料2的可壓縮性，則第二接合材料2的壓縮變形 仍然能夠被防止。 (實例)下面將參考具體實例進一步詳細地描述本發明。在下面每個實例中的成像設備具有前面板32和后板22(參考圖1)。在后板22中，多 個(240行x720列)表面傳導電子發射裝置27以簡單的矩陣形式設置 在玻璃基底21上，以便電連接于X方向布線28和Y方向布線29。 在前面板32中，鋁薄膜形成的金屬襯墊36通過濺射方法形成在作為 圖像形成部件的螢光膜34上，以便具有O.ljim的厚度。而且，鈦膜 作為不可揮發的吸氣劑37通過電子束真空蒸發淀積法形成以便具有 O.ljim的厚度。實例1 (施加玻璃熔料后烘干+銦+附連(tack:將目標局部 緊固或固定))首先，在室溫、350。C和430。C分別測量如圖6所示的壓力和接 合材料的可壓縮性之間的關系。在這個實例中，其厚度在350。C下不 變化的玻璃熔料(圖6中的類型2)用作第一接合材料l。比第一接合 材料1軟并且即便在室溫下也能夠加壓并變形的銦用作第二接合材料 2。步驟a后板22和支撐框架26用玻璃熔料3接合(圖2A )。 步驟b隨后，通過混合松油醇、elvasite (杜邦公司的一種產品的商標) 和用作第一接合材料1的基礎材料的玻璃熔料得到的糊狀物作為第一 接合材料1的前體通過使用分配器施加在支撐框架26的整個周邊上， 以便具有約0.5mm的厚度和2mm的寬度(圖2B )。步驟c在步驟b中施加的第一接合材料l的前體在430。C下烘干，并且 諸如松油醇等的有機材料等被燒盡，因而形成厚度為0.3mm和寬度為 2mm的第 一接合材料1 (圖2C )。步驟d厚度為5mm和寬度為2mm由銦制造的第二接合材料2通過使用 超聲焊接裝置在支撐框架26的整個周圍上沿著寬度為2mm和膜厚度為5nm的基礎層4a設置在笫一接合材料1的內側(圖2D)。基礎層 4a通過烘干銀糊狀物預先形成。 步驟e此后，間隔件8設置在布線上以便其高度低于第二接合材料2的 高度并且幾乎等于第一接合材料l的高度(圖2E)。 步驟f、 g間隔件8已經設置在其上的后板22以及寬度為2mm和膜厚度為 5nm的基礎層4b已經形成在其上的前面板32設置在預定的位置(圖 2F)，因而使前面板32與第一接合材料1發生接觸。也就是，第二接 合材料2被擠壓并且壓扁變形到第一接合材料1的厚度并且由第二接 合材料2確保氣密性(圖2G，圖3A )。基礎層4b通過烘干銀糊狀物 預先形成。步驟h隨后，從卣素燈發射的光從前面板32 —側被匯聚并且同時輻照第 一接合材料1的多個位置(圖2H，圖3B-1)，從而允許第一接合材料 l一部分一部分地熔化。因此，形成具有前面板32、支撐框架26、后 板22的外封殼10 (見圖2H,圖3C)。步驟i隨后，外封殼IO被布置在真空室(未示出)中。在外封殼10的 內部通過排氣孔7抽真空時，真空室中的真空度降低到大約10^Pa并 且整個外封殼IO被加熱到350。C，因而激活不可揮發的吸氣劑37。因 此，排氣孔7被由銦制造的密封材料6和由玻璃基底制造的密封蓋5 所密封，因而形成成像設備ll (圖1， 21， 4A和4B)。在如上所述制造的成像設備11的實例中，由于第一接合材料1 部分地并且局部地熔化(步驟h)，第一接合材料l (玻璃熔料)的高 度不改變。因而，保持第二接合材料2 (銦)的厚度。而且，也在步 驟i中，雖然銦作為第二接合材料2在350°C下加熱時進入熔化狀態， 但是由于作為第一接合材料l的玻璃熔料不熔化，因而第二接合材料 2(銦)的厚度被保持。因此，能夠獲得具有極好氣密密封性的成像設備。由于前面板32和支撐框架26由第一接合材料l固定并且支撐框 架26和后板22由玻璃熔料3固定，在這些部件之間的預定的相對位 置關系也被保持。(實例2)(施加玻璃熔料后烘干+銦十附連(tack:將目標局 部緊固或固定)+激光)在這個例子中，在步驟h中使用激光輻照。具體說，有效直徑為 0.8mm、功率為IOOW、波長為810nm的半導體激光部分地、局部地 并且同時輻照第一接合材料1的多個位置(圖3B-1)，因而使第一接 合材料l能夠熔化。因此，形成具有前面板32、支撐框架26和后板 22的外封殼10 (圖3C)。其他步驟與實例l相同。在如上所述制造的成像設備中，通過使用激光輻照，第一接合材 料1部分地、局部地熔化，因而接合前面板32和支撐框架26。因此， 第二接合材料(銦)2的厚度更容易被保持并且進一步改善氣密性。 具體說，如果使用激光輻照，即便在很窄的區域激光都能夠精確地輻 照，并且局部加熱能夠更有效地進行。因此，改善第二接合材料2的 厚度(高度)均勻性并且獲得更高的氣密性。(實例3)(施加玻璃熔料后烘干+銦+整個周邊+激光)在這個實例中，如圖5A至5C所示，在步驟h，在部分地、局部 地并且連續地掃描第一接合材料的同時，激光輻照順序地輻照第一接 合材料(圖5B)，因而使第一接合材料1能夠熔化。因此，形成具有 面板32、支撐框架26和后板22的外封殼10 (圖5C)。其他步驟與實 例1相同。在如上所述制造的成像設備的本實例中，第一接合材料1連續地、 部分地并且局部地熔化，并且前面板32和支撐框架26被接合。因此， 即便第一接合材料1本身，也能夠保持密封性能并且改善成像設備的 氣密性。此外，也能夠改進可再現性并且改善制造變化。(實例4)(片狀玻璃熔料+銦+整個周邊+激光)在這個實例中，在第二接合材料2被設置之后，寬度為2mm、厚 度為300jim的預先烘干的片狀的玻璃熔料作為第一接合材料1設置在第二接合材料2整個周邊的外側。其他步驟類似于實例1。在如上所述制造的成像設備的本實例中，第一接合材料1連續地、 部分地并且局部地熔化，并且前面板32和支撐框架26被接合。因此， 即便第一接合材料1本身，也能夠保持密封性能并且改善成像設備的 氣密性。此外，也能夠改進再現性并且改善制造變化。而且，在這個 實例中由于玻璃熔料以片狀形狀預先烘干，圖2B的步驟可以省去， 第二接合材料2的布置步驟(圖2D)能夠首先進行，等等。因此，具 有增加處理自由度的效果。(實例5)(鋁+銦+整個周邊+激光)在這個實例中，寬度為2mm和厚度為50nm的Al (鋁)箔用作 第一接合材料1，并且寬度為2mm和厚度為100nm的銦用作第二接 合材料2。其他步驟類似于實例4。將A1選擇為材料，在常溫和350。C 下，它比銦制造的第二接合材料2硬(其可壓縮性更小)。在如上所述制造的成像設備的本實例中，獲得類似于實例4中的 效果。通過使用鋁箔，圖2B的步驟可以省去，笫二接合材料2的布 置步驟(圖2D)能夠首先進行，等等。因此，具有增加處理自由度的 效果。由于使用金屬，在抽真空和烘干時的排氣能夠減少，并且改善 外封殼的真空度。(實例6)(玻璃熔料+銦+整個周邊+激光)在這個例子中，如圖7所示，通過混合松油醇、elvasite(杜邦公 司的一種產品的商標)以及用作第一接合材料l的基礎材料的玻璃熔 料得到的糊狀物，通過使用分配器施加在被加熱到80°C的寬度為4mm 的支撐框架26的一個表面的整個周邊的外側上，以便具有約0.5mm 的厚度和2mm的寬度。此后，支撐框架26被倒過來，放在鋁板上， 擠壓并變形并且變成扁平，以便具有0.4mm的厚度。其后，同樣糊狀 物施加到支撐框架26的另一個表面上，以便具有4mm的寬度和 0.8mm的厚度。即，玻璃熔料順序地提供給支撐框架26的兩個相對 表面。隨后，支撐框架26在380。C下臨時烘干，其后，支撐框架26 從鋁板上剝離并且再倒過來。尚未變扁平的熔料與后板接觸并且支撐框架26布置在后板22上的預定位置處。其后，支撐框架26在430。C 下烘干。寬度為2mm的用于接合支撐框架26和后板22的第一接合 材料1的烘干以及玻璃熔料3的烘干同時進行，因而獲得圖2C的狀 態。第一接合材料l的厚度在這個例子中等于0.3mm。此后，寬度為2mm且厚度為500nm的Sn-Ag類合金用作第二接 合材料2。步驟2F和2G在150°C下進行。在圖2I的步驟中，Al板 用作密封蓋5而Sn-Ag類合金用作密封材料6。關于其他步驟，成像 設備用類似于實例3的方法形成。根據如上所述方法制造的這個實例 的成像設備，能夠獲得類似于實例3的效果。雖然在上面已經描述了本發明的實施例和實例，但是本發明不限 于上面的實施例和實例。例如，雖然在前述實施例和實例中本發明適 用于支撐框架26和前面板32的接合部分，但是本發明可以應用于支 撐框架26和后板22之間的接合部分。同樣，本發明也能夠既應用于 支撐框架26和前面板32的接合部分，又適用于支撐框架26和后板 22的接合部分。雖然在前述實施例和實例中，本發明僅僅應用于支撐 框架26和前面板32的接合部分，這是因為支撐框架26和后板22的 接合部分能夠做成比較厚，并且比較容易確保密封性能。在本發明應 用于支撐框架26和后板22的接合部分的情況下，也能夠將后板22 布置在支撐框架26的下面，將第一和第二接合材料施加在后板22上， 并且通過支撐框架26使第二接合材料變形。雖然已經參考示例性實施例描述了本發明，但是應當理解，本發 明不局限于此。下面權利要求的范圍是按照最廣義的解釋，因此包含 所有的這些修改和等同結構以及功能。
權利要求
1.一種氣密容器的制造方法，包括接合材料布置步驟，即將第一接合材料和對壓力的可壓縮性大于第一接合材料的可壓縮性的第二接合材料布置在形成氣密容器的第一和第二部件的彼此相對設置的表面中的一個上，使得第二接合材料沿著環形路線布置在第一和第二部件的彼此相對設置的表面中的所述一個上，所述第一和第二接合材料設置成并排的關系，并且第一接合材料的高度低于第二接合材料的高度；擠壓步驟，即通過第一和第二部件的彼此相對設置的表面中的另一個擠壓第一和第二接合材料，使得第一和第二接合材料兩者接觸第一和第二部件的彼此相對設置的表面中的所述另一個；加熱步驟，即一部分一部分順序地加熱并熔化與第一和第二部件的彼此相對設置的表面中的所述另一個接觸的第一接合材料；以及冷卻步驟，即冷卻所述第一接合材料的熔化的部分。
2. 根據權利要求l的氣密容器的制造方法，其中 所述加熱步驟包括同時加熱并熔化所述第一接合材料的多個部分。
3. 根據權利要求1或2的氣密容器的制造方法，其中 所述加熱步驟包括通過在從第 一接合材料的一個位置到另 一個位置改變加熱部分的同時多次加熱，加熱并熔化所有的所述第一接合材 料。
4. 根據權利要求1的氣密容器的制造方法，其中 所述加熱步驟包括通過沿著第一接合材料對加熱位置掃描來相繼加熱并熔化所述第一接合材料。
5. 根據權利要求l、 2和4其中任何一項的氣密容器的制造方法， 其中所述加熱步驟包括局部加熱所述第 一接合材料。
6. 根據權利要求5的氣密容器的制造方法，其中所述局部加熱用 激光進行。
7. 根據權利要求5的氣密容器的制造方法，其中所述局部加熱用 卣素燈的光輻照進行。
8. 根據權利要求7的氣密容器的制造方法，其中 所述第一和第二部件由玻璃形成，并且 所述第一接合材料由金屬或玻璃熔料形成。
9. 根據權利要求8的氣密容器的制造方法，其中 在接合材料布置步驟中，使用以片狀形狀烘干的玻璃熔料作為第一接合材料。
10. 根據權利要求8的氣密容器的制造方法，其中 在接合材料布置步驟中，使用片狀的鋁作為第一接合材料。
11. 一種成像設備的制造方法，所述成像設備包括電子發射裝置 和設置在一氣密容器內的成像部件，其中所述氣密容器根據權利要求 1、 2、 4、 6至10中任何一項的方法制造。
12. —種成像設備的制造方法，所述成像設備包括電子發射裝置 和設置在一氣密容器內的成像部件，其中所述氣密容器根據權利要求 5的方法制造。
13. 根據權利要求3的氣密容器的制造方法，其中 所述加熱步驟包括局部加熱第 一接合材料。
14. 一種成像設備的制造方法，所述成像設備包括電子發射裝置 和設置在一氣密容器內的成像部件，其中所述氣密容器根據權利要求 3的方法制造。
全文摘要
一種氣密容器的制造方法，包括接合材料布置步驟，即將第一接合材料和對于壓力的可壓縮性大于第一接合材料的可壓縮性的第二接合材料布置在第一部件上，使得第一和第二接合材料以并排的關系設置，并且第一接合材料的高度低于第二接合材料的高度；將第二部件擠壓至第二接合材料；一部分一部分順序地加熱并熔化第一接合材料；以及冷卻所述第一接合材料以將第一和第二部件接合在一起；本發明還涉及一種使用上述方法制造的氣密容器以及使用該氣密容器的成像設備的制造方法。
文檔編號H01J5/02GK101335167SQ20081013178
公開日2008年12月31日 申請日期2008年6月27日 優先權日2007年6月27日
發明者伊藤靖浩, 多川昌宏, 大橋康雄, 小柳和夫, 鐮田重人, 長谷川光利 申請人:佳能株式會社