專利名稱：具有高密度電性連接的多波長發光模塊的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種多波長發光模塊，特別涉及一種具有高密度電性連接的
多波長發光模塊(multi-wavelength light-emitting module)。
背景技術：
一般而言，作為形成彩色照片或彩色印刷品的方法，有一種用于在感光 片上通過對其曝光而形成圖像，比如說圖畫或字符的方法。有幾種不同類型 的感光片，例如，使用多層彩色顯影方法的感光片，其中具有不同彩色感光 度的三層感光乳劑被層疊在一個支持片上，從而形成感光件；使用一種膠片 的感光片，其中每個乳劑層含有顏料和顯影劑，使得膠片能夠被曝光并同時 顯影，以及類似的感光片。
此外，還有另一種稱為"微膠囊彩色介質"的感光片，如圖1所示，其中 作為感光材料使用含有不同色原物質和不同的光引發劑的微膠囊(cyliths)
(3a、 3b、 3c)。在微膠囊彩色介質la中，例如由聚酯制成的薄的支持體 2a被覆上含有大量很小的微膠囊的感光材料層4a。當曝光時，微膠囊硬化， 使得只有特定顏色的微膠囊是有效的，并且由于壓力而使微膠囊破裂，然后 顯影，借以形成預定顏色的圖像，其他的感光片具有不同的彩色顯影原理， 但是都需要被圖像的彩色的光或其互補色的光曝光，以便形成圖像。
再者，在廣泛使用上述的感光片進行曝光的方法中，白光通過濾光器被 分離成三種基色，并使用各種基色形成圖像，然后，這些圖像被組合從而在 感光介質上形成預定彩色的圖像或其互補色的圖像。
另外，近年來提出了另一種技術，如日本專利申請公開號No. Hei 5-211666和Hei 5-278260中所述，其中使用發出紅綠藍光的發光二極管 (LED)或激光器作為發光源，并且這樣控制發光源，使得在感光片上形成 預定彩色的圖像。借以使感光片曝光。
然而，在如日本專利申請公開號No. Hei 5-211666和Hei 5-278260中所述的使用發光二極管(LED)或激光器作為光源的曝光裝置中，使用一個透 鏡系統把從發光二極管(LED)或激光器發出的光匯聚在介質上，為了控制 點單元中的顏色，需要使用昂貴且大的安裝空間的光學系統，例如掃描光學 系統，微透鏡陣列等。微透鏡陣列和構成掃描光學系統的透鏡組具有光傳輸 損失，使得只有從發光二極管(LED)或激光器發出的光的一部分可到達感 光片(介質)上。因此，在某些情況下，發光二極管(LED)不能提供足以 使感光片曝光的發光量。在其它情況下，必須減少印刷速度和增加印刷時間， 以便確保足夠長的曝光時間。此外，使用透鏡的光學系統要求大的安裝空間， 并且成本高，使得印刷裝置成本高，體積大。
發明內容
本發明所要解決的技術問題在于提供一種具有高密度電性連接的多波 長發光模塊(multi-wavelength light-emitting module)，并且本發明的多波長 發光模塊可為發光二極管陣列結構模塊。此外，該發光二極管陣列結構模塊 為一種光輸出模塊(light exposure module)，其可應用在掃描器(scanner) 與光電成像式(Electrophotography, EPG)印表機中。
此外，本發明的技術特點在于(l)首先，于驅動集成電路結構(drive IC structure)的上表面形成多個驅動集成電路焊盤(drive IC pad)，并且將多 個發光二極管導電軌跡(LED conductive trace)及多個發光二極管焊盤(LED pad)分別形成于每一個單波長發光二極管陣列的上表面及兩側表面；(2)將 多個單波長發光二極管陣列分別設置于該驅動集成電路結構上，以使得每一 個單波長發光二極管陣列的多個發光二極管晶粒分別通過所述多個發光二 極管導電軌跡及該發光二極管焊盤，以電性連接于所述多個驅動集成電路焊 盤。因此，本發明可縮小產品尺寸、降低材料成本、及降低因高密度電性連 接所需的生產成本。
為了解決上述技術問題，根據本發明的其中一種方案，提供一種具有高 密度電性連接的多波長發光模塊(multi-wavelength light-emitting module )， 其包括驅動集成電路結構(drive IC structure)及多波長發光二極管陣列結 構(multi-wavelength LED array structure)。其中，該驅動集成電路結構的上 表面具有驅動集成電路單元(drive IC unit)。該多波長發光二極管陣列結構設置于該驅動集成電路結構的上表面，并且該多波長發光二極管陣列結構的
外表面具有電性連接于該驅動集成電路單元的導電軌跡單元(conductive trace unit)。
因此，本發明能解決傳統工藝采用一根一根進行打線接合而產生冗長的 工藝的缺陷，進而以達到縮小產品尺寸、降低材料成本、及降低因高密度電 性連接所需的生產成本的優點。
為了能更進一步了解本發明為達成預定目的所采取的技術、手段及功 效，請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖，相信本發明的目的、特征與 特點可由此得到深入且具體的了解，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用 來對本發明加以限制。
圖1為以放大的形式表示微膠囊彩色介質的示意圖； 圖2為本發明驅動集成電路結構的立體圖;.
圖3為本發明具有高密度電性連接的多波長發光模塊(multi-wavelength light-emitting module )的立體圖4為本發明具有高密度電性連接的多波長發光模塊(multi-wavelength light-emitting module)的上視圖；以及
圖5為本發明具有高密度電性連接的多波長發光模塊(multi-wavelength light-emitting module )的偵!j視圖。
并且，上述附圖中的各附圖標記說明如下
1
10 100
2
2A、 2B、 2C 20A、 20B、 20C 20
200
201
驅動集成電路結構 驅動集成電路單元 驅動集成電路焊盤 多波長發光二極管陣列結構 單波長發光二極管陣列 發光二極管晶粒 導電軌跡單元 發光二極管導電軌跡 發光二極管焊盤
具體實施例方式
請參閱圖2至圖5所示，其分別為本發明驅動集成電路結構的立體圖、 及本發明具有高密度電性連接的多波長發光模塊(multi-wavelength light-emitting module)的立體圖、上視圖及側視圖。由所述多個圖中可知， 本發明提供一種具有高密度電性連接的多波長發光模塊(multi-wavelength light-emitting module)，其包括驅動集成電路結構(drive IC structure) 1 及多波長發光二極管陣列結構(multi-wavelength LED array structure) 2。
此外，該驅動集成電路結構1的上表面具有驅動集成電路單元(drive IC unit) 10,并且該驅動集成電路單元IO具有多個驅動集成電路焊盤(drive IC pad) 100，其中所述多個驅動集成電路焊盤100分成六排并列的驅動集成電 路焊盤100。
再者，該多波長發光二極管陣列結構2設置于該驅動集成電路結構1的 上表面，并且該多波長發光二極管陣列結構2由三個單波長發光二極管陣列 (single wavelength LED array) (2A、 2B、 2C)所組成，而所述多個單波長 發光二極管陣列(2A、 2B、 2C)具有不同的發射波長(emission wavelength)。 此外，每一個單波長發光二極管陣列(2A、 2B、 2C)包括多個具有相同波 長的發光二極管晶粒(LED die) (20A、 20B、 20C)。
另外，該多波長發光二極管陣列結構2的外表面具有電性連接于該驅動 集成電路單元10的導電軌跡單元(conductive trace unit) 20，并且該導電軌 跡單元20包括多個分別形成于每一個單波長發光二極管陣列(2A、 2B、 2C) 的上表面的發光二極管導電軌跡(LED conductive trace) 200及多個分別形 成于每一個單波長發光二極管陣列(2A、 2B、 2C)的兩側表面的發光二極 管焊盤(LEDpad) 201，因此所述多個發光二極管晶粒(20A、 20B、 20C) 通過該多波長發光二極管陣列結構2的導電軌跡單元2 0以分別電性連接于 所述多個驅動集成電路焊盤100。
換言之，以本發明所揭露的實施例而言，該單波長發光二極管陣列2A 的一部分發光二極管晶粒20A分別通過形成于該單波長發光二極管陣列2A 的上表面及左側表面(left lateral surface)的所述多個發光二極管導電軌跡 200與所述多個發光二極管焊盤201，以電性連接于第一排(最左側)的所 述多個驅動集成電路焊盤100。此外，該單波長發光二極管陣列2A的另一部分發光二極管晶粒20A分別通過形成于該單波長發光二極管陣列2A的上 表面及右側表面(right lateral surface)的所述多個發光二極管導電軌跡200 與所述多個發光二極管焊盤201，以電性連接于第二排的所述多個驅動集成 電路焊盤100。
再者，該單波長發光二極管陣列2B的一部分發光二極管晶粒20B分別 通過形成于該單波長發光二極管陣列2B的上表面及左側表面(left lateral surface)的所述多個發光二極管導電軌跡200與所述多個發光二極管焊盤 201，以電性連接于第三排的所述多個驅動集成電路焊盤100。此外，該單波 長發光二極管陣列2B的另一部分發光二極管晶粒20B分別通過形成于該單 波長發光二極管陣列2B的上表面及右側表面(right lateral surface)的所述 多個發光二極管導電軌跡200與所述多個發光二極管焊盤201，以電性連接 于第四排的所述多個驅動集成電路焊盤100。
另外，該單波長發光二極管陣列2C的一部分發光二極管晶粒20C分別 通過形成于該單波長發光二極管陣列2C的上表面及左側表面(left lateral surface)的所述多個發光二極管導電軌跡200與所述多個發光二極管焊盤 201,以電性連接于第五排的所述多個驅動集成電路焊盤100。此外，該單波 長發光二極管陣列2C的另一部分發光二極管晶粒20C分別通過形成于該單 波長發光二極管陣列2C的上表面及右側表面(right lateral surface)的所述 多個發光二極管導電軌跡200與所述多個發光二極管焊盤201，以電性連接 于第六排(最右側)的所述多個驅動集成電路焊盤100。
借此，每一個發光二極管晶粒(20A、 20B、 20C)依序通過相對應的發 光二極管導電軌跡200及相對應的發光二極管焊盤201，以電性連接于相對 應的驅動集成電路焊盤100。
然而，上述所公開的三個單波長發光二極管陣列(2A、 2B、 2C)非用 以限定本發明，舉凡一個或多個單波長發光二極管陣列均可應用于本發明， 并且只要是將多個發光二極管悍盤分別形成于單波長發光二極管陣列的兩 側表面的應用，均為本發明所保護的范疇。
綜上所述，本發明的多波長發光模塊可為發光二極管陣列結構模塊。此 夕卜，該發光二極管陣列結構模塊為一種光輸出模塊(light exposure module)， 其可應用在掃描器(scanner)與光電成像式(Electrophotography, EPG)印
7表機中。
此外，本發明的技術特點在于(1)首先，于驅動集成電路結構(drive IC structure)的上表面形成多個驅動集成電路焊盤(drive IC pad)，并且將 多個發光二極管導電軌跡(LED conductive trace)及多個發光二極管焊盤
(LEDpad)分別形成于每一個單波長發光二極管陣列的上表面及兩側表面;
(2)將多個單波長發光二極管陣列分別設置于該驅動集成電路結構上，以 使得每一個單波長發光二極管陣列的多個發光二極管晶粒分別通過所述多 個發光二極管導電軌跡及該發光二極管焊盤，以電性連接于所述多個驅動集 成電路焊盤。因此，本發明可縮小產品尺寸、降低材料成本、及降低因高密 度電性連接所需的生產成本。
因此，本發明能解決傳統工藝采用一根一根進行打線接合而產生冗長的 工藝的缺陷，進而以達到縮小產品尺寸、降低材料成本、及降低因高密度電 性連接所需的生產成本的優點。
但是以上所述僅為本發明最佳之一的具體實施例的詳細說明與附圖，本 發明的特征并不局限于此，并非用以限制本發明，本發明的所有范圍應以隨 附的權利要求為準，凡符合于本發明權利要求的精神與其類似變化的實施例 均應包含于本發明的范疇中，任何本領域技術人員在本發明的領域內可輕易 思考到的變化或修飾均可涵蓋在以下本發明的權利要求內。
權利要求
1、一種具有高密度電性連接的多波長發光模塊，其特征在于，包括驅動集成電路結構，其上表面具有驅動集成電路單元；以及多波長發光二極管陣列結構，其設置于所述驅動集成電路結構的上表面，并且所述多波長發光二極管陣列結構的外表面具有電性連接于所述驅動集成電路單元的導電軌跡單元。
2、 如權利要求1所述的具有高密度電性連接的多波長發光模塊，其特征在于所述多波長發光二極管陣列結構具有多個發光二極管晶粒，并且所 述多個發光二極管晶粒通過所述導電軌跡單元以分別電性連接于所述多個 驅動集成電路焊盤。
3、 如權利要求1所述的具有高密度電性連接的多波長發光模塊，其特征在于所述驅動集成電路單元具有多個驅動集成電路焊盤，并且所述多波 長發光二極管陣列結構具有多個單波長發光二極管陣列，每一個單波長發光 二極管陣列包括多個具有相同波長的發光二極管晶粒，所述導電軌跡單元包 括多個分別形成于每一個單波長發光二極管陣列的上表面的發光二極管導 電軌跡及多個分別形成于每一個單波長發光二極管陣列的兩側表面的發光 二極管焊盤，因此每一個發光二極管晶粒依序通過相對應的發光二極管導電 軌跡及相對應的發光二極管焊盤以電性連接于相對應的驅動集成電路焊盤。
全文摘要
本發明涉及一種具有高密度電性連接的多波長發光模塊，其包括驅動集成電路結構及多波長發光二極管陣列結構。其中，所述驅動集成電路結構的上表面具有驅動集成電路單元。所述多波長發光二極管陣列結構設置于所述驅動集成電路結構的上表面，并且所述多波長發光二極管陣列結構的外表面具有電性連接于所述驅動集成電路單元的導電軌跡單元。本發明能解決傳統工藝采用一根一根進行打線接合而產生冗長的工藝的缺陷，進而以達到縮小產品尺寸、降低材料成本、及降低因高密度電性連接所需的生產成本的優點。
文檔編號F21V19/00GK101493214SQ200810008520
公開日2009年7月29日 申請日期2008年1月23日 優先權日2008年1月23日
發明者吳明哲 申請人:環隆電氣股份有限公司