專利名稱：等離子顯示器面板及其制造方法
技術領域：
本發明涉及等離子顯示器面板的結構以及等離子顯示器面板的制造方法。
背景技術：
面放電式交流型等離子顯示器面板(以下稱為PDP)，在隔著放電空間相互對置的兩個玻璃基板的一個玻璃基板上，在列方向上并列設置沿行方向延伸的多個行電極對，并由電介質層覆蓋，在該電介質層的面上，利用蒸鍍法形成具有電介質層的保護功能和向單位發光區域內放出二次電子的功能的氧化鎂膜，在另一個玻璃基板上，在行方向上并列設置沿列方向延伸的多個列電極，在放電空間的行電極對和列電極分別交叉的部分形成排列成矩陣狀的單位發光區域(放電單元)。
在各個放電單元內形成被劃分為紅、綠、藍三原色的熒光體層。
并且，在該PDP的放電空間內填充由氖氣和氙氣的混合氣體構成的放電氣體。
該PDP在成對的行電極間同時進行復位放電，然后在一方的行電極和列電極之間選擇性地發生地址放電，在與放電單元相鄰的電介質層上形成有壁電荷的發光單元和電介質層的壁電荷被刪除的滅燈單元分布于面板表面上，然后在發光單元內的成對的行電極之間進行持續放電，從混合于放電空間內的放電氣體中的氙氣放射真空紫外線，紅、綠、藍的熒光體層因該真空紫外線激勵而發光，從而在面板表面形成圖像。
以往，在上述結構的PDP中，很難做到既防止復位放電、地址放電、持續放電的各個放電中的放電開始電壓的上升和放電概率的下降，又提高面板的發光效率，使兩者并立已成為一個長年存在的課題。
發明內容
本發明把實現上述以往的PDP的課題作為其解決的一個課題。
為了解決上述課題，本發明的等離子顯示器面板具有隔著放電空間對置的前面基板和背面基板；設在該前面基板和背面基板之間的多個行電極對；以及在與該行電極對交叉的方向上延伸，并在與行電極對交叉的各個部分的放電空間分別形成單位發光區域的多個列電極，其特征在于，在所述放電空間內封入含有10體積％或以上的氙氣的放電氣體，在面對所述單位發光區域的位置處設有氧化鎂層，該氧化鎂層含有被電子線激勵而進行在200～300nm的波長區域內具有峰值的陰極發光的氧化鎂結晶體。
并且，本發明的等離子顯示器面板把下述結構的PDP作為其最佳實施方式，即，在前面玻璃基板和背面玻璃基板之間設置在行方向上延伸的行電極對、和在列方向上延伸并在與行電極對的交叉部分的放電空間形成放電單元的列電極，在覆蓋該行電極對或列電極的電介質層表面的至少面對放電單元的部分，設置含有利用氣相氧化法生成的氧化鎂結晶體的氧化鎂層，該氧化鎂結晶體被電子線激勵而進行在200～300nm的波長區域內具有峰值的陰極發光，在前面玻璃基板和背面玻璃基板之間的放電空間封入含有10體積％或以上的氙氣的放電氣體。
該實施方式的PDP，通過使封入放電空間內的放電氣體中含有10體積％或以上的氙氣，使發光效率提高。并且，在面對放電單元的部分形成含有氣相氧化鎂結晶體的氧化鎂層，該氧化鎂結晶體被電子線激勵而進行在200～300nm內具有峰值的陰極發光，由此抑制伴隨放電氣體中的氙氣分壓的增大而引起的放電開始電壓的上升，并且放電延遲縮短，放電的離散性減小，從而進一步提高發光效率。
圖1是表示本發明的實施方式的實施例的主視圖。
圖2是圖1中的V-V線的剖視圖。
圖3是圖1中的W-W線的剖視圖。
圖4是表示在該實施例中在薄膜鎂層上形成結晶鎂層的狀態的剖視圖。
圖5是表示在該實施例中在結晶鎂層上形成薄膜鎂層的狀態的剖視圖。
圖6是表示具有立方體的單晶結構的氧化鎂單結晶體的SEM照片像的圖。
圖7是表示具有立方體的多晶結構的氧化鎂單結晶體的SEM照片像的圖。
圖8是表示該實施例的PDP的放電開始電壓的降低效果的比較圖。
圖9是表示該實施例的PDP的放電離散性的改善狀態的比較圖。
圖10是表示該實施例中氧化鎂單結晶體的粒徑和CL發光波長的關系的曲線圖。
圖11是表示該實施例中氧化鎂單結晶體的粒徑和235nm的CL發光強度的關系的曲線圖。
圖12是表示采用蒸鍍法形成的氧化鎂層的CL發光波長的狀態的曲線圖。
圖13是表示氧化鎂單結晶體的235nm的CL發光的峰值強度和放電延遲的關系的曲線圖。
圖14是表示對只由采用蒸鍍法形成的氧化鎂層構成保護層的情況、和由結晶鎂層及采用蒸鍍法形成的薄膜鎂層的雙層結構構成保護層的情況下的放電延遲特性進行比較的圖。
具體實施例方式
圖1～圖3表示本發明的PDP的實施方式的一個實施例，圖1是示意性地表示該實施例的PDP的主視圖，圖2是圖1中的V-V線的剖視圖，圖3是圖1中的W-W線的剖視圖。
該圖1～圖3所示的PDP，在作為顯示面的前面玻璃基板1的背面平行地排列著多個行電極對(X、Y)，這些行電極對在前面玻璃基板1的行方向(圖1的左右方向)上延伸。
行電極X由透明電極Xa和總線電極Xb構成，透明電極Xa由形成為T字狀的ITO等的透明導電膜構成，總線電極Xb由在前面玻璃基板1的行方向上延伸并連接透明電極Xa的狹小的基端部的金屬膜構成。
行電極Y也同樣由透明電極Ya和總線電極Yb構成，透明電極Ya由形成為T字狀的ITO等的透明導電膜構成，總線電極Yb由在前面玻璃基板1的行方向上延伸并連接透明電極Ya的狹小的基端部的金屬膜構成。
該行電極X和Y在前面玻璃基板1的列方向(圖1的上下方向)上交替排列，沿總線電極Xb和Yb并列的各個透明電極Xa和Ya延伸到彼此成對的對方的行電極側，透明電極Xa和Ya的寬闊部的頂邊分別隔著必要寬度的放電間隙g相互對置。
在前面玻璃基板1的背面，在列方向相鄰的行電極對(X、Y)的彼此背靠背的總線電極Xb和Yb之間，形成沿著該總線電極Xb、Yb在行方向上延伸的黑色或暗色的光吸收層(遮光層)2。
另外，在前面玻璃基板1的背面形成電介質層3，以覆蓋行電極對(X、Y)，在該電介質層3的背面，在與彼此相鄰的行電極對(X、Y)的背靠背相鄰的總線電極Xb和Yb、以及該相鄰的總線電極Xb和Yb之間的區域部分對置的位置處，以與總線電極Xb、Yb平行地延伸的狀態形成向電介質層3的背面側突出的突起電介質層3A。
并且，在該電介質層3和突起電介質層3A的背面側，形成利用蒸鍍法或濺射法形成的薄膜氧化鎂層(以下稱為薄膜氧化鎂層)4，以覆蓋電介質層3和突起電介質層3A的整個背面。
在該薄膜氧化鎂層4的背面側，如后面所述，形成含有氧化鎂結晶體的氧化鎂層(以下稱為結晶氧化鎂層)5，該氧化鎂結晶體通過被電子線激勵進行在200～300nm(特別是235nm附近，230～250nm內)的波長區域內具有峰值的陰極發光(CL發光)。
該結晶氧化鎂層5形成于薄膜氧化鎂層4的整個背面或一部分上，例如面對后述的放電單元的部分(在圖示例中，示出了結晶氧化鎂層5形成于薄膜氧化鎂層4的整個背面上的示例)上。
并且，該結晶氧化鎂層5通過在薄膜氧化鎂層4上例如分散上述的氧化鎂結晶體粉末而形成。
另一方面，在與前面玻璃基板1平行地配置的背面玻璃基板6的顯示側的面上，彼此隔開規定的間隔平行地排列著列電極D，該列電極D在與各個行電極對(X、Y)的彼此成對的透明電極Xa和Ya對置的位置處，向與行電極對(X、Y)正交的方向(列方向)延伸。
在背面玻璃基板6的顯示側的面上，還形成覆蓋列電極D的白色的列電極保護層(電介質層)7，在該列電極保護層7上形成分隔壁8。
該分隔壁8由一對橫壁8A和縱壁8B形成為大致梯子形狀，一對橫壁8A在各個行電極對(X、Y)的與總線電極Xb和Yb對置的位置處分別沿行方向延伸，縱壁8B在相鄰的列電極D之間的中間位置處，在一對橫壁8A之間沿列方向延伸，各個分隔壁8隔著間隙SL在列方向上并列設置，該間隙SL在相鄰的其他分隔壁8的彼此背靠背對置的橫壁8A之間沿行方向延伸。
并且，前面玻璃基板1和背面玻璃基板6之間的放電空間S，按照每個放電單元C分別被該梯子狀的分隔壁8限定為方形，該放電單元C形成于各個行電極對(X、Y)中和彼此成對的透明電極Xa及Ya對置的部分上。
在面對放電空間S的分隔壁8的橫壁8A及縱壁8B的側面和列電極保護層7的表面，形成熒光體層9，以整體覆蓋這五個面，并且對該熒光體層9的顏色進行排列，使得紅、綠、藍三原色按照各個放電單元C在行方向上依次排列。
通過覆蓋該突起電介質層3A的結晶氧化鎂層5(或者，在結晶氧化鎂層5只形成于薄膜氧化鎂層4背面的與放電單元C對置的部分時，指薄膜氧化鎂層4)抵接分隔壁8的橫壁8A的顯示側的面(參照圖2)，突起電介質層3A分別將放電單元C和間隙SL之間封閉，但是，不抵接縱壁8B的顯示側的面(參照圖3)，在其間形成間隙r，在行方向上相鄰的放電單元C之間隔著該間隙r彼此連通。
在放電空間S內封入含有10體積％或以上的氙氣的高氙氣分壓的放電氣體。
上述結晶氧化鎂層5通過利用噴射法和靜電涂覆法等方法，在覆蓋了電介質層3和突起電介質層3A的薄膜氧化鎂層4的背面側表面附著前述的氧化鎂結晶體而形成。
另外，在該實施例中，在電介質層3和突起電介質層3A的背面形成薄膜氧化鎂層4，在該薄膜氧化鎂層4的背面形成結晶氧化鎂層5，對這種示例進行了說明，但也可以在電介質層3和突起電介質層3A的背面形成結晶氧化鎂層5，然后在該結晶氧化鎂層5的背面形成薄膜氧化鎂層4。
圖4表示在電介質層3的背面形成薄膜氧化鎂層4，利用噴射法和靜電涂覆法等方法在該薄膜氧化鎂層4的背面附著氧化鎂結晶體，以形成結晶氧化鎂層5的狀態。
并且，圖5表示利用噴射法和靜電涂覆法等方法在電介質層3的背面附著氧化鎂結晶體，以形成結晶氧化鎂層5，然后形成薄膜氧化鎂層4的狀態。
上述PDP的結晶氧化鎂層5利用下述材料和方法形成。
即，通過被作為結晶氧化鎂層5的形成材料的電子線激勵，進行在200～300nm(特別是235nm附近，230～250nm內)的波長區域內具有峰值的CL發光的氧化鎂結晶體，例如含有對加熱鎂產生的鎂蒸氣進行氣相氧化得到的鎂的單結晶體(以下把這種鎂的單結晶體稱為氣相法氧化鎂單結晶體)，該氣相法氧化鎂單結晶體含有氧化鎂單結晶體，該氧化鎂單結晶體具有例如將圖6的SEM照片像所示的具有立方體的單晶結構的氧化鎂單結晶體、和圖7的SEM照片像所示的立方體的結晶體彼此嵌入而形成的結構(即，立方體的多晶結構)。
該氣相法氧化鎂單結晶體有助于后面所述的放電特性的改善。
并且，該氣相法氧化鎂單結晶體與利用其他方法得到的氧化鎂相比，具有純度高、并可獲得微粒、而且顆粒凝聚較少等特征。
在該實施例中，使用通過BET法測定的平均粒徑大于等于500埃(優選大于等于2000埃)的氣相法氧化鎂單結晶體。
另外，關于氣相法氧化鎂單結晶體的合成，在“材料”昭和62年(1987年)11月號、第36卷第410號的第1157頁～1161頁的“采用氣相法的鎂粉末的合成及其性質”等中有所記載。
上述PDP在放電單元C內進行形成圖像用的復位放電和地址放電、持續放電。
并且，在放電單元C內發生在地址放電前進行的復位放電時，通過形成有結晶氧化鎂層5，可以較長地持續復位放電的點火效果，由此使地址放電快速化。
另外，該PDP使用含有10體積％或以上的氙氣的高氙氣分壓的混合氣體作為填充于放電空間的放電氣體，所以來自持續放電產生的放電氣體的真空紫外線的放射量增加，可以發揮較高的發光效率。
此處，一般放電氣體中的氙氣濃度和復位放電及地址放電、持續放電的各種放電的放電開始電壓的關系具有所謂的折中關系，即，放電氣體中的氙氣濃度增大時，各種放電的放電開始所需要的電壓上升，在只提高放電氣體中的氙氣濃度的情況下，放電概率降低。
上述PDP利用前述的含有氣相法氧化鎂單結晶體的氧化鎂結晶體形成結晶氧化鎂層5，所以如上所述，作為放電氣體即使使用高氙氣分壓的混合氣體，也能夠抑制各種放電的放電開始電壓的上升。
即，圖8是表示在PDP中面對放電空間的部分沒有形成氣相法氧化鎂層時和形成有氣相法氧化鎂層時，對行電極間的放電(復位放電、持續放電)的放電開始電壓、和形成有紅、綠、藍各顏色的熒光體層的各個放電單元中的行電極和列電極間的放電(地址放電)的放電開始電壓進行比較的曲線圖。
在該圖8中，左側部分表示沒有形成氣相法氧化鎂層的情況，右側部分表示形成有氣相法氧化鎂層的情況，a1、a2表示行電極間的放電(復位放電、持續放電)的放電開始電壓，b1、b2表示形成有紅色熒光體層的放電單元中的行電極和列電極間的放電(地址放電)的放電開始電壓，c1、c2表示形成有綠色熒光體層的放電單元中的行電極和列電極間的放電(地址放電)的放電開始電壓，d1、d2表示形成有藍色熒光體層的放電單元中的行電極和列電極間的放電(地址放電)的放電開始電壓。
根據該曲線圖可知，在面對PDP的放電空間的部分形成有氣相法氧化鎂層時，與沒有形成該氣相法氧化鎂層時相比，行電極間的放電開始電壓約降低7V，行電極和列電極間的放電的放電開始電壓約降低10～20V。
因此，在上述的圖1～圖3的PDP中，使用含有10體積％或以上的氙氣的高氙氣分壓的混合氣體作為放電氣體時，通過利用含有氣相法氧化鎂單結晶體的氧化鎂結晶體形成結晶氧化鎂層5，可以抑制各個放電的放電開始電壓上升。
并且，一般PDP在產生地址放電時，借助利用施加給前面玻璃基板1側的行電極Y的電壓和施加給背面玻璃基板6側的列電極D的電壓產生的靜電力，使前面玻璃基板1和背面玻璃基板6諧振而產生振動，但上述PDP即使在使用高氙氣分壓的混合氣體作為放電氣體時，也能借助利用含有氣相法氧化鎂單結晶體的氧化鎂結晶體形成的結晶氧化鎂層5，來抑制地址放電的放電開始電壓的上升，所以因在前面玻璃基板1和背面玻璃基板6之間產生的靜電力而形成的物理能量不會上升，由此防止因基板振動產生的聽覺噪聲。
另外，上述PDP借助利用含有氣相法氧化鎂單結晶體的氧化鎂結晶體形成的結晶氧化鎂層5，縮短持續放電的放電延遲，減小其放電離散性，由此在放電單元C中規定數量以上的放電單元C被設定為在電介質層3上形成有壁電荷的發光單元并產生持續放電時，由于各個發光單元中的持續放電一致，從而發光效率進一步提高。
圖9是對在面對放電空間的部分沒有形成氣相法氧化鎂層的PDP的放電離散性(圖的左側)、和形成有氣相法氧化鎂層的PDP的放電延遲的離散性(圖的右側)進行比較的說明圖。
在該圖9中，在沒有形成氣相法氧化鎂層的PDP中，放電的離散性變大，施加給行電極對的持續脈沖的電壓降減小，但在形成有氣相法氧化鎂層的PDP中，放電的離散性變小，并且一致地產生放電，所以產生放電時的持續脈沖的電壓降增大，結果，發光效率提高。
在上述的形成有結晶氧化鎂層5的PDP中，縮短放電延遲的理由如下所述。
即，如圖10和圖11所示，形成有結晶氧化鎂層5的PDP借助于通過放電產生的電子線的照射，從結晶氧化鎂層5中包含的粒徑較大的氣相法氧化鎂單結晶體中激勵出除了在300～400nm內具有峰值的CL發光，而且在200～300nm的波長區域內(特別是235nm附近，230～250nm內)具有峰值的CL發光。
這種在235nm處具有峰值的CL發光如圖12所示，不從利用普通蒸鍍法形成的氧化鎂層(該實施例中的薄膜氧化鎂層4)激勵出，只激勵出在300～400nm內具有峰值的CL發光。
并且，根據圖10和11可知，在200～300nm的波長區域內(特別是235nm附近，230～250nm內)具有峰值的CL發光，氣相法氧化鎂單結晶體的粒徑越大，其峰值強度越大。
由于在200～300nm的波長區域內具有峰值的CL發光的存在，推測能夠進一步實現放電特性的改善(放電延遲的減小、放電概率的提高)。
即，這種基于結晶氧化鎂層5的放電特性的改善被推測是通過如下所述而實現的，即，進行在200～300nm的波長區域內(特別是235nm附近，230～250nm內)具有峰值的CL發光的氣相法氧化鎂單結晶體，具有與該峰值波長對應的能量水平，利用該能量水平能夠長時間(幾毫秒以上)地捕捉電子，該電子被電場吸取，從而獲得放電開始需要的初始電子。
并且，這種基于氣相法氧化鎂單結晶體的放電特性的改善效果，隨著在200～300nm的波長區域內(特別是235nm附近，230～250nm內)具有峰值的CL發光的強度增大而變大，這是因為CL發光強度和氣相法氧化鎂單結晶體的粒徑之間也具有相關關系。
即，在想要形成較大粒徑的氣相法氧化鎂單結晶體時，考慮到需要提高產生鎂蒸氣時的加熱溫度，所以鎂與氧氣反應的火焰的長度變長，該火焰與周圍的溫度差變大，從而越是粒徑較大的氣相法氧化鎂單結晶體，越形成較多的與上述的CL發光的峰值波長(例如235nm附近，230～250nm內)對應的能量水平。
并且，關于立方體的多晶結構的氣相法氧化鎂單結晶體，含有許多晶面缺陷，推測該面缺陷能量水平的存在也有助于放電概率的改善。
另外，形成結晶氧化鎂層5的氣相法氧化鎂單結晶體的粒徑(DBET)，通過利用氮吸附法測定BET相對表面積(s)，并根據該值利用下述算式算出。
DBET＝A/s×ρA形狀計數(A＝6)ρ鎂的真實密度圖13是表示CL發光強度和放電延遲的相關關系的曲線圖。
根據該圖13可知，借助從結晶氧化鎂層5激勵出的235nm的CL發光，PDP中的放電延遲縮短，另外，這種235nm的CL發光強度越強，該放電延遲越短。
圖14是對如上所述PDP具有薄膜氧化鎂層4和結晶氧化鎂層5的雙層結構時(曲線圖a)、和如以往的PDP那樣只形成采用蒸鍍法形成的氧化鎂層時(曲線圖b)的放電延遲特性進行比較的圖。
根據該圖14可知，PDP具有薄膜氧化鎂層4和結晶氧化鎂層5的雙層結構，由此與以往只具有采用蒸鍍法形成的薄膜氧化鎂層的PDP相比，放電延遲特性明顯改善。
如上所述，上述PDP通過除了層疊采用蒸鍍法等形成的以往的薄膜氧化鎂層4、還層疊含有被電子線激勵而進行在200～300nm的波長區域內具有峰值的CL發光的氧化鎂結晶體的結晶氧化鎂層5而形成，由此實現放電延遲等放電特性的改善，具有良好的放電特性。
形成該結晶氧化鎂層5的氧化鎂結晶體，使用通過BET法測定的其平均粒徑大于等于500埃的物質，優選使用2000～4000埃的物質。
結晶氧化鎂層5無需如前面所述一定形成為覆蓋薄膜氧化鎂層4的整個面，例如，也可以在行電極X、Y的與透明電極Xa、Ya對置的部分或相反地在與透明電極Xa、Ya對置的部分以外的部分等形成局部圖形。
在局部形成該結晶氧化鎂層5時，結晶氧化鎂層5相對于薄膜氧化鎂層4的面積比，例如設定為0.1～85％。
另外，以上說明了把本發明適用于在前面玻璃基板上形成行電極對并被電介質層覆蓋，在背面玻璃基板側形成熒光體層和列電極的反射型交流PDP的示例，但是，本發明也可以適用于以下各種形式的PDP，即，在前面玻璃基板側形成行電極對和列電極并被電介質層覆蓋，在背面玻璃基板側形成熒光體層的反射型交流PDP；在前面玻璃基板側形成熒光體層，在背面玻璃基板側形成行電極對和列電極并被電介質層覆蓋的透射型交流PDP；在放電空間的行電極對和列電極的交叉部分形成放電單元的三電極型交流PDP；在放電空間的行電極對和列電極的交叉部分形成放電單元的二電極型交流PDP等。
并且，以上說明了利用噴射法和靜電涂覆法等方法附著而形成結晶氧化鎂層5的示例，但是，結晶氧化鎂層5也可以利用絲網印刷法或平版印刷法、數控噴涂(dispenser)法、噴墨法、滾涂法等方法涂覆含有氧化鎂結晶體粉末的膏而形成，或者還可以把含有氧化鎂結晶體的膏涂覆在支撐薄膜上后使其干燥而形成薄膜狀，再把其層壓在薄膜氧化鎂層上。
并且，在上述示例中，說明了形成有薄膜氧化鎂層和結晶氧化鎂層雙方的PDP，但是，本發明也可以適用于只形成有結晶氧化鎂層的PDP。
權利要求
1.一種等離子顯示器面板，具有隔著放電空間對置的前面基板和背面基板；設在該前面基板和背面基板之間的多個行電極對；以及在與該行電極對交叉的方向上延伸，并在與行電極對交叉的各個部分的放電空間分別形成單位發光區域的多個列電極，其特征在于，在所述放電空間內封入含有10體積％或以上的氙氣的放電氣體，在面對所述單位發光區域的位置處設有氧化鎂層，該氧化鎂層含有被電子線激勵而進行在200～300nm的波長區域內具有峰值的陰極發光的氧化鎂結晶體。
2.根據權利要求1所述的等離子顯示器面板，其特征在于，所述氧化鎂結晶體是利用氣相氧化法生成的氧化鎂單結晶體。
3.根據權利要求1所述的等離子顯示器面板，其特征在于，所述氧化鎂結晶體進行在230～250nm內具有峰值的陰極發光。
4.根據權利要求1所述的等離子顯示器面板，其特征在于，所述氧化鎂結晶體含有具有2000埃或以上的粒徑的氧化鎂結晶體。
5.根據權利要求1所述的等離子顯示器面板，其特征在于，所述氧化鎂層具有層疊了利用蒸鍍或濺射形成的薄膜氧化鎂層、和含有氧化鎂結晶體的結晶氧化鎂層的結構。
6.根據權利要求5所述的等離子顯示器面板，其特征在于，所述結晶氧化鎂層通過在薄膜氧化鎂層上分散氧化鎂結晶體粉末而形成。
7.根據權利要求1所述的等離子顯示器面板，其特征在于，在所述前面基板側形成行電極對和覆蓋該行電極對的電介質層，氧化鎂層形成于該電介質層上。
8.根據權利要求7所述的等離子顯示器面板，其特征在于，在所述前面基板和背面基板之間設有把放電空間按每個單位發光區域劃分的分隔壁，在背面基板側形成列電極和覆蓋該列電極的電介質層，在各個單位發光區域內形成覆蓋分隔壁的側面和電介質層的熒光體層，其中電介質層用于覆蓋列電極。
全文摘要
在前面玻璃基板(1)和背面玻璃基板(6)之間的放電空間S內封入含有10體積％或以上的氙氣的放電氣體，在面對形成于放電空間S內的放電單元C的位置處設有結晶氧化鎂層(5)，該結晶氧化鎂層(5)含有被電子線激勵而進行在200～300nm內具有峰值的陰極發光的氧化鎂結晶體。
文檔編號H01J11/40GK1838366SQ200610065289
公開日2006年9月27日 申請日期2006年3月21日 優先權日2005年3月22日
發明者宮田隆史, 西村賢, 板倉俊輔 申請人:日本先鋒公司