專利名稱：基底基板及其分割方法和使用該基板的等離子體顯示屏的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及制造等離子體顯示屏的方法。更具體地說，本發(fā)明涉及分割成多個單獨基板的基底基板，將基底基板分割成多個單獨基板的方法，采用單獨基板的等離子體顯示屏以及制造等離子體顯示屏的方法。
背景技術(shù)：
等離子體顯示屏(PDP)的制造方式可以是，采用第一基板和第二基板制造屏組件，將框架基底與屏組件組合，以及在框架基底上安裝驅(qū)動電路?？蓪ψ罱K的結(jié)構(gòu)進行測試以確定其可接受性，并且隨后將可接受的結(jié)構(gòu)安裝在外殼中。
為了能夠大量生產(chǎn)PDP，可制備一個基底基板，在基底基板上形成圖案，并隨后將該基底基板分割成多個單獨的基板，例如，第一基板、第二基板、...、第(n-1)基板以及第n基板。
各種圖案層可以形成在基底基板的上表面上。例如，可以在第一基底基板上形成多個維持放電電極對和掩埋維持放電電極對的第一介質(zhì)層，以及可以在第二基底基板上形成地址電極、覆蓋地址電極的背面介質(zhì)層、隔離條和熒光層。
在形成圖案的過程中，各個基底基板都要經(jīng)歷燒制工藝。在完成燒制工藝之后，可以將基底基板分割成多個單獨的基板，例如，可以使用切割刀沿著各個單獨基板的邊界來分割。
然而，隨著基底基板變得越來越大，要在整個基底基板上獲得均勻的質(zhì)量就變得越來越困難了。缺乏均勻性是眾多的波動所產(chǎn)生的結(jié)果，例如，應(yīng)力的集中、圖案的變化和/或掩模的變化。這些波動可能源于厚膜工藝中，例如，是由可能引起熱應(yīng)力的燒制工藝引起的，或者是由使用可能引起機械應(yīng)力的掩模(例如絲網(wǎng)掩模)的印刷工藝引起的。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提出了一種可將基底基板分割成多個單獨的基板并由單獨的基板構(gòu)成屏的方法，該方法基本上克服了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點所產(chǎn)生的一個或多個問題。
因此，本發(fā)明一個實施例的特征是提供一種基底基板，其在對連續(xù)沉積在基底基板的多個單獨基板進行處理的過程中，防止由于圖案變化、掩模變化或者應(yīng)力集中引起的屏質(zhì)量劣化，還提供一種將基底基板分割成多個單獨基板的方法、使用單獨基板的等離子體顯示屏和制造該等離子體顯示屏的方法。
上述特征和優(yōu)點中至少一個可以通過提供等離子體顯示屏(PDP)來實現(xiàn)，其包括第一基板，包含第一放電電極和將第一基板與第一基底基板分割開的第一分割邊界；第二基板，包含第二放電電極和將第二基板與第二基底基板分割開的第二分割邊界。
第一和第二分割邊界可以相同的方向取向。第一放電電極可以平行于第一分割邊界。第二放電電極可以垂直于第二分割邊界。第一和第二基底基板中至少一個基底基板可滿足于下列關(guān)系1.5≤L1/L2≤2，式中L1是基底基板的長邊的長度，而L2是基底基板的短邊的長度。
上述特征和優(yōu)點中至少一個可以通過提供等離子體顯示屏(PDP)的制造方法來實現(xiàn)，該方法包括在第一基底基板上形成地址電極，將第一基底基板以垂直于地址電極所延伸方向的方向分割成多個單獨的第一基板，各個單獨的第一基板包括多個地址電極，在第二基底基板上形成維持放電電極對，以平行于維持放電電極延伸方向的方向?qū)⒌诙谆宸指畛啥鄠€單獨的第二基板，各個單獨的第二基板包括多個維持放電電極對，并且將多個單獨第一基板中的至少一個基板和多個單個第二基板中所對應(yīng)的一個基板固定在一起形成至少一個PDP。
地址電極的形成可以包括對在多個單獨的第一基板中的每一個上形成地址電極圖案，以使之沿著平行于第一基底基板的長邊方向延伸。
第一基底基板的分割包括沿著相鄰的單獨的第一基板之間的各個邊界進行切割。
維持放電電極對的形成可以包括在多個單獨的第二基板中的每一個中形成維持放電電極圖案，以使之沿著平行于第二基底基板的短邊方向延伸。
第二基底基板的分割可以包括沿著相鄰的單獨第二基板之間的各個邊界進行切割。固定可以包括將單獨的第一基板與第一基底基板分割開來所沿的邊界對準(zhǔn)于將單獨的第二基板與第二基底基板分割開來所沿的邊界對準(zhǔn)，使之相互平行。
上述特征和優(yōu)點中至少一個可以通過提供分割基底基板的方法來實現(xiàn)，該方法包括在基底基板上形成放電電極，并且將基底基板以沿著垂直于放電電極延伸方向的方向分割成多個單獨的基板，各個單獨的基板包括多個放電電極。
放電電極的形成可以包括在基底基板上形成放電電極圖案，使之沿著平行于基底基板的長邊方向延伸。
基底基板的分割包括沿著相鄰的單獨基板之間的各個邊界進行切割。
上述特征和優(yōu)點中至少一個可以通過提供分割成多個單獨基板且各自具有多個放電電極的基底基板來實現(xiàn)，其中，基底基板滿足下列關(guān)系1.5≤L1/L2≤2，式中L1是基底基板的長邊的長度，而L2是基底基板的短邊的長度。
基底基板可以沿著垂直于基底基板的長邊方向依次劃分成多個單獨的基板。放電電極可以是地址電極。
上述特征和優(yōu)點中至少一個可以通過提供分割基底基板的方法來實現(xiàn)，該方法包括在基底基板上形成放電電極，以及將基底基板沿著平行于放電電極延伸方向的方向分割成多個單獨的基板，各個單獨的基板包括多個放電電極。
放電電極的形成可以包括在基底基板上形成放電電極圖案，使之沿著平行于基底基板的短邊方向延伸。基底基板的分割可以包括沿著相鄰的單獨基板之間的各個邊界的切割。
通過參考附圖的詳細典型實施例的討論，對于本領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員而言，本發(fā)明的上述和其它特征和優(yōu)點將變得更加顯而易見。
圖1示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的等離子體顯示屏(PDP)的局部剖面示意圖；圖2示出了圖1所示的PDP的截面示意圖；圖3示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的圖1所示的PDP的放電電極布局的平面示意圖；圖4示出了根據(jù)本發(fā)明第一實施例的基底基板的平面示意圖；圖5示出了根據(jù)本發(fā)明第二實施例的基底基板的平面示意圖；以及圖6示出了圖4和圖5所示經(jīng)過分割和組合之后的基底基板的平面示意圖具體實施方式
2005年12月30日向韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的題為“基底基板及其分割方法和使用該基底基板的等離子體顯示屏”的韓國專利申請No.10-2005-0135857以全部引用的方式納入本文。
以下將參考示出了本發(fā)明示例性實施例的附圖對本發(fā)明實施例作更全面的討論。然而，本發(fā)明可以不同的形式實現(xiàn)并且不應(yīng)解釋為局限于所述的實施例。此外，所提供的這些實施例使得本揭示全面和完整，并且向本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員充分地表示了本發(fā)明的范圍。
在附圖中，為了便于清晰的說明，可以放大層和區(qū)域的尺寸。應(yīng)該理解的是，當(dāng)該層或該元件被稱為“在另一層或基板之上”時，它可以是直接在其它層或基板上，也可以還存在著中間層。此外，應(yīng)該理解的是，當(dāng)該層被稱為“在另一層之下”時，它可以是直接在其它層之下，也可以還存在著一層或多層中間層。另外，還應(yīng)該理解的是，當(dāng)該層被稱為“在兩層之間”時，它可以是兩層之間僅有的一層，也可以還存在著一層或多層中間層。在全文中，相同的標(biāo)號表示相同的元件。
圖1示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的等離子體顯示屏(PDP)的局部分解透視圖；而圖2示出了圖1所示的PDP的截面視圖。
參考圖1和圖2，PDP 100可以包括第一基板111和可以面對著第一基板111且與其相互平行的第二基板161。密封劑190(例如可熔融玻璃)可以放置在第一基板111和第二基板161的內(nèi)側(cè)邊緣，以形成密封的內(nèi)部空間。第一基板111和第二基板161并不限于特定的材料，并且可以是透明的(例如碳酸氫鈉玻璃)、半透明的、彩色的或者不透明的。
用于產(chǎn)生維持放電的維持放電電極對114可以平行x方向設(shè)置在第一基板111的內(nèi)表面上。維持放電電極對114可以包括X電極112和Y電極113。X電極112和Y電極113可以在屏100的y方向上交替設(shè)置。一對X電極112和Y電極113中至少一部分可以設(shè)置在一個放電單元內(nèi)。
每個X電極112可以包括第一放電電極線112a，它可以是條狀；第一凸出部分112b，它可以從第一放電電極線112a一側(cè)側(cè)壁凸出進入到各個放電單元內(nèi)；以及第一總線電極線112c，它可以重疊于第一放電電極線112a。每個Y電極113可以包括第二放電電極線113a，它可以是條狀；第二凸出部分113b，它可以從第二放電電極線113a的一側(cè)側(cè)壁凸出進入到各個放電單元；以及第二總線電極線113c，它可以重疊于第二放電電極線113a。第一凸出部分112a和第二凸出部分113b可以設(shè)置為與各個放電單元中心相隔預(yù)定的距離。
第一放電電極線112a、第一凸出部分112b、第二放電電極線113a以及第二凸出部分113b可以采用透明的導(dǎo)電層來形成，例如銦錫氧化物(ITO)薄膜；而第一總線電極線112c和第二總線電極線113c可以采用高導(dǎo)電材料(例如銀(Ag)漿或者其它金屬材料(例如鉻-銅-鉻)來制成，但是材料并不限于此。
X電極112和Y電極113可以在第一介質(zhì)層115之下。第一介質(zhì)層115可以通過向玻璃漿中添加各種填充物來制成。第一介質(zhì)層115可以選擇性地只覆蓋形成為X電極112和Y電極113圖案的一部分，或者可以在第一基板111的整個下表面上以預(yù)定的厚度形成。保護層116(例如MgO)可以形成在第一介質(zhì)層115的表面上，用于防止損傷第一介質(zhì)層115和提高二次電子的發(fā)射。
地址電極162可以設(shè)置在第二基板161的內(nèi)表面上。地址電極162可以與維持放電電極對114交叉，并且可以是與放電單元交叉的條狀，它可以在屏100的Y方向上相鄰設(shè)置。地址電極162可以用第二介質(zhì)層163覆蓋。
與第一和第二基板111和161一起來限定放電單元的隔離條164設(shè)置在第一基板111和第二基板161之間。如圖1所示，隔離條164可以包括第一隔離條164a，它可以設(shè)置在屏100的x方向上；以及第二隔離條164b，它可以設(shè)置在屏的y方向上。第一隔離條164a可以在與一對相鄰的第二隔離條164b的內(nèi)側(cè)側(cè)壁交叉的方向上整體延伸。如圖1所示，第一隔離條164a和第二隔離條164b可以形成一個矩陣。
另外，隔離條164可以形成各種圖案，例如，條狀圖案、彎曲圖案、三角圖案和蜂窩圖案。此外，由隔離條164所分割的放電單元并不限于特定的形狀，并且可以例如是矩形、多邊形、橢圓形或者圓形。
由第一基板111、第二基板161和隔離條164所限定的放電單元可以采用放電氣體來填充，例如，Ne-Xe或者He-Xe。
放電單元的內(nèi)部可以采用紅、綠和藍色熒光層165涂覆，當(dāng)受到放電氣體所發(fā)射的紫外線激發(fā)時，熒光層就會發(fā)出可見光。在該實施例中，紅、綠和藍色熒光層165可以涂覆在隔離條164的內(nèi)側(cè)，但是也可以涂覆在隔離條164的任何區(qū)域上。
熒光層165可以單獨涂覆在各個放電單元上。紅色熒光層可以包括(Y，Gd)BO3；Eu+3，綠色熒光層可以包括Zn2SiO4:Mn2+，而藍色熒光層可以包括BaMgAl10O17:Eu2+。
圖3示出了圖1所示PDP的放電電極的典型布局。
參考圖3，PDP 100可以分成在驅(qū)動時可以顯示圖像的顯示區(qū)域101和非顯示區(qū)域102。非顯示區(qū)域102可以在顯示區(qū)域101的周邊。X電極112、Y電極113和地址電極16可以電連接著非顯示區(qū)域102中的外部端部。
X電極112可以穿過沿屏100的x方向相鄰設(shè)置的放電單元，從顯示區(qū)域101延伸到非顯示區(qū)域102。X電極112的端部可以延伸到非顯示區(qū)域102的第一區(qū)域，并且可以連接著公共連接電極線117，該電極線沿屏100的y方向延伸。因此，可以將相同的電壓施加于X電極112。
Y電極113也可以穿過沿屏100的x方向相鄰設(shè)置的放電單元，從顯示區(qū)域101延伸到非顯示區(qū)域102。Y電極113的端部可以延伸到非顯示區(qū)域102的面對著第一區(qū)域的第二區(qū)域。Y電極可以不與其它Y電極或者公共線相互連接。因此，可以將不同的電壓施加于Y電極113。
地址電極162可以穿過沿屏100的y方向相鄰設(shè)置的放電單元，從顯示區(qū)域101延伸到非顯示區(qū)域102。地址電極162可以設(shè)置在屏100的整個區(qū)域上，并且可以穿過X電極112和Y電極113延伸。各個地址電極的端部可以延伸進入非顯示區(qū)域102的不同于第一和第二區(qū)域的第三區(qū)域，并且可以互不相連。
因此，放電維持電極114(例如，X和Y電極112和113對)以及地址電極162可以沿相互不同的方向單獨設(shè)置在屏100上，并且電連接著到在屏100的非顯示區(qū)域102中的外部端部，例如，柔性印刷電纜。
圖4圖示說明了根據(jù)本發(fā)明第一實施例的第一基底基板。
參考圖4，第一基底基板400可以是母基板，它可以分割成多個基板，例如第一基板、第二基板、...、第n-1基板以及第n基板。在圖4所示的特定結(jié)構(gòu)中，第一基底基板400可以分割成三個基板，即，第一基板401、第二基板402和第三基板403。
可以沿第一基底基板400的y方向依次限定第一基板401、第二基板402和第三基板403。可以在第一基板401上形成第一地址電極411的圖案，在第二基板402上形成第二地址電極412的圖案，在第三基板403上形成第三地址電極413的圖案。
第一、第二和第三地址電極411、412和413可以具有基本相同的尺寸和形狀，并根據(jù)本發(fā)明的當(dāng)前實施例，每一個可以是條狀的。第一、第二和第三地址電極411、412和413可以平行于第一基底基板400的y方向設(shè)置。第一、第二和第三地址電極的多個端部可以在第一、第二和第三基板401、402和403的邊緣處被歸入一組，但是也可以在電性能上保持相互獨立。
第一、第二和第三基板401、402和403可在第一基板401和第二基板402之間的第一邊界414以及在第二基板402和第三基板403之間的第二邊界415上采用切割刀(未顯示)進行切割來分割。第一邊界414和第二邊界415可以垂直于第一、第二和第三地址電極411、412和413所延伸的方向，例如可以沿著第一基底基板400的x方向延伸。
第一基底基板400的長邊(l1)的長度和短邊(l2)的長度可以滿足下列公式1<公式1>1.5≤l1/l2≤2.0當(dāng)l1/l2小于1.5時，可能會浪費材料，因為第一、第二和第三基板401、402和403不能由第一基底基板400來獲得。當(dāng)l1/l2大于2.0時，第一基底基板400可以分割成第一、第二和第三基板401、402和403，乃至更多。然而，隨著第一基底基板400的長邊l2的長度增加，在燒制時可能發(fā)生熱變化。
因此，第一基底基板400可以沿著垂直于第一、第二和第三地址電極411、412和413延伸方向的至少兩個邊界來分割。
圖5示出了根據(jù)本發(fā)明第二實施例的第二基底基板500。
參考圖5，第二基底基板500可以是母基板，它可以分割成多個基板，例如，第一基板、第二基板、...、第n-1基板以及第n基板。第二基底基板500的每個單獨基板可以與第一實施例的第一基底基板400的每個單獨基板相組合以制造PDP。
第二基底基板500可以沿第二基底基板500的y方向分割成第四基板501、第五基板502和第六基板503。第一維持放電電極511可以設(shè)置在第四基板501上；第二維持放電電極512可以設(shè)置在第五基板502上；第三維持放電電極513可以設(shè)置在第六基板503上。
第一、第二和第三維持放電電極對511、512和513可以相應(yīng)地包括X電極511a、512a和513a以及Y電極511b、512b和513b，并且可以具有基本相同的尺寸和形狀。
X電極511a、512a和513a的每個可以單獨延伸到第二基底基板500的第一邊，并且可以電連接著到第四、第五和第六基板501、502和503的各自的連接電極線517。Y電極511b、512b和513b可以延伸到面對第一邊的第二邊。與X電極511a、512a和513a所不同的是，Y電極511b、512b和513b相互間沒有電連接。Y電極511b、512b和513b的多個端部可以歸入一組，但仍可保持相互間電氣上的獨立。
第四、第五和第六基板501、502和503可以在第四基板501和第五基板502之間的第三邊界514以及在第五基板502和第六基板503之間的第四邊界上使用切割刀的切割來分割。第三邊界514和第四邊界515可以平行于第一、第二和第三維持放電電極對511、512和513所延伸的方向，例如可以沿著第二基底基板500的x方向延伸。
第二基底基板500的長邊(l3)的長度和短邊(l4)的長度可以滿足下列公式2<公式2>1.5≤l3/l4≤2.0當(dāng)l3/l4小于1.5時，可能會浪費材料，因為第四至第六基板501至503可能不由第二基底基板500來獲得。當(dāng)l3/l4大于2.0時，基底基板可以分割成第四至第六基板501至503，乃至更多。然而，隨著第二基底基板500的長邊l3的長度增加，在燒制時可能發(fā)生熱變化。
因此，第二基底基板500可以沿著平行于第一、第二和第三維持放電電極對511、512和513延伸方向的至少兩個邊界來分割。
圖6示出了由圖4所示的第一基底基板400和圖5所示的第二基底基板500分割而成的多個單獨基板的組合狀態(tài)。
參考圖6，第一基底基板400可以分割成第一基板401、第二基板402和第三基板403，而第二基底基板500可以分割成第四基板501、第五基板502和第六基板503。
第一基板401和第四基板501可以組合形成第一PDP，第二基板402和第五基板502可以組合形成第二PDP，第三基板403和第六基板503可以組合形成第三PDP。
第一基板401的下邊界414a和第四基板501的下邊界514a、第二基板402的上邊界414b和第五基板502的上邊界514b、第二基板402的下邊界415a和第五基板502的下邊界515a以及第三基板502的上邊界415b和第六基板503的上邊界515b可以相同的方向來取向。
一種使用基底基板制造多個PDP的方法將參考圖4至6描述如下。
首先，制備第一基底基板400。隨后，在第一基底401、第二基板402和第三基板403的對應(yīng)區(qū)域上形成第一地址電極411、第二地址電極412和第三地址電極413的圖案。可以沿著第一基底基板400的長邊方向形成第一、第二和第三地址電極411、412和413的圖案，即，平行于y方向，并且可以具有基本相同的形狀和尺寸。
在形成第一、第二和第三地址電極411、412和413的圖案之后，可以按預(yù)定的溫度進行燒制工藝。隨后，可以印刷和燒制掩埋第一、第二和第三地址電極411、412和413的第二介質(zhì)層(未顯示)。接著，當(dāng)PDP是三電極表面放電型的PDP時，可以在第二介質(zhì)層的上表面上形成用于限定放電單元的隔離條(未顯示)并進行燒制。
接著，第一基底基板400可以沿著位于第一基板401和第二基板402之間的第一邊界414以及位于第二基板402和第三基板403之間的第二邊界415進行分割。該邊界可以垂直于第一、第二和第三地址電極411、412和413延伸的方向。
可以制備第二基底基板500。在第四基板501、第五基板502和第六基板503的對應(yīng)區(qū)域上形成多個維持放電電極511、512和513的圖案。
第一、第二和第三維持放電電極對511、512和513的圖案可以形成于X電極511a、512a和513a以及相對于X電極511a、512a和513a交替設(shè)置的Y電極511b、512b和513b中。X電極511a、512a和513a的端部可以相互電連接，例如通過在第二基底基板500的第一區(qū)域中的連接電極線517。第一、第二和第三維持放電電極對511、512和513可以平行于第二基底基板500的短邊(即x方向)設(shè)置，并且可以具有相同的形狀和尺寸。
第一、第二和第三維持放電電極511、512和513可以通過重疊透明導(dǎo)電層(例如ITO薄膜)和用于減小電極的線電阻的高導(dǎo)電金屬材料(例如Ag漿)來形成，或者可以僅僅使用金屬材料來形成，即，可以采用各種不同的實施例。
在形成第一、第二和第三維持放電電極對511、512和513的圖案和以預(yù)定溫度進行燒制之后，可以形成掩埋第一、第二和第三維持放電電極511、512和513的第一介質(zhì)層(未顯示)。當(dāng)PDP是三電極表面放電類的PDP時，可以在第一介質(zhì)層的表面上形成保護層(未顯示)，例如，MgO層。
隨后，第二基底基板500可以沿著在第四基板501和第五基板502之間的第三邊界514以及在第五基板502和第六基板503之間的第四邊界515進行分割。該邊界可以平行于第一、第二和第三維持放電電極511、512和513延伸的方向。
接著，將第一、第二和第三基板401、402和403分別與第四、第五和第六基板501、502和503組合以形成三個PDP。
當(dāng)組合由第一基底基板400和第二基底基板500所形成的各個基板時，第一、第二和第三基板401、402和403的邊界以及第四、第五和第六基板501、502和503的邊界可以相同的方向取向。
因此，第一基板401和第四基板501可以第一基板401的下邊界414a和第四基板501的下邊界514a分別以相同方向取向的狀態(tài)進行組合。同樣，第二基板402和第五基板502可以第二基板402的上下邊界414b和415a以及第五基板502的上下邊界514b和515a分別以相同方向取向的狀態(tài)進行組合。同樣。第三基板403和第六基板503可以第三基板403的上邊界415b和第六基板503的上邊界515b分別以相同方向取向的狀態(tài)進行組合。
雖然圖6所示的實施例圖示說明了分別與第四至第五基板501至503組合的第一至第三基板401至403，但是這種組合可以重新排列，只要邊界是相互平行的即可。換句話說，第一基板401可以與第四至第六基板501至503中的任一基板組合，等等。例如，第一基板401可以與第五基板502進行組合，第二基板402可以與第六基板503進行組合，第三基板403可以與第四基板501進行組合。因此，基板的組合并無特別的限定，只要由第一基底基板400和第二基底基板500所分割出的各個基板的邊界是平行的即可。
接著，可以沿著第一至第三基板401至403和第四至第六基板501至503組合的內(nèi)側(cè)邊緣設(shè)置密封劑(未顯示)，例如可熔融的玻璃，并且可以密封所形成的各個PDP。
根據(jù)本發(fā)明的基底基板、分割基底基板的方法和使用基底基板的等離子體顯示屏可以具有以下所討論的各種效果。
首先，對沿著垂直于地址電極的方向形成地址電極圖案的基底基板進行分割可以減小在燒制過程中由于熱變化所引起的圖案變化。
其次，更加均勻的地址電極可以簡化與后期形成的隔離條或者熒光層的對準(zhǔn)。
第三，當(dāng)使用掩模形成地址電極時，通過對準(zhǔn)平行于基底基板長邊的地址電極可以減小掩模的寬度，從而可以減小或防止由于掩模上不平衡的張力所引起的地址電極圖案的變化。
第四，通過對排列地址電極的第一基底基板和按照平行邊界相互對準(zhǔn)的方式排列維持放電電極對的第二基底基板進行各種組合可以獲得穩(wěn)定的成品率。
本文已經(jīng)揭示了本發(fā)明的典型實施例，雖然所采用的是具體的術(shù)語，但是它們應(yīng)當(dāng)僅在一般性的和描述性的意義下被解釋，并不具有限定作用。因此，本領(lǐng)域內(nèi)普通技術(shù)人員應(yīng)該理解到在不偏離后附權(quán)利要求所闡述的本發(fā)明的精神和范圍的前提下，可以在形式和細節(jié)上作出各種變化。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示屏(PDP)，包括第一基板，包含第一放電電極和將第一基底基板從第一基板分割開的第一分割邊界；以及第二基板，包含第二放電電極和將第二基底基板從第二基板分割開的第二分割邊界。
2.如權(quán)利要求1所述的PDP，其特征在于，所述第一和第二分割邊界都以相同的方向取向。
3.如權(quán)利要求2所述的PDP，其特征在于，所述第一放電電極平行于所述第一分割邊界。
4.如權(quán)利要求2所述的PDP，其特征在于，所述第二放電電極垂直于所述第二分割邊界。
5.如權(quán)利要求2所述的PDP，其特征在于，所述第一和第二基底基板中的至少一個基底基板滿足下列關(guān)系1.5≤L1/L2≤2這里，L1是基底基板的長邊長度，而L2是基底基板的短邊長度。
6.一種制造等離子體顯示屏(PDP)的方法，該方法包括在第一基底基板上形成地址電極；沿著垂直于地址電極延伸的方向?qū)⒌谝换谆宸指畛啥鄠€單獨的第一基板，每個單獨的第一基板包括多個地址電極；在第二基底基板上形成維持放電電極對；沿著平行于維持放電電極對延伸的方向?qū)⒌诙谆宸指畛啥鄠€單獨的第二基板，各個單獨的第二基板包括多個維持放電電極對；以及將多個單獨的第一基板中的至少一個和多個單獨的第二基板中所對應(yīng)的一個固定在一起以形成至少一個PDP。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述形成地址電極包括在多個單獨的第一基板的每一個上形成地址電極的圖案以使之沿著平行于所述第一基底基板的長邊方向延伸。
8.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述分割第一基底基板包括沿著相鄰第一基板之間的各個邊界的切割。
9.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述形成維持放電電極對包括在多個單獨第二基板中的各個基板中的維持放電電極內(nèi)形成圖案以使之以平行于第二基底基板的短邊方向延伸。
10.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述分割第二基底基板包括沿著在相鄰的單獨第二基板之間的各個邊界的切割。
11.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述固定包括使從第一基底基板分割第一單獨基板所沿的邊界對準(zhǔn)從第二基底基板分割第二單獨基板所沿的邊界，以使之相互平行。
12.一種分割基底基板的方法，包括在基底基板上形成放電電極；以及沿著垂直于放電電極延伸方向的方向?qū)⒒谆宸指畛啥鄠€單獨的基板，各個單獨的基板包括多個放電電極。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述形成放電電極包括在基底基板上形成放電電極圖案，以使之在平行于基底基板的長邊方向上延伸。
14.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述分割基底基板包括沿著在相鄰基板之間的各個邊界的切割。
15.一種分割成各自含有多個放電電極的多個單獨基板的基底基板，其特征在于，所述基底基板滿足下列關(guān)系1.5≤L1/L2≤2這里，L1是基底基板的長邊長度，而L2是基底基板的短邊長度。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述基底基板沿著垂直于所述基底基板的長邊方向依次劃分割成多個單獨的基板。
17.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述放電電極是地址電極。
18.一種分割基底基板的方法，包括在基底基板上形成放電電極；以及將基底基板沿著平行于放電電極延伸方向的方向分割成多個單獨的基板，各個單獨的基板包括多個放電電極。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，所述形成放電電極包括在基底基板上形成放電電極圖案，以使之以平行于基底基板的短邊方向延伸。
20.如權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，所述分割基底基板包括沿著在相鄰基板之間的各個邊界的切割。
全文摘要
一種等離子體顯示屏(PDP)可包括第一基板和第二基板，其中第一基板含有第一放電電極和將第一基板與第一基底基板分割開的第一分割邊界；而第二基板含有第二放電電極和將第二基板與第二基底基板分割開的第二分割邊界。
文檔編號H01J9/00GK1992130SQ20061006366
公開日2007年7月4日 申請日期2006年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月30日
發(fā)明者權(quán)泰正 申請人:三星Sdi株式會社