專利名稱：傘形柵極陣列結構的平板顯示器及其制作工藝的制作方法
技術領域：
本發明屬于平面顯示技術領域、微電子科學與技術領域、真空科學與技術領域以及納米科學技術領域的相互交叉領域，涉及到平板場致發射顯示器的器件制作，具體涉及到碳納米管陰極的平板場致發射顯示器的器件制作方面的內容，特別涉及到帶有傘形柵極陣列結構的、碳納米管陰極的場致發射平面顯示器件的制作工藝。
背景技術：
碳納米管是一種同軸的管狀物質，在外加電壓的作用下能夠發射出大量的電子，它具有小的尖端曲率半徑，高的縱橫比率，良好的場致發射特性以及優良的物理化學穩定性，是一種相當優秀的冷陰極發射材料，已經引起了眾多研究人員的高度關注。利用碳納米管作為陰極材料的平板顯示器是一種新興的場致發射類型顯示器件，具有高亮度、平面化以及高清晰度等優點，其應用越來越廣泛，未來具有相當大的發展空間。
為了有效的降低總體器件成本，降低器件的工作電壓，以便于能夠和常規的集成驅動電路結合到一起，制作三極結構的場致發射顯示器件已經成為了一種必然的選擇。在三極結構的碳納米管陰極場致發射平板顯示器件當中，控制柵極結構是比較關鍵的元件之一，它對碳納米管陰極的電子發射起著十分必要的控制作用。無論是制作控制柵極的材質，制作工藝，還是控制柵極的結構形式等，都是研究人員們值得重視的方面。目前，大多數平板顯示器中都選擇了控制柵極位于碳納米管陰極上方的結構形式，即高柵結構。這種柵極結構的強有力控制作用明顯，制作工藝比較簡單，但是所形成的柵極電流比較大，控制柵極電壓比較高，這是其不利之處。那么，應該如何對這種結構進行改進，使之既能夠充分利用這種柵極結構的強有力控制作用，加大對碳納米管陰極電子發射的管制，同時還要有效的減小柵極電流，降低柵極工作電壓，這是需要值得思考和研究的現實問題。如何在充分利用直接生長法制備碳納米管陰極所具有的良好場致發射特性的基礎上，將控制柵極結構和碳納米管陰極結構有機的結合到一起，從而促進整體器件的高度集成化發展，以及如何選擇適合的柵極結構形式，如何選擇適合的柵極制作工藝，等等，這些都是需要重點考慮的現實問題。
此外，在三極結構的平板場致發射顯示器件當中，在確保柵極結構對碳納米管陰極具有良好控制作用的前提下，還需要盡可能的降低總體器件成本，進行穩定可靠、成本低廉、性能優良、高質量的器件制作。
發明內容
本發明的目的在于克服上述平板顯示器件中存在的缺點而提供一種成本低廉、制作過程穩定可靠、制作成功率高、結構簡單的帶有傘形柵極陣列結構的平板顯示器件及其制作工藝。
本發明的目的是這樣實現的一種帶有傘形柵極陣列結構的平板顯示器，包括由陰極面板、陽極面板和四周玻璃圍框所構成的密封真空腔；在陽極面板上有光刻的陽極導電層以及制備在陽極導電層上面的熒光粉層；支撐墻結構以及消氣劑附屬元件，在陰極面板上制作有傘形柵極陣列結構。
所述的傘形柵極結構包括陰極面板、設置在陰極面板上的柵極導電層、設置在柵極導電層上面的摻雜多晶硅層，其中摻雜多晶硅層的形狀為一個傘形結構，刻蝕后的絕緣隔離層覆蓋住全部摻雜多晶硅層，絕緣隔離層將柵極導電層和陰極導電層相互隔離開來，陰極導電層存在于相鄰傘形摻雜多晶硅層中間的位置，并存在于和陰極面板相平行的平面上，陰極導電層的上面存在催化劑金屬層，在催化劑金屬層上制備有碳納米管陰極。
柵極導電層為錫銦氧化物膜層、金屬層之一，柵極導電層的上面的摻雜多晶硅層為n型或為p型。所述的絕緣隔離層為二氧化硅層，刻蝕后的絕緣隔離層覆蓋住全部摻雜多晶硅層和柵極導電層，陰極導電層為金屬金、銀、銅、鋁、錫、銦、鉬之一，陰極導電層和柵極導電層的走向是相互垂直的。所述的催化劑金屬層為金屬鐵、鈷、鎳之一。
一種帶有傘形柵極陣列結構的平板顯示器的制作工藝，其制作工藝如下1)、陰極而板的制作對整體平板玻璃進行劃割，制作出陰極面板；2)、柵極導電層的制作在陰極面板上蒸鍍一層金屬鉻，然后結合常規的光刻工藝，對金屬鉻層進行刻蝕，形成柵極導電層；3)、摻雜多晶硅層的制作在柵極導電層的上面制備出摻雜多晶硅層，然后結合常規的光刻工藝，對摻雜多晶硅層進行刻蝕；刻蝕后的多晶硅層的形狀為一個傘形結構，4)、絕緣隔離層的制作在陰極面板的上面制備出一層二氧化硅層，然后結合常規的光刻工藝，對二氧化硅層進行刻蝕，形成絕緣隔離層；刻蝕后的絕緣隔離層要覆蓋住全部摻雜多晶硅層和柵極導電層，此絕緣隔離層將柵極導電層和陰極導電層相互隔離開來；5)、陰極導電層的制作在絕緣隔離層的上面蒸鍍上一個金屬層，然后結合常規的光刻工藝，對金屬鉬層進行刻蝕，形成陰極導電層；刻蝕后的陰極導電層僅僅存在于相鄰傘形摻雜多晶硅結構中間的位置，并且僅僅存在于和陰極面板相平行的平面上，其余位置的陰極導電層需要去除掉；陰極導電層和柵極導電層的走向是相互垂直的；6)、催化劑金屬層的制作在陰極導電層上蒸鍍一層金屬，然后結合常規的光刻工藝，對金屬層進行刻蝕，形成催化劑金屬層；7)、碳納米管陰極的生長利用催化劑金屬層作為生長碳納米管用的催化劑，結合低溫直接生長法，在陰極導電層的表面生長出碳納米管陰極；8)、陽極玻璃面板的制作對整體平板玻璃進行裁剪，制作出陽極玻璃面板；9)、陽極電極層的制作在陽極玻璃面板上蒸鍍一層錫銦氧化物膜層；結合常規的光刻工藝，對錫銦氧化物膜層進行刻蝕，形成陽極電極層；10)、絕緣漿料層的制作結合絲網印刷工藝，在陽極電極層的非顯示區域印刷絕緣漿料層，用于防止寄生電子發射；經過烘烤，烘烤溫度150℃，保持時間5分鐘，之后，放置在燒結爐中進行高溫燒結，燒結溫度580℃，保持時間10分鐘；11)、熒光粉層的制作結合絲網印刷工藝，在陽極電極層上面的顯示區域印刷熒光粉層；在烘箱當中進行烘烤，烘烤溫度120℃，保持時間10分鐘；12)、器件裝配將陰極玻璃面板、陽極玻璃面板、支撐墻結構玻璃圍框裝配到一起，并將消氣劑放入到空腔當中，用低熔點玻璃粉固定。在玻璃面板的四周涂抹好低熔點玻璃粉，用夾子固定，13)、成品制作對已經裝配好的器件進行如下的封裝工藝將樣品器件放入烘箱當中進行烘烤；放入燒結爐當中進行高溫燒結；在排氣臺上進行器件排氣、封離，在烤消機上對器件內部的消氣劑進行烤消，最后加裝管腳形成成品件。
本發明具有如下的積極效果本發明中的最主要特點在于制作了傘形柵極陣列結構，并制作了帶有傘形柵極陣列結構的、碳納米管陰極的場致發射平板發光顯示器件。
首先，在本發明中的傘形柵極陣列結構中，制作的傘形柵極對碳納米管陰極的電子發射起著強有力的控制作用。當在傘形柵極上施加適當電壓以后，在碳納米管陰極表面頂端就會形成強大的電場強度，迫使碳納米管陰極發射出大量的電子，在陽極高電壓的作用下向陽極高速運動，轟擊熒光粉層而發出可見光。制作的傘形柵極會在碳納米管陰極的頂部和側向都施加強大的電場強度，有助于進一步增加碳納米管頂端表面的電場強度，有利于進一步提高碳納米管陰極的電子發射效率，增高顯示器件的顯示亮度，提高整體器件的制作成功率，顯著提高了器件的發光效率。此外，在本發明中的傘形柵極陣列結構中，是在全部柵極結構都制作完畢的情況下，最后才進行碳納米管陰極的生長，也就是說碳納米管陰極的制作不受到其它顯示器件工藝的影響，也就極大地減少了碳納米管陰極的損傷；其次，在本發明的傘形柵極陣列結構中，傘形柵極結構和碳納米管陰極之間用絕緣隔離層相互隔離開來，不會導致二者之間短路現象的出現。這樣，通過有效的控制絕緣隔離層的厚度，就可以有效地控制陰極和柵極之間的距離，也可以進一步的縮減二者之間的有效距離，從而降低整體顯示器件的工作電壓；由于陰極和柵極之間用絕緣隔離層完全隔離開來，因此不必擔心二者之間短路打火現象的發生，極大地提高了整體器件的制作成功率；制作了陰極導電層，在陰極導電層的基礎上制作了催化劑金屬層，利用低溫直接生長法制備了碳納米管陰極，這樣就充分利用了直接生長法制備碳納米管陰極的良好的場致發射特性，有助于進一步增大整體器件的電子發射電流，增大碳納米管陰極的發射電流均勻性，提高碳納米管陰極的發射電流密度；第三，在本發明中的傘形柵極陣列結構中，在陰極導電層的上面制作了催化劑金屬層，這就為后續工藝中的碳納米管陰極的生長作了充分的準備，這樣就可以在陰極導電層的表面直接生長碳納米管陰極了，也就使得柵極結構和碳納米管陰極結構高度集成到一起，既簡化了整體器件的制作工藝，同時也有利于進一步提高整體器件的顯示分辨率。
此外，在本發明中的傘形柵極陣列結構中，并沒有采用特殊的結構制作材料，也沒有采用特殊的器件制作工藝，這在很大程度上就進一步降低了整體平板顯示器件的制作成本，簡化了器件的制作過程，能夠進行大面積的器件制作，有利于進行商業化的大規模生產。
圖1給出了傘形柵極陣列結構的縱向結構示意圖；圖2給出了傘形柵極陣列結構的橫向結構示意圖；圖3給出了帶有傘形柵極陣列結構的、碳納米管場致發射平面顯示器的結構示意圖。
具體實施例方式
下面結合附圖和實施例對本發明進行進一步說明，但本發明并不局限于這些實施例。
本發明包括由陰極面板1、陽極面板11和四周玻璃圍框8所構成的密封真空腔；在陽極而板11上有光刻的陽極導電層12以及制備在陽極導電層12上面的熒光粉層14；支撐墻結構9以及消氣劑附屬元件10，在陰極面板1上制作有傘形柵極陣列結構。
所述的傘形柵極結構包括陰極面板1、設置在陰極面板1上的柵極導電層2、設置在柵極導電層2上面的摻雜多晶硅層3，其中摻雜多晶硅層3的形狀為一個傘形結構，刻蝕后的絕緣隔離層4覆蓋住全部摻雜多晶硅層3，絕緣隔離層4將柵極導電層2和陰極導電層5相互隔離開來，陰極導電層5存在于相鄰傘形摻雜多晶硅層3中間的位置，并存在于和陰極面板相平行的平面上，陰極導電層5的上面存在催化劑金屬層6，在催化劑金屬層6上制備有碳納米管陰極7。
柵極導電層2為錫銦氧化物膜層、金屬層之一，柵極導電層2的上面的摻雜多晶硅層為n型或為p型。
所述的絕緣隔離層4為二氧化硅層，刻蝕后的絕緣隔離層覆蓋住全部摻雜多晶硅層3和柵極導電層2，陰極導電層為金屬金、銀、銅、鋁、錫、銦、鉬之一，陰極導電層和柵極導電層的走向是相互垂直的。所述的催化劑金屬層6為金屬鐵、鈷、鎳之一。
本發明中的傘形柵極結構包括陰極玻璃面板、柵極導電層、摻雜多晶硅層、絕緣隔離層、陰極導電層、催化劑金屬層、碳納米管陰極部分，并采用如下的工藝進行制作1、陰極玻璃面板的制作對整體平板鈉鈣玻璃進行劃割，制作出陰極玻璃面板；2、柵極導電層的制作在陰極面板上蒸鍍一層金屬鉻，然后結合常規的光刻工藝，對金屬鉻層進行刻蝕，形成柵極導電層；3、摻雜多晶硅層的制作在柵極導電層的上面制備出n型摻雜多晶硅層，然后結合常規的光刻工藝，對摻雜多晶硅層進行刻蝕；刻蝕后的多晶硅層應具有如下的形狀，即其基本形狀為一個傘形結構，即通過對摻雜多晶硅層進行刻蝕，除掉多余部分；4、絕緣隔離層的制作在陰極面板的上面制備出一層二氧化硅層，然后結合常規的光刻工藝，對二氧化硅層進行刻蝕，形成絕緣隔離層；刻蝕后的絕緣隔離層要覆蓋住全部摻雜多晶硅層和柵極導電層，此絕緣隔離層將柵極和陰極相互隔離開來；5、陰極導電層的制作在絕緣隔離層的上面蒸鍍上一個金屬鉬層，然后結合常規的光刻工藝，對金屬鉬層進行刻蝕，形成陰極導電層；刻蝕后的陰極導電層應該具有如下的形狀，即陰極導電層僅僅存在于相鄰傘形摻雜多晶硅結構中間的位置，并且僅僅存在于和陰極面板相平行的平面上，其余位置的陰極導電層需要去除掉；陰極導電層和柵極導電層的走向是相互垂直的；6、催化劑金屬層的制作在陰極導電層上蒸鍍一層金屬鈷，然后結合常規的光刻工藝，對金屬鈷層進行刻蝕，形成催化劑金屬層；7、傘形柵極陣列結構的表面清潔處理對傘形柵極陣列結構的表面進行清潔處理，除掉灰塵和雜質；8、碳納米管陰極的生長利用催化劑金屬層作為生長碳納米管用的催化劑，結合低溫直接生長法，在陰極導電層的表面生長出碳納米管陰極；9、碳納米管陰極的后處理對碳納米管陰極進行后處理，進一步改善碳納米管陰極的場致發射特性。
本發明中帶有傘形柵極陣列結構的碳納米管場致發射平板顯示器的制作工藝如下
1、陰極玻璃面板的制作對整體平板鈉鈣玻璃進行劃割，制作出陰極玻璃面板；2、柵極導電層的制作在陰極面板上蒸鍍一層金屬鉻，然后結合常規的光刻工藝，對金屬鉻層進行刻蝕，形成柵極導電層；3、摻雜多晶硅層的制作在柵極導電層的上面制備出n型摻雜多晶硅層，然后結合常規的光刻工藝，對摻雜多晶硅層進行刻蝕；刻蝕后的多晶硅層應具有如下的形狀，即其基本形狀為一個傘形結構，即通過對摻雜多晶硅層進行刻蝕，除掉多余部分；4、絕緣隔離層的制作在陰極面板的上面制備出一層二氧化硅層，然后結合常規的光刻工藝，對二氧化硅層進行刻蝕，形成絕緣隔離層；刻蝕后的絕緣隔離層要覆蓋住全部摻雜多晶硅層和柵極導電層，此絕緣隔離層將柵極和陰極相互隔離開來；5、陰極導電層的制作在絕緣隔離層的上面蒸鍍上一個金屬鉬層，然后結合常規的光刻工藝，對金屬鉬層進行刻蝕，形成陰極導電層；刻蝕后的陰極導電層應該具有如下的形狀，即陰極導電層僅僅存在于相鄰傘形摻雜多晶硅結構中間的位置，并且僅僅存在于和陰極面板相平行的平面上，其余位置的陰極導電層需要去除掉；陰極導電層和柵極導電層的走向是相互垂直的；6、催化劑金屬層的制作在陰極導電層上蒸鍍一層金屬鈷，然后結合常規的光刻工藝，對金屬鈷層進行刻蝕，形成催化劑金屬層；7、傘形柵極陣列結構的表面清潔處理對傘形柵極陣列結構的表面進行清潔處理，除掉灰塵和雜質；8、碳納米管陰極的生長利用催化劑金屬層作為生長碳納米管用的催化劑，結合低溫直接生長法，在陰極導電層的表面生長出碳納米管陰極；9、碳納米管陰極的后處理對碳納米管陰極進行后處理，進一步改善碳納米管陰極的場致發射特性。
10、陽極玻璃面板的制作對整體鈉鈣平板玻璃進行裁剪，制作出陽極玻璃面板；11、陽極電極層的制作在陽極玻璃面板上蒸鍍一層錫銦氧化物膜層；結合常規的光刻工藝，對錫銦氧化物膜層進行刻蝕，形成陽極電極層；12、絕緣漿料層的制作結合絲網印刷工藝，在陽極電極層的非顯示區域印刷絕緣漿料層，用于防止寄生電子發射；經過烘烤(烘烤溫度150℃，保持時間5分鐘)之后，放置在燒結爐中進行高溫燒結(燒結溫度580℃，保持時間10分鐘)；13、熒光粉層的制作結合絲網印刷工藝，在陽極電極層上面的顯示區域印刷熒光粉層；在烘箱當中進行烘烤(烘烤溫度120℃，保持時間10分鐘)；14、器件裝配將陰極玻璃面板、陽極玻璃面板、支撐墻結構玻璃圍框裝配到一起，并將消氣劑放入到空腔當中，用低熔點玻璃粉固定。在玻璃面板的四周涂抹好低熔點玻璃粉，用夾子固定。
15、成品制作對已經裝配好的器件進行如下的封裝工藝將樣品器件放入烘箱當中進行烘烤；放入燒結爐當中進行高溫燒結；在排氣臺上進行器件排氣、封離，在烤消機上對器件內部的消氣劑進行烤消，最后加裝管腳形成成品件。
本發明中的帶有傘形柵極陣列結構的平板發光顯示器制作了傘形柵極陣列結構，在充分利用直接生長法制備的碳納米管陰極所具有的良好場致發射特性的基礎上，進一步加強了對碳納米管陰極電子發射的控制；降低了器件的工作電壓，提高了碳納米管陰極的電子發射效率。
本發明中的傘形柵極陣列結構的固定位置為安裝固定在陰極面板上；本發明中的傘形柵極陣列結構中的柵極結構和陰極結構是高度集成到一起的；本發明中的傘形柵極陣列結構中的柵極位于碳納米管陰極的上方，控制著碳納米管陰極的電子發射；本發明中的傘形柵極陣列結構中的襯底材料為大型、具有相當良好的耐熱性和可操作性、成本低廉的高性能絕緣材料；本發明中的傘形柵極陣列結構中的襯底材料為玻璃，如鈉鈣玻璃，硼硅玻璃，也就是顯示器件的陰極面板；本發明中的傘形柵極陣列結構中的陰極面板上存在柵極導電層，可以結合常規的光刻工藝進行刻蝕；本發明中的傘形柵極陣列結構中的柵極導電層可以為錫銦氧化物膜層，也可以為金屬層，如金屬金、銀、鉬、鉻、鋁、鎢、錫；本發明中的傘形柵極陣列結構中的柵極導電層的上面存在一個摻雜多晶硅層，可以結合常規的光刻工藝進行刻蝕；本發明中的傘形柵極陣列結構中的摻雜多晶硅層可以為n型，也可以為p型；本發明中的傘形柵極陣列結構中的摻雜多晶硅層可以為一層，也可以為多層；本發明中的傘形柵極陣列結構中的刻蝕后的多晶硅層應具有如下的形狀，即其基本形狀為一個傘形結構，即通過對摻雜多晶硅層進行刻蝕，除掉多余部分；本發明中的傘形柵極陣列結構中的陰極面板上存在一個絕緣隔離層，為二氧化硅層，可以結合常規的光刻工藝進行刻蝕；本發明中的傘形柵極陣列結構中的刻蝕后的絕緣隔離層要覆蓋住全部摻雜多晶硅層和柵極導電層，此絕緣隔離層將柵極和陰極相互隔離開來；本發明中的傘形柵極陣列結構中的絕緣隔離層的上面存在一個陰極導電層，可以結合常規的光刻工藝進行刻蝕；本發明中的傘形柵極陣列結構中的刻蝕后的陰極導電層應該具有如下的形狀，即陰極導電層僅僅存在于相鄰傘形摻雜多晶硅結構中間的位置，并且僅僅存在于和陰極面板相平行的平面上，其余位置的陰極導電層需要去除掉；本發明中的傘形柵極陣列結構中的陰極導電層為金屬層，可以為金屬金、銀、銅、鋁、錫、銦、鉬；本發明中的傘形柵極陣列結構中的陰極導電層和柵極導電層的走向是相互垂直的；本發明中的傘形柵極陣列結構中的陰極導電層的上面存在一個催化劑金屬層，可以結合常規的光刻工藝進行刻蝕；本發明中的傘形柵極陣列結構中的催化劑金屬層可以為金屬鐵、鈷、鎳；本發明中的傘形柵極陣列結構中可以利用催化劑金屬作為催化劑來制備碳納米管陰極。
權利要求
1.一種帶有傘形柵極陣列結構的平板顯示器，包括由陰極面板[1]、陽極面板[11]和四周玻璃圍框[8]所構成的密封真空腔；在陽極面板[11]上有光刻的陽極導電層[12]以及制備在陽極導電層[12]上面的熒光粉層[14]；支撐墻結構[9]以及消氣劑附屬元件[10]，其特征在于在陰極面板[1]上制作有傘形柵極陣列結構。
2.根據權利要求1所述的一種帶有傘形柵極陣列結構的平板顯示器，其特征在于所述的傘形柵極結構包括陰極面板[1]、設置在陰極面板[1]上的柵極導電層[2]、設置在柵極導電層[2]上面的摻雜多晶硅層[3]，其中摻雜多晶硅層[3]的形狀為一個傘形結構，刻蝕后的絕緣隔離層[4]覆蓋住全部摻雜多晶硅層[3]，絕緣隔離層[4]將柵極導電層[2]和陰極導電層[5]相互隔離開來，陰極導電層[5]存在于相鄰傘形摻雜多晶硅層[3]中間的位置，并存在于和陰極面板相平行的平面上，陰極導電層[5]的上面存在催化劑金屬層[6]，在催化劑金屬層[6]上制備有碳納米管陰極[7]。
3.根據權利要求2所述的一種帶有傘形柵極陣列結構的平板顯示器，其特征在于柵極導電層[2]為錫銦氧化物膜層、金屬層之一，柵極導電層[2]的上面的摻雜多晶硅層為n型或為p型。
4.根據權利要求2所述的一種帶有傘形柵極陣列結構的平板顯示器，其特征在于所述的絕緣隔離層[4]為二氧化硅層，刻蝕后的絕緣隔離層覆蓋住全部摻雜多晶硅層[3]和柵極導電層[2]，陰極導電層為金屬金、銀、銅、鋁、錫、銦、鉬之一，陰極導電層和柵極導電層的走向是相互垂直的。
5.根據權利要求2所述的一種帶有傘形柵極陣列結構的平板顯示器，其特征在于所述的催化劑金屬層[6]為金屬鐵、鈷、鎳之一。
6.一種帶有傘形柵極陣列結構的平板顯示器的制作工藝，其特征在于其制作工藝如下1)、陰極面板的制作對整體平板玻璃進行劃割，制作出陰極面板[1]；2)、柵極導電層的制作在陰極面板上蒸鍍一層金屬鉻，然后結合常規的光刻工藝，對金屬鉻層進行刻蝕，形成柵極導電層[2]；3)、摻雜多晶硅層的制作在柵極導電層[2]的上面制備出摻雜多晶硅層[3]，然后結合常規的光刻工藝，對摻雜多晶硅層進行刻蝕；刻蝕后的多晶硅層的形狀為一個傘形結構，4)、絕緣隔離層的制作在陰極面板的上面制備出一層二氧化硅層，然后結合常規的光刻工藝，對二氧化硅層進行刻蝕，形成絕緣隔離層[4]；刻蝕后的絕緣隔離層要覆蓋住全部摻雜多晶硅層[3]和柵極導電層[2]，此絕緣隔離層將柵極導電層[2]和陰極導電層[5]相互隔離開來；5)、陰極導電層的制作在絕緣隔離層[4]的上面蒸鍍上一個金屬層，然后結合常規的光刻工藝，對金屬鉬層進行刻蝕，形成陰極導電層[5]；刻蝕后的陰極導電層僅僅存在于相鄰傘形摻雜多晶硅結構中間的位置，并且僅僅存在于和陰極面板相平行的平面上，其余位置的陰極導電層需要去除掉；陰極導電層和柵極導電層的走向是相互垂直的；6)、催化劑金屬層的制作在陰極導電層[5]上蒸鍍一層金屬，然后結合常規的光刻工藝，對金屬層進行刻蝕，形成催化劑金屬層[6]；7)、碳納米管陰極的生長利用催化劑金屬層作為生長碳納米管用的催化劑，結合低溫直接生長法，在陰極導電層的表面生長出碳納米管陰極[7]；8)、陽極玻璃面板的制作對整體平板玻璃進行裁剪，制作出陽極玻璃面板；9)、陽極電極層的制作在陽極玻璃面板上蒸鍍一層錫銦氧化物膜層；結合常規的光刻工藝，對錫銦氧化物膜層進行刻蝕，形成陽極電極層；10)、絕緣漿料層的制作結合絲網印刷工藝，在陽極電極層的非顯示區域印刷絕緣漿料層，用于防止寄生電子發射；經過烘烤，烘烤溫度150℃，保持時間5分鐘，之后，放置在燒結爐中進行高溫燒結，燒結溫度580℃，保持時間10分鐘；11)、熒光粉層的制作結合絲網印刷工藝，在陽極電極層上面的顯示區域印刷熒光粉層；在烘箱當中進行烘烤，烘烤溫度120℃，保持時間10分鐘；12)、器件裝配將陰極玻璃面板、陽極玻璃面板、支撐墻結構玻璃圍框裝配到一起，并將消氣劑放入到空腔當中，用低熔點玻璃粉固定。在玻璃面板的四周涂抹好低熔點玻璃粉，用夾子固定，13)、成品制作對已經裝配好的器件進行如下的封裝工藝將樣品器件放入烘箱當中進行烘烤；放入燒結爐當中進行高溫燒結；在排氣臺上進行器件排氣、封離，在烤消機上對器件內部的消氣劑進行烤消，最后加裝管腳形成成品件。
全文摘要
本發明特別涉及到帶有傘形柵極陣列結構的平板顯示器及其制作工藝，帶有傘形柵極陣列結構的平板顯示器包括由陰極面板、陽極面板和四周玻璃圍框所構成的密封真空腔；在陽極面板上有光刻的陽極導電層以及制備在陽極導電層上面的熒光粉層；支撐墻結構以及消氣劑附屬元件，在陰極面板上制作有傘形柵極陣列結構，在充分利用直接生長法制備的碳納米管陰極所具有的良好場致發射特性的基礎上，進一步加強了對碳納米管陰極電子發射的控制；降低了器件的工作電壓，提高了碳納米管陰極的電子發射效率，具有制作過程穩定可靠、制作工藝簡單、制作成本低廉、結構簡單的優點。
文檔編號H01J9/00GK1794407SQ20051010734
公開日2006年6月28日 申請日期2005年12月28日 優先權日2005年12月28日
發明者李玉魁 申請人:中原工學院