電子射線裝置的制造方法

專利名稱：電子射線裝置的制造方法
技術領域：
本發明涉及將設置了多個電子發射元件的陰極基板，和受到來自于該陰極基板的電子發射元件的電子射線的照射的陽極基板，經由減壓空間(真空氣氛)相對配置的電子射線裝置的制造方法。
背景技術：
近年，一直在研究將例如表面傳導型電子發射元件、場致發射型電子發射元件(FE型電子發射元件)、金屬/絕緣層/金屬型電子放射元件(MIM型電子發射元件)等電子發射元件，應用于例如顯示面板以及采用了它的圖像顯示裝置、圖像存儲裝置等圖像形成裝置、和帶電束源等電子射線裝置的情況。
電子射線裝置，是將設置了多個電子發射元件的陰極基板，和受到來自于該陰極基板的電子發射元件的電子射線的照射的陽極基板，經由減壓空間相對配置的裝置，通常，為了使來自于電子發射元件的電子加速，在陰極基板和陽極基板之間施加數百V以上的高電壓(大于等于1KV/mm的高電場)。這時，如果在真空容器板內混入了異物等，該異物等成為進行本來的圖像顯示的電子發射元件以外的無用的發射部(電子發射部)，并有可能從那里發射電子。
電子射線裝置，例如是圖像顯示裝置的顯示面板時，上述不需要的發射部，由于是因高電壓施加而產生的直流的連續發光源，因此即便是少許的電流量(例如小于等于1nA)，也產生非常明亮的亮點，并產生明顯的妨礙感。作為無用的發射部的產生原因，考慮到異物混入等引起的突起、MIM結構、MIV(金屬絕緣體真空)結構等的生成。由該無用的發射部導致的電子發射和發光，一般被稱為對圖像不起作用的電子群、雜散電子群、雜散電子發射、異常發光等，但在本說明書中稱為雜散發射(以下簡稱為“SE”)。
以往，提出了以下的方案，即在電子射線裝置之中，特別是在采用了表面傳導型電子發射元件的圖像形成裝置的制造工序中，通過使陽極基板的電極與陰極基板的布線相對，并在布線和電極之間施加所需的高電壓(一般被稱為調節)，使其產生放電現象，從而預先除去無用的發射部(SE源)(例如，參照WO00/044022)。
但是，在上述以往的方法中，存在以下的問題，即由于在裝置整體上實施調節，由于該處理，在沒有產生SE的部位產生了突發的放電，使部件劣化。在調節中，由于將用于除去SE源的過剩的高電壓施加在面板的整個面上，因此放電的危險性增加，雖然是除去SE源的工序，相反卻由于突發的放電造成放電損傷，容易引起圖像劣化。例如在圖像顯示裝置中，SE源的放電電壓閾值遠遠高于(2～10倍)圖像顯示時的施加電壓值的情況很多，很難將這些高電壓施加在板整面上。

發明內容
本發明的目的在于提供可以不引起由突發的放電導致的部件劣化地、選擇性地除去SE源，同時沒有伴隨SE源除去而來的部件劣化和由SE導致的障礙的電子射線裝置。
本發明，是一種電子射線裝置的制造方法，其特征在于，具有檢測陰極基板上的雜散發射(SE)源的位置的SE檢測工序，和在該SE檢測工序檢測到的SE源的位置上局部地賦予除去SE的能量的SE除去工序。


圖1是作為電子射線裝置的一例的顯示面板的示意性的切除一部分的立體圖。
圖2是展示用本發明的制造方法制造圖1所示的顯示面板時的制造步驟的第1例。
圖3是展示能夠用于SE檢測以及SE源的除去的裝置的第1例的示意性的立體圖。
圖4是用圖3的裝置測定的背板面內的電流值分布的示意性的圖(等高線圖)。
圖5是展示SE最大電流點的X軸坐標，和陽極電極與背板之間的間隔的關系的一例的圖。
圖6是背板的凹凸和電子軌道的關系的說明圖。
圖7是展示陽極電極的其他的例子的剖面圖。
圖8是展示能夠用于SE檢測工序以及SE除去工序的、具有圖7所示的陽極電極的裝置的例子的示意性的立體圖。
圖9是展示用本發明的制造方法制造圖1所示的顯示面板時的制造步驟的第1例的圖。
圖10是展示能夠用于SE檢測工序以及SE除去工序的裝置的第2例的示意性的立體圖。
圖11是展示SE最大電流點的X軸坐標，和陽極電極與背板之間的間隙的關系的其他的例子的圖。
圖12是展示能夠用于SE檢測工序以及SE除去工序的裝置的第3例的示意性的立體圖。
圖13是在本發明的實施例1中使用的多個電子束源的平面圖。
圖14A以及14B是用實施例1制成的表面傳導型電子發射元件的說明圖，圖14A是平面圖，圖14B是剖面圖。
圖15A、15B、15C以及15D是實施例1中的表面傳導型電子發射元件的制造工序的說明圖。
圖16是展示用實施例1制成的熒光屏的熒光體配列的例子的平面圖。
圖17是實施例1中的SE電流分布圖。
圖18是圖17中的SE電流分布點f的X軸方向剖面圖。
圖19是展示實施例1中的SE最大電流點的XY軸坐標位置的圖。
圖20是展示實施例1中的SE最大電流點的X軸坐標和間隔D的關系的圖。
圖21是展示實施例1中的SE除去工序時得到的電壓和電流值的關系的圖。
圖22是實施例2中的光強度分布圖。
圖23是展示實施例2中的SE最大發光點的XY軸坐標位置的圖。
圖24是展示實施例2中的SE最大發光點的X軸坐標和電壓V的關系的圖。
圖25是在實施例4中用于SE除去工序的裝置的說明圖。
圖26是在實施例5中用于SE除去工序的裝置的說明圖。
圖27是在實施例6中用于SE除去工序的裝置的說明圖。
具體實施例方式
本發明是提供電子射線裝置的制造方法的發明，該方法的特征在于具有檢測陰極基板上的SE源的位置的SE檢測工序，和在于該SE檢測工序中檢測到的SE源的位置上局部地賦予除去SE的能量的SE除去工序。
本發明的SE檢測工序具有如下的3個形態。
SE檢測工序的第1個形態是如下的形態，即，使陽極電極與陰極基板相對，然后施加電壓，并改變陰極基板和陽極電極的間隔來進行一面掃描陽極電極一面測定因SE而產生的信號從而得到信號的峰值位置的操作，從各間隔和對應的峰值位置的關系，導出相當于前述間隔為0時的峰值位置，從而檢測SE源的位置。
SE檢測工序的第2個形態是如下的形態，即，使陽極電極與陰極基板相對，然后施加電壓，并改變施加電壓來進行一面掃描陽極電極一面測定因SE而產生的信號從而得到信號的峰值位置的操作，從各施加電壓和對應的峰值位置的關系，導出相當于前述施加電壓為無限大時的峰值位置，從而檢測SE源的位置。
SE檢測工序的第3個形態是如下的形態，即，在將陰極基板和陽極基板組合在一起后，使發光檢測器與陽極基板相對，然后對陽極基板施加電壓，并改變施加在陽極基板上的電壓來進行一面操作發光檢測器一面測定因SE而產生的發光強度從而得到發光強度的峰值位置的操作，從各電壓和對應的峰值位置的關系，導出相當于電壓為無限大時的峰值位置，從而檢測SE源的位置。
另外，本發明，是提供電子射線裝置的發明，該裝置的特征在于用上述任意一種電子射線裝置的制造方法制造。
根據本發明，由于能夠限定SE產生位置而實施SE除去處理，因此可以一面防止不需要的突發放電一面進行SE的除去處理，并可得到沒有由突發放電導致的部件劣化、和由SE導致的障礙的良好的電子射線裝置。
另外，根據本發明，通過縮小陽極電極(的電容)，或降低放電時的施加電壓，可以抑制放電時的電荷量，并可將放電只限定于SE產生位置從而得到沒有放電損傷的良好的顯示特性。
另外，根據本發明，通過在顯示面板制成后進行SE除去工序，即便在于密封時產生了SE的情況下，也可以將其除去。
以下，以顯示面板以及采用了它的圖像顯示裝置為例，對本發明的電子射線裝置的制造方法進行說明。
圖1是展示作為電子射線裝置的代表性例子的圖像顯示裝置的顯示面板的一例的示意性的切除一部分的立體圖。
如圖1所示，本例的顯示面板20，將設置了多個電子發射元件1的陰極基板、即背板2，和受到來自于該背板2的電子發射元件1的電子射線的照射的一側的陽極基板即熒光屏3，間隔間隙而相對，將兩者的周圍用框部件4圍住后密封，成為將內部做成減壓空間的板狀。
設在背板2上的電子發射元件，由X方向布線(上布線)5，和Y方向布線(下布線)6連接成矩陣狀，是經由連接在X方向布線5上的引出端子Dx1～Dxn和連接在Y方向布線6上的引出端子Dy1～Dyn被矩陣驅動的部件。另外，在熒光屏3的內面側，設有受到來自于電子發射元件1的電子射線的照射而發光，并顯示圖像的熒光體7，和作為用于使來自于電子發射元件1的電子加速的電極的金屬敷層8。Hv，是用于給金屬敷層8提供高電壓的高壓端子。
另外，在背板2和熒光屏3之間，填入用于提高耐大氣壓性的間隔物9。
再者，27是成為背板20的基底的基板，30是成為熒光屏3的基底的基板。
在圖2中，展示了用本發明的制造方法制造圖1所示的顯示面板時的制造步驟的第1例。
在圖2所示的第1例中，是在將框部件4和間隔物9接合在制成的背板2上之后，在和另外制成的熒光屏3貼合在一起而密封之前進行SE檢測工序和SE源除去工序的。
進而參照圖1以及圖2說明，就是在成為背板2的基板上形成了電子發射元件1、X方向布線、Y方向布線以及引出端子Dx1～Dxn、Dy1～Dyn之后，接合另外制成的框部件4和間隔物9。然后，對接合了框部件4和間隔物9的背板2實施SE檢測工序和SE源除去工序。
與實施背板2分開制成形成了熒光體7、金屬敷層以及高壓端子Hv的熒光屏3，通過將該熒光屏3和前述背板2送入被排氣從而成為減壓氣氛的容器內，使兩者相對地貼合在一起，密封后成為板狀的密封容器，可得到圖1所示的顯示面板20。
其次，根據作為展示在SE檢測工序中使用的檢測裝置的一例的說明圖的圖3，說明圖2所示的SE檢測工序。
在圖3中，10是陽極電極，11是移動裝置，12是高壓電源，13是電流計，14是控制裝置，2是圖1所示的背板，省略了電子發射元件1、X方向布線5、Y方向布線6、引出端子Dx1～Dxn、Dy1～Dyn、框部件4以及間隔物9。
陽極電極10，在被高壓電源12施加高壓的同時，通過移動裝置11，與背板2內面的相對的位置(圖1中的X、Y方向的位置)以及背板2和陽極電極10的間隔(圖1中的Z方向位置)可以改變。電流計13，是測定從SE經由背板2流動的發射電流的，相對于背板2上的導電性部件被共通地連接在一起。控制裝置14，是讀取來自于電流計13的電流值，并控制由移動裝置11得到的陽極電極10的位置以及高壓電源12的電壓值的。
首先，通過移動裝置11，使背板2與陽極電極10之間的間隔D成為規定的間隔D1，通過高壓電源12，作為施加在陽極電極10上的電壓V施加V1。這時，電場強度E1＝V1/D1與圖像顯示時施加的值相同或小于它。
其次，通過移動裝置11，一面保持D1的間隔，一面掃描背板2內，這時通過電流計13讀取在面內的各位置上的電流值，和陽極電極10的X、Y坐標值。這時，以陽極電極10不碰觸接合在背板2上的間隔物9(參照圖1)等的方式進行掃描。
其次，通過移動裝置11，將背板2和陽極電極10之間的間隔從D1變更到D2(D1＞D2)，并且將由高壓電源12施加的電壓值設為電場強度一定的V2(V2＝V1×D2/D1)，再次掃描背板2面內，并讀取在面內的各位置的電流值，和陽極電極10的X、Y坐標值。對間隔D3、D4(D2＞D3，D3＞D4)也進行同樣的掃描。
在圖4中，展示了間隔D1的背板2面內的電流值分布的示意性的圖(等高線圖)。
在本例中，電流局部地變高的部分(SE電流分布點)是a～e共計5個部位，SE電流分布點a～e是由SE產生的。雖然圖未示，但對間隔D2～D4也可求得同樣的電流分布點。
其次，將各電流分布點a～e中的電流成為最大值的峰值設為SE最大電流點，然后求檢測到SE最大電流點時的背板2內的陽極電極10的X、Y坐標，如圖5所示，制成將間隔D設為橫軸，將X坐標(或Y坐標)設為縱軸的曲線圖。圖5是對例如圖4中的SE電流分布點a的SE最大電流點，分別將在間隔D1時的X坐標值X1、在間隔D2時的X坐標值X2、在間隔D3時的X坐標值X3、在間隔D4時的X坐標值X4畫了曲線的。
可是，如圖5所示，在各間隔D1～D4SE最大電流點的X坐標值不同的理由是以圖1所示的圖像顯示裝置為代表的電子射線裝置，通常，在背板2上存在主要由布線引起的凹凸，并且由于其電場，SE的電子軌道被彎曲。
在圖6中，展示了電子軌道、產生了SE源的背板2、和熒光屏3的關系。
在圖6中，15、16，是從形成在背板2上的SE源(圖未示)，向被施加了規定的電壓的熒光屏3方向產生的發射的電子軌道。如圖示所示，在SE源位于背板2上的凸部33的頂點的情況下，偏心量較少(電子軌道16)，在位于凸部33的肋(側部)的情況下，偏心量較大(電子軌道15)。另外，在SE源是突起的情況下，電子軌道向其傾斜方向偏心。
雖然存在如上述那樣電子射線裝置中的SE的軌道偏心的情況，但如圖5所示，通過將前述SE最大電流點的曲線外插，可以求得間隔D＝0時的X方向的位置Xa。該Xa的坐標，是成為SE電流分布點a的產生原因的、在背板2上的SE源的X坐標。同樣，通過求間隔D＝0時的Y方向的位置，可以求得成為SE電流分布點a的產生原因的、SE源的Y坐標。
通過以上的方法，可以正確地導出在背板2面內的SE源的位置。特別是，通過盡可能縮小間隔D，或增加測定點，便可以進行更正確的位置導出。
陽極電極10，如圖7所示，也可以分成施加電壓并且檢測信號的信號檢測部17，和施加電壓的輔助電極18而構成。這時，如圖8所示，電流計13連接在高壓電源12和信號檢測部17之間。輔助電極18，具有施加電壓的功能，并使信號檢測部17周邊的電場成為平行電場，從而使檢測很容易。輔助電極18的與背板2相對的面的面積，最好是信號檢測部17的3～5倍。信號檢測部17也可以做成不施加電壓的構成。
再者，在本發明中，雖然作為SE檢測工序中的檢測信號顯示了電流值，但也可以采用用光檢測器測定的光強度值。另外，還可以將檢測電流值和光強度的信號檢測器多路化，從而可以在大面積上測定電流分布和光強度分布。另外，也可以用同時測定電流值和光強度的方法。
測定光強度值時的陽極電極10以及信號檢測部17，除了圖7的構成之外，還考慮到在實施了ITO等透明電極的陽極電極的后方設置信號檢測部17，然后隔著陽極電極10檢測光強度的方法。
在以上的說明中，雖然展示了在背板2上安裝間隔物9以及框部件4的構成，但也可以是在熒光屏3上安裝間隔物9以及框部件4的構成。這時，在用陽極電極10掃描背板2上的情況下，不需要避開間隔物9，掃描變得很容易。
其次，說明圖2所示的SE除去工序。
SE除去工序，可以用已經說明的圖3的裝置進行。
首先，用移動裝置11將陽極電極10移動到由SE檢測工序特定的SE源的位置，并設定規定的間隔Dr。
其次，用高壓電源12施加規定的電壓Vr。施加的電壓Vr的極性，最好將SE源側設為正極性。這時，用設定的Dr以及Vr決定的電場強度Er＝Vr/Dr，比前述的SE檢測工序的電場強度E1高，為除去SE設定了充分的值。作為施加電壓的方法，可以考慮長時間賦予一定的電壓從而實現發射的劣化的方法，逐漸升高電壓從而使其放電的方法。進而，也可以考慮用加熱器或激光照射等賦予熱能從而提高除去效果的方法。在任何一種情況下都通過電流計13一面監控電流值一面進行SE除去的判定。另外，還可以考慮只用熱能破壞SE源其本身的方法。
如以上那樣，通過限定在SE源的存在位置，賦予規定的能量，然后實施SE除去處理，可以防止無用的突發放電。
其次，說明本發明的另一個形態。
在圖9中，展示了用本發明的制造方法制造圖1所示的顯示面板時的制造步驟的第2個例子。在圖9所示的工序中，在將圖1所示的熒光屏3和背板2貼合在一起之后實施SE檢測工序以及SE除去工序這一點和前述的第1個例子不同。
在圖9的例子中，在制成了包括電子發射元件1、X方向布線5、Y方向布線6、引出端子Dx1～Dxn、Dy1～Dyn的背板2之后，在背板2上將框部件4以及間隔物9接合在規定的部位。然后，將另外制成的熒光屏3在減壓氣氛下和背板2貼合并接合，從而形成密封容器。之后，實施接下來敘述的SE檢測以及SE源除去處理，完成顯示面板20。
對圖9所示的SE檢測工序進行說明。
圖10，是展示在SE檢測工序所使用的檢測裝置的其他的例子的說明圖，19是發光檢測器，11是移動裝置，12是高壓電源，20是顯示面板，14是控制裝置。以下，參照圖10和圖1說明。
顯示面板20，以熒光屏3朝向發光檢測器19的方式設置。發光檢測器19，為了檢測SE的光強度而設置。發光檢測器19，可以是單一的感光器，也可以是多波道化來檢測光強度分布的構成。移動裝置11，是為了移動發光檢測器19的位置而設置的。控制裝置14，是為了控制由移動裝置11實現的發光檢測器19的位置以及從高壓電源12施加的電壓V的值而設置的。
當通過高壓電源12從熒光屏3的高壓端子Hv施加規定的電壓V11時，在產生SE的情況下，出現因SE而產生的發光點。用移動裝置11使發光檢測器19在背板2的面內位置上移動，然后測定光強度分布，并將光強度局部地增大的部分(SE發光強度分布點)中的、光強度成為最大值的峰值設為SE最大發光點，然后取得器X、Y坐標。
其次，將來自于高壓電源12的電壓V設定為V12～V14，然后和前述同樣地取得SE最大發光點的X、Y坐標。
通過以上的工序，如圖11所示，得到了電壓V和坐標位置(X軸方向)的關系。通過將這些曲線外插，求電壓V是無限大的位置Xg。該坐標便是在背板2上的X軸方向上的SE源的位置。同樣地，對Y軸方向也求SE源的位置，由此可導出在背板面內的SE源的位置。再者，作為圖表軸，可以不是電壓而用電場。
SE的電子軌道，當電壓增高(電場強度增大)時，背板2上的凹凸的影響變小，其偏心量減少。在本例中，利用這一點，在密封后導出SE源的位置。
再者，在對前述密封前的背板2實施的SE檢測工序中，通過將背板2和陽極電極10之間的間隔D設為一定，并使施加在陽極電極10上的電壓V在V11～V14之間變化，求出檢測到電流分布點的電流成為最大值的峰值，即SE最大電流點時的背板2內的陽極電極10的X、Y坐標，并據此求出電壓V是無限大的位置，也可以檢測SE源的位置。
其次，對圖9所示的SE除去工序進行說明。
在圖12中展示了在SE除去工序中使用的一例裝置的概略。
在圖12中，21是激光發生器，11是移動裝置，12是高壓電源，20是顯示面板，14是控制裝置。以下，參照圖12和圖1說明。
顯示面板20，以背板2的面朝向激光發生器21的方式設置。激光發生器21為了局部地加熱顯示面板20而設置。移動裝置11，為了控制激光發生器21的位置而設置。控制裝置14，為了控制激光發生器21、移動裝置11、高壓電源12而設置。
首先，用移動裝置11將激光發生器21移動到由SE檢測工序特定的SE源的位置。其次，由高壓電源12施加規定的電壓Vs。之后，用激光發生器21進行局部的加熱。通過加熱，作為SE源的陰極側的溫度上升，并可以用較低的放電閾(電場)值一面抑制損傷一面進行放電除去(對于該原理，參照T.Utsumi，J.Appl.Phys.，Vol.38，No.7，P.2989(1967))。
如以上所述，即便在密封后也可以限定在SE源的位置，賦予規定的能量，實施SE除去工序，由此，可以一面防止在SE源的位置以外的無用的放電，一面除去SE。
實施例以下，列舉實施例進一步詳細敘述本發明。
(實施例1)本實施例，是在密封前進行SE檢測，并用局部調節進行SE除去的例子。
(顯示面板的概要)作為制造對象的圖像顯示裝置的顯示面板20，是已經說明的圖1所示的部件，內部保持為10-5Pa左右的真空。
(背板的制成)如圖1所示，在背板2上，配置有多個電子發射元件1。該電子發射元件1，是冷陰極元件，在其配列的代表性的方式中，如圖13所示，列舉將一對元件電極22、23分別用X方向布線5和Y方向布線6連接的單純矩陣配置。
電子發射元件1形成為n×m個。該n×m個電子發射元件1，通過n根X方向布線5和m根Y方向布線6被單純矩陣布線。在本實施例中，n＝1024×3，m＝768。
對電子發射元件1的材料、形狀或制法沒有限制。作為電子發射元件1，可以采用例如表面傳導型電子發射元件、FE型電子發射元件、或者MIM型電子發射元件等冷陰極元件。
在X方向布線5和Y方向布線6的交叉部分形成有絕緣層(圖未示)，保持電的絕緣。X方向布線5的線寬是50μm，Y方向布線6的線寬是250μm。X方向布線5以及Y方向布線6，是用感光銀漿油墨網板印刷后，使其干燥，然后曝光并顯影成規定的圖案，再用480℃前后燒焙而制成。另外，絕緣層，用以PbO為主要成分的感光性玻璃漿網板印刷后，在將進行曝光-顯影的工序重復3次之后，用480℃前后燒焙而形成。
在形成了X方向布線5、Y方向布線6、絕緣層(圖未示)、以及電子發射元件1的元件電極22、23、和跨越各元件電極22、23之間的導電性薄膜24之后，通過經由X方向布線5以及Y方向布線6向各元件電極22、23之間供電，進行通電成形處理(后述)和通電活性化處理(后述)，制造將多個電子發射元件1單純矩陣布線的多電子束源。25是通過通電成形處理形成的電子發射部，26是通過通電活性化處理形成的碳膜。
(電子發射元件的制成)其次，作為電子發射元件1的一例，對表面傳導型電子發射元件的元件構成和制法進行說明。
圖14A以及14B，是用于說明表面傳導型電子發射元件的構成的模式圖，圖14A是平面圖，圖14B是剖面圖。圖中，22和23是元件電極，24是導電性薄膜，25是通過通電成形處理形成的電子發射部，26是通過通電活性化處理形成的膜，27是成為背板2的基底的基板。
在基板27上采用PD-200(旭硝子社制)，在元件電極22、23上采用Pt薄膜。元件電極22、23的厚度d是500，電極間隔L是10μm。
作為導電性薄膜24的主要材料，采用Pd或PdO，膜厚約100，寬度W設為100μm。
圖15A～15D，是表面傳導型電子發射元件的制造工序的說明圖，各部件的標號和圖14A以及14B相同。
(1)首先，如圖15A所示，在基板27上形成元件電極22、23。對于形成，首先用蒸鍍法或濺射法等使元件電極22、23的材料堆積在基板27上。之后，用光刻·蝕刻技術等將堆積的電極材料構圖，并形成圖15A所示的一對元件電極22、23。
(2)其次，如圖15B所示，形成導電性薄膜24。對于形成，首先用浸漬法等將有機金屬溶液涂布在實施了前述(1)的處理的基板27上，然后干燥，在加熱燒焙處理而將微粒子膜成膜后，通過光刻·蝕刻印刻成規定的形狀。在此，所謂的有機金屬溶液，是以導電性薄膜24所采用的微粒子的材料為主要元素的有機金屬化合物，在本實施形態中，作為主要元素采用Pd。
(3)在形成了上述導電性薄膜24之后，如圖15C所示，從成形用電源28向元件電極22、元件電極23之間施加適當的電壓，進行通電成形，從而在導電性薄膜24上形成了電子發射部25。所謂的通電成形處理，是對用微粒子膜制作的導電性薄膜24進行通電，從而將其一部分適當地破壞、變形，或者使其變質，并使其變成很適合進行電子發射的結構的處理。在用微粒子膜制作的導電性薄膜24中、變成很適合進行電子發射的結構的部分(即電子發射部25)中，在導電性薄膜24上形成適當的龜裂。
(4)其次，如圖15D所示，用活性化用電源29在元件電極22、元件電極23之間施加適當的電壓，進行通電活性化處理，進行電子發射特性的改善。所謂的通電活性化處理，是在適當的條件下對通過前述通電成形處理形成的電子發射部25進行通電，從而使碳或碳化合物堆積在其附近的處理(在圖中，將由碳或碳化合物構成的堆積物作為碳膜26而示意性地展示)。具體地說，通過在10-3至10-4Pa的范圍內的真空氣氛中，定期地施加電壓脈沖，使以存在于真空氣氛中的有機化合物為起源的碳或碳化合物堆積。
如以上所述那樣，制造了圖14A以及14B所示的表面傳導型電子發射元件。
其次，對于在前述“背板的制成”一條中說明的背板2，如圖1所示，在X方向布線5和Y方向布線6的交叉部配置了間隔物9。間隔物9，是以和成為背板2的基底的基板27同樣的PD-200為材料的圓筒形的支柱，直徑100μm，長度2.0μm。間隔物9，通過作為接合部件的燒結玻璃粘接在背板2上，并用400～500℃加熱10分鐘左右來固定。
另外，框部件4也用熔合玻璃粘接在背板2上，并用400～500℃加熱10分鐘左右來固定。再者，間隔物9，為了在用后述In膜進行密封時作為厚度規定部件起作用，以稍稍高于框部件4的方式設定。
通過以上的工序，完成了間隔物9以及框部件4向背板2的安裝。
(熒光屏的制成)其次，對熒光屏3進行說明。
在成為熒光屏3的基底的基板30上，用PD-200在其下面(內面)，如圖1所示，形成了熒光膜7。在本例中，為了進行彩色圖像顯示，在熒光膜7的一部分上，分開涂抹了在RT的領域中使用的紅、綠、藍3原色的熒光體。采用圖16所示的各色熒光體沿著列方向(Y方向)延伸的條紋形狀，并將被稱為黑底的黑色導電體29以也將各色熒光體(R、G、B)之間以及Y方向的各像素之間分離的方式配置。熒光膜7以及黑色導電體29分別采用熒光體糊、黑色顏料糊，將其網板印刷，并通過在450℃前后烘焙4小時使其緊貼在基板30上。
其次，作為反射層設置金屬敷層8。金屬敷層8，將熒光膜7發出的光的一部分鏡面反射，從而提高光利用率，在從負離子的沖突下保護熒光膜7的同時，還作為用于施加電子束加速電壓的電極，和激勵熒光膜7的電子的導電路起作用。金屬敷層8是通過將熒光膜7表面進行平滑化處理，在其上將Al真空蒸鍍500nm的厚度，并進行烘焙而形成的。
如上述那樣，制成了熒光屏3。
將按以上方式制成的背板2以及熒光屏3分別投入被減壓到1×10-5Pa左右的真空容器內，用300℃進行5小時的烘焙。
(SE檢測工序)其次，在真空容器內，實施SE檢測工序。SE檢測，用圖3所示的裝置進行。
使陽極電極10，位于與背板2相對的面。與背板2相對的陽極電極10的面的大小，決定測定的電流分布的分辨率和測定時間。在本實施例中，將陽極電極10的與背板2相對的面的大小設為0.01mm2。在實際使用上，理想的是1～0.0001mm2。另外，還可以設為具有多個尺寸不同的陽極電極10，并將其切換的構成。
移動裝置11，是將壓電驅動和步進馬達驅動并用的可動裝置，對背板2的面內移動而言，具有3μm左右的分辨率以及位置再現性。另外，和背板2的間隔，具有5μm左右的分辨率以及位置再現性，并刻在0～10mm左右的范圍內控制。
高壓電源12，使用市場銷售的高壓電源，最大可以施加20KV。
電流計13，使用市場銷售的皮可安培計，具有10fA左右的電流分辨率。
電流計13，連接在背板2的布線上。背板2將布線全部共通，可以測定流過背板2的全部的電流。
控制裝置14，監控移動裝置11的坐標值、高壓電源12的電壓值、電流計13的電流值，具有控制功能。
在本實施例中，首先，將高壓電源12的電壓設定為10KV，將背板2和陽極電極10的間隔D1設定為2mm，用移動裝置11使陽極電極10移動，進行背板2的面內掃描，測定電流分布。再者，雖然在背板2上存在由布線等產生的凹凸，但間隔D1，表示從這些凹凸中最高的部分(除去間隔物)到陽極電極10的距離。另外，雖然在背板2上配置有間隔物9，但為了使陽極電極10不接觸間隔物9，其周邊不進行掃描。
在圖17中，展示了在間隔D1取得的背板2面內的電流值分布圖(等高線圖)。
在圖17中，SE電流分布點是f～I共計4個部位。它們任意一個都表示由SE產生的發射電流。
在圖18中，展示了包括SE電流分布點f的周邊的最大電流點的面的X軸方向的電流分布的剖面圖。
其次，通過移動裝置11，將間隔從D1變更為D2＝0.5mm，并且設為電壓值V2＝2.5KV，用陽極電極10再次掃描背板2面內，求出電流分布。對間隔D3＝0.3mm(施加電壓V3＝1.5KV)、D4＝0.1mm(施加電壓V4＝0.5KV)也進行同樣的操作。與間隔D1下的SE最大電流點同樣地，對D2～D4也求出SE最大電流點。
在圖19中，展示了標出SE電流分布點f的SE最大電流點的X、Y坐標的圖。在圖19中，(X1，Y1)、(X2，Y2)、(X3，Y3)、(X4，Y4)表示間隔D1～D4下的、SE電流分布點f的SE最大電流點的坐標。這樣，SE最大電流點的X、Y坐標依存于間隔D而移動。
在圖20中展示了取出圖19中的X方向坐標成分，并展示和間隔D的關系的圖。連結它們的線段(拋物線)，展示了SE的電子軌道。將該線段外插，D＝0mm的位置便成為SE源的X軸方向的坐標Xf。同樣地對于Y軸方向也導出SE源的位置，作為SE最大電流點的產生位置，求出其坐標。
對SE電流分布點g～i的各SE最大電流點也進行同樣的操作。再者，用控制裝置14進行導出SE產生位置(SE源的位置)的處理。
從真空容器取出經過了同樣的工序的別的背板2，當為了確認而用掃描型電子顯微鏡(SEM)觀察SE產生位置時，在各個SE產生位置周邊確認到被認為是發射源的異物。根據本發明人的探討，相對于推定的SE產生位置，和發射源的異物的距離在20μm以內。
(SE除去工序)其次，對SE除去工序進行說明。
在本實施例中，在除去工序中使用圖3的裝置。
用移動裝置11將陽極電極10移動到檢測到的SE源的位置，并設定為間隔Dr＝0.2mm。其次，用高壓電源12逐漸升高電壓。
在圖21中，展示了高壓電源12的電壓值V和電流計13的電流值A(對數表示)的關系。隨著電壓增加，看到了用電流計13測定的SE電流的增加。但是，在規定的電壓(V12.3KV)下產生放電，便不能觀察到SE電流值。這個意思是在相當于圖像顯示時的電場強度(V2＝1KV左右)下觀察不到SE電流值，SE被除去。同樣地，對SE產生位置b～d也進行除去處理。
(密封以及顯示)其次，將背板2和熒光屏3密封。
在框部件4上涂布了In膜之后，在使其相對的熒光屏3和背板2之間設置了一定的間隔的狀態下，保持兩者，將溫度升高到In的熔點附近。通過定位裝置，逐漸縮小熒光屏3和背板2的間隔，進行兩者的接合，即密封，然后制成了顯示面板20。
再者，為了維持密封的顯示面板20內的真空度，在面板內的規定的位置上形成了吸雜膜(圖未示)。吸雜膜，是將以Ba為主要成分的吸雜材料通過加熱器或高頻率加熱來加熱并蒸鍍而形成的膜，通過該吸雜膜的吸附作用將顯示面板20內維持在1×10-4至1×10-6Pa的真空度。
再者，在本實施例中，在將間隔物9、框部件4固定在背板2上之后進行SE檢測、除去工序，也可以是在這些工序之后固定間隔物9、框部件4的方法。
在這樣制成的顯示面板20上連接由掃描電路、控制電路、調制電路、直流電壓源等構成的驅動電路，制造本發明的電子射線裝置的一種，即圖像顯示裝置。
在圖1中，當通過引出端子Dx1～Dxn、Dy1～Dyn向電子發射元件1賦予15V的電位差時，從各電子發射元件1發射電子。與此同時，當通過高壓端子Hv向金屬敷層8施加10KV的高壓時，上述發射的電子加速，在熒光屏3的內面沖突，構成熒光膜7的各色的熒光體被激勵而發光，顯示圖像。再者，向作為電子發射元件1的表面傳導型電子發射元件的施加電壓最好是10～20V左右，金屬敷層8和電子發射元件1的距離最好是0.1mm至8mm左右，金屬敷層8、電子發射元件1之間的電壓最好是1KV至20KV左右。
圖像顯示的結果，確認了是沒有因SE而產生的無用的亮點，并且具有沒有放電損傷的、良好的顯示特性的圖像顯示裝置(電子射線裝置)。
如本實施例這樣，通過充分縮小陽極電極10(的容量)，得到了抑制放電時的電荷量，并將放電損傷只限定在SE產生位置的效果。在相當于40英寸的顯示面板20的情況下，相對于陽極的容量是數nF，本例的陽極電極被抑制在數～數10pF。
再者，作為本實施例的別的實施例，也可以是通過在高壓電源12和陽極電極10之間插入限流電阻(1K～1GΩ)，進一步抑制放電損傷的構成。另外，也可以將來自于高壓電源12的電壓值設為負，然后進行同樣的除去工序。這時，SE產生源成為陽極，并可以用因電子射線沖擊而產生的損傷促進SE除去。
(實施例2)本實施例，是在密封而組裝成顯示面板20后進行SE檢測工序，并通過激光加熱進行SE除去工序的例子。
(顯示面板的概要、背板以及熒光屏的制成)在本實施例中，關于顯示面板20的概要、背板2以及熒光屏3的制成，因和實施例1相同，故省略說明。
(密封)背板2和熒光屏3的密封，是通過如下的方式進行的，即在框部件4上涂布了In膜之后，在使其相對的熒光屏3和背板2之間設置了一定的間隔的狀態下，保持兩者，將溫度升高到In的熔點附近，通過定位裝置，逐漸縮小熒光屏3和背板2的間隔從而使其觸接。熒光屏3和背板2的間隔設為2.0mm。
(SE檢測工序)SE檢測用圖10的裝置進行。
發光檢測器19，采用市場銷售的冷卻CCD(16位灰度)。移動裝置11是和實施例1相同的結構，為了控制發光檢測器19的位置而設置。控制裝置14，監控移動裝置11的坐標值、高壓電源12的電壓值、發光檢測器19的光強度輸出值，具有控制功能。
在本實施例中，將高壓電源12的電壓V1設定為15KV，用移動裝置11使發光檢測器19進行面內掃描，測定了背板2面內的光強度分布。
在圖22中展示了SE光強度分布圖(等高線圖，高度是灰度數)。在圖22中，光強度局部地變高的地方(SE發光強度分布點)是j～l共計3個部位。在各SE發光強度分布點，將光強度是最大值的點設為SE最大發光點，求出其坐標。
其次，設定高壓電源的電壓V2＝10KV，V3＝5KV，然后進行和前述同樣的測定。
在圖23中展示了標出SE發光強度分布點j的、在電壓V1～V3下的SE最大發光點的X、Y坐標的結果。
其次，在圖24中展示了取出圖23中的X方向坐標成分，并顯示和施加電壓V的關系的圖。將該線段(拋物線)外插的V＝∞的位置便是SE源的X軸方向的位置Xj。同樣對Y軸方向也導出SE源的位置，作為對于SE發光強度分布點j的SE源的Y軸方向位置，求出其X、Y坐標。對SE發光強度分布點k、l的SE最大發光點也進行同樣的處理。再者，用控制裝置14進行導出SE源的位置的一連串的處理。
分解經過了同樣的工序的別的顯示面板20，當為了確認而用掃描型電子顯微鏡(SEM)觀察背板2的SE源的位置時，在各個推定的SE源的位置附近確認到被認為是發射源的異物。根據本發明人的探討，相對于推定的SE源的位置，和發射源的異物的距離在50μm以內。
(SE除去工序)其次，對SE除去工序進行說明。
SE的除去，用圖12所示的裝置進行。
在圖12中，21是激光發生器，11是移動裝置，12是高壓電源，20是顯示面板，14是控制裝置。
顯示面板20以背板2側朝向激光發生器21的方式配置。作為激光發生器21，采用CO2激光器。CO2激光器，可以進行連續脈沖發生，通過光學系統被聚光在(直徑)70μm左右。控制裝置14，監控激光發生器21的輸出、移動裝置11的坐標、高壓電源12的電壓值，具有控制功能。
首先，將高壓電源12的電壓設定為7KV。
其次，用移動裝置11將激光發生器21移動到檢測到的SE源的位置，在該位置照射激光，進行局部的加熱。由于升溫速度因激光照射的SE源部分的材料、厚度等而不同，因此激光輸出的設定必須慎重地調整。首先預先制成背板2的各部件的輸出和升溫表，預先將各部件沒有達到熔點的輸出設為最大值。然后，當逐漸升高激光輸出時，因SE而產生的發光變得不穩定，最終產生了放電。對其他的2個部位的SE源的位置也進行同樣的處理。
在本實施例中，作為加熱用激光器采用了CO2激光器，但在本發明中可以使用YAG、UV激光器等各種激光器。
(顯示)
在這樣制成的顯示面板20上連接由掃描電路、控制電路、調制電路、直流電壓源等構成的取得電路，制造本發明中的電子射線裝置。
與實施例1同樣地，當賦予圖1所示的引出端子Dx1～Dxn、Dy1～Dyn15V的電位差，并在高壓端子Hv上施加10KV的高壓時，顯示了圖像。圖像顯示的結果，確認是沒有以往見到的因SE而產生的無用的亮點，并且具有沒有放電損傷的良好的顯示特性的電子射線裝置。
(實施例3)本實施例，是在密封前進行SE檢測工序，并通過使使發射繼續，并使其劣化的方式進行SE除去的例子。
(顯示面板的概要、背板以及熒光屏的制成、SE檢測工序)在本實施例中，關于顯示面板20的概要、背板2以及熒光屏3的制成、SE檢測，因與實施例1相同，故省略說明。
(SE除去工序)對SE除去工序進行說明。
在本例中，不使SE源放電而通過使發射持續從而使發射降低的方式來除去SE源。
在本實施例的SE除去時，使用圖3所示的裝置。
首先，用移動裝置11將陽極電極10移動到檢測到的SE源的位置，并設定間隔Dr＝0.2mm。其次，根據電流計13的電流值的值設定高壓電源12的電壓Vr。Vr低于SE放電的電壓，并且最好是最大的電壓。一般的，SE放電閾電流值是5～50μA左右，因此設為電流值是1～3μA的電壓Vr。另外，由于在即將放電之前可以看出SE的電流值的不穩定性，因此也有以這為根據求出電壓Vr的方法。在本實施例中，Vr＝1.5KV，是比圖像顯示所需要的電場大的多的電場。
(密封以及顯示)關于密封、周邊裝置安裝以及顯示方法，因與實施例1相同，故省略說明。
圖像顯示的結果，得到了具有沒有因SE而產生的無用的亮點的良好的顯示特性的電子射線裝置。
如以上所述，在本實施例中，由于通過繼續施加規定的電壓促使發射的劣化來除去SE源，因此在例如在制成的電子發射元件1的附近存在SE源，并且當使其放電時有可能在電子發射元件1上產生損傷的情況下，特別有效。只是，由于為了使發射劣化而需要數小時至數十小時，因此在處理上較費時間。
(實施例4)本實施例，是在密封前進行SE檢測工序，將加熱并用來進行SE除去的例子。
(顯示面板的概要、背板以及熒光屏的制成、SE檢測工序)在本實施例中，關于顯示面板20的概要、背板2以及熒光屏3的制成、SE檢測，因與實施例1相同，故省略說明。
(SE除去工序)其次，對SE除去工序進行說明。
本例的SE除去，相對于實施例1，在一面加熱SE源的位置一面除去這一點上不同。
用圖25說明本實施例的SE除去工序。
在圖25中，10是陽極電壓，11是移動裝置，12是高壓電源，13是電流計，14是控制裝置，2是背板，31是加熱器。
如圖示所示，雖然是用和圖3的裝置相同的裝置進行的，但卻是將加熱器31并用的。該加熱器31，是內置有鎧裝式加熱器的面加熱器(加熱板)，是使其緊貼在背板2上進行加熱的。
首先，在用加熱器31將背板2加熱到400℃左右后，用移動裝置11將陽極電極10移動到正在檢測的SE源的位置，并設定為間隔Dr＝0.2mm。其次，用高壓電源12逐漸升高電壓。在規定的電壓(在本實施例中是2.0KV)下產生放電，用電流計13便觀察不到電流值。對全部SE源進行同樣的處理。
(密封以及顯示)
關于密封、周邊裝置的安裝以及顯示方法，因與實施例1相同，故省略說明。圖像顯示的結果，得到了具有沒有以往看到的因SE而產生的無用的亮點的、良好的顯示特性的電子射線裝置。
如以上所述，在本實施例中，通過除了施加電壓，還加熱SE源的方式，可以在更低的電壓值下使其放電，與實施例1相比，放電損傷變得更小。只是，需要追加加熱背板2的時間，和使陽極電極10等具有耐熱性等。
(實施例5)本實施例，是在密封前進行SE檢測工序，將氣體的導入并用進行SE除去工序的例子。
(顯示面板的概要、背板以及熒光屏的制成、SE檢測工序)在本實施例中，關于顯示面板20的概要、背板2以及熒光屏3的制成、SE檢測工序，因與實施例1相同，故省略說明。
(SE除去工序)其次，對SE除去工序進行說明。
在本例中，在一面導入氣體一面除去SE這一點上和實施例1不同。
用圖26說明本實施例的SE除去工序。
在圖26中，10是陽極電極，11是移動裝置，12是高壓電源，13是電流計，14是控制裝置，32是氣體噴出口。
如圖示所示，是用與圖3的裝置近似的裝置進行的，但卻是用在陽極電極10的附近設置了氣體噴出口32的裝置進行的。氣體噴出口32，具有將由氣體導入管(圖未示)導入的氣體用規定的壓力導入到陽具電極10附近的功能。控制裝置14，除了用圖3的控制裝置14說明的功能之外，還具有控制從氣體噴出口32導入的氣體的壓力以及位置的功能。移動裝置11，除了用圖3的移動裝置11說明的功能之外，還具有在移動陽極電極10的同時移動氣體噴出口32的位置的功能。
用移動裝置11將陽極電極10和氣體噴出口32移動到檢測到的SE源的位置5，將陽極電極10和背板2(參照圖3)的間隔D設為0.5mm。
其次，從氣體噴出口32用規定的壓力導入氣體。作為氣體，可使用N2、O2、CO2、H2、Ar等，能夠使SE源的發射作用降低或使放電閾值降低的各種氣體。在使用Ar氣體等惰性氣體的情況下，通過濺射效果，可以給SE源造成損傷從而使其劣化。O2、CO2氣體等通過形成氧化層可進行發射抑制。N2、H2氣體等可得到使放電閾值降低，并且抑制放電損傷的效果。在本實施例中，使用了N2。氣體壓力以在陽極電極10附近是0.1Pa左右的方式調整。
當逐漸升高高壓電源12的電壓時，在0.5KV左右下產生放電，用電流計13便觀察不到電流值。對全部SE源進行同樣的處理。
(密封以及顯示)關于密封、周邊裝置安裝以及顯示方法，因與實施例1相同，故省略說明。圖像顯示的結果，得到了具有沒有以往看到的因SE而產生的無用的亮點的、良好的顯示特性的電子射線裝置。
如以上所述，在本實施例中，通過除了施加電壓之外，還在SE源附近導入氣體的方式，可以在更低的電壓下使其放電，與實施例1相比，放電損傷變得更小。另一方面，需要再次將導入的氣體排出的工序，和在用于進行SE除去的裝置上追加氣體導入系統。
(實施例6)本實施例，是在密封前進行SE檢測工序，并物理地進行SE除去的例子。
(顯示面板的概要、背板以及熒光屏的制成、SE檢測工序)在本實施例中，關于顯示面板的概要、背板以及熒光屏的制成、SE檢測工序，因與實施例1相同，故省略說明。
(SE除去工序)其次，對SE除去工序進行說明。
在本例中，在局部地加熱SE源，從而將SE源變形、除去這一點上與實施例1不同。
本實施例的SE除去，可以用圖27的裝置進行。
激光發生器21，是UV激光器(YAG4次高諧波，波長266nm)，通過光學系統被聚光到(直徑)15μm左右，通過照射規定的地方，可以加熱這個地方的部件，從而將其變形或蒸發。移動裝置11，具有移動激光發生器21的位置的功能。
用移動裝置11將激光發生器21移動到檢測到的SE源的位置。
其次，將由激光發生器21產生的激光照射到SE源的位置上。由于相對于激光器光輸出的部件變形的程度根據SE源部分的材料、厚度等而不同，因此激光器輸出設定必須慎重地調整。首先預先制成背板2的各部件的激光器輸出和升溫表，在SE源部分的背板2等部件沒有達到熔點的條件下設定輸出值。對全部SE源進行同樣的處理。
(密封以及顯示)關于密封、周邊裝置安裝以及顯示方法，因與實施例1相同，故省略說明。圖像顯示的結果，得到了具有沒有因SE而產生的無用的亮點的、良好的顯示特性的電子射線裝置。
如以上所述，在本實施例中，由于利用激光器照射局部地加熱SE源，可以使其變形，因此不會造成放電損傷，并可以實現SE除去。另一方面，在SE源熔點比背板2等部件高的多(在作為布線的Ag的上面作為SE源存在鎢片的情況)等情況下，必須在使背板2變形從而間接地使SE產生源變形等除去方法上下功夫。
權利要求
1.一種電子射線裝置的制造方法，其特征在于，具有檢測陰極基板上的雜散發射源即SE源的位置的SE檢測工序，和在該SE檢測工序檢測到的SE源的位置上局部地賦予除去SE的能量的SE除去工序。
2.如權利要求1所述的電子射線裝置的制造方法，其特征在于，前述SE檢測工序是如下的工序，即，使陽極電極與陰極基板相對后施加電壓，并改變陰極基板和陽極電極的間隔來進行一面掃描陽極電極一面測定因SE而產生的信號從而得到信號的峰值位置的操作，從各間隔和相對應的峰值位置的關系，導出相當于前述間隔為0時的峰值位置，從而檢測SE源的位置。
3.如權利要求2所述的電子射線裝置的制造方法，其特征在于，隨著陰極基板和陽極電極的間隔的變更，在陽極電極上施加電場強度一定的電壓。
4.如權利要求1所述的電子射線裝置的制造方法，其特征在于，前述SE檢測工序是如下的工序，即，使陽極電極與陰極基板相對后施加電壓，并改變施加電壓來進行一面掃描陽極電極一面測定因SE而產生的信號從而得到信號的峰值位置的操作，從各施加電壓和相對應的峰值位置的關系，導出相當于前述施加電壓為無限大時的峰值位置，從而檢測SE源的位置。
5.如權利要求2或4所述的電子射線裝置的制造方法，其特征在于，前述信號是電流或發光強度。
6.如權利要求2或4所述的電子射線裝置的制造方法，其特征在于，前述陽極電極由施加規定的電壓的輔助電極和檢測信號的信號檢測部構成。
7.如權利要求1所述的電子射線裝置的制造方法，其特征在于，通過在檢測到的SE源的位置上局部地施加電壓的方式來進行前述SE除去工序。
8.如權利要求7所述的電子射線裝置的制造方法，其特征在于，前述局部地施加的電壓，是雜散發射的電流值為1～3μA的電壓。
9.如權利要求7所述的電子射線裝置的制造方法，其特征在于，前述局部地施加的電壓的極性，將SE源側設為正極性。
10.如權利要求7所述的電子射線裝置的制造方法，其特征在于，在施加前述局部的電壓的同時，加熱前述陰極基板。
11.如權利要求7所述的電子射線裝置的制造方法，其特征在于，在施加前述局部的電壓的同時，在檢測到的SE源的位置導入氣體。
12.如權利要求1所述的電子射線裝置的制造方法，其特征在于，通過局部地加熱檢測到的SE源的位置的方式來進行前述SE除去工序。
13.如權利要求12所述的電子射線裝置的制造方法，其特征在于，用激光器照射來進行前述局部的加熱。
14.如權利要求1所述的電子射線裝置的制造方法，其特征在于，前述SE檢測工序是如下的工序，即，在將陰極基板和陽極基板組裝在一起之后，使發光檢測器與陽極基板相對后在陽極基板上施加電壓，并改變施加在陽極基板上的電壓來進行一面操作發光檢測器一面測定因SE而產生的發光強度從而得到發光強度的峰值位置的操作，從各電壓和相對應的峰值位置的關系，導出相當于電壓無限大時的峰值位置，從而檢測SE源的位置。
15.如權利要求14所述的電子射線裝置的制造方法，其特征在于，通過局部地加熱檢測到的SE源的位置的方式來進行SE除去工序。
16.如權利要求15所述的電子射線裝置的制造方法，其特征在于，用激光器照射來進行前述局部的加熱。
全文摘要
在電子射線發射元件的制造方法中，檢測成為陰極基板上的不需要的電子發射部的雜散發射源的位置，在該檢測位置上局部地賦予能量，從而除去雜散發射源。由此，提供沒有因突發放電而導致的部件劣化、障礙的良好的電子射線裝置。
文檔編號H01J9/02GK1770355SQ20051010638
公開日2006年5月10日 申請日期2005年9月22日 優先權日2004年9月22日
發明者伊庭潤, 東尚史 申請人:佳能株式會社