粒子光學系統和排布結構,以及用于其的粒子光學組件的制作方法

文檔序號：2924273閱讀：699來源：國知局

專利名稱：粒子光學系統和排布結構,以及用于其的粒子光學組件的制作方法
技術領域：
本發明涉及使用多個分束帶電粒子(beamlet)的粒子光學系統，如電子顯微術設備和電子刻繪(lithography)設備。
本發明還涉及可用于使用多個分束帶電粒子的粒子光學系統中的粒子光學組件和排布結構；不過，所述粒子光學組件在本申請中并不限于使用多個分束的系統。這種粒子光學組件可以用于只使用單束帶電粒子，或者使用多束帶電粒子或多個分束帶電粒子的粒子光學系統中。
本發明可以應用于任何類型的帶電粒子，如電子、正電子、邁子 (myon)、離子等。
背景技術：
根據US 6252412 Bl已知一種常規粒子光學系統。其中公開的電子顯微術設備用于檢驗物體，如半導體晶片。將多個一次電子束彼此平行地聚焦在物體上，以在其上形成多個一次電子斑。對由一次電子生成的并從各一次電子斑發出的二次電子進行檢測。針對每個一次電子束，提供了一單獨電子束柱(electron beam column)。將所述多個單獨電子束柱
彼此緊密地布在一起。形成在物體上的一次電子束斑的密度受到形成電子顯微術設備的電子束柱的剩余步長(remaining foot step size)的限制。因此，實際上在物體上可以同時找到的一次電子束斑的數量也受到限制，這導致當按高分辨率檢驗大表面積的半導體晶片時，設備的吞吐量受限。根據US 5892224、 US 2002/0148961 Al、 US 2002/0142496 Al 、 US 2002/0130262 Al 、 US 2002/0109090 Al 、 US 2002/0033449 Al 、 US 2002/0028399 Al，已知使用聚焦在待檢驗物體的表面上的多個一次電子分束的電子顯微術設備。利用其中形成有多個孔的多孔板來生成這些分束，其中，在多孔板的上游設置有用于生成單電子束的電子源，以照射
形成在該多孔板中的多個孔。在多孔板的下游由電子束的穿過這些孔的電子形成了多個電子分束。所述多個一次電子分束由物鏡聚焦在物體上，該物鏡具有所有一次電子分束都穿過的孔。由此在物體上形成了一次電子斑陣列。從各一次電子斑發出的二次電子形成了相應的二次電子分束，從而還生成了與所述多個一次電子束斑相對應的多個二次電子分束。所述多個二次電子分束穿過物鏡，并且該設備按如下方式提供二次電子束
路徑，S卩，使得每個二次電子分束被提供給CCD電子檢測器的多個檢測
器像素中的相應一個。使用維恩濾波器來分開二次電子束路徑與一次電子分束的束路徑。
由于使用了包括所述多個一次電子分束的一個公共一次電子束路徑和包括所述多個二次電子分束的一個公共二次電子束路徑，所以可以使用單個電子光學柱，并且形成在物體上的一次電子束斑的密度不受該單電子光學柱的步長的限制。
在上述文獻的實施例中公開的一次電子束斑的數量在數十個斑的量級上。由于在物體上同時形成的一次電子束斑的數量限制了吞吐量，所以增加一次電子束斑的數量以實現更高的吞吐量將是有利的。然而，已經發現，使用這些文獻中公開的技術，難以增加同時形成的一次電子束斑的數量或增大一次電子束斑密度，同時又保持電子顯微術設備的希望成像分辨率。
因此，本發明的一個目的是，提供使用增大密度的帶電粒子分束并允許按提高的精度操縱這些帶電粒子分束的粒子光學系統。
本發明的又一目的是，提供用于按提高的精度操縱帶電粒子的束和分束的粒子光學組件。

發明內容
如以下將更詳細描述的，根據本發明的粒子光學組件、粒子光學排布結構以及粒子光學系統可以利用多個帶電粒子分束并按提高的精度操縱這些帶電粒子分束。
根據本發明的一個實施例，提供了一種用于形成多個帶電粒子分束
的粒子光學排布結構，其中，這些分束按高規則度陣列圖案排列。該高規則度陣列圖案是由這些分束沿分束的束路徑在希望的位置處形成的。例如，所述高規則度陣列圖案可以形成在其中各分束形成相應的焦點的像面或中間像面處。
所述粒子光學排布結構包括用于生成至少一束帶電粒子的至少一個帶電粒子源。由穿過形成在多孔板中的孔的帶電粒子束的粒子形成帶電粒子分束。在分束的束路徑中可以布置一塊或多塊其他多孔板，其中，分束穿過形成在所述一塊或多塊其他多孔板中的孔。
所述粒子光學排布結構還可以包括至少一個聚焦透鏡或其他粒子光學元件，所述至少一個聚焦透鏡或其他粒子光學元件用于操縱所述至少一束帶電粒子和/或所述多個帶電粒子分束。典型地，這種粒子光學元件對所述粒子光學排布結構的光學畸變有貢獻。這種畸變會劣化操縱分束的可實現精度，并且會妨礙在分束的束路徑中的希望位置處形成分束陣列的希望的高規則度陣列圖案。
所述高規則度陣列圖案與形成在所述至少一塊多孔板中的孔的陣列圖案存在粒子光學對應性。多孔板中的孔的位置被確定為，使得所述希望的高規則度陣列圖案基本上形成在所述至少一塊多孔板的下游。與所述高規則度陣列圖案的規則度相比，多孔板中的孔的陣列圖案則具有較低的規則度。
然而，從高規則度圖案偏移孔的位置以形成較低規則度的圖案，并不限于補償由一個或另一個粒子光學元件引入的畸變，而可以用于任何其他目的。
不必針對圖案的所有方向提高規則度。只在一個特定方向(如與物體相對于所述排布結構的物鏡的移動橫交的方向)上提高規則度可能就足夠了。此外，可能足夠的是，分束的某個子集沿預定方向投影到一面上，形成了這樣的圖案，即，其所具有的規則度，與根據孔的對應子集沿電子光學地對應于所述預定方向的方向的投影所確定的對應規則度相比提高了。
例如，通過某些合適的數學方法，如對各分束的中心位置和各孔的
中心位置應用的用于確定多個孔之間的空間關聯的方法和一維或二維傅里葉分析，可以確定分束的高規則度陣列圖案和孔的較低規則度圖案的規則度。
所述至少一個粒子光學元件可以包括用于將分束聚焦到可定位在粒
子光學排布結構的像面中的物體上的聚焦透鏡，如物鏡。
為了補償聚焦透鏡的典型畸變，優選地，多孔板中的相鄰孔之間的
距離隨著各孔距由多孔板中的孔形成的陣列圖案的中心的距離增大而連續地減小。
根據本發明另一實施例，提供了一種粒子光學排布結構，其與上述排布結構類似地具有至少一個帶電粒子源和至少一塊多孔板。該排布結
構還可以包括至少一個粒子光學元件，所述至少一個粒子光學元件用于操縱由所述源生成的至少一束帶電粒子，或者用于操縱多個帶電粒子分束。
典型地，這種粒子光學元件對粒子光學排布結構的光學像散有貢獻。為了補償這種像散，形成在所述至少一塊多孔板中的孔包括具有橢圓形狀而非完全圓形狀的孔。
然而，設置橢圓孔形狀并不限于補償由一個或另一個粒子光學元件引入的像散，而可以用于任何其他目的。
根據一個實施例，優選地，孔的橢圓形狀的橢圓度隨著距孔圖案的中心的距離增大而增大，以補償典型地由聚焦透鏡引入的像散。
所述橢圓形狀的長軸可以相對于孔圖案的中心沿徑向取向，或者長軸可以按相對于徑向方向成一角度取向。如果長軸按相對于徑向方向成一角度取向，則這種角度可以隨著距孔圖案的中心的距離增大而增大。
根據本發明又一實施例，提供了一種粒子光學排布結構，其與上述排布結構類似地包括至少一個帶電粒子源和至少一塊多孔板。該排布結構還可以包括至少一個粒子光學元件，所述至少一個粒子光學元件用于操縱由所述源生成的至少一束帶電粒子或者用于操縱多個帶電粒子分束。
所述粒子光學元件可能對所述排布結構的光學場曲(field curvature)
有貢獻c
為了補償這種場曲，形成在多孔板中的孔的直徑隨著距孔圖案的中心的距離增大而變化。直徑的變化可以是，孔的直徑隨著距孔圖案的中心的距離增大而增大或減小。
然而，孔的直徑的變化并不限于補償由一個或另一個粒子光學元件引入的場曲，而可以用于任何其他目的。
根據本發明又一實施例，提供了一種粒子光學組件，其可有利地用于使用多個帶電粒子分束的粒子光學系統中。可以將該粒子光學組件用于這種系統中，以補償由該系統的一個或另一個粒子光學元件引入的場曲，或者可以出于任何其他合適的目的將該粒子光學組件用于這種系統中。
所述粒子光學組件包括其中形成有多個孔的至少一塊多孔板，所述至少一塊多孔板用于操縱穿過其間的帶電粒子分束的粒子。該多孔板由基本上布置在單個面中的多個層部分形成，其中在所述多個層部分的每一個中都形成有多個孔。這些層部分由這樣的材料形成，即，其充分導電，使得可以根據希望的應用按充分的精度將其中限定了相應孔的層部分保持在預定電勢。相鄰導電層部分彼此不直接連接。為了將相鄰導電層部分相互電分離開，有利的是，可以在這種相鄰導電層部分之間形成具有足夠電阻的間隙。該間隙具有足夠的電阻，以使得可以按足夠的精度向相鄰導電層部分施加不同電勢。
盡管相鄰導電層部分彼此不直接電連接，但是可以設置多個預定電阻器，以將相鄰導電層部分或不相鄰導電層部分相互連接起來，從而將這些導電層部分保持在希望的電勢。
根據一優選實施例，設置有至少兩個環形部分，其中，一個環形部分位于另一個環形部分的內部。
優選地，環形導電層部分的徑向寬度隨著距形成在多孔板中的孔圖案的中心的距離增大而減小。
可以設置上述多孔板，以對穿過形成在該多孔板中的各孔的分束的帶電粒子進行操縱。通過將限定各孔的板保持在合適的電勢可以實現對
分束的這種操縱。由此，對分束的操縱可以包括對分束提供聚焦、散焦以及偏轉效果或任何其他效果，以及這些效果的組合。限定多個孔的板被保持的電勢，可以生成沿分束的上游或下游并遠離多孔板的方向延伸的電場。由于在多孔板中存在所述多個孔，所以這種電場將偏離由其中沒有形成孔的板生成的均勻場。偏離均勻電場可能對由各孔對分束的希望類型的操縱存在不利影響。
根據本發明的又一實施例，提供了一種粒子光學組件，其包括第一多孔板，該第一多孔板由絕緣基板制成并具有貫穿其中而形成的多個孔。形成在絕緣基板中的孔的內部覆蓋有導電層。在孔的內部設置的這種導電層的優點是，這些層對屏蔽源自相鄰或更遠的孔的雜散電場有貢獻。可以將所述層的電導率設計成，使得實現充分的屏蔽。
根據簡化的設計規則，在多孔板上的總電阻，即，在該多孔板的兩
個主平坦表面之間的電阻在以下范圍內約250Q到8MQ、約250Q到 4MQ、約4MQ到8MQ、約250 Q到800 Q、約800 Q到1.5MQ、約 1.5Mn至lj3MQ、約3MQ到5MQ，和/或約5 MQ到8 MQ。
可以在第一多孔板的一側或兩側與其緊密接觸地設置其他多孔板。
根據一實施例，所述導電層還覆蓋第一多孔板的一個或兩個主表面。這樣，該導電層形成了第一多孔板的一體部分，從而，如果設置有其他多孔板的話，所述其他多孔板將被形成為與所述導電層直接接觸。
優選地，所述其他多孔板由電導率比設置在第一多孔板的孔中的導電層的電導率高的導電材料制成。
根據本發明又一實施例，提供了一種粒子光學組件，其具有其中形成有多個孔的至少一塊多孔板，其中，該多孔板由導電材料制成，使得在第一多孔板的兩個主平坦表面之間的電阻在以下范圍內約250Q到8 MQ、約250 Q到4 MQ、約4 MQ到8 MQ、約250 Q到800 Q、約800 Q 到1.5 MQ、約1.5 MQ到3 MQ、約3 MQ到5 MQ，和/或約5 MQ到8 MQ。該基板材料的電導率對屏蔽孔中生成的電場有貢獻。
可以從玻璃材料中選擇用于制造基板的合適材料，因為已將玻璃材料用于制造圖像放大器的多通道板。
根據本發明又一實施例，提供了一種具有至少一塊多孔板的粒子光學組件，所述至少一塊多孔板中形成有用于操縱穿過其間的帶電粒子分束的多個束操縱孔，其中所述多個束操縱孔按預定的陣列圖案排列。
此外，在多孔板中形成有場修正孔，以修正由該多孔板生成的電場的畸變。可以對場修正孔在束操縱孔的陣列圖案中的位置以及場修正孔的大小和形狀進行選擇，使得由多孔板生成的電場基本上對應于該多孔板的上游和/或下游的希望電場。
當將所述電子光學組件用于使用多個帶電粒子分束的粒子光學系統中時，那些分束將穿過束操縱孔，而非穿過場修正孔。然而，這并不排除有中間分束穿過場修正孔，其中通過某些其他裝置從系統要使用的一簇帶電粒子分束中去除所述中間分束。用于去除穿過場修正孔的中間分束的這種裝置可以包括布置在所述一簇希望帶電粒子分束上的合適位置處的束阻擋部。有利的是，可以由其他多孔板形成這種阻擋部，該其他多孔板具有形成在其中的允許希望分束穿過的多個孔，并在與中間分束的束路徑對應的位置處沒有形成孔。
還可以在粒子光學組件自身中攔截中間分束。
其中，有利的是，所述阻擋部可以由所述板的不是通孔的開口孔的底部形成。
當將束操縱孔密集布在多孔板中時，優選地，場修正孔的尺寸比與其相鄰的束操縱孔的要小。
此外，當圍繞給定束操縱孔的中心沿周向觀察時，場修正孔在周向上位于直接與該給定束操縱孔相鄰的其他束操縱孔之間。
根據本發明又一實施例，提供了一種粒子光學組件，其與上述粒子
光學組件類似地包括其中形成有多個束操縱孔的至少一塊多孔板。為了補償由多孔板生成的電場與希望電場的偏離，可以將束操縱孔的形狀設計成，向場操縱孔的基本形狀添加了附加形狀特征。該基本形狀是考慮到對穿過孔的分束提供希望的束操縱效果，根據電子光學設計規則來設計的。例如，該基本形狀可以是用于提供圓透鏡效果的圓形狀，或者該基本形狀可以是用于提供像散透鏡效果的橢圓形狀。
所述形狀特征被設置為所述基本形狀中的徑向凹部或凸起部。按沿所述基本形狀的周部的多重性或對稱性設置給定孔的形狀特征，該多重性或對稱性對應于在給定束操縱孔的鄰域中的束操縱孔的排布結構的多重性或對稱性。
例如，如果給定束操縱孔具有四個緊鄰束操縱孔作為最近鄰居，則該給定束操縱孔的形狀特征將具有關于該給定孔的中心的四重對稱性，以補償在該給定束操縱孔的上游或下游的空間內的非旋轉對稱場結構。這種非旋轉對稱場結構是由位于該給定孔周圍的束操縱孔的對稱性造成的。
給定孔周圍的最近鄰居可以通過其他技術領域中的技術已知的方法來確定。根據一種可能的方法，首先通過從不同于給定孔的所有其他孔中將布置在距該給定孔的最小距離處的孔識別為極最近鄰居，來確定該給定孔的極最近鄰居。然后，將不同于給定孔的布置在距給定孔小于約 1.2到約1.3倍所述最小距離的距離處的所有孔識別為最近鄰居。
為了確定形狀特征的對稱性，還可以例如通過對給定孔周圍的第一陣列圖案執行傅里葉分析來考查給定孔周圍的更大鄰域的對稱性。從而該給定孔將具有這樣的形狀，即，該形狀具有與該給定束操縱孔周圍的第一陣列圖案的對稱性對應的至少一個對稱性組成部分。根據該方法，也可以將靠近孔圖案的周緣的孔的邊界效應考慮進來，在該周緣處，例如，給定孔周圍的一半空間可能未被其他孔占據。
在其中形成有多個束操縱孔作為受限陣列圖案的多孔板中，該板將延伸得超出束操縱孔的圖案。由此，由板的其中沒有形成孔的區域生成的電場將與從其中形成有孔圖案的區域延伸的場不同，這尤其是在靠近圖案的周緣的區域中，造成了偏離均勻電場或其他希望電場的電場。與由位于圖案的中心處的孔提供的光學性質相比，在周緣處，由孔向穿過其間的各束提供的光學性質可能被劣化。
根據本發明又一實施例，提供了一種粒子光學排布結構，其與上述排布結構類似地包括其中形成有用于操縱多個帶電粒子分束的多個束操縱孔的多孔板。束操縱孔按第一陣列圖案排列，并且在該多孔板中，在
與該第一陣列圖案相鄰的區域中形成有多個場修正孔。
場修正孔可以排列成一陣列，該陣列形成束操縱孔的陣列圖案的擴展。
所述粒子光學排布結構要提供的分束不穿過場修正孔。然而，如上所述，這并不排除通過在場修正孔的下游或在場修正孔內的某些其他裝置攔截穿過場修正孔的中間分束。
根據本發明又一實施例，提供了一種粒子光學排布結構，其與上述排布結構類似地包括至少一個帶電粒子源；至少一塊多孔板，其中形
成有多個孔；第一電壓源；用于向所述多個孔提供預定的第一電壓；第一單孔板，布置在距多孔板的上游或下游的一距離處；以及第二電壓源，用于向第一單孔板提供預定的第二電壓。
設置多孔板中的孔以操縱穿過其間的帶電粒子分束。其中孔的操縱效果是通過由多孔板在其上游和/或下游生成的電場來確定的。將單孔板分別設置在多孔板的上游和下游，以將電場形成為希望的形狀，使得孔的操縱效果根據希望的依賴性在孔圖案上變化。
根據一實施例，將單孔板布置在距多孔板小于75mm的距離處，優選地，布置在小于25mm的距離處，更優選地，布置在小于10mm或小于5mm的距離處。
根據又一實施例，將單孔板布置在距孔這樣一距離處，即，該距離小于多孔板的孔的透鏡功能向穿過其間的分束提供的焦距的一半(特別地，四分之一)。
根據再一實施例，將單孔板布置在距多孔板這樣一距離處，即，其使得所述多孔板的表面上的電場高于100 V/mm、高于200 V/mm、高于 300 V/mm、高于500 V/mm，或者高于1 kV/mm。
根據另一實施例，多孔板與第一單孔板之間的距離小于單孔直徑的 5倍、小于單孔直徑的3倍、小于該直徑的2倍，或者甚至小于單孔直徑本身。
為了提供孔陣列上的所述多個孔的束操縱效果的更強依賴性，優選地，設置布置在多孔板與第一單孔板之間的第二單孔板。設置第三電壓
源，以向該第二單孔板提供預定的第三電壓。可以將第三電壓選擇為，使得它基本上等于或低于第一電壓的平均值，或者可以將第三電壓選擇為，使得它在第二電壓與第一電壓的平均值之間。在多孔板的兩側都可以設置第一單孔板。
根據本發明又一實施例，提供了一種粒子光學排布結構，其與上述排布結構類似地包括用于生成帶電粒子束的至少一個帶電粒子源，和其中形成有多個孔的至少一塊多孔板。
在帶電粒子源與多孔板之間的帶電粒子束的束路徑中，布置有第一聚焦透鏡。該第一聚焦透鏡具有減小由所述源生成的帶電粒子束的發散性的效果，以利用帶電粒子照射形成在多孔板中的所述多個孔。在第一聚焦透鏡的下游的帶電粒子束可以是發散束或平行束。但是，該束的發散度或平行度應當高精度地對應于希望的發散度或平行度。
實際中，諸如開口誤差或色誤差(chromatic error)的透鏡誤差對與希望的發散度或平行度的偏離有貢獻。
設置用于在第一聚焦透鏡與多孔板之間的區域中提供減速電場的減速電極，以使帶電粒子在穿過第一聚焦透鏡之后減速到希望的動能以穿過多孔板。由此，穿過聚焦場的帶電粒子的動能比穿過多孔板的帶電粒子的希望動能要高。
這種排布結構的一個可能的優點是，在增大的動能下對第一聚焦透鏡的色誤差的貢獻降低了。
本發明人已發現，即使穿過多孔板的電子的動能很高，也可以對其中形成有多個孔的多孔板的聚焦效果進行很好的控制和相對精確的調節。這可以降低穿過各孔的帶電粒子分束的色像差。
由此，根據本發明又一實施例，撞擊在或穿過多孔板的電子的動能可以高于5 keV、高于10 keV、高于20 keV，或者甚至高于30 keV。
根據又一實施例，本發明提供了一種粒子光學排布結構，其與上述排布結構類似地包括至少一個帶電粒子源、至少一塊多孔板以及在該多孔板的上游和/或下游的區域中提供聚焦場的第一聚焦透鏡。該粒子光學排布結構還包括能量改變電極，該能量改變電極用于在多孔板的上游和/
或下游的第二區域中改變束的帶電粒子的動能。為了減小由第一聚焦透鏡引起的誤差，其中設置有聚焦場的第一區域與其中設置有能量改變場的第二區域是交疊區域。
根據一實施例，所述能量改變場是用于減小束的帶電粒子的動能的減速電場，并且所述交疊區域大致位于多孔板的上游。
根據又一實施例，所述能量改變場是用于增大束的帶電粒子的動能的加速電場，并且所述交疊區域大致位于多孔板的下游。
在所述交疊區域中所述能量改變場與所述聚焦場之間的交疊可以大
于1°/。、大于5%，或者大于10%。
通過按任意單位將沿束軸線的所述聚焦場的場強和所述能量改變場的場強繪制成相應的曲線(對它們進行歸一化，以使得兩條曲線的峰值在同一水平上)，可以確定所述能量改變場與所述聚焦場的交疊。然后可以將兩條曲線下的交疊面積除以一條或另一條曲線下的總面積當作對交
疊的測度。
根據本發明又一實施例，提供了一種粒子光學排布結構，其與上述排布結構類似地包括至少一個帶電粒子源、至少一塊多孔板，以及在該帶電粒子源與該多孔板之間的區域中提供聚焦場的第一聚焦透鏡。
設置第一聚焦透鏡是為了減小由多孔板的上游的源生成的帶電粒子束的發散度，使得緊鄰多孔板的上游的束具有剩余發散度。換句話說，當該束穿過第一聚焦透鏡時的截面比當該束撞擊在多孔板上時的截面要小。
通過這種排布結構，可以使用給定截面的束照射多孔板的孔，其中，穿過第一聚焦透鏡的束的截面比該給定截面要小。這可能具有以下優點，與用于對照射給定截面的束進行準直以形成大致平行束的聚焦透鏡相比，可以減小第一聚焦透鏡的開口誤差。根據一些實施例，緊鄰多孔板
的上游的束的發散度可以高于0.5mrad、高于1.0mrad，或者甚至高于2 mrad、 5 mrad或10 mrad。
然而，應當指出的是，根據某些實施例，多孔板的匯聚照射是有利的。具體來說，可以將這種匯聚照射應用于電子刻繪領域。實際中，形
成在多孔板中的孔的相鄰中心之間的距離是不能進一步減小的有限距離。如果利用平行束照射這種多孔板，在該多孔板的下游的分束的相鄰焦點的距離也會對應于該多孔板中的相鄰孔之間的距離。然而，通過利用匯聚束照射多孔板，可以減小分束的相鄰焦點之間的距離，同時保持多孔板的相鄰孔之間的距離相同。這使得可以按如下方式在所述設備的物面上形成束斑圖案，即，使這些束斑彼此之間的距離很小，并使它們可以彼此接觸，或者使它們甚至彼此交疊。
另夕卜，照射束的匯聚度可以在以下范圍內高于0.5mrad、高于1.0 mrad，或者甚至高于2 mrad。
根據本發明又一實施例，提供了一種粒子光學排布結構，其與上述排布結構類似地包括至少一個帶電粒子源，用于生成帶電粒子束；至少一塊多孔板，其中形成有多個孔；以及第一聚焦透鏡，在帶電粒子源與多孔板之間的區域中提供聚焦場部分。第一聚焦透鏡提供了磁場，并且帶電粒子源布置在第一聚焦透鏡提供的磁場內。利用其中帶電粒子源浸沒在磁場中的這種排布結構，可以減小聚焦場部分提供的透鏡誤差。
根據一優選實施例，其中設置有帶電粒子源的磁場部分是具有大致均勻磁場的部分。
根據本發明又一實施例，提供了一種粒子光學排布結構，其與上述排布結構類似地包括用于生成帶電粒子束的至少一個帶電粒子源，和其中形成有多個孔的至少一塊多孔板，其中，在所述至少一塊多孔板的下游形成了多個帶電粒子分束，使得每個帶電粒子分束都在多孔板的下游的聚焦區中形成一焦點。
第二聚焦透鏡提供了聚焦區中的聚焦場，其中，該聚焦場對帶電粒子分束簇有聚焦效果。由于設計所述粒子光學排布結構所基于的某種設計原因，可能需要將第二聚焦透鏡置于多孔板的下游的某個位置處。第二聚焦場的聚焦場區的與多孔板的聚焦區相重合的位置可以具有以下優點各分束在其焦點處的角誤差(如焦點處的色誤差)，對在第二聚焦透鏡下游的其中形成有所述聚焦區的像的區域中的分束的影響減小了。
根據本發明又一實施例，提供了一種粒子光學排布結構，其與上述
排布結構類似地包括至少一個帶電粒子源，和用于對帶電粒子分束進行聚焦的至少一塊多孔板，每個帶電粒子分束在多孔板的位于其下游的聚焦區中都具有一焦點。
設置一物鏡，以將聚焦區或其中間像成像到可定位在所述排布結構的物面中的物體上。通過將帶電粒子分束的焦點成像到物體上，可以在物體上獲得相對較小直徑的束斑。
此外，所述至少一塊多孔板中的孔可以設置有比焦點區中的分束的直徑大得多的直徑。由此，可以按相對較大的孔直徑形成分束的小焦點。因此，孔的總面積與孔圖案的總面積之比也相對較高。該比確定了分束生成的效率，即，所有分束的總電子流與照射多孔板的束的總流之比。由于在多孔板中形成了大直徑孔，所以這種效率相對較高。
根據本發明又一實施例，提供了一種電子光學排布結構，其分別提供了束路徑分離器和束路徑合成器的功能。該排布結構可以提供一次束路徑和二次束路徑，該一次束路徑用于從一次電子源指向可定位在所述排布結構的物面中的物體的一次電子束，該二次束路徑用于源自該物體
的二次電子。一次束路徑和二次束路徑可以是用于單個電子束或多個電子束的束路徑。然而，對于如上所述的應用，一次束路徑和二次束路徑是用于多個電子分束的優選束路徑。
所述排布結構包括磁體排布結構，該磁體排布結構具有第一磁場區、第二磁場區以及第三磁場區。一次束路徑和二次電子束路徑穿過第一磁場區，并且第~磁場區執行將它們相互分開的功能。第二磁場區布置在一次電子束路徑中的第一磁場區的上游，并且二次電子路徑不穿過第二磁場區。第三磁場區布置在第一磁場區的下游的二次電子束路徑中，并且第一電子束路徑不穿過第三磁場區。
第一磁場區和第二磁場區沿基本上相反的方向使一次電子束偏轉，而第一磁場區和第三磁場區沿基本上相同的方向使二次電子束路徑偏轉。
所述排布結構具有很少數量(僅三個)的必要磁場區，但是仍可以將其設計成使得，對于一次電子的給定動能和二次電子的給定動能，該
排布結構提供了第一量級消像散并且/或者第一量級無畸變的粒子光學性質。
根據一優選實施例，第二磁場區對一次電子束路徑的偏轉角比第一磁場區對一次電子束路徑的偏轉角要大。其中，更優選地，在第一磁場區與第二磁場區之間的一次電子束路徑中不形成中間像。
根據又一優選實施例，在第二磁場區與第一磁場區之間的一次電子束路徑中設置有基本上沒有磁場的第一漂移區。
根據又一優選實施例，在第一磁場與第三磁場區之間的二次電子束路徑中設置有基本上沒有磁場的第二漂移區。然而，也可以將基本上沒有磁場的第二漂移區設置在第一磁場區與第三磁場區之間的二次電子束路徑中。如果同時設置了第一漂移區和第二漂移區，那么優選的是第二漂移區比第一漂移區短得多。
根據又一優選實施例，在第一磁場區與物面之間設置有聚焦透鏡，其中，一次電子束路徑和二次電子束路徑均穿過該聚焦透鏡。從電子顯微鏡應用的角度說，可以將該聚焦透鏡實現為物鏡。
其中，更優選地，在一次電子束路徑和二次電子束路徑中設置至少一個電極，用于使一次電子在撞擊在物體上之前減速，并用于使二次電子從物體射出之后加速。利用這種電極，可以改變一次電子撞擊在物體上的動能，同時將穿過磁體排布結構的一次電子的動能保持在同一值。由此，可以將束路徑分離器/合成器的電子光學性質保持在基本上相同的電子光學性質，同時可以改變撞擊在物體上的一次電子的動能。因此，可以實現在撞擊在物體上的一次電子的動能的相對較大范圍上，高精度地將一次電子聚焦在物體上。
其中，更優選地，所述磁體排布結構還包括位于第三磁場區的下游的二次電子束路徑中的第四磁場區，其中，可以相對于第一磁場區中的磁場強度調節第三磁場區中的磁場強度。可以根據提供給成對電極的電壓調節第四磁場區中的場強。由于提供給所述成對電極的電壓的變化改變了進入所述磁體排布結構的二次電子的動能，所以也改變了第一磁場區對二次電子束路徑的偏轉角。可以對第三磁場區和第四磁場區中的場
強進行調節，使得可以補償由于對所述成對電極的電壓提供的變化而導致的二次電子束路徑的這種變化。實際上，第四磁場區可以提供補償偏轉器的功能。
此外，進入所述磁體排布結構的二次電子的動能的變化，可以導致由第一磁場區和第三磁場區對二次電子束路徑產生的四極效應的變化。優選地，還在二次電子束路徑中設置了至少一個電子光學組件，以補償這種四極效應的變化。可以由設置在二次電子束路徑中的一個或兩個附加磁場區，或者設置在二次電子束路徑中的一個或兩個四極透鏡，或者設置在二次電子束路徑中的附加場區與四極透鏡的組合，來提供這種補償組件。
根據一優選實施例，在第四磁場區的下游的二次電子束路徑中設置了第五磁場區，并在該第五磁場區的下游設置了四極透鏡。優選地，可以根據提供給所述至少一個電極的電壓，來調節該四極透鏡和/或第五磁場區提供的場強。
根據又一優選實施例，二次電子在包括第一磁場區、第三磁場區、第四磁場區以及第五磁場區的區域中，形成了物面的中間像。

參照附圖，根據以下對本發明優選實施例的詳細描述，本發明的上述和其他有利特征將更加清楚。
圖1示意性地例示了根據本發明一實施例的電子顯微術系統的基本特征和功能；
圖2a-2d示出了可用于根據圖1的電子顯微術系統中的多孔排布結構中多個示意部分；
圖3是用于例示用于照射多孔排布結構并用于操縱該多孔排布結構生成的電子分束的電子光學組件的示意圖4示出了可用于圖1的電子顯微術系統中的一次電子分束生成排布結構的示例； '
圖5示出了如圖4所示的排布結構提供的束路徑的多個物理性質；
圖6示出了可用于圖1的電子顯微術系統中的一次電子分束生成排
布結構的示例；
圖7示出了形成在多孔板中的孔陣列圖案；
圖8是具有用于對由圖7所示的孔圖案排布結構產生的多極效應進行補償的附加形狀特征的孔形狀的細節圖9示出了設置在多孔板中的孔和場修正孔的排布結構；
圖10是沿圖9中表示的X-X線所截取的圖9所示的板的截面圖ll示出了六邊形孔陣列圖案；
圖12示出了一次電子束斑的畸變圖案；
圖13示出了用于補償圖12所示的畸變的孔排布結構；
圖14示出了由于像散而畸變的一次電子束斑圖案；
圖15示出了與用于補償圖14所示的像散畸變的孔圖案有關的平面
圖16例示了由將焦面成像到物體上所涉及的電子光學組件產生的場曲效應；
圖17例示了適于補償圖16所示的場曲的多孔排布結構；？
圖18示出了與用于補償場曲的多孔圖案有關的正視圖19例示了用于補償場曲的又一多孔排布結構；
圖20a-20e例示了用于補償場曲的又一多孔排布結構；
圖21是一次電子束路徑的示意例示圖22示意性地例示了可用于圖1所示的電子顯微術系統中的與物側排布結構協同操作的分束器/合束器排布結構；以及
圖23是根據本發明一實施例的電子刻繪系統的例示圖。
具體實施例方式
在以下描述的示例性實施例中，盡可能地以相似的標號指示功能和結構上相似的組件。因此，為了理解特定實施例的各個組件的特征，應當參照對本發明的其他實施例和發明內容的描述。
圖1是示意性地例示了電子顯微術系統1的基本功能和特征的示意
圖。電子顯微術系統1是掃描電子顯微型(SEM)的，其使用用于在待
檢驗物體7的表面上生成一次電子束斑5的多個一次電子分束3，所述表面布置在物側排布結構100的物鏡102的物面101中。
圖1的插圖I,示出了與其上形成有一次電子束斑5的規則矩形陣列 103的物面101有關的正視圖。圖1中示出了按5X5陣列103排列的25 個一次電子束斑5。一次電子束斑的該數量是很小的數量，以便于例示電子顯微術系統1的原理。實際中，一次電子束斑的數量可以選擇為大得多，如30X30、 100X100等。
在所例示的實施例中一次電子束斑5的陣列103是具有在1 ,到 IO,的范圍內的大致恒定間距P,的大致規則矩形陣列。然而，陣列103 也可以是變形的規則陣列或不規則陣列，或者某些其他對稱陣列，如六邊形陣列。
形成在物面101中的一次電子束斑的直徑可以在5 nm到200 nm的范圍內。由物鏡排布結構100對一次電子分束3進行聚焦以形成一次電子束斑5。
在束斑5處入射在物體7上的一次電子生成從物體7的表面發出的二次電子。這些二次電子形成了進入物鏡102的二次電子分束9。
電子顯微術系統1提供了用于將所述多個二次電子分束9提供給檢測排布結構200的二次電子束路徑11。檢測排布結構200包括投影透鏡排布結構205，該投影透鏡排布結構205用于將二次電子分束9投射到檢測器排布結構209的電子敏感檢測器207的表面211上。檢測器207可以是從固態CCD或CMOS、閃爍器排布結構、微通道板、PIN二極管陣列等中選出的一個或更多個。
圖2的插圖12示出了與像面211和檢測器207的表面(在此二次電子束斑213形成為陣列217)有關的正視圖。陣列間距P2可以在10 pm 到200 pm的范圍內。檢測器207是具有多個檢測像素215的位置敏感檢測器。這些像素215排列成與由二次電子束斑213形成的陣列217相匹配的陣列，'使得各像素215可以檢測與其相關聯的二次電子分束9的強度。一次電子分束3由分束生成排布結構300生成，該分束生成排布結構300包括電子源排布結構301、準直透鏡303、多孔板排布結構305以及場透鏡307。
電子源排布結構301生成發散電子束309，準直透鏡303使該發散電子束309變準直，以形成用于照射多孔板排布結構305的束311 。
圖1的插圖13示出了多孔排布結構305的正視圖。多孔排布結構包括其中形成有多個孔315的多孔板313。孔315的中心317排列成圖案 319，該圖案319電子光學地對應于形成在物面101中的一次電子束斑5 的圖案103。
陣列319的間距P3可以在5 |im到200 |im的范圍內。孔315的直徑 D可以在以下范圍內0.2XP3到0.5XP3、 0.3XP3到0.6XP3、 0.4XP3至lj 0.7XP3、 0.5XP3至lJ 0.7XP3、 0.5XP3至U 0.6XP3、 0.6XP3到0.7XP3、 0.7 X P3到0.8 X P3 ，和/或0.8 X P3到0.9 X P3。
照射束311的穿過孔315的電子形成一次電子分束3。照射束311 的撞在板313上的電子從一次電子束路徑13受到攔截，因此對形成一次電子分束3沒有貢獻。
如至此所例示的，多孔排布結構305的一個功能是從照射束311形成所述多個一次電子分束3。該多孔排布結構的另一功能是對各一次電子分束3進行聚焦，使得在焦區或焦面325中生成焦點323。
圖1的插圖14示出了按圖案327排列焦點323的焦面325的正視圖。如根據以下說明將理解的，該圖案的間距P4可以與多孔板313的圖案319 的間距P3相同或不同。焦點323的直徑可以在10nm到1 ^tm的范圍內。
場透鏡307和物鏡102 —起執行以下的功能將焦面325成像到物面101上，以在物體7上形成小直徑的一次電子束斑5的陣列103，來實現通過由檢測器排布結構209檢測二次電子分束9的強度而生成的二次電子圖像的高分辨率。
在分束生成排布結構300與物側排布結構100之間的一次電子束路徑313中，以及在物側排布結構100與檢測排布結構200之間的二次電子束路徑11中，設置有分束器/合束器排布結構400。
圖2示出了多孔排布結構305的多個可能實施例中的一些實施例的
截面圖。
圖2a示出了這樣的多孔排布結構305， S卩，該多孔排布結構305具
有其中形成有多個孔315的單個多孔板313。這種單多孔板313既可以執
行從照射束311生成一次電子分束3的功能，也可以執行將一次電子分
束3聚焦在多孔板313的下游的功能。根據以下公式可以估計各孔315
提供的焦距
f = -4! △E
其中，
U是穿過多孔板313的電子的動能，而
」E表示在多孔板313的上游與下游提供的電場強度的差。
圖2b示出了這樣的多孔排布結構305， g卩，該多孔排布結構305具有沿一次電子束路徑13的方向彼此間隔排列的四塊多孔板313h 3132、 3133、 3134。各多孔板313,、……、3134都具有形成在其中的多個孔315，其中，孔315居中于沿一次電子束路徑的方向延伸的公共中心軸317。
照射束311照射多孔板313P并且形成在多孔板313,中的孔315具有用于從照射束311選擇并生成一次電子分束的直徑。可以對板313,提供基本上等于照射束311的電子的勢能或動能的電壓。
形成在各板3132、 3133、 3134中的孔315都具有比形成在照射板313t 中的孔315的直徑要大的相等直徑。板3132和3134是薄板，板3133的厚度比板3132和3134的要大。可以向板3132和3134提供相等的電壓，并可以向板3133提供與該電壓不同的電壓，使得對照射板313,所選擇的各一次電子分束執行單透鏡(Einzel-lens)的功能。
圖2c示出了具有受照射多孔板313,的多孔排布結構305，該受照射多孔板313,中形成有用于選擇一次電子分束的小直徑孔315。比受照射孔313!要厚的兩塊多孔板3132和3133設置在受照射多孔板313!的下游，以對各一次電子分束執行浸沒透鏡(immersion lens)的功能。在其操作過程中接著向板3132和3133提供不同電壓，以實現多孔排布結構305的聚焦功能。
圖2d示出了圖2c所示的浸沒透鏡型多孔排布結構的變型。圖2c所示的排布結構可能具有以下缺點由于提供給板3132、 3133的不同電壓而沿給定軸317生成的電場將受到沿直接相鄰或更遠的軸317生成的對應場的雜散場(stray field)的影響。這些雜散場通常不具有相對于給定軸317的旋轉對稱性，使得浸沒透鏡排布結構提供的圓透鏡的功能受到不利影響。
圖2d的多孔排布結構305具有夾在多孔板3132與3133之間的絕緣間隔物331，其中導電層333覆蓋絕緣間隔物331中的孔315的內部。
導電層315具有足夠的導電性，以執行用于生成雜散場并用于屏蔽相鄰孔生成的其余雜散場的屏蔽功能。
根據一實施例，可以如下制造圖2d的排布結構305:將板形硅基板設為絕緣間隔物331;在該板的上表面和下表面上形成氧化硅層；在上氧化硅層和下氧化硅層上分別淀積上金屬層3132和下金屬層3133;在上金屬層3132上設置限定了孔315的抗蝕劑圖案；使用常規刻蝕劑，通過金屬刻蝕在上金屬層3132中形成孔315;使用常規刻蝕劑，通過氧化硅刻蝕在上氧化硅層中形成對應的孔；使用常規刻蝕劑，通過硅刻蝕在硅基板中形成孔315;通過氧化硅刻蝕在下氧化硅層中形成對應的？L;通過金屬刻蝕在下金屬層3133中形成孔315，從而最終形成穿透硅基板和設置在硅基板上的氧化硅和金屬層的結構的通孔。隨后執行氧化處理，以在上金屬層3132和下金屬層3133的表面上淀積氧化層，并在通孔的內壁上淀積氧化層。最后，在淀積在通孔的內壁上的氧化層上淀積電阻層。可以將濺射處理用于淀積該電阻層。該電阻層被淀積成，使得上金屬層3132 與下金屬層3133之間的電阻在250 Q到8 MQ的范圍內。可以將快速熱氧化(RTO)處理或電化學氧化處理用于淀積該氧化層。
圖3是分束生成排布結構300的實施例的又一示意圖。
如圖3所示，電子源排布結構301生成源自虛源329的高度發散電子束309。在該例示實施例中，該電子源是熱場發射(TFE)型的，其角強度為1到3 mA/sr并且發射半角為100 mrad。
在發散束309的束路徑中布置有準直透鏡303，該準直透鏡303具
有聚焦能力，以將高度發散束309轉換成具有減弱發散性的照射束311 。發散照射束311接著照射多孔排布結構305的多孔板313的受照射區F，。與使用平行束對區F,進行照射相比，使用發散束311照射多孔板313具有以下優點。
束309、 311在準直透鏡303中橫穿的截面F2比受照射區F,小得多。與使用平行束的照射相比，可以使用減小直徑的準直透鏡，由此減少了由準直透鏡303引入的開口誤差。此外，與用于將發散束309轉換成平行束的聚焦透鏡相比，可以降低準直透鏡303的聚焦能力，這也有助于減少由準直透鏡303引入的誤差。
此外，在多孔板313的上游設置有由圖3中的網紋區表示的減速電場區321。在減速場區317中將照射束311的電子減速到希望的動能，該動能被設計為，使得一次電子分束3的焦點323形成在多孔排布結構305 下游的焦面325中。結果，一次電子在穿過準直透鏡303時具有更高的動能，使得還可以減小準直透鏡303的色誤差(AE/E)。
將場透鏡307布置成使得其聚焦效果的位置與焦面325或焦區(在此由多孔排布結構305形成了一次電子分束3的焦點323)相重合。這具有如下優點場透鏡307的透鏡誤差(如色誤差)對在布置在物面101 中的物體7上形成的一次電子束斑5的影響減小了。場透鏡307的這種色誤差將導致源自焦點323處的電子束的角誤差。然而，由于將焦點323 成像到物體7上，所以這種角誤差沒有影響，而且源自焦點323的帶有角誤差的電子束，將基本上在與各焦點323的位置相對應的正確成像位置處命中物面。從而，由場透鏡307生成的角誤差只會影響一次電子分束3在形成在物體7上的一次電子束斑5處的著陸角。束斑的位置不受這種誤差的影響。
圖4示意性地例示了一次電子分束生成排布結構300的又一結構變型。在具有下游端凸緣340的束導向管339中，在z軸上布置有虛源319。在杯形電極341的中央安裝有多孔板313。以30 kV的電壓從源319抽取電子，并且在多孔板313的上游，在凸緣340與電極341之間生成約350 V/謹的減速場。
圖5示出按任意單位沿z軸繪制的圖4的排布結構300的一些物理性質。曲線342表示在電極340、 341之間生成的減速電場。在圖5中，源319位于z-0mm處，而多孔板位于z=270 mm處。
源319浸沒在準直透鏡303的磁場中。圖5中的曲線343示出了相對于沿z軸的位置的，沿z方向取向并由準直透鏡303生成的磁場強度。如可從圖5看到的，源319位于由透鏡生成的場中的其中Bz大致恒定的部分中。這種恒定磁場對從源319發射的電子只有弱的聚焦效果和很弱的像差。在磁場Bz的具有很大梯度的那些部分處實現主要聚焦效果。根據圖5可知，準直透鏡303的聚焦功能被設置在從約200 mm到300 mm 的z位置處。準直透鏡303的聚焦能力與由電極340、 341生成的減速電場342相重合。這種重合的聚焦磁場和減速電場使得可以提供對一次電子束的聚焦功能，同時將隨其引入的光學誤差保持在低水平上。根據圖5 所示的表示沿z軸的光學排布結構的色誤差Q的發展的線344，可以顯見這一點。在^0處Cs為零，并且Cs隨著z值增大而增大。由于磁場區與電場區的交疊，在大約2=230 mm的位置345處可以將Cs減小到接近零的值。在該位置345的下游Cs接著再次連續增大。
圖6示出了一次電子分束生成排布結構300的又一變型，其具有浸沒在準直透鏡303的磁場的恒定部分中，并位于具有下游凸緣電極340 的束管339內的電子源319。電極340與被設置為另一束管348的上游凸緣相對。在束管348中靠近其下游端處設置有多孔排布結構305。在電極 340與341之間，生成與準直透鏡303生成的聚焦梯度磁場相交疊的減速電場。
在多孔排布結構的表面處，剩余電場相對較小。
多孔排布結構305生成多個一次電子分束(在圖6中未詳細示出)，各一次電子分束在焦面325中具有焦點。
類似于圖1中的插圖13，圖7示出了形成在多孔板313中的孔315 的圖案319。每個非周緣孔"a"都具有四個直接鄰近孔"b"、 "c"、 "d" 以及"e"，并具有四個次最靠近鄰近孔"f"、 "g"、 "h"以及"i"。圖7 示出了基本陣列矢量[IO]，其中按最靠近鄰近間距陣列排布孔315，并且
圖7示出了基本陣列矢量[ll]，其中按次最靠近鄰近間距陣列排布孔315。
從圖7可以看出，由與給定孔"a"相鄰的孔"b"到"i"生成的雜散場具有相對于該給定孔的中心317的四重對稱性。這些雜散場將對有關穿過給定孔"a"的分束的聚焦性能產生畸變效應。
圖8例示了用于對相鄰于給定孔"a"的孔生成的這種多極雜散場進行修正的實施例。孔"a"具有基本圓形形狀，其中繞著孔"a"的"a" 周設置在給定孔"a"的中心317周圍布置的具有四重對稱性的附加特征。將這些附加特征形成為這些孔的向板313中突出的形狀突出部351。附加特征351對由設置有附加特征的孔生成的雜散場有影響。將附加特征設計成使得，如果對每個孔"a"到"i"都設置該附加特征，則針對給定孔 "a"生成的雜散場的多極分量減小了。
可以在任何基本形狀的孔處設置與給定孔的最近鄰居具有相同對稱性的附加特征。例如，該基本形狀可以是圓、橢圓或某些其他形狀。
圖9示出了用于減小具有多極特性的雜散場的影響的又一實施例。再次將孔315排列成矩形規則陣列圖案319。孔315 (在圖9的示例中是 5X5個孔)涉及對穿過其中的電子分束進行操縱。在孔315之間的間隙位置處形成有較小的場修正孔353。場修正孔353也形成與柵格319具有相同間距的矩形規則柵格。場修正孔353的柵格與孔的柵格319錯開半個間距。
將場修正孔353的直徑確定為使得，與圖7所示的沒有設置場修正孔353的情況相比，減弱了由孔315和場修正孔353生成的雜散場的多極特性。
圖10示出了圖9所示的多孔排布結構305的截面圖。多孔排布結構 305包括夾在兩塊多孔板313,與3132之間的絕緣間隔物331。孔315被形成為貫穿多孔板313" 3132以及絕緣間隔物331的全部的通孔，而場修正孔353只形成在暴露于照射電子束311的上多孔板313,中和絕緣間隔物331中。多孔板3132在與形成在上多孔板313,中和絕緣間隔物331 中的孔353的位置相對應的那些位置處沒有形成孔。
根據一實施例，通過諸如刻繪處理的方法可以制造圖IO所示的多孔
排布結構305,其中，在用于形成絕緣間隔物331的基板(如具有沿基板的(110)晶格面取向的表面的單晶硅基板)的兩個表面上分別設置用于形成多孔板313,和3132的金屬化層。在金屬化層313,上設置限定了孔 315的抗蝕劑圖案，并且使用刻蝕金屬的常規第一刻蝕劑執行第一刻蝕步驟；使用刻蝕硅的常規第二刻蝕劑執行第二刻蝕步驟，并且使用第一刻蝕劑執行第三刻蝕步驟以形成貫穿所有層313,、 331以及3132的孔的通孔。然后，在板313,上設置與場修正孔353的圖案對應的抗蝕劑圖案，并使用第一刻蝕劑執行刻蝕穿過上層313,。然后，使用只刻蝕硅而不刻蝕金屬的第二刻蝕劑繼續進行刻蝕。由此，貫穿硅基板331形成了孔353, 并在硅基板中在孔353的底部停止該刻蝕；因此，下金屬層3132具有刻蝕停止部的功能。
例如，從Team Nanotec GmbH， 78052 Villingen-Schwenningen, Germany可以獲得如圖2a、 2b、 2c、 2d以及圖10中的一個所示的多孔組件。
以下再次參照圖7。
在上、下、左以及右側與孔陣列319的中央孔相鄰的兩排其他孔包圍該中央孔。與之對照的是，中央周緣孔"g"在其右側沒有任何相鄰孔，上周緣孔"f"在其上側和右側沒有相鄰孔。對于中央孔"h"、中央周緣孔"g"以及上周緣孔"f"，包圍電場將不同。由此，孔"h"、 "g"以及 "f"將對穿過它們的各分束產生不同的束操縱效果。對于靠近束操縱孔的圖案319的周緣的孔，這種差異將顯著增大。
圖9示出了本發明的一個實施例，其減小了對周緣束操縱孔的這種影響。附加孔354包圍陣列319 (在該例示示例中是5X5個孔)。在圖9 中，圍繞陣列圖案319的周緣形成有一排附加孔354。然而，圍繞陣列 319的周緣可以設置兩排或更多排附加孔354。附加孔354具有如下效果陣列圖案319的周緣孔"i"、 "b"、 "f，、 "c"、 "g"在上側、下側、左側以及右側中的所有側都存在相鄰孔，由此減小了上述周緣效應。
可以將附加孔354排列成圖案319的延續，即，按與陣列319相同的間距設置它們，并且這些附加孔354具有與位于陣列319的周緣的那
些孔"i"、 "b"、 "f，、 "C"、 "g"……相同的直徑。然而，可以按某些其
他圖案和直徑圍繞孔315的圖案319的周緣設置附加孔354。
可以按與場修正孔353類似的方式形成附加孔354， g卩，不將它們形成為如圖10所示貫穿多孔排布結構305的通孔。由此，不會有從附加孔354射出的一次電子分束。然而，也可以將附加孔354形成為貫穿多孔排布結構305的通孔，使得附加孔354也在其下游生成一次電子分束。然后，可以通過設置在該多孔排布結構的下游的某些其他裝置(如合適的阻擋部)攔截附加孔354所形成的分束。也可以將照射束311形成為，使得照射束只照射孔315的圖案319，并使得照射束311不會照射到附加孔354。
與圖7類似，圖11示出了與其中形成有多個束操縱孔315的多孔板 313有關的正視圖。孔315排列成陣列319，該陣列319是正邊形陣列(如同蜂窩)。給定孔"a"由六個最靠近鄰近孔315包圍，從而由這些包圍孔在該給定孔的位置處產生的雜散場具有六重對稱性。與圖7的具有四重對稱性的矩形陣列相比，該六重對稱性是更高階的對稱性，從而與矩形陣列相比，在該六邊形陣列中生成的雜散場的多極效應顯著減弱了。
下面再次參照圖1。
圖1是用于例示電子顯微術系統1的主要功能的示意和理想化圖。圖1的插圖13示出了多孔排布結構305的多個孔315，所述多個孔 315按等間距的規則矩形圖案319排列，使得一次電子束斑5也按等間距的矩形規則圖案103排列。在如下意義上圖案319與103電子光學地相互對應，即，一次電子束路徑13通過電子光學組件將根據圖案319生成的一次電子分束3提供到基板7上，以在物體上形成圖案103。其中涉及的電子光學組件包括電子源排布結構301、準直透鏡303、多孔排布結構 305、場透鏡307、分束器排布結構400以及物側排布結構100。實際中，這些電子光學組件引入了成像誤差，使得不會將規則矩形圖案轉換成精確的規則矩形圖案103。
圖12出于例示的目的給出了在實際中根據圖1的插圖13按照規則矩形圖案319形成的一次電子束斑的極端畸變的圖案103的示例。束斑5 將不按規則矩形圖案排列，并且圖案103的柵格線107將是彎曲線，使得相鄰束斑5之間的間距隨著距圖案103的中心109的距離增大而增大。由此，圖案103具有"較低規則度"或漸大孔位移誤差，與圖1的13的圖案319相比每個孔偏離陣列中心更遠。
圖13示出了多孔板313的孔315的陣列排布結構319的變型，其可用于對圖12所示的束斑5的圖案103的畸變進行修正。沿著柵格線357 布置多孔板313的孔315，柵格線357具有與圖12所示的圖案103的柵格線107的彎曲相反的彎曲。按與相鄰孔存在一間距來布置孔315。在本示例中，該間距隨著距圖案319的中心358的距離增大而減小。
將圖案319設計成，使得由此生成的一次電子分束得到形成在物面上的束斑5的矩形規則圖案103，如圖1的I,所示。
然而，在圖1所示的電子顯微術系統1的實施例中，將束斑圖案103 的規則度只改進到以下程度可能就足夠了圖案103分別具有減小的畸變或改進的規則度，同時它仍然不是完全的規則矩形陣列。例如，可以改進圖案只在一個方向(如水平方向)或某些其他合適方向上的規則度。例如可以通過現有技術中公知的某些數學方法(如傅里葉分析)確定在這種方向上的規則度。
圖14示出了形成在物面上的束斑5的所得圖案103的又一示例(而且出于例示的目的被放大了)。在該示例中，在形成圖案103中涉及的電子光學組件引入了場像散，使得對于圖案103的每個一次電子束斑5來說，沒有將分束或束斑形成為小圓斑。此外，束斑5是橢圓形或卵形的，其長軸隨著距圖案103的中心109的距離增大而增大。
利用畸變的束斑可能無法實現圖1所例示的電子顯微術系統1的希望的高分辨率。
圖15示出了多孔板313的孔315的圖案319的變型，其可用于補償這種場像散效應。孔315是橢圓形的，其長軸隨著距圖案319的中心358 的距離而增大，其中長軸1相對于中心358的取向橫交如圖14所示的束斑5的長軸1的取向。使用這種補償的橢圓或卵形形狀，可以減小電子光學組件產生的場像散的影響，從而減小形成在物面101上的束斑5的
橢圓性。
如在圖1中例示的，電子顯微術系統1的一個特征在于將其中多
孔排布結構305生成一次電子分束的焦點323的斑面325，成像到待檢驗物體7的表面置于的物面101上。優選地，物面101與物體7的表面相重合。
實際中，在圖16中示意性地例示為M的電子光學組件對電子光學系統的場曲有貢獻，使得將焦點323的平坦面325成像到靠近物體表面7 的彎曲面101上。從而，彎曲的物面101不可能與物體7的平坦面相重合，相應地，沒有將焦點323完全成像到物體7的表面上。
圖17示出了對將焦面325成像到物體表面7上所涉及的光學組件M 的這種場曲問題的一個解決方案。多孔排布結構305被設計成使得其中生成了一次電子分束3的焦點323的面325是彎曲面。焦面的曲度被選擇為，使得光學組件M將面325成像到平坦像面101中，從而可以將物體平表面7定位成與平坦像面101相重合。
圖18示出了多孔排布結構305的多孔板313的一個變型，其用于通過如圖17所示地在彎曲焦面325上生成分束3的焦點323來補償場曲。為了這個目的，孑L315的直徑"d"隨著距孔圖案319的中心358的距離增大而增大。孔的直徑的增大導致各孔的聚焦能力降低，并導致各孔315 提供的透鏡功能的焦距增大。由此，圖案319的中央孔提供的焦距比圖案319的周緣處的孔315提供的焦距要小，從而導致面325的這樣的曲度，g卩，其中焦點323位于如圖17所示的位置。
需要指出的是，在圖17和18所示的示例中，通過使孔直徑隨距圖案319的中心358的距離增大而增大，補償了場曲效應。然而，根據將焦面325成像到物面101中所涉及的光學組件M的光學性質，可能有利的是，使得孔直徑"d"隨距中心358的距離增大而減小。也可能有利的是，隨著距中心358的距離增大，直到距中心的預定距離處直徑都增大，然后減小。此外，直徑不必相對于圖案319的中心358對稱地變化。直徑也可以從圖案319的左側到右側或從上側到下側，或者與此相反或按其任何組合地變化。
此外，也可以將孔315的直徑變化用于應對照射束311的電子密度的變化。例如，如果照射束311是在其中央具有最髙密度的非均勻束，則如圖18所示的排布結構將相對于中央束增大周緣分束3的束強度，使得所有一次電子分束3都可以具有基本上相同的束強度或束電流。
圖19是可用于提供如圖17所示的彎曲焦面325的多孔排布結構305 的另一變型。將多孔板313分成中央圓板部分362o和多個同心環形或環狀板部分362p 3622、……。相鄰板部分362彼此電絕緣開來，并且在每個板部分362中都形成有多個孔315。設置有用于向各板部分3620、 362,、 3622、……提供預定電壓Uo、 U,、 U2、的電壓源361。根據一
實施例，電壓源361包括恒流源363和多個電阻器Ri、 R2、 R3、……以及固定電壓點364，使得電壓U()、 U" U2互不相同。恒流I和電阻器R、 R2、……被選擇為，使得各孔315提供的透鏡功能的焦距隨著距孔圖案 319的中心358的距離增大而增大。根據一另選實施例，可以設置分立電壓源，以向板部分362" 3622、……提供電壓Uo、 U,、 U2、。
通過圖19的插圖I所示的絕緣間隙365將環形板部分362(、 3622、……彼此電絕緣開來。絕緣間隙365在相鄰孔315之間按鋸齒線延伸。
需要指出的是，可以將多孔板的孔的上述形狀和設計特征相互組合起來。例如，孔可以是如圖15所示的橢圓形狀的，并且可以包括如圖8 所示的附加形狀特征。此外，孔的陣列排布結構具有這樣的孔位置，艮口，其可以被選擇為，使得在晶片上形成更高規則度斑圖案，同時這種陣列中的各孔是橢圓形狀的，或者具有如圖18所示的變化孔直徑，并具有如圖8所示的附加形狀特征。可以通過本領域的技術人員已知的MEMS技術來制造具有如上所例示的性質的多孔板。這種技術可能涉及反應離子刻蝕。例如，可以從Team Nanotec GmbH, 78052 Villingen-Schwenningen， Germany獲得根據本發明一個實施例的多孔板。
圖20a到20e示出了用于提供位于彎曲焦面325上的電子分束3的焦點的多孔排布結構305的又一變型。
圖20a所示的多孔排布結構305包括其中形成有多個孔305的多孔
板313，該多孔板313用于生成電子分束3并將電子分束3聚焦在位于焦面325 (其為曲面)上的焦點323處。可以通過以下公式計算孔305的焦距f:
<formula>formula see original document page 68</formula>
其中，
U是照射束311在穿過多孔板313時的電子動能，并且
△E可以寫作E,—E2，其中E,是在各孔的位置處緊鄰多孔板313的上游
的電場強度，而E2是在相同位置處緊鄰多孔板313的下游的電場強度。
由于在照射束311的截面上動能U基本上是恒定的，所以可以將相鄰于多孔板313的電場E,和&形成為，使得各孔315提供的焦距f取決于孔在照射束311上的位置。可以通過置于距多孔板313的上游或下游一距離處的一塊或多塊單孔板367，來實現對電場E,和E2的這種成形。在圖20a中，將一塊單孔板367置于多孔板313的上游的一距離處，并將形成在單孔板367t中的孔368選擇為，使得照射束311穿過孔368以照射形成在多孔板313中的孔315。
在距多孔板313的下游的一距離處設置有另一單孔板3672，并且在距單孔板3672的下游的一距離處設置有又一單孔板3673。將形成在單孔板3672、 3673中的孔368設計成，使得由多孔板313生成的分束3可以穿過孔368。
設置電壓源(在圖20中未示出)，以向單孔板367,提供本例示示例中的30 kV的電壓或某些其他合適的電壓，向多孔板313提供本例示示例中的9 kV的電壓或某些其他合適的電壓，向單孔板3672提供9 kV的電壓，并向單孔板3673提供30 kV的電壓。在圖20a中示出了在多孔板 313的上游由板313和367,生成的電場E,的場線，以及在多孔板313的下游由板313、 3672以及3673生成的電場E2的場線。在靠近多孔板313 的位置處，在照射束311的截面上Ei基本上是恒定的。如場線369所示，電場E2對多孔板313上的橫向位置具有更強的依賴性，場線369呈曲形，并從單孔板3672與3673之間的空間進入多孔板313與單孔板3672之間的空間。位于孔圖案的中心處的孔305比位于孔圖案周緣處的孔305具有
更短的焦距f，這導致分束3的焦點323位于如圖20a的虛線所示的彎曲焦面325上。
圖20b示出了具有與圖20a所示相同的結構的多孔排布結構305。所不同的是，向單孔板367i提供了與向多孔板313提供的電壓相同的9 kV 電壓，使得多孔板313的上游的電場Ei基本上為零。由于在多孔板313 的下游的非均勻電場E2，孔315的焦距如圖20b所示地變化，以使焦面 325成為曲面。
圖20c所示的多孔排布結構305包括一塊多孔板313和位于多孔板 313的上游的兩塊單孔板367,和3 672。在多孔板313的下游設置有一塊單孔板3 673。
向單孔板367,和3673提供30 kV的電壓，而向單孔板3672和多孔板 313提供9kV的電壓。在靠近多孔板3i3的位置處，上游電場E,非常不均勻，使得各孔315的焦距依賴于它們在照射束311上的橫向位置，這導致焦面325合適地彎曲，以修正如圖17所例示的場曲。
圖20d所示的多孔排布結構305具有與圖20c所示的排布結構相似的結構。與之對照的是，向下游的單孔板3673提供9kV的電壓，以使得在多孔板313的下游生成了基本上消失的電場E2。而且，在多孔板313 的上游提供的不均勻電場^導致了各孔的焦距在照射束截面上的希望變化。
在圖20a到20d中，分別與外單孔板367！、 3673 (30kV)相比，多孔板313處于較低的電勢(9kV)。這導致孔315具有這樣的聚焦效果，即，使得在多孔板313的下游生成了真實焦點323。
與之對照的是，圖20e所示的多孔排布結構305具有被提供了 30 kV 的多孔板313,而在多孔板313的上游的單孔板367,和在多孔板313的下游的單孔板3673被提供了 9 kV的較低電勢。這導致形成在多孔板313 中的孔315的散焦效應，其使得生成了位于照射束311的束路徑內的多孔板上游的彎曲焦面325上的虛焦點323。盡管圖20e所示的焦點323是虛焦點，但仍可以將這些虛焦點323成像到待檢驗物體上，其中，焦面 325的曲度被設計成，如圖17所示對場曲進行補償。
在圖20所示的以上變型中，9 kV和30 kV的電壓僅僅是示例性的電壓，可以向板313和367提供互不相同的電壓。例如，可以向單孔板3672 提供這樣的電壓，即，其比提供給多孔板313的電壓甚至稍低，并比提供給圖20a和圖20c中的板367,、 3673和提供給圖20a、 20b以及20c中的板3673的高電壓要低。
圖21是在焦面325與物面101 (物體表面7位于其中)之間的一次電子束路徑13的示意性例示圖，其中為了易于表示，將分束器中的束路徑示出為展開的。在與焦面325相重合的場透鏡307的下游，一次電子束路徑13是會聚束路徑，其在物鏡102的上游和分束器/合束器排布結構 400的下游的中間面111中具有一交叉(cross-over),在分束器/合束器排布結構400中，束路徑如下所示地穿過上游磁場部分403和下游磁場部分407。
圖22是分束器排布結構400和物鏡102的示意性例示圖。包括所述多個一次電子分束的一次電子束路徑13，進入分束器/合束器排布結構 400的第一磁場部分403。在場部分403中，設置有使一次電子束路徑向左偏轉oc角的均勻磁場。然后，一次電子束路徑13穿過漂移區405，該漂移區405基本上沒有磁場，從而一次電子束路徑13在漂移區405中沿直線前進。然后，一次電子束路徑13進入場區407，在該場區407中，設置有用于使一次電子束路徑13向右偏轉卩角的均勻磁場。然后，一次電子束路徑13進入物鏡102，該物鏡102用于將一次電子分束聚焦到位于物面101中的物體7的表面上。
物鏡排布結構100包括對一次電子分束具有磁聚焦功能的磁透鏡組，和對一次電子分束具有靜電聚焦功能的靜電透鏡組115。此外，包括上電極117和下電極119的靜電透鏡組115，利用在電極117與119之間生成的電場對一次電子執行減速功能，以使一次電子在撞擊在物體表面7 上之前減速。
設置控制器121以改變提供給下電極119的電壓，使得可以將一次電子撞擊到物體上的動能(著附能(landing energy))調節在約0.3 keV 到2.0 keV的范圍內。一次電子穿過分束器/合束器排布結構400的動能
是恒定的，并且與一次電子在物體表面上的著附能無關，在本示例中的
值為30 keV。
場部分403延伸長度L,，漂移區延伸長度L2，第二場部分407延伸長度L3，并且在本示例中，第二場部分407的下邊沿與物面101之間的距離是L4。L,約為75mm，L2約為90麵丄3約為60腿丄4約為80 mm。
本領域的技術人員熟悉用于設計并構造如上所例示的包括多個磁場區的分束器的技術。可以參見以下文獻US 6040576或"SMART: A Planned Ultrahigh-Resolution Spectromicroscope For BESSY II" by R. Fink et al， Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena 84， 1987, pages 231 to 250，或"A Beam Separator With Small Aberrations,，， by H. Miiller et al, Journal of Electron Microscopy 48(3), 1999， pages 191 to 204。
場部分403和407中的場強的絕對值約相等，并且場部分403和407 的長度和L3被選擇為，使得由向左偏轉a角和隨后向右偏轉P角引起的空間色散基本上是零。此外，場部分403和407以及漂移區405被選擇為，使得由分束器/合束器排布結構400對一次電子束路徑13引起的偏轉在第一量級上基本上無像散并且在第一量級上基本上無畸變。由此，可以高質量地將多孔排布結構305生成的焦點323的圖案327成像到物面101上。該成像質量被與一次電子到物體7上的著附能基本上無關地加以保持。
通過使二次電子束路徑11向右偏轉角Y的場部分407，將包括所述多個二次電子分束9的二次電子束路徑11與一次電子束路徑13分開。
由上電極117與下電極119生成的電場，將從物體7發出的動能范圍為約0 eV到100 eV的二次電子加速到與控制器121提供的設置有關的動能，控制器121用于調節一次電子的著附能。由此，進入場區407的二次電子的動能將隨一次電子的著附能而變化。
代替使用生成電場用的上電極117和下電極119，也可以略去下電極 119，并將物體7用作下電極以生成電場的主要部分。然后將對應的電壓施加給物體。 '
因此，由場區407提供給二次電子束路徑11的偏轉角Y會變化。二
次電子束路徑在離開場區407之后，在進入提供使二次電子束路徑11進一步向右偏轉的均勻磁場的又一磁場區411之前，穿過基本上沒有磁場的漂移區409。可以通過控制器413調節場區411的場強。二次電子束路徑11在離開場區411時立即進入提供均勻磁場的又一場區415，該場區 415的場強也可以由控制器413來調節。控制器413根據一次電子束的著附能的設置進行操作，并調節場區411和415中的磁場強度，使得一次電子束路徑在預定位置并按預定方向離開場區415，該預定位置與預定方向分別與一次電子的著附能和偏轉角Y無關。由此，這兩個場區411、 415 執行兩個接連的束偏轉器的功能，這兩個束偏轉器使得可以調節二次電子束以使其在離開磁場區415時與預定二次電子束路徑11相重合。
由控制器413引起的場區411、 415的磁場強度的變化，導致這些電子光學元件411、 415對二次電子的四極效應的變化。為了補償這種四極效應的變化，在緊鄰場區415的下游設置又一磁場區419。在磁場區419 中提供了均勻磁場，其場強由控制器413控制。此外，在磁場區419的下游設置有由控制器413控制的四極透鏡421，以與磁場區419相協作地補償由場部分411、 415在針對一次電子的不同著附能補償束路徑時引起的剩余四極效應。
設置在二次電子束路徑中的電子光學組件407、 409、 411、 415、 419 以及421被配置成使得對于一次電子著附能的一個具體設置，穿過分束器/合束器排布結構400的二次電子束路徑11在第一量級上基本上是無像散的、在第一量級上無畸變并且在第一量級上修正了色散。對于除2 KV 以外的著附能的其他設置，可以保持該成像質量，但是，色散修正減小了有限量。
需要指出的是，在場部分407、 411、 415以及419的區域中形成了物面101的中間像。因此，該中間像的位置會根據一次電子的著附能的設置和二次電子的動能而沿束軸變化。
需要指出的是，除磁場區403和407以外，在電子顯微術系統1的一次電子束路徑13中沒有設置其他束偏轉磁場區。術語"其他束偏轉磁場區"應當包括被設置以向一次電子束提供顯著偏轉角的磁場區，并且
不應當包括只是為某些其他目的(如提供對一次電子束路徑進行細微調節的可能性)而存在的這種場區。由此，提供顯著偏轉角的束偏轉磁場區是提供大于5°或大于10° 束
偏轉磁場區不在一次電子束路徑中，而且分束器400被配置成，使得它
為穿過其中的所述多個一次電子分束提供足夠確定的光學性質，以在物
面中形成高質量一次電子束斑圖案103。具體來說，一次電子束路徑在第一量級上無像散并且無畸變。
以下參照圖23例示電子刻繪設備。
圖23所示的電子刻繪系統包括分束生成排布結構300和物側排布結構IOO。分束生成排布結構300生成多個寫電子分束3，通過物側排布結構100將寫電子分束3指向物體7。該物體(如半導體晶片)涂敷有通過寫電子分束3曝光的帶電粒子敏感抗蝕劑。在對該抗蝕劑進行顯影之后，根據寫分束3的曝光，可以在基板中形成隨后的刻蝕結構。
與如針對以上電子顯微術系統例示的一次電子分束的生成類似地，在分束生成排布結構300中生成寫分束電子源排布結構301生成發散電子束309，由準直透鏡303使該發散電子束309變準直，以形成用于照射多孔排布結構305的束311。在多孔排布結構305的下游形成了寫電子分束的焦點323的陣列。
在其中形成有焦點323的面325中，設置有用于選擇性地導通和切斷所述多個寫束的束消隱排布結構340。該束消隱排布結構340包括另一多孔板(在圖23中未示出)，該多孔板被布置成使得各焦點323形成在其各孔中。每個孔都提供了束偏轉器的功能，可以通過位于孔的相對側的兩個電極形成該束偏轉器。向這些電極提供由計算機控制的電壓。當沒有向孔的電極施加電壓時，穿過其間的分束將沿直線穿過，即，該分束不會偏轉。當向這些電極提供合適的電壓時，在孔內會產生電場以使相應的分束偏轉合適的角度。
根據一實施例，束消隱排布結構340為在以下文獻中闡述的類型-"A Multi-Blanker For Parallel Electron Beam Lithography" by G.I. Winograd, Ph.D. Thesis, Stanford University, 2001 ，通過引用將該文獻并入于此。
在其中形成有焦點323的面325的下游設置有具有多個孔的又一多孔板(在圖23中未示出)，這些孔被定位成使得各寫電子分束在未被偏轉排布結構偏轉時穿過所述孔，并使得當該束被偏轉了時該束基本上不會穿過所述孔。
由此，在該又一孔板的下游，根據是否對各偏轉器提供了電壓，選擇性地導通和切斷寫電子分束。在圖23所示的情況下，只有一個寫束穿過了束消隱單元，即，只導通了一個束。
在束消隱單元的下游設置有接連的束偏轉器451、 452，它們用于使寫分束在橫穿束偏轉器451、 452之前相對于它們的束路徑位移距離d。
物側排布結構100包括稱為"梳狀透鏡"(如在US 2003/0066961 Al 中所公開的)的類型的物鏡102。
物鏡102包括沿橫交一次電子束路徑的方向延伸的兩排113場源部件。可以激發場源部件115，使得在這兩排場源部件之間的空間中在希望的位置處提供希望的電場構成。由此，可以在其中發生位移的寫分束3 入射在物鏡排布結構100上的區域中，設置被配置成將所述多個一次電子分束聚焦到物體上的精確束操縱場。通過將梳狀透鏡用作物鏡102，可以取代聚焦透鏡功能以及束偏轉器451、 452提供的掃描偏轉，并將在基板表面上形成精細聚焦的寫電子束斑。
通過導通和切斷各寫電子分束，并在基板表面上掃描寫電子束斑5，可以根據存儲在控制計算機中的預定曝光圖案對設置在物體上的抗蝕劑進行曝光。
由此，可以看到，本發明的公開內容具體包括以下項(1)到(106): (1) 一種粒子光學排布結構，其包括-至少一個帶電粒子源，用于生成至少一束帶電粒子；至少一塊多孔板，布置在所述至少一束帶電粒子的束路徑中，其中所述至少一塊多孔板具有按預定的第一陣列圖案形成在其中的多個孔，其中在多孔板的下游從所述至少一束帶電粒子形成了多個帶電粒子分束，并且其中所述多個帶電粒子分束在粒子光學設備的像面中形成了多
個束斑，所述多個束斑按第二陣列圖案排列；以及
至少一個粒子光學元件，用于操縱所述至少一束帶電粒子和/或所述
多個帶電粒子分束；
其中，第一陣列圖案在第一方向上具有至少一個第一圖案規則度，
而第二陣列圖案在與第一方向電子光學地相對應的第二方向上具有至少一個第二圖案規則度，并且其中第二規則度比第一規則度要高。
(2) 根據項(1)所述的粒子光學排布結構，其中，相對于第二陣列圖案的第二圖案規則度減小第一陣列圖案的第一圖案規則度，以補償所述至少一個粒子光學元件的畸變。
(3) 根據項(2)所述的粒子光學排布結構，其中，所述至少一個粒子光學元件包括物鏡，該物鏡用于將分束聚焦到可定位在像面中的物體上。
(4) 根據項(1)到(3)之一所述的粒子光學排布結構，其中，多孔板的在第一方向上彼此相鄰的孔之間的距離根據距第一陣列圖案的中心的距離而連續地減小。
(5) 根據項(1)到(4)之一所述的粒子光學排布結構，其中，第二陣列圖案只在單個第一方向上具有比第一圖案規則度要高的第二圖案
，6)根據項(5)所述的粒子光學排布結構，其中，第二圖案在所述單個第一方向上是大致恒定間距圖案。
(7) 根據項(1)到(6)之一所述的粒子光學排布結構，其中，第二陣列圖案在相互橫交地取向的兩個第一方向上具有比第一圖案規則度要高的第二圖案規則度。
(8) —種粒子光學排布結構，具體地與根據項(1)到(7)之一的粒子光學排布結構相組合的粒子光學排布結構，該排布結構包括
至少一個帶電粒子源，用于生成至少一束帶電粒子；至少一塊多孔板，布置在所述至少一束帶電粒子的束路徑中，其中所述至少一塊多孔板具有按預定的第一陣列圖案形成在其中的多個孔，其中在多孔板的下游從所述至少一束帶電粒子形成了多個帶電粒子分束，并且其中所述多個帶電粒子分束在粒子光學排布結構的像面中形成了多個束斑；以及
至少一個粒子光學元件，用于操縱所述至少一束帶電粒子和/或所述
多個帶電粒子分束；
其中，多孔板中的孔的直徑隨著距第一圖案的中心的距離增大而變化。
(9) 根據項(8)所述的粒子光學排布結構，其中，孔板中的孔的直徑隨著距第一圖案的中心的距離增大而增大或減小，以補償所述至少一個粒子光學元件的場曲。
(10) 根據項(8)或(9)所述的粒子光學排布結構，其中，孔板中的孔的直徑隨著距第一圖案的中心的距離增大而增大，以補償所述至少一束帶電粒子在截面上的不均勻電流。
(11) 根據項(8)或(10)所述的粒子光學排布結構，其中，孔板中的孔的直徑隨著距第一圖案的中心的距離增大而增大。
(12) —種粒子光學排布結構，具體地與根據(1)到(11)之一的粒子光學排布結構相組合的粒子光學排布結構，該排布結構包括-
至少一個帶電粒子源，用于生成至少一束帶電粒子；
至少一塊多孔板，布置在所述至少一束帶電粒子的束路徑中，其中所述至少一塊多孔板具有按預定的第一陣列圖案形成在其中的多個孔，其中在多孔板的下游從所述至少一束帶電粒子形成了多個帶電粒子分束，并且其中所述多個帶電粒子分束在粒子光學排布結構的像面中形成了多個束斑；以及
至少一個粒子光學元件，用于操縱所述至少一束帶電粒子和/或所述多個帶電粒子分束；
其中，所述多個孔中的至少一組的形狀是橢圓形狀。
(13) 根據項(12)所述的粒子光學排布結構，其中，所述多個孔中的所述至少一組的形狀是橢圓形狀，以補償至少一個聚焦透鏡的像散。
(14) 根據項(11)或(13)所述的粒子光學排布結構，其中，孔的橢圓形狀的橢圓度根據所述孔距第一圖案的中心的距離而增大。
(15) 根據項(12)到(14)之一所述的粒子光學排布結構，其中，
孔的橢圓形狀的長軸相對于第一圖案的中心沿徑向取向。
(16) 根據項(12)到(15)之一所述的粒子光學排布結構，其中，孔的橢圓形狀的長軸按相對于針對第一圖案的中心的徑向方向成一角度來取向。
(17) 根據項(16)所述的粒子光學排布結構，其中，所述角度根據各孔距第一圖案的中心的距離而增大。
(18) 根據項(1)到(17)之一所述的粒子光學排布結構，還包括用于向所述至少一個多孔板提供至少一個電壓的至少一個電壓源。
(19) 一種粒子光學組件，其包括
至少一塊多孔板，其中形成有多個孔，每個孔都用于操縱穿過其間的帶電粒子分束的粒子；
其中，多孔板包括基本上布置在單個面中的多個導電層部分，其中在所述多個導電層部分中的每一個中都形成有多個孔，并且其中在相鄰導電層部分之間形成有電阻性間隙，具體地，非導電性間隙。
(20) 根據項(19)所述的粒子光學組件，其中，該組件被配置成使得相鄰導電層部分處于不同的電勢。
(21) 根據項(19)到(20)之一所述的粒子光學組件，還包括用于向所述多個導電層部分提供預定電壓的至少一個電壓源。
(22) 根據項(19)到(21)之一所述的粒子光學組件，還包括電耦合不同導電層部分的至少一個電阻器。
(23) 根據項(22)所述的粒子光學組件，其中，將位于距形成在所述至少一個多孔板中的所述多個孔的第一圖案的中心第一距離處的第一對相鄰導電層部分連接起來的第一電阻器的電阻，高于將位于距第一圖案的中心第二距離處的第二對相鄰導電層部分連接起來的第二電阻器的電阻，其中第二距離小于第一距離。
(24) 根據根據項(19)到(23)之一所述的粒子光學組件，其中，所述多個導電層部分包括基本上包圍第二導電層部分的第一導電層部分。
(25) 根據項(19)到(24)之一所述的粒子光學組件，其中，所述多個導電層部分包括相對于第一圖案的中心對稱布置的多個環形部分。
(26) 根據項(25)所述的粒子光學組件，其中，環形導電層部分的徑向寬度隨著距第一圖案的中心的距離增大而減小。
(27) —種粒子光學排布結構，具體地與根據(1)到(18)之一的粒子光學排布結構相組合的粒子光學排布結構，該排布結構包括
至少一個帶電粒子源，用于生成至少一束帶電粒子或多個帶電粒子分束；和
至少一個根據項(19)到(26)之一所述的粒子光學組件。
(28) 根據項(27)所述的粒子光學排布結構，其中，在多孔板的下游從所述至少一束帶電粒子形成了多個帶電粒子分束，并且其中所述多個帶電粒子分束在粒子光學排布結構的物面中形成了多個束斑；
所述排布結構還包括至少一個聚焦透鏡，布置在多孔板的上游的所述至少一束帶電粒子的束路徑中，和/或布置在多孔板的下游的所述多個帶電粒子分束的束路徑中；
其中，所述排布結構被配置成使得相鄰導電層部分處于不同的電勢，以補償所述至少一個聚焦透鏡的場曲。
(29) 根據項(27)到(28)之一所述的粒子光學排布結構，其中，孔對各分束實現的聚焦效果隨著距第一圖案的中心的距離增大而減小。
(30) —種粒子光學組件，具體地根據項(19)到(26)之一所述的粒子光學組件，該組件包括
第一多孔板，由絕緣基板制成，該絕緣基板具有貫穿其中而形成的多個孔，其中，形成在絕緣基板中的孔的至少內部覆蓋有導電層。
(31) 根據項(30)所述的粒子光學組件，其中，所述導電層還形成在第一多孔板的至少一個主平坦表面上。
(32) 根據項(30)或(31)所述的粒子光學組件，其中，在第一多孔板的主平坦表面上設置有至少一塊第二多孔板，其中，形成在第一多孔板中的孔與形成在第二多孔板中的孔形成貫穿第一多孔板和第二多
孔板的結構的公共通孔。
(33) 根據項(32)所述的粒子光學組件，其中，所述導電層的電導率比第二多孔板的電導率要低。
(34) 根據項(30)到(33)之一所述的粒子光學組件，其中，在第一多孔板的兩個主平坦表面之間的電阻在以下范圍內約250 n到8 MQ、約250 Q到4 MQ、約4 MQ到8 MQ、約250 Q到800 Q、約800 Q 到1.5MD、約1.5MQ到3MQ、約3M^至lj5MQ，以及/或約5 MQ到
(35) —種粒子光學組件，具體地根據項(19)到(34)之一所述的粒子光學組件，該組件包括
第一多孔板，具有第一主平坦表面和第二主平坦表面以及貫穿其中而形成的多個孔，
其中，多孔板由具有這樣的電導率的材料制成，即，其使得在第一多孔板的兩個主平坦表面之間的電阻在以下范圍內約250 Q到8 MQ、約250 Q到4MQ、約4MQ至(J8MQ、約250 Q到800 Q、約800 Q到 1.5 MQ、約1.5 MQ到3 MQ、約3 MQ到5 MQ，以及/或約5固至U 8 MQ。
(36) —種粒子光學排布結構，具體地與項(1)到(29)之一所述的粒子光學排布結構相組合的粒子光學排布結構，該光學排布結構包括-
至少一個帶電粒子源，用于生成至少一束帶電粒子或多個帶電粒子分束；和
至少一個根據項(30)到(35)之一所述的粒子光學組件。
(37) —種粒子光學組件，具體地與項(19)到(35)之一所述的粒子光學組件相組合的粒子光學組件，該組件包括
至少一塊多孔板，其中形成有多個束操縱孔，每個束操縱孔都用于操縱穿過其間的帶電粒子分束，其中，所述多個束操縱孔按預定的第一陣列圖案排列；并且
其中，至少一個束操縱孔具有與其相關聯的形成在多孔板中的多個場修正孔。 '
(38) 根據項(37)所述的粒子光學組件，其中，與相應束操縱孔
相關聯的每個場修正孔的尺寸比該相應束操縱孔的尺寸要小。
(39) 根據項(37)或(38)所述的粒子光學組件，其中，場修正孔被形成為貫穿多孔板延伸的通孔。
(40) 根據項(37)或(38)所述的粒子光學組件，其中，場修正孔被形成為在多孔板中形成有底部的盲孔。
(41) 根據項(37)到(40)之一所述的粒子光學組件，其中，具有與其相關聯的所述多個場修正孔的所述至少一個束操縱孔中的特定一個，具有在其周圍沿周向隔幵的多個最靠近鄰近束操縱孔，其中，當沿周向觀察時，至少一個場修正孔位于在周向上彼此相鄰的兩個相鄰的最靠近鄰近束操縱孔之間。
(42) —種粒子光學排布結構，具體地與根據項(1)到(36)之一所述的粒子光學排布結構相組合的粒子光學排布結構，該排布結構包括-
至少一個帶電粒子源，用于生成至少一束帶電粒子；和至少一個根據項(35)到(37)之一所述的粒子光學組件。
(43) 根據項(42)所述的粒子光學排布結構，還包括多孔阻擋部，該多孔阻擋部用于從帶電粒子束形成多個帶電粒子分束，而使場修正孔不暴露于帶電粒子，其中，該多孔阻擋部位于粒子光學組件的上游。
(44) 根據項(42)所述的粒子光學排布結構，還包括用于攔截已穿過場修正孔的帶電粒子的多孔阻擋部，其中，該多孔阻擋部位于粒子光學組件的下游。
(45) —種粒子光學組件，具體地與根據項(19)到(41)之一所述的粒子光學組件，該組件包括-
至少一塊多孔板，其中形成有多個束操縱孔，每個束操縱孔都用于操縱穿過其間的帶電粒子分束的粒子，其中，所述多個束操縱孔按預定的第一陣列圖案排列；并且
其中，至少一個束操縱孔具有在其周圍沿周向隔開的N個最靠近鄰近束操縱孔，并且其中，所述至少一個束操縱孔的形狀的對稱性包括N 重對稱性。 '
(46) —種粒子光學組件，具體地與根據項(19)到(41)之一所
述的粒子光學組件，該組件包括
至少一塊多孔板，其中形成有多個束操縱孔，每個束操縱孔都用于操縱穿過其間的帶電粒子分束的粒子，其中，所述多個束操縱孔按預定的第一陣列圖案排列；并且
其中，至少一個束操縱孔具有這樣的形狀，g卩，該形狀具有與所述至少一個束操縱孔周圍的第一陣列圖案的對稱性相對應的至少一個對稱性組成部分。
(47) 根據項(45)或(46)所述的粒子光學組件，其中，第一陣列圖案是大致矩形陣列圖案，并且其中，所述對稱性性包括四重對稱性。
(48) 根據項(45)或(46)所述的粒子光學組件，其中，第一陣列圖案是大致六邊形陣列圖案，并且其中，所述對稱性包括六重對稱性。
(49) 一種粒子光學排布結構，具體地與根據項(1)到(40)之一所述的粒子光學排布結構相組合的粒子光學排布結構，該排布結構包括-
至少一個帶電粒子源，用于生成至少一束帶電粒子或多個帶電粒子分束；和
根據項(45)到(48)之一所述的至少一個粒子光學組件。
(50) —種粒子光學排布結構，具體地與根據項(1)到(40)之一所述的粒子光學排布結構相組合的粒子光學排布結構，該排布結構包括:
至少一個帶電粒子源，用于生成至少一束帶電粒子或多個帶電粒子分束；和
至少一塊多孔板，分別布置在所述至少一束帶電粒子和所述多個帶電粒子分束的束路徑中，其中所述至少一塊多孔板具有按預定的第一陣列圖案在其中形成的多個孔，并且其中在粒子光學排布結構的位于多孔板的下游的物面中形成了多個束斑，所述多個束斑按第二陣列圖案排列；
其中，束斑的數量比形成在多孔板中的孔的數量要少。
(51) 根據項(50)所述的粒子光學排布結構，其中，對形成束斑沒有貢獻的孔被形成為多孔板中的盲孔。
(52) 根據項(50)或(51)所述的粒子光學排布結構，其中，形成束斑的分束穿過第一陣列圖案的中央區域的孔，并且
其中，第一陣列圖案的周緣區域的孔對形成束斑沒有貢獻。
(53) 根據項(50)到(52)之一所述的粒子光學排布結構，還包括多孔阻擋部，該多孔阻擋部用于從帶電粒子束形成所述多個帶電粒子分束，而使周緣區域的孔不暴露于帶電粒子，其中，該多孔阻擋部位于粒子光學組件的上游。
(54) 根據項(50)到(53)之一所述的粒子光學排布結構，還包括多孔阻擋部，該多孔阻擋部用于攔截已穿過周緣區域的孔的帶電粒子，其中，該多孔阻擋部位于粒子光學組件的下游。
(55) —種粒子光學排布結構，具體地與根據項(O到(54)之一所述的粒子光學排布結構相組合的粒子光學排布結構，該排布結構包括:
至少一個帶電粒子源，用于生成至少一束帶電粒子；至少一塊多孔板，其中形成有多個孔，其中所述多個孔按第一圖案
排列，其中在孔板的下游從帶電粒子束形成了多個帶電粒子分束，第一電壓源，用于向所述多個孔提供預定的第一電壓；第一單孔板，布置在多孔板的上游或下游的一距離處，該第一單孔
板具有用于允許帶電粒子束或所述多個帶電粒子分束從中穿過的一單
孔；以及
第二電壓源，用于向第一單孔板提供預定的第二電壓，
其中，在多孔板與第一單孔板之間的距離小于第一單孔板的單孔的
直徑的5倍，優選地小于該直徑的4、 3倍，選地小于該直徑的2倍，或
者更優選地小于第一單孔板的單孔的直徑。
(56) —種粒子光學排布結構，具體地與根據項(1)到(55)之一
所述的粒子光學排布結構相組合的粒子光學排布結構，該排布結構包括: 至少一個帶電粒子源，用于生成帶電粒子束；
至少一塊多孔板，在該板中形成有多個孔，其中所述多個孔按第一圖案排列，其中在孔板的下游從帶電粒子束形成了多個帶電粒子分束；
第一電壓源，用于向所述多個孔提供預定的第一電壓； '第一單孔板，布置在多孔板的上游或下游的一距離處，該第一單孔板具有用于允許帶電粒子束或所述多個帶電粒子分束從中穿過的一單孔；以及
第二電壓源，用于向第一單孔板提供預定的第二電壓，其中，多孔板與第一單孔板之間的距離小于75mm，優選地小于50 mm，更優選地小于25mm，更優選地小于10mm，更優選地小于5 mm。
(57) —種粒子光學排布結構，具體地與根據項(1)到(56)之一所述的粒子光學排布結構相組合的粒子光學排布結構，該排布結構包括
至少一個帶電粒子源，用于生成至少一束帶電粒子；至少一塊多孔板，在該板中形成有多個孔，其中所述多個孔按第一圖案排列，其中在孔板的下游從帶電粒子束形成了多個帶電粒子分束；
第一電壓源，用于向所述多個孔提供預定的第一電壓；第一單孔板，布置在多孔板的上游或下游的一距離處，該第一單孔
板具有用于允許帶電粒子束或所述多個帶電粒子分束從中穿過的一單
孔；以及
第二電壓源，用于向第一單孔板提供預定的第二電壓，其中，多孔板與第一單孔板之間的距離被選擇為，使得它小于多孔板的孔的平均焦距的一半，特別地，小于其四分之一。
(58) —種粒子光學排布結構，具體地與根據項(1)到(57)之一所述的粒子光學排布結構相組合的粒子光學排布結構，該排布結構包括
至少一個帶電粒子源，用于生成帶電粒子束；
至少一塊多孔板，在該板中形成有多個孔，其中所述多個孔按第一圖案排列，其中在孔板的下游從帶電粒子束形成了多個帶電粒子分束；第一電壓源，用于向所述多個孔提供預定的第一電壓；第一單孔板，布置在多孔板的上游或下游的一距離處，該第一單孔板具有用于允許帶電粒子束或所述多個帶電粒子分束從中穿過的一單孔；以及
第二電壓源，用于向第一單孔板提供預定的第二電壓，'
其中，多孔板與第一單孔板之間的距離被選擇為，使得多孔板的中
'央處的表面上的平均電場高于100 V/mm，高于200 V/mm，高于300
V/mm，高于500 V/mm，或高于1 kV/mm。
(59) 根據項(48)到(58)之一所述的粒子光學排布結構，還包
括
第二單孔板，布置在多孔板與第一單孔板之間并與其大致相平行，
和
第三電壓源，用于向第二單孔板提供預定的第三電壓，其中，第三電壓低于或等于第一電壓的平均值，或者其中第三電壓在第二電壓與第一電壓的平均值之間。
(60) —種粒子光學排布結構，具體地與根據項(1)到(59)之一所述的粒子光學排布結構相組合的粒子光學排布結構，該排布結構包括:
至少一個帶電粒子源，用于生成帶電粒子束；
至少一塊多孔板，在該板中形成有多個孔，其中所述多個孔按第一圖案排列，其中在孔板的下游從帶電粒子束形成了多個帶電粒子分束，第一電壓源，用于向所述多個孔提供預定的第一電壓；第一單孔板，布置在多孔板的上游或下游的一距離處，該第一單孔
板具有用于允許帶電粒子束或所述多個帶電粒子分束從中穿過的一單
孔；以及
第二電壓源，用于向第一單孔板提供預定的第二電壓，第二單孔板，布置在多孔板與第一單孔板之間，以及第三電壓源，用于向第二單孔板提供與所述預定的第二電壓不同的預定的第三電壓，
其中，多孔板、第一單孔板以及第二單孔板的排布結構，以及對第 —電壓、第二電壓以及第三電壓的設置，被配置成在多孔板的表面處生成電場，其中，改變提供給第一單孔板的電壓使得將第三電壓提供給第一單孔板，將導致大于1%、大于5%或大于10%的電場場強變化。
(61) 根據項(55)到(60)之一所述的粒子光學排布結構，還包
括
第三單孔板，布置在距多孔板的一距離處并與其大致相平行，其中，多孔板位于第一單孔板與第三單孔板之間，第三單孔板具有用于允許帶電粒子束或所述多個帶電粒子分束從中穿過的一單孔；以及
第四電壓源，用于向第三單孔板提供預定的第四電壓，
其中，多孔板與第三單孔板之間的距離小于第三單孔板的單孔的直
徑的5倍，優選地小于該直徑的4、 3倍，優選地小于該直徑的2倍，更
優選地小于第三單孔板的單孔的直徑。
(62) —種粒子光學排布結構，具體地與根據項(1)到(61)之一
所述的粒子光學排布結構相組合的粒子光學排布結構，該排布結構包括: 至少一個帶電粒子源，用于生成帶電粒子束；
至少一塊多孔板，在該板中形成有多個孔，其中所述多個孔按第一圖案排列，其中在孔板的下游從帶電粒子束形成了多個帶電粒子分束；
第一聚焦透鏡，在帶電粒子源與多孔板之間的第一區域中提供聚焦場；以及
減速電極，在第一聚焦透鏡與多孔板之間的第二區域中提供減速場，使得穿過第一聚焦透鏡的帶電粒子的動能比穿過多孔板的帶電粒子的動
(63) —種粒子光學排布結構，具體地與根據項(1)到(62)之一所述的粒子光學排布結構相組合的粒子光學排布結構，該排布結構包括-
至少一個帶電粒子源，用于生成至少一束帶電粒子；至少一塊多孔板，在該板中形成有多個孔，其中，所述多個孔按第
一圖案排列，并且其中，在孔板的下游從帶電粒子束形成了多個帶電粒
子分束；
其中，帶電粒子束在緊鄰多孔板的上游處的動能高于5keV，具體地高于10keV，具體地高于20keV，具體地高于30keV。
(64) —種粒子光學排布結構，具體地與根據項(1)到(63)之一所述的粒子光學排布結構相組合的粒子光學排布結構，該排布結構包括:
至少一個帶電粒子源，用于生成帶電粒子束；
至少一塊多孔板，在該板中形成有多個孔，其中，在孔板的下游從帶電粒子束形成了多個帶電粒子分束；
第一聚焦透鏡，在多孔板的上游和/或下游的第一區域中提供聚焦場；以及
能量改變電極，在多孔板的上游和/或下游的第二區域中提供用于改變所述束的帶電粒子的動能的電場，并且其中，提供有聚焦場的第一區域與提供有能量改變場的第二區域是交疊區域。
(65) 根據項(64)所述的粒子光學排布結構，其中，所述交疊區域基本上位于多孔板的上游。
(66) 根據項(64)所述的粒子光學排布結構，其中，所述交疊區域基本上位于多孔板的下游。
(67) 根據項(64)到(66)之一所述的粒子光學排布結構，其中，所述能量改變場是用于減小所述束的帶電粒子的動能的減速電場。
(68) 根據項(64)到(66)之一所述的粒子光學排布結構，其中，所述能量改變場是用于增大所述束的帶電粒子的動能的加速電場。
(69) 根據項(64)到(68)之一所述的粒子光學排布結構，其中，所述能量改變場與所述聚焦場之間的交疊大于1%，具體地大于5°/。，或大于10%。
(70) —種粒子光學排布結構，具體地與根據項(1)到(69)之一所述的粒子光學排布結構相組合的粒子光學排布結構，該排布結構包括:
至少一個帶電粒子源，用于生成至少一束帶電粒子；至少一塊多孔板，在該板中形成有多個孔，其中，所述多個孔按第
一圖案排列，其中，在孔板的下游從帶電粒子束形成了多個帶電粒子分
束；以及
第一聚焦透鏡，在帶電粒子源與多孔板之間的區域中提供聚焦場；其中，帶電粒子束在緊鄰多孔板的上游的區域中是發散束或匯聚束。
(71) —種粒子光學排布結構，具體地與根據項(1)到(70)之一
所述的粒子光學排布結構相組合的粒子光學排布結構，該排布結構包括: 至少一個帶電粒子源，用于生成至少一束帶電粒子；至少一塊多孔板，在該板中形成有多個孔，其中，所述多個孔按第
一圖案排列，其中，在多孔板的下游從帶電粒子束形成了多個帶電粒子
分束，每個帶電粒子分束都具有位于多孔板的下游的多孔板的聚焦區中的焦點；以及
第一聚焦透鏡，在帶電粒子源與多孔板之間的區域中提供具有聚焦場部分的磁場；
其中，所述至少一個帶電粒子源布置在第一聚焦透鏡提供的磁場內。
(72) 根據項(71)所述的粒子光學排布結構，其中，布置有所述至少一個帶電粒子源的磁場是大致均勻磁場。
(73) —種粒子光學排布結構，具體地與根據項(1)到(72)之一所述的粒子光學排布結構相組合的粒子光學排布結構，該排布結構包括:
至少一個帶電粒子源，用于生成帶電粒子束；
至少一塊多孔板，在該板中形成有多個孔，其中，所述多個孔按第一圖案排列，其中，在多孔板的下游從帶電粒子束形成了多個帶電粒子分束，每個帶電粒子分束都具有位于多孔板的聚焦區中的焦點；以及
第二聚焦透鏡，在聚焦區中提供聚焦場。
(74) —種粒子光學排布結構，具體地與根據項(1)到(73)之一所述的粒子光學排布結構相組合的粒子光學排布結構，該排布結構包括:
至少一個帶電粒子源，用于生成帶電粒子束；
至少一塊多孔板，在該板中形成有多個孔，其中，在多孔板的下游從帶電粒子束形成了多個帶電粒子分束，每個帶電粒子分束都具有位于位于多孔板的下游的多孔板的聚焦區中的焦點；以及
物鏡，用于將多孔板的聚焦區基本上成像到可定位在所述排布結構的物面中的物體上。
(75) 根據項(1)到(74)之一所述的粒子光學排布結構，其中，在一絕緣間隔物的相對側設置有兩塊多孔板，其中，這兩塊多孔板中的多個孔與該絕緣間隔物中的多個孔一起形成多個通孔。
(76) 根據項(1)到(74)之一所述的粒子光學排布結構，其中，在兩個絕緣間隔物之間夾有中央多孔板，并且其中，兩塊外多孔板各自設置在一個相應的絕緣間隔物上，其中，中央多孔板和外多孔板中的多個孔與絕緣間隔物中的多個孔一起形成多個通孔。
(77) 根據項(1)到(76)之一所述的粒子光學排布結構，其中，多孔板的孔是根據大致矩形圖案來定位的。
(78) 根據項(1)到(76)之一所述的粒子光學排布結構，其中，多孔板的孔是根據大致六邊形圖案來定位的。
(79) —種電子光學排布結構，具體地與根據項(1)到(78)之一
所述的粒子電子光學排布結構相組合的電子光學排布結構，該電子顯微術排布結構提供一次束路徑和二次束路徑，該一次束路徑用于從一次電
子源指向可定位在該排布結構的物面中的物體的一次電子束，該二次束路徑用于源自物體的二次電子，該電子顯微術排布結構包括磁體排布結構，該磁體排布結構具有
第一磁場區，由一次電子束路徑和二次電子束路徑穿過，用于將一次電子束路徑和二次電子束路徑相互分開，
第二磁場區，布置在第一磁場區的上游的一次電子束路徑中，其中，二次電子束路徑不穿過第二磁場區，并且其中，第一磁場區和第二磁場區沿基本上相反的方向使一次電子束偏轉，
第三磁場區，布置在第一磁場區的下游的二次電子束路徑中，其中，一次電子束路徑不穿過第三磁場區，并且其中，第一磁場區和第三磁場區沿基本上相同的方向使二次電子束路徑偏轉。
(80) 根據項(79)所述的電子顯微術排布結構，其中，除第一磁場區和第二磁場區以外，在一次電子束路徑中沒有設置使一次電子束偏轉大于5° ，具體地大于10°的其他磁場區。
(81) 根據項(79)或(80)所述的電子顯微術排布結構，其中，第二磁場區對一次電子束路徑的偏轉角比第一磁場區對一次電子束路徑的偏轉角要大。
(82) 根據項(79)到(81)之一所述的電子顯微術排布結構，其中，第一磁場區對二次電子束路徑的偏轉角比第二磁場區對一次電子束路徑的偏轉角要小。
(83) 根據項(79)到(82)之一所述的電子顯微術排布結構，其中，在第二磁場區與第一磁場區之間的一次電子束路徑中設置有基本上沒有磁場的第一漂移區。
(84) 根據項(79)到(83)之一所述的電子顯微術排布結構，其
中，在第一磁場區與第三磁場區之間的二次電子束路徑中設置有基本上沒有磁場的第二漂移區。
(85) 根據項(79)到(84)之一所述的電子顯微術排布結構，還包括設置在第一磁場區與物面之間的物鏡，其中，一次電子束路徑和二次電子束路徑穿過該物鏡。
(86) 根據項(79)到(85)之一所述的電子顯微術排布結構，還包括設置在第一磁場區與物面之間的至少一個電極，其中，一次電子束路徑穿過所述至少一個電極，以使一次電子在撞在物體上之前減速，其中，二次電子束路徑穿過所述至少一個電極，以使二次電子在從物體發出之后加速。
(87) 根據項(86)所述的電子顯微術排布結構，還包括驅動器，該驅動器用于向所述至少一個電極提供可調節電壓。
(88) 根據項(87)所述的電子顯微術排布結構，還包括控制器，該控制器用于根據提供給所述至少一個電極的電壓，相對于第一磁場區中的磁場強度，改變第三磁場區中的磁場強度。
(89) 根據項(88)所述的電子顯微術排布結構，其中，所述磁體排布結構還包括位于第三磁場區的下游的二次電子束路徑中的第四磁場區，其中，第四磁場區中的磁場強度是可以相對于第三磁場區中的磁場強度進行調節的。
(90) 根據項(89)所述的電子顯微術排布結構，還包括控制器，該控制器用于根據提供給所述至少一個電極的電壓，相對于第三磁場區中的場強改變第四磁場區中的場強。
(91) 根據項(89)或(90)所述的電子顯微術排布結構，其中，第三磁場區和第四磁場區基本上彼此直接相鄰地布置在二次電子束路徑中。
(92) 根據項(87)到(91)之一所述的電子顯微術排布結構，還包括至少一個四極透鏡，所述至少一個四極透鏡布置在第三磁場區的下游的二次電子束路徑中，具體地第四磁場區的下游的二次電子束路徑中。
(93) 根據項(92)所述的電子顯微術排布結構，還包括控制器，
該控制器用于根據提供給所述至少一個電極的電壓，改變四極透鏡的場強。
(94) 根據項(89)到(93)之一所述的電子顯微術排布結構，還包括布置在第四磁場區與四極透鏡之間的二次電子束路徑中的第五磁場區。
(95) 根據項(94)所述的電子顯微術排布結構，還包括控制器，該控制器用于根據提供給所述至少一個電極的電壓，相對于第三磁場區中的場強改變第五磁場區中的場強。
(96) 根據項(94)或(95)所述的電子顯微術排布結構，其中，第四磁場區和第五磁場區基本上彼此直接相鄰地布置在二次電子束路徑中。
(97) 根據項(79)到(96)之一所述的電子顯微術排布結構，其中，二次電子在包括第一磁場區、第三磁場區、第四磁場區以及第五磁場區的區域中形成了物面的中間像。
(98) 根據項(79)到(97)之一所述的電子顯微術排布結構，還包括布置在第三磁場區的下游的二次束路徑中的檢測器。
(99) 根據項(79)到(98)之一所述的電子顯微術排布結構，還包括布置在檢測器的上游的二次束路徑中的中繼透鏡排布結構。
(100) 根據項(79)到(99)之一所述的電子顯微術排布結構，其中，在第一磁場區，和/或第二磁場區，和/或第三磁場區，和/或第四磁場區，和/或第五磁場區中的至少一個中設置了基本上均勻的磁場。
(101) 根據項(1)到(100)之一所述的電子光學排布結構，還包括梳狀透鏡排布結構，具有包括多個場源部件的行；和控制器，用于對場源部件進行賦能，以使梳狀透鏡提供的電子光學性質可沿該行發生位移。
(102) —種電子顯微術系統，用于對可定位在排布結構的物面上的物體進行檢驗，該電子顯微術系統包括
根據項(1)到(101)之一所述的粒子光學排布結構，用于生成聚焦在物體上的多個一次電子分束；和
檢測器，用于對源自該物體的二次電子進行檢測。
(103) 根據項(102)所述的電子顯微術系統，其中，從源自物體
的二次電子形成了多個二次電子分束。
(104) 根據項(103)所述的電子顯微術系統，其中，檢測器檢測到的二次電子分束的數量比聚焦在物體上的一次電子分束的數量要少。
(105) —種電子刻繪系統，用于對電子敏感基板進行曝光，該電子刻繪系統包括
根據項(1)到(101)之一所述的粒子光學排布結構，用于生成聚焦在該基板上的多個寫電子分束。
(106) 根據項(105)所述的電子刻繪系統，還包括用于檢測源自物體的二次電子的檢測器。
因此，盡管這里按被認為是最實用且最優選的實施例中示出并描述了本發明，但是應當認識到在本發明的范圍內可以偏離這些實施例，因此本發明并不局限于這里所公開的細節，而是與權利要求的全部范圍相一致，以將任何和所有等同方法和裝置包括在內。
權利要求
1、一種粒子光學排布結構，其包括至少一個帶電粒子源，用于生成至少一束帶電粒子；和至少一塊多孔板，布置在所述至少一束帶電粒子的束路徑中，其中所述至少一塊多孔板具有按預定的第一陣列圖案形成在其中的多個孔，其中在所述至少一塊多孔板的下游從所述至少一束帶電粒子形成了多個帶電粒子分束，并且其中所述多個帶電粒子分束在粒子光學排布結構的像面中形成了多個束斑，所述多個束斑按第二陣列圖案排列；其中，第一陣列圖案在第一方向上具有至少一個第一圖案規則度，而第二陣列圖案在與第一方向電子光學地相對應的第二方向上具有至少一個第二圖案規則度，并且其中第二規則度比第一規則度要高。
2、根據權利要求l所述的粒子光學排布結構，還包括至少一個粒子光學元件，所述至少一個粒子光學元件用于操縱所述至少一束帶電粒子和所述多個帶電粒子分束中的至少一個；其中，相對于第二陣列圖案的第二圖案規則度減小第一陣列圖案的第一圖案規則度，以補償所述至少一個粒子光學元件的畸變。
3、根據權利要求2所述的粒子光學排布結構，其中，所述至少一個粒子光學元件包括物鏡，該物鏡用于將分束聚焦到可定位在像面中的物體上。
4、根據權利要求l所述的粒子光學排布結構，其中，多孔板的在第一方向上彼此相鄰的孔之間的距離根據距第一陣列圖案的中心的距離而連續地減小。
5、根據權利要求l所述的粒子光學排布結構，其中，第二陣列圖案只在單個第一方向上具有比第一圖案規則度要高的第二圖案規則度。
6、根據權利要求5所述的粒子光學排布結構，其中，第二圖案在所述單個第一方向上是大致恒定間距圖案。 '
7、根據權利要求1所述的粒子光學排布結構，其中，第二陣列圖案在相互橫交地取向的兩個第一方向上具有比第一圖案規則度要高的第二圖案規則度。
8、一種多分束帶電粒子裝置，其包括至少一個帶電粒子源，用于生成至少一個帶電粒子束；多孔板，包括基本上位于與所述至少一個帶電粒子束相垂直的面中的多孔圖案，該多孔板將所述至少一個帶電粒子束分成分束陣列；其中，多孔圖案被排列得減小由于帶電粒子裝置的光學畸變而導致的分束陣列的劣化。
9、一種多電子分束檢驗系統，其包括-臺，用于安裝待檢驗物體；至少一個電子源，用于生成至少一個電子束；多孔板，包括基本上位于與所述至少一個電子束相垂直的面中的多孔圖案，該多孔板將所述至少一個電子束分成電子分束陣列；物鏡，用于將電子分束陣列聚焦在待檢驗物體上；以及檢測器排布結構，用于檢測來自物體的由電子分束陣列生成的二次電子，以產生與基本上由電子分束陣列中的單個電子分束生成的二次電子相對應的信號的陣列；其中，多孔圖案被排列得減小由于多電子分束檢驗系統的光學畸變而導致的電子分束陣列的劣化。
10、一種用于對基板進行多電子分束檢驗的方法，該方法包括以下' 一生成至少一個電子束；使用至少一個第一電子光學組件，利用所述至少一個電子束照射至少一塊多孔板；利用多孔板將所述至少一個電子束分成分束陣列，該多孔板包括基本上位于與所述至少一個電子束相垂直的面中的多孔圖案；以及使用至少一個第二帶電粒子光學組件，利用分束陣列在基板上形成電子束斑陣列；其中，多孔圖案被排列得減小由于第一帶電粒子光學組件和第二帶電粒子光學組件中的至少一個的光學畸變而導致的束斑陣列的劣化。
11、一種帶電粒子多分束刻繪系統，用于在涂敷有抗蝕劑的物體上寫圖案，該系統包括-臺，用于安裝物體；至少一個帶電粒子源，用于生成至少一個帶電粒子束；多孔板，包括基本上位于與所述至少一個帶電粒子束相垂直的面中的多孔圖案，該多孔板將所述至少一個帶電粒子束分成帶電粒子分束陣列；以及物鏡，用于將帶電粒子分束陣列聚焦在物體上；并且其中，多孔圖案被排列得減小由于多電子分束檢驗系統的光學畸變而導致的電子分束陣列的劣化。
12、一種用于在涂敷有抗蝕劑的物體上寫圖案的方法，該方法包括以下步驟生成至少一個電子束；使甩至少一個第一電子光學組件，利用所述至少一個電子束照射至少一塊多孔板；利用多孔板將所述至少一個電子束分成分束陣列，該多孔板包括基本上位于與所述至少一個電子束相垂直的面中的多孔圖案；以及使用至少一個第二帶電粒子光學組件，利用分束陣列在涂敷有抗蝕劑的物體上形成電子束斑陣列；其中，多孔圖案被排列得減小由于第一帶電粒子光學組件和第二帶電粒子光學組件中的至少一個的光學畸變而導致的束斑陣列的劣化。
13、一種粒子光學排布結構，其包括至少一個帶電粒子源，用于生成至少一束帶電粒子；至少一塊多孔板，布置在所述至少一束帶電粒子的束路徑中，其中所述至少一塊多孔板具有按預定的第一陣列圖案形成在其中的多個孔，其中在所述至少一塊多孔板的下游從所述至少一束帶電粒子形成了多個帶電粒子分束，并且其中所述多個帶電粒子分束在粒子光學排布結構的像面中形成了多個束斑；并且其中，多孔板中的孔的直徑隨著距第一圖案的中心的距離增大而變化。
14、根據權利要求13所述的粒子光學排布結構，還包括至少一個粒子光學元件，所述至少一個粒子光學元件用于操縱所述至少一束帶電粒子和所述多個帶電粒子分束中的至少一個；其中，孔板中的孔的直徑隨著距第一圖案的中心的距離增大而增大或減小，以補償所述至少一個粒子光學元件的場曲。
15、根據權利要求13所述的粒子光學排布結構，其中，孔板中的孔的直徑隨著距第一圖案的中心的距離增大而增大，以補償所述至少一束帶電粒子在截面上的不均勻電流。
16、根據權利要求13所述的粒子光學排布結構，其中，孔板中的孔的直徑隨著距第一圖案的中心的距離增大而增大。
17、一種多電子分束檢驗系統，其包括臺，用于安裝待檢驗物體；至少一個電子源，用于生成至少一個電子束；多孔板，包括基本上位于與所述至少一個電子束相垂直的面中的多孔圖案，該多孔板將所述至少一個電子束分成電子分束陣列；物鏡，用于將電子分束陣列聚焦在待檢驗物體上；以及檢測器排布結構，用于檢測來自物體的由電子分束陣列生成的二次電子，以產生與基本上由電子分束陣列中的單個電子分束生成的二次電子相對應的信號的陣列；其中，多孔板中的孔的直徑隨著距多孔圖案的中心的距離增大而變化。
18、一種用于對基板進行多電子分束檢驗的方法，該方法包括以下步驟生成至少一個電子束；使用至少一個第一電子光學組件，利用所述至少一個電子束照射至少一塊多孔板；利用多孔板將所述至少一個電子束分成分束陣列，該多孔板包括基本上位于與所述至少一個電子束相垂直的面中的多孔圖案；以及使用至少一個第二帶電粒子光學組件，利用分束陣列在基板上形成電子束斑陣列；其中，多孔板中的孔的直徑隨著距多孔圖案的中心的距離增大而變化。
19、一種帶電粒子多分束刻繪系統，用于在涂敷有抗蝕劑的物體上寫圖案，該系統包括臺，用于安裝物體；至少一個帶電粒子源，用于生成至少一個帶電粒子束；多孔板，包括基本上位于與所述至少一個帶電粒子束相垂直的面中的多孔圖案，該多孔板將所述至少一個帶電粒子束分成帶電粒子分束陣列；以及物鏡，用于將帶電粒子分束陣列聚焦在物體上；并且其中，多孔板中的孔的直徑隨著距多孔圖案的中心的距離增大而變化。
20、一種用于在涂敷有抗蝕劑的物體上寫圖案的方法，該方法包括以下步驟生成至少一個電子束；使用至少一個第一電子光學組件，利用所述至少一個電子束照射至少一塊多孔板；利用多孔板將所述至少一個電子束分成分束陣列，該多孔板包括基本上位于與所述至少一個電子束相垂直的面中的多孔圖案；以及使用至少一個第二帶電粒子光學組件，利用分束陣列在涂敷有抗蝕劑的物體上形成電子束斑陣列；其中，多孔板中的孔的直徑隨著距多孔圖案的中心的距離增大而變化。
21、一種粒子光學排布結構，其包括至少一個帶電粒子源，用于生成至少一束帶電粒子；至少一塊多孔板，布置在所述至少一束帶電粒子的束路徑中，其中所述至少一塊多孔板具有按預定的第一陣列圖案形成在其中的多個孔，其中在多孔板的下游從所述至少一束帶電粒子形成了多個帶電粒子分束，并且其中所述多個帶電粒子分束在粒子光學排布結構的像面中形成了多個束斑；并且其中，所述多個孔中的至少一組的形狀是橢圓形狀。
22、根據權利要求21所述的粒子光學排布結構，還包括至少一個粒子光學元件，所述至少一個粒子光學元件用于操縱所述至少一束帶電粒子和所述多個帶電粒子分束中的至少一個；其中，所述多個孔中的所述至少一組的形狀是橢圓形狀，以補償至少一個聚焦透鏡的像散。
23、根據權利要求21所述的粒子光學排布結構，其中，孔的橢圓形狀的橢圓度根據所述孔距第一圖案的中心的距離而增大。
24、根據權利要求21所述的粒子光學排布結構，其中，孔的橢圓形狀的長軸相對于第一圖案的中心沿徑向取向。
25、根據權利要求21所述的粒子光學排布結構，其中，孔的橢圓形狀的長軸按相對于源自第一圖案的中心的徑向成大于10°角度來取向。
26、根據權利要求25所述的粒子光學排布結構，其中，所述角度根據各孔距第一圖案的中心的距離而增大。
27、一種多電子分束檢驗系統，其包括-臺，用于安裝待檢驗物體；至少一個電子源，用于生成至少一個電子束；多孔板，包括基本上位于與所述至少一個電子束相垂直的面中的多孔圖案，該多孔板將所述至少一個電子束分成電子分束陣列；物鏡，用于將電子分束陣列聚焦在待檢驗物體上；以及檢測器排布結構，用于檢測來自物體的由電子分束陣列生成的二次電子，以產生與基本上由電子分束陣列中的單個電子分束生成的二次電子對應的信號的陣列；其中，所述多個孔中的至少一組孔的形狀是橢圓形狀。
28、一種用于對基板進行多電子分束檢驗的方法，該方法包括以下步驟 '生成至少一個電子束；使用至少一個第一電子光學組件，利用所述至少一個電子束照射至少一塊多孔板；利用多孔板將所述至少一個電子束分成分束陣列，該多孔板包括基本上位于與所述至少一個電子束相垂直的面中的多孔圖案；以及使用至少一個第二帶電粒子光學組件，利用分束陣列在基板上形成電子束斑陣列；其中，所述多個孔中的至少一組孔的形狀是橢圓形狀。
29、一種帶電粒子多分束刻繪系統，用于在涂敷有抗蝕劑的物體上寫圖案，該系統包括-臺，用于安裝物體；至少一個帶電粒子源，用于生成至少一個帶電粒子束；多孔板，包括基本上位于與所述至少一個帶電粒子束相垂直的面中的多孔圖案，該多孔板將所述至少一個帶電粒子束分成帶電粒子分束陣列；以及物鏡，用于將帶電粒子分束陣列聚焦在物體上；并且其中，所述多個孔中的至少一組孔的形狀是橢圓形狀。
30、一種用于在涂敷有抗蝕劑的物體上寫圖案的方法，該方法包括以下步驟生成至少一個電子束；使用至少一個第一電子光學組件，利用所述至少一個電子束照射至少一塊多孔板；利用多孔板將所述至少一個電子束分成分束陣列，該多孔板包括基本上位于與所述至少一個電子束相垂直的面中的多孔圖案；以及使用至少一個第二帶電粒子光學組件，利用分束陣列在涂敷有抗蝕劑的物體上形成電子束斑陣列；其中，所述多個孔中的至少一組孔的形狀是橢圓形狀。
31、一種粒子光學組件，其包括'至少一塊多孔板，其中形成有多個孔，每個孔都用于操縱穿過其間的帶電粒子分束的粒子；其中，多孔板包括基本上布置在單個面中的多個導電層部分，其中在所述多個導電層部分中的每一個中都形成有多個孔，并且其中在相鄰導電層部分之間形成有電阻性間隙。
32、根據權利要求31所述的粒子光學組件，其中，該組件被配置成使得相鄰導電層部分處于不同的電勢。
33、根據權利要求31所述的粒子光學組件，還包括用于向所述多個導電層部分提供預定電壓的至少一個電壓源。
34、根據權利要求31所述的粒子光學組件，還包括電耦合不同導電層部分的至少一個電阻器。
35、根據權利要求34所述的粒子光學組件，其中，將位于距第--圖案的中心第一距離處的第一對相鄰導電層部分連接起來的第一電阻器的電阻，高于將位于距第一圖案的中心第二距離處的第二對相鄰導電層部分連接起來的第二電阻器的電阻，其中第二距離小于第一距離。
36、根據權利要求31所述的粒子光學組件，其中，所述多個導電層部分包括基本上包圍第二導電層部分的第一導電層部分。
37、根據權利要求31所述的粒子光學組件，其中，所述多個導電層部分包括相對于第一圖案的中心對稱布置的多個環形部分。
38、根據權利要求37所述的粒子光學組件，其中，環形導電層部分的徑向寬度隨著距第一圖案的中心的距離增大而減小。
39、一種粒子光學排布結構，該排布結構包括至少一個帶電粒子源，用于生成至少一束帶電粒子或多個帶電粒子分束；和至少一個根據權利要求31所述的粒子光學組件。
40、根據權利要求39所述的粒子光學排布結構，其中，在多孔板的下游從所述至少一束帶電粒子形成了多個帶電粒子分束，并且其中所述多個帶電粒子分束在粒子光學排布結構的物面中形成了多個束斑；所述排布結構還包括至少一個第一聚焦透鏡，布置在多孔板的上游的所述至少一束帶電粒子的束路徑中；和至少一個第二聚焦透鏡，布置在多孔板的下游的所述多個帶電粒子分束的束路徑中；其中，所述排布結構被配置成使得相鄰導電層部分處于不同的電勢，以補償第一聚焦透鏡和第二聚焦透鏡中的至少一個的場曲。
41、根據權利要求39所述的粒子光學排布結構，其中，孔對各分束實現的聚焦效果隨著距第一圖案的中心的距離增大而減小。
42、一種多電子分束檢驗系統，其包括-臺，用于安裝待檢驗物體；至少一個電子源，用于生成至少一個電子束；多孔板，包括基本上位于與所述至少一個電子束相垂直的面中的多孔圖案，該多孔板將所述至少一個電子束分成電子分束陣列；物鏡，用于將電子分束陣列聚焦在待檢驗物體上；以及檢測器排布結構，用于檢測來自物體的由電子分束陣列生成的二次電子，以產生與基本上由電子分束陣列中的單個電子分束生成的二次電子相對應的信號的陣列；其中多孔板包括基本上布置在單個面中的多個導電層部分，其中在所述多個導電層部分中的每一個中都形成有多個孔，并且其中在相鄰導電層部分之間形成有電阻性間隙。
43、一種用于對基板進行多電子分束檢驗的方法，該方法包括以下步驟生成至少一個電子束；使用至少一個第一電子光學組件，利用所述至少一個電子束照射至少一塊多孔板；利用多孔板將所述至少一個電子束分成分束陣列，該多孔板包括基本上位于與所述至少一個電子束相垂直的面中的多孔圖案；以及使用至少一個第二帶電粒子光學組件，利用分束陣列在基板上形成電子束斑陣列；其中多孔板包括基本上布置在單個面中的多個導電層部分，其中在所述多個導電層部分中的每一個中都形成有多個孔，并且其中在相鄰導電層部分之間形成有電阻性間隙。
44、一種用于在涂敷有抗蝕劑的物體上寫圖案的帶電粒子多分束刻繪系統，該系統包括-臺，用于安裝物體；至少一個帶電粒子源，用于生成至少一個帶電粒子束；多孔板，包括基本上位于與所述至少一個帶電粒子束相垂直的面中的多孔圖案，該多孔板將所述至少一個帶電粒子束分成帶電粒子分束陣列；以及物鏡，用于將帶電粒子分束陣列聚焦在物體上;并且其中多孔板包括基本上布置在單個面中的多個導電層部分，其中在所述多個導電層部分中的每一個中都形成有多個孔，并且其中在相鄰導電層部分之間形成有帶電阻間隙。
45、一種用于在涂敷有抗蝕劑的物體上寫圖案的方法，該方法包括以下步驟生成至少一個電子束；使用至少一個第一電子光學組件，利用所述至少一個電子束照射至少一塊多孔板；利用多孔板將所述至少一個電子束分成分束陣列，該多孔板包括基本上位于與所述至少一個電子束相垂直的面中的多孔圖案；以及使用至少一個第二帶電粒子光學組件，利用分束陣列在涂敷有抗蝕劑的物體上形成電子束斑陣列；其中多孔板包括基本上布置在單個面中的多個導電層部分，其中在所述多個導電層部分中的每一個中都形成有多個孔，并且其中在相鄰導電層部分之間形成有帶電阻間隙。
46、一種粒子光學組件，其包括第一多孔板，由絕緣基板制成，該絕緣基板具有貫穿其中而形成的多個孔，其中，形成在絕緣基板中的孔的至少內部覆蓋有導電層。
47、根據權利要求46所述的粒子光學組件，其中，所述導電層還形成在第一多孔板的至少一個主平坦表面上。
48、根據權利要求46所述的粒子光學組件，其中，在第一多孔板的主平坦表面上設置有至少一塊第二多孔板，其中，形成在第一多孔板中的孔與形成在第二多孔板中的孔形成貫穿第一多孔板和第二多孔板的結構的公共通孔。
49、根據權利要求48所述的粒子光學組件，其中，所述導電層的電導率比第二多孔板的電導率要低。
50、根據權利要求46所述的粒子光學組件，其中，在第一多孔板的兩個主平坦表面之間的電阻在至少一個以下范圍內250Q到8MQ、 250 Q到4 MQ、 4 MQ到8 MQ、 250 Q到800 Q、 800 Q到1.5 MQ、 1.5 MQ 至廿3MO、 3MO至lj5MQ，以及5MO至!j8MO。
51、一種多電子分束檢驗系統，其包括臺，用于安裝待檢驗物體；至少一個電子源，用于生成至少一個電子束；多孔板，包括基本上位于與所述至少一個電子束相垂直的面中的多孔圖案，該多孔板將所述至少一個電子束分成電子分束陣列；物鏡，用于將電子分束陣列聚焦在待檢驗物體上；以及檢測器排布結構，用于檢測來自物體的由電子分束陣列生成的二次電子，以產生與基本上由電子分束陣列中的單個電子分束生成的二次電子相對應的信號的陣列；其中，多孔板由絕緣基板制成，該絕緣基板具有貫穿其中而形成的多個孔，其中，形成在絕緣基板中的孔的至少內部覆蓋有導電層。
52、一種用于對基板進行多電子分束檢驗的方法，該方法包括以下步驟生成至少一個電子束；使用至少一個第一電子光學組件，利用所述至少一個電子束照射至少一塊多孔板；利用多孔板將所述至少一個電子束分成分束陣列，該多孔板包括基本上位于與所述至少一個電子束相垂直的面中的多孔圖案；以及使用至少一個第二帶電粒子光學組件，利用分束陣列在基板上形成電子束斑陣列；其中，多孔板由絕緣基板制成，該絕緣基板具有貫穿其中而形成的多個孔，其中，形成在絕緣基板中的孔的至少內部覆蓋有導電層。
53、一種帶電粒子多分束刻繪系統，用于在涂敷有抗蝕劑的物體上寫圖案，該系統包括臺，用于安裝物體；至少一個帶電粒子源，用于生成至少一個帶電粒子束；多孔板，包括基本上位于與所述至少一個帶電粒子束相垂直的面中的多孔圖案，該多孔板將所述至少一個帶電粒子束分成帶電粒子分束陣列；以及物鏡，用于將帶電粒子分束陣列聚焦在物體上；并且其中，多孔板由絕緣基板制成，該絕緣基板具有貫穿其中而形成的多個孔，其中，形成在絕緣基板中的孔的至少內部覆蓋有導電層。
54、一種用于在涂敷有抗蝕劑的物體上寫圖案的方法，該方法包括以下步驟生成至少一個電子束；使用至少一個第一電子光學組件，利用所述至少一個電子束照射至少一塊多孔板；利用多孔板將所述至少一個電子束分成分束陣列，該多孔板包括基本上位于與所述至少一個電子束相垂直的面中的多孔圖案；以及使用至少一個第二帶電粒子光學組件，利用分束陣列在涂敷有抗蝕劑的物體上形成電子束斑陣列；其中，多孔板由絕緣基板制成，該絕緣基板具有貫穿其中而形成的多個孔，其中，形成在絕緣基板中的孔的至少內部覆蓋有導電層。
55、一種粒子光學組件，其包括第一多孔板，具有第一主平坦表面和第二主平坦表面以及貫穿其中而形成的多個孔，其中，多孔板由具有這樣的電導率的材料制成，即，其使得在第一多孔板的兩個主平坦表面之間的電阻在至少一個以下范圍內250 Q到8 MQ、 250 Q至(j 4 MQ、 4 MQ至(J 8 MO、 250 Q至lj 800 Q、 800 Q至lj 1.5 MQ、 1.5MQ至lj3Mn、 3MQ到5MQ，以及5 MQ到8 MQ。
56、一種多電子分束檢驗系統，其包括臺，用于安裝待檢驗物體；至少一個電子源，用于生成至少一個電子束；多孔板，包括基本上位于與所述至少一個電子束相垂直的面中的多孔圖案，該多孔板將所述至少一個電子束分成電子分束陣列；物鏡，用于將電子分束陣列聚焦在待檢驗物體上；以及檢測器排布結構，用于檢測來自物體的由電子分束陣列生成的二次電子，以產生與基本上由電子分束陣列中的單個電子分束生成的二次電子相對應的信號的陣列；其中，多孔板由具有這樣的電導率的材料制成，即，其使得在第一多孔板的兩個主平坦表面之間的電阻在至少一個以下范圍內250 Q到8 MQ、 250 Q到4 MQ、 4 MQ到8 MQ、 250 Q到800 Q、 800 Q到1.5 MQ、 1.5MQ到3MQ、 3MQ到5MQ,以及5MQ到8MQ。
57、一種用于對基板進行多電子分束檢驗的方法，該方法包括以下步驟生成至少一個電子束；使用至少一個第一電子光學組件，利用所述至少一個電子束照射至少一塊多孔板；利用多孔板將所述至少一個電子束分成分束陣列，該多孔板包括基本上位于與所述至少一個電子束相垂直的面中的多孔圖案；以及使用至少一個第二帶電粒子光學組件，利用分束陣列在基板上形成電子束斑陣列；其中，多孔板由具有這樣的電導率的材料制成，即，其使得在第一多孔板的兩個主平坦表面之間的電阻在至少一個以下范圍內250Q到8 MQ、 250 Q至!j 4 MQ、 4 MQ至lj 8 MQ、 250 Q至lj 800 Q、 800 Q至lj 1.5 MQ、 1.5MQ至U3MQ、 3MQ到5MQ，以及5MQ到8MQ。
58、一種帶電粒子多分束刻繪系統，用于在涂敷有抗蝕劑的物體上寫圖案，該系統包括臺，用于安裝物體；至少一個帶電粒子源，用于生成至少一個帶電粒子束；多孔板，包括基本上位于與所述至少一個帶電粒子束相垂直的面中的多孔圖案，該多孔板將所述至少一個帶電粒子束分成帶電粒子分束陣列；以及物鏡，用于將帶電粒子分束陣列聚焦在物體上；并且其中，多孔板由具有這樣的電導率的材料制成，即，其使得在第一多孔板的兩個主平坦表面之間的電阻在至少一個以下范圍內250 Q到8 MO、 250 O至U 4 MO、 4 MO至U 8 MO、 250 O妾lj 800 O、 800 O至U 1.5 MO、 1.5MO至U3MO、 3MO至U5MO，以及5 MO妾(J 8 MO。
59、一種用于在涂敷有抗蝕劑的物體上寫圖案的方法，該方法包括以下步驟-生成至少一個電子束；使用至少一個第一電子光學組件，利用所述至少一個電子束照射至少一塊多孔板；利用多孔板將所述至少一個電子束分成分束陣列，該多孔板包括基本上位于與所述至少一個電子束相垂直的面中的多孔圖案；以及使用至少一個第二帶電粒子光學組件，利用分束陣列在涂敷有抗蝕劑的物體上形成電子束斑陣列；其中，多孔板由具有這樣的電導率的材料制成，即，其使得在第一多孔板的兩個主平坦表面之間的電阻在至少一個以下范圍內250 ^到8 Mf2、 250 Q至(J 4 MQ、 4 MQ至lj 8 MQ、 250 Q妾廿800 Q、 800 Q至廿1.5 MQ、 1.5MO至U3MO、 3MO至U5MO，以及5MO至lJ8MO。
60、一種粒子光學組件，其包括至少一塊多孔板，其中形成有多個束操縱孔，每個束操縱孔都用于操縱穿過其間的帶電粒子分束，其中，所述多個束操縱孔按預定的第一陣列圖案排列；并且其中，至少一個束操縱孔具有與其相關聯的形成在多孔板中的多個場修正孔。
61、根據權利要求60所述的粒子光學組件，其中，與相應的束操縱孔相關聯的每個場修正孔的尺寸比該相應的束操縱孔的尺寸要小。
62、根據權利要求60所述的粒子光學組件，其中，場修正孔被形成為貫穿多孔板延伸的通孔。
63、根據權利要求60所述的粒子光學組件，其中，場修正孔被形成為在多孔板中形成有底部的盲孔。
64、根據權利要求60所述的粒子光學組件，其中，具有與其相關聯的所述多個場修正孔的所述至少一個束操縱孔中的特定一個，具有在其周圍沿周向隔開的多個最靠近鄰近束操縱孔，其中，當沿周向觀察時，至少一個場修正孔位于在周向上彼此相鄰的兩個相鄰的最靠近鄰近束操縱孔之間。
65、一種粒子光學排布結構，其包括至少一個帶電粒子源，用于生成至少一束帶電粒子；禾口至少一個根據權利要求60所述的粒子光學組件。
66、根據權利要求65所述的粒子光學排布結構，還包括多孔阻擋部，該多孔阻擋部用于從帶電粒子束形成多個帶電粒子分束，而使場修正孔不暴露于帶電粒子，其中，該多孔阻擋部位于粒子光學組件的上游。
67、根據權利要求65所述的粒子光學排布結構，還包括用于攔截已穿過場修正孔的帶電粒子的多孔阻擋部，其中，該多孔阻擋部位于粒子光學組件的下游。
68、一種多電子分束檢驗系統，其包括臺，用于安裝待檢驗物體；至少一個電子源，用于生成至少一個電子束；多孔板，包括基本上位于與所述至少一個電子束相垂直的面中的多孔圖案，該多孔板將所述至少一個電子束分成電子分束陣列；物鏡，用于將電子分束陣列聚焦在待檢驗物體上；以及檢測器排布結構，用于檢測來自物體的由電子分束陣列生成的二次電子，以產生與基本上由電子分束陣列中的單個電子分束生成的二次電子相對應的信號的陣列；其中，多孔板包括與圖案的每個孔相關聯的至少一個場修正孔，其中，聚焦在物體上的電子分束不橫穿場修正孔。
69、一種用于對基板進行多電子分束檢驗的方法，該方法包括以下步驟生成至少一個電子束；使用至少一個第一電子光學組件，利用所述至少一個電子束照射至少一塊多孔板；利用多孔板將所述至少一個電子束分成分束陣列，該多孔板包括基本上位于與所述至少一個電子束相垂直的面中的多孔圖案；以及使用至少一個第二帶電粒子光學組件，利用分束陣列在基板上形成電子束斑陣列；其中，多孔板包括與圖案的每個孔相關聯的至少一個場修正孔，其中，形成電子束斑的分束不橫穿場修正孔。
70、一種帶電粒子多分束刻繪系統，用于在涂敷有抗蝕劑的物體上寫圖案，該系統包括臺，用于安裝物體；至少一個帶電粒子源，用于生成至少一個帶電粒子束；多孔板，包括基本上位于與所述至少一個帶電粒子束相垂直的面中的多孔圖案，該多孔板將所述至少一個帶電粒子束分成帶電粒子分束陣列；以及物鏡，用于將帶電粒子分束陣列聚焦在物體上；并且其中，多孔板包括與圖案的每個孔相關聯的至少一個場修正孔，其中，聚焦在物體上的帶電粒子分束不橫穿場修正孔。
71、一種用于在涂敷有抗蝕劑的物體上寫圖案的方法，該方法包括以下步驟生成至少一個電子束；使用至少一個第一電子光學組件，利用所述至少一個電子束照射至少一塊多孔板；利用多孔板將所述至少一個電子束分成分束陣列，該多孔板包括基本上位于與所述至少一個電子束相垂直的面中的多孔圖案；以及使用至少一個第二帶電粒子光學組件，利用分束陣列在涂敷有抗蝕劑的物體上形成電子束斑陣列；其中，多孔板包括與圖案的每個孔相關聯的至少一個場修正孔，其中，形成電子束斑的分束不橫穿場修正孔。
72、一種粒子光學組件，其包括至少一塊多孔板，其中形成有多個束操縱孔，每個束操縱孔都用于操縱穿過其間的帶電粒子分束的粒子，其中，所述多個束操縱孔按預定的第一陣列圖案排列；并且其中，至少一個束操縱孔具有在其周圍沿周向隔開的N個最靠近鄰近束操縱孔，并且其中，所述至少一個束操縱孔的形狀是具有N重對稱性的非圓形狀。
73、一種粒子光學組件，其包括至少一塊多孔板，其中形成有多個束操縱孔，每個束操縱孔都用于操縱穿過其間的帶電粒子分束的粒子，其中，所述多個束操縱孔按預定的第一陣列圖案排列；并且其中，至少一個束操縱孔具有非圓形狀，該非圓形狀具有與所述至少一個束操縱孔周圍的第一陣列圖案的對稱性相對應的至少一個對稱性組成部分。
74、根據權利要求73所述的粒子光學組件，其中，第一陣列圖案是大致矩形陣列圖案，并且其中，所述對稱性包括四重對稱性。
75、根據權利要求73所述的粒子光學組件，其中，第一陣列圖案是大致六邊形陣列圖案，并且其中，所述對稱性包括六重對稱性。
76、根據權利要求73所述的粒子光學組件，其中，所述非圓形狀是從以下形狀中的一個或更多個預選出的凹口形、正方形、桶形、枕形、帶有四個成形凸起的圓形、帶有六個成形凸起的圓形、帶有四個成形凹口的圓形、帶有六個成形凹口的圓形。
77、一種粒子光學排布結構，其包括至少一個帶電粒子源，用于生成至少一束帶電粒子或多個帶電粒子分束；和至少一個根據權利要求73所述的粒子光學組件。
78、一種多電子分束檢驗系統，其包括-臺，用于安裝待檢驗物體；至少一個電子源，用于生成至少一個電子束；多孔板，包括基本上位于與所述至少一個電子束相垂直的面中的多孔圖案，該多孔板將所述至少一個電子束分成電子分束陣列；物鏡，用于將電子分束陣列聚焦在待檢驗物體上；以及檢測器排布結構，用于檢測來自物體的由電子分束陣列生成的二次電子，以產生與基本上由電子分束陣列中的單個電子分束生成的二次電子相對應的信號的陣列；其中，至少一個束操縱孔具有非圓形狀，該非圓形狀具有與所述至少一個束操縱孔周圍的第一陣列圖案的對稱性相對應的至少一個對稱性組成部分。
79、一種用于對基板進行多電子分束檢驗的方法，該方法包括以下步驟生成至少一個電子束；使用至少一個第一電子光學組件，利用所述至少一個電子束照射至少一塊多孔板；利用多孔板將所述至少一個電子束分成分束陣列，該多孔板包括基本上位于與所述至少一個電子束相垂直的面中的多孔圖案；以及使用至少一個第二帶電粒子光學組件，利用分束陣列在基板上形成電子束斑陣列；其中，至少一個束操縱孔具有非圓形狀，該非圓形狀具有與所述至少一個束操縱孔周圍的第一陣列圖案的對稱性相對應的至少一個對稱性組成部分。
80、一種帶電粒子多分束刻繪系統，用于在涂敷有抗蝕劑的物體上寫圖案，該系統包括臺，用于安裝物體；至少一個帶電粒子源，用于生成至少一個帶電粒子束；多孔板，包括基本上位于與所述至少一個帶電粒子束相垂直的面中的多孔圖案，該多孔板將所述至少一個帶電粒子束分成帶電粒子分束陣列；以及物鏡，用于將帶電粒子分束陣列聚焦在物體上；并且其中，至少一個束操縱孔具有非圓形狀，該非圓形狀具有與所述至少一個束操縱孔周圍的第一陣列圖案的對稱性相對應的至少一個對稱性組成部分。
81、一種用于在涂敷有抗蝕劑的物體上寫圖案的方法，該方法包括以下步驟生成至少一個電子束；使用至少一個第一電子光學組件，利用所述至少一個電子束照射至少一塊多孔板；利用多孔板將所述至少一個電子束分成分束陣列，該多孔板包括基本上位于與所述至少一個電子束相垂直的面中的多孔圖案；以及使用至少一個第二帶電粒子光學組件，利用分束陣列在涂敷有抗蝕劑的物體上形成電子束斑陣列；其中，至少一個束操縱孔具有非圓形狀，該非圓形狀具有與所述至少一個束操縱孔周圍的第一陣列圖案的對稱性相對應的至少一個對稱性組成部分。
82、一種粒子光學排布結構，其包括至少一個帶電粒子源，用于生成至少一束帶電粒子或多個帶電粒子分束；和至少一塊多孔板，分別布置在所述至少一束帶電粒子和所述多個帶電粒子分束的束路徑中，其中所述至少一塊多孔板具有按預定的第一陣列圖案在其中形成的多個孔，并且其中在粒子光學排布結構的位于多孔板的下游的物面中形成了多個束斑，所述多個束斑按第二陣列圖案排列；其中，束斑的數量比形成在多孔板中的孔的數量要少。
83、根據權利要求82所述的粒子光學排布結構，其中，對形成束斑沒有貢獻的孔被形成為多孔板中的盲孔。
84、根據權利要求82所述的粒子光學排布結構，其中，形成束斑的分束穿過第一陣列圖案的中央區域的孔，并且其中，第一陣列圖案的周緣區域的孔對形成束斑沒有貢獻。
85、根據權利要求82所述的粒子光學排布結構，還包括多孔阻擋部，該多孔阻擋部用于從帶電粒子束形成所述多個帶電粒子分束，而使周緣區域的孔不暴露于帶電粒子，其中，該多孔阻擋部位于粒子光學組件的上游。
86、根據權利要求82所述的粒子光學排布結構，還包括多孔阻擋部，該多孔阻擋部用于攔截已穿過周緣區域的孔的帶電粒子，其中，該多孔阻擋部位于粒子光學組件的下游。
87、一種多電子分束檢驗系統，其包括臺，用于安裝待檢驗物體；至少一個電子源，用于生成至少一個電子束；多孔板，包括基本上位于與所述至少一個電子束相垂直的面中的多孔圖案，該多孔板將所述至少一個電子束分成電子分束陣列；物鏡，用于將電子分束陣列聚焦在待檢驗物體上；以及檢測器排布結構，用于檢測來自物體的由電子分束陣列生成的二次電子，以產生與基本上由電子分束陣列中的單個電子分束生成的二次電子相對應的信號的陣列；其中，聚焦在物體上的分束的數量和所生成的信號的數量中的至少一個，比形成在多孔板的圖案中的孔的數量要少。
88、一種用于對基板進行多電子分束檢驗的方法，該方法包括以下步驟生成至少一個電子束；使用至少一個第一電子光學組件，利用所述至少一個電子束照射至少一塊多孔板；利用多孔板將所述至少一個電子束分成分束陣列，該多孔板包括基本上位于與所述至少一個電子束相垂直的面中的多孔圖案；以及使用至少一個第二帶電粒子光學組件，利用分束陣列在基板上形成電子束斑陣列；其中，電子束斑的數量比形成在多孔板中的孔的數量要少。
89、一種帶電粒子多分束刻繪系統，用于在涂敷有抗蝕劑的物體上寫圖案，該系統包括臺，用于安裝物體；至少一個帶電粒子源，用于生成至少一個帶電粒子束；多孔板，包括基本上位于與所述至少一個帶電粒子束相垂直的面中的多孔圖案，該多孔板將所述至少一個帶電粒子束分成帶電粒子分束陣列；以及物鏡，用于將帶電粒子分束陣列聚焦在物體上；并且其中，聚焦在物體上的帶電粒子分束的數量比形成在多孔板中的孔的數量要少。
90、一種用于在涂敷有抗蝕劑的物體上寫圖案的方法，該方法包括以下步驟生成至少一個電子束；使用至少一個第一電子光學組件，利用所述至少一個電子束照射至少一塊多孔板；利用多孔板將所述至少一個電子束分成分束陣列，該多孔板包括基本上位于與所述至少一個電子束相垂直的面中的多孔圖案；以及使用至少一個第二帶電粒子光學組件，利用分束陣列在涂敷有抗蝕劑的物體上形成電子束斑陣列；其中，電子束斑的數量比形成在多孔板中的孔的數量要少。
91、一種粒子光學排布結構，其包括.-至少一個帶電粒子源，用于生成至少一束帶電粒子；至少一塊多孔板，其中形成有多個孔，其中所述多個孔按第一圖案排列，其中在孔板的下游從所述至少一束帶電粒子形成了多個帶電粒子分束，第一電壓源，用于向所述多個孔提供預定的第一電壓； ' 第一單孔板，布置在多孔板的上游或下游的一距離處，該第一單孔板具有用于允許帶電粒子束或所述多個帶電粒子分束從中穿過的一單孔；以及第二電壓源，用于向第一單孔板提供預定的第二電壓，其中，在多孔板與第一單孔板之間的距離小于第一單孔板的單孔的直徑的5倍。
92、一種粒子光學排布結構，其包括至少一個帶電粒子源，用于生成至少一束帶電粒子；至少一塊多孔板，在該板中形成有多個孔，其中所述多個孔按第一圖案排列，其中在孔板的下游從所述至少一束帶電粒子形成了多個帶電粒子分束；第一電壓源，用于向所述多個孔提供預定的第一電壓；第一單孔板，布置在多孔板的上游或下游的一距離處，該第一單孔板具有用于允許帶電粒子束或所述多個帶電粒子分束從中穿過的一單孔；以及第二電壓源，用于向第一單孔板提供預定的第二電壓，其中，多孔板與第一單孔板之間的距離小于75mm。
93、一種粒子光學排布結構，其包括至少一個帶電粒子源，用于生成至少一束帶電粒子；至少一塊多孔板，在該板中形成有多個孔，其中所述多個孔按第一圖案排列，其中在孔板的下游從所述至少一束帶電粒子形成了多個帶電粒子分束；第一電壓源，用于向所述多個孔提供預定的第一電壓；第一單孔板，布置在多孔板的上游或下游的一距離處，該第一單孔板具有用于允許帶電粒子束或所述多個帶電粒子分束從中穿過的一單孔；以及第二電壓源，用于向第一單孔板提供預定的第二電壓，其中，多孔板與第一單孔板之間的距離被選擇為，使得它小于多孔板的孔的平均焦距的一半。 '
94、一種粒子光學排布結構，其包括- 至少一個帶電粒子源，用于生成帶電粒子束；至少一塊多孔板，在該板中形成有多個孔，其中所述多個孔按第一圖案排列，其中在孔板的下游從帶電粒子束形成了多個帶電粒子分束；第一電壓源，用于向所述多個孔提供預定的第一電壓；第一單孔板，布置在多孔板的上游或下游的一距離處，該第一單孔板具有用于允許帶電粒子束或所述多個帶電粒子分束從中穿過的一單孔；以及第二電壓源，用于向第一單孔板提供預定的第二電壓，其中，多孔板與第一單孔板之間的距離被選擇為，使得多孔板的中央處的表面上的平均電場高于100V/mm。
95、根據權利要求91所述的粒子光學排布結構，還包括第二單孔板，布置在多孔板與第一單孔板之間并與其大致相平行，和第三電壓源，用于向第二單孔板提供預定的第三電壓，其中，第三電壓低于或等于第一電壓的平均值，或者其中第三電壓在第二電壓與第一電壓的平均值之間。
96、一種粒子光學排布結構，其包括至少一個帶電粒子源，用于生成帶電粒子束；至少一塊多孔板，在該板中形成有多個孔，其中所述多個孔按第一圖案排列，其中在孔板的下游從帶電粒子束形成了多個帶電粒子分束，第一電壓源，用于向所述多個孔提供預定的第一電壓；第一單孔板，布置在多孔板的上游或下游的一距離處，該第一單孔板具有用于允許帶電粒子束或所述多個帶電粒子分束從中穿過的一單孔；以及第二電壓源，用于向第一單孔板提供預定的第二電壓，第二單孔板，布置在多孔板與第一單孔板之間，以及第三電壓源，用于向第二單孔板提供與所述預定的第二電壓不同的預定的第三電壓，其中，多孔板、第一單孔板以及第二單孔板的排布結構，以及對第一電壓、第二電壓以及第三電壓的設置，被配置成在多孔板的表面處生成電場，其中，改變提供給第一單孔板的電壓使得將第三電壓提供給第一單孔板，將導致大于1%的電場場強變化。
97、根據權利要求91所述的粒子光學排布結構，還包括第三單孔板，布置在距多孔板的一距離處并與其大致相平行，其中，多孔板位于第一單孔板與第三單孔板之間，第三單孔板具有用于允許帶電粒子束或所述多個帶電粒子分束從中穿過的一單孔；以及第四電壓源，用于向第三單孔板提供預定的第四電壓，其中，多孔板與第三單孔板之間的距離小于第三單孔板的單孔的直徑的5倍，優選地小于該直徑的4倍，優選地小于該直徑的2倍，更優選地小于第三單孔板的單孔的直徑。
98、一種多電子分束檢驗系統，其包括-臺，用于安裝待檢驗物體；至少一個電子源，用于生成至少一個電子束；多孔板，包括基本上位于與所述至少一個電子束相垂直的面中的多孔圖案，該多孔板將所述至少一個電子束分成電子分束陣列；第一單孔板，布置在多孔板的上游或下游的一距離處，該第一單孔板具有用于允許帶電粒子束或所述多個帶電粒子分束從中穿過的一單孔，其中，多孔板與第一單孔板之間的距離小于第一單孔板的單孔的直徑的5倍；物鏡，用于將電子分束陣列聚焦在待檢驗物體上；以及檢測器排布結構，用于檢測來自物體的由電子分束陣列生成的二次電子，以產生與基本上由電子分束陣列中的單個電子分束生成的二次電子相對應的信號的陣列。
99、一種帶電粒子多分束刻繪系統，用于在涂敷有抗蝕劑的物體上寫圖案，該系統包括臺，用于安裝物體；至少一個帶電粒子源，用于生成至少一個帶龜粒子束；多孔板，包括基本上位于與所述至少一個帶電粒子束相垂直的面中的多孔圖案，該多孔板將所述至少一個帶電粒子束分成帶電粒子分束陣列；第一單孔板，布置在多孔板的上游或下游的一距離處，該第一單孔板具有用于允許帶電粒子束或所述多個帶電粒子分束從中穿過的一單孔，其中，多孔板與第一單孔板之間的距離小于第一單孔板的單孔的直徑的5倍；以及物鏡，用于將帶電粒子分束陣列聚焦在物體上。
100、一種粒子光學排布結構，其包括-至少一個帶電粒子源，用于生成至少一束帶電粒子；至少一塊多孔板，在該板中形成有多個孔，其中所述多個孔按第一圖案排列，其中在孔板的下游從帶電粒子束形成了多個帶電粒子分束；第一聚焦透鏡，在帶電粒子源與多孔板之間的第一區域中提供聚焦場；以及減速電極，在第一聚焦透鏡與多孔板之間的第二區域中提供減速場, 使得穿過第一聚焦透鏡的帶電粒子的動能比穿過多孔板的帶電粒子的動能要高。
101、一種多電子分束檢驗系統，其包括臺，用于安裝待檢驗物體；至少一個電子源，用于生成至少一個電子束；至少一塊多孔板，在該板中形成有多個孔，其中所述多個孔按第一圖案排列，其中在孔板的下游從帶電粒子束形成了多個帶電粒子分束；第一聚焦透鏡，在帶電粒子源與多孔板之間的第一區域中提供聚焦場；減速電極，在第一聚焦透鏡與多孔板之間的第二區域中提供減速場，使得穿過第一聚焦透鏡的帶電粒子的動能比穿過多孔板的帶電粒子的動能要高；物鏡，用于將電子分束陣列聚焦在待檢驗物體上；以及檢測器排布結構，用于檢測來自物體的由電子分束陣列生成的二次電子，以產生與基本上由電子分束陣列中的單個電子分束生成的二次電子相對應的信號的陣列。
102、一種帶電粒子多分束刻繪系統，用于在涂敷有抗蝕劑的物體上寫圖案，該系統包括-臺，用于安裝物體；至少一個電子源，用于生成至少一個電子束；至少一塊多孔板，在該板中形成有多個孔，其中所述多個孔按第一圖案排列，其中在孔板的下游從帶電粒子束形成了多個帶電粒子分束；第一聚焦透鏡，在帶電粒子源與多孔板之間的第一區域中提供聚焦場；減速電極，在第一聚焦透鏡與多孔板之間的第二區域中提供減速場，使得穿過第一聚焦透鏡的帶電粒子的動能比穿過多孔板的帶電粒子的動物鏡，用于將電子分束陣列聚焦在待檢驗物體上；以及物鏡，用于將帶電粒子分束陣列聚焦在物體上。
103、一種用于形成多個帶電粒子分束的方法，該方法包括以下步驟: 生成至少一束帶電粒子，所述粒子具有第一動能；在第一區域中，對所述至少一束帶電粒子設置第一聚焦透鏡；利用至少一塊多孔板由所述至少一束帶電粒子形成所述多個帶電粒子分束，所述至少一塊多孔板置于第一區域的下游，并且在該板中形成有多個孔；在第一區域的下游的第二區域中提供減速場，使得所述粒子在第二區域的下游具有第二動能，其中，該第二動能比第一動能要小。
104、一種用于對基板進行多電子分束檢驗的方法，該方法包括以下步驟生成至少一束電子，所述電子具有第一動能；在第一區域中，對所述至少一束電子設置第一聚焦透鏡；利用至少一塊多孔板由所述至少一束電子形成多個電子分束，所述至少一塊多孔板置于第一區域的下游，'并且在該板中形成有多個孔；在第一區域的下游的第二區域中提供減速場，使得所述電子在第二區域的下游具有第二動能，其中，該第二動能比第一動能要小；以及使用分束陣列在基板上形成電子束斑陣列。
105、一種用于在涂敷有抗蝕劑的物體上寫圖案的方法，該方法包括以下步驟生成至少一束電子，所述電子具有第一動能；在第一區域中，對所述至少一束電子設置第一聚焦透鏡；利用至少一塊多孔板由所述至少一束電子形成多個電子分束，所述至少一塊多孔板置于第一區域的下游，并且在該板中形成有多個孔；在第一區域的下游的第二區域中提供減速場，使得所述電子在第二區域的下游具有第二動能，其中，該第二動能比第一動能要小；以及利用電子分束陣列在涂敷有抗蝕劑的物體上形成電子束斑陣列。
106、一種粒子光學排布結構，其包括至少一個帶電粒子源，用于生成帶電粒子束；至少一塊多孔板，在該板中形成有多個孔，其中，所述多個孔按第一圖案排列，并且其中，在孔板的下游從帶電粒子束形成了多個帶電粒子分束；其中，帶電粒子束在緊鄰多孔板的上游處的動能高于10keV。
107、一種用于形成多個帶電粒子分束的方法，該方法包括以下步驟: 生成至少一束帶電粒子，所述粒子；利用至少一塊多孔板由所述至少一束帶電粒子形成所述多個帶電粒子分束，所述至少一塊多孔板置于第一區域的下游，并且在該板中形成有多個孔；其中，帶電粒子束在緊鄰多孔板的上游處的動能高于10keV。
108、一種多電子分束檢驗系統，其包括-臺，用于安裝待檢驗物體；至少一個帶電粒子源，用于生成帶電粒子束；至少一塊多孔板，在該板中形成有多個孔，其中，所述多個孔按第一圖案排列，并且其中，在孔板的下游從帶電粒子束形成了多個帶電粒子分束；以及檢測器排布結構，用于檢測來自物體的由電子分束陣列生成的二次電子，以產生與基本上由電子分束陣列中的單個電子分束生成的二次電子相對應的信號的陣列，其中，電子束在緊鄰多孔板的上游處的動能高于10keV。
109、一種帶電粒子多分束刻繪系統，用于在涂敷有抗蝕劑的物體上寫圖案，該系統包括-臺，用于安裝物體；至少一個電子源，用于生成至少一個電子束；至少一塊多孔板，在該板中形成有多個孔，其中，所述多個孔按第一圖案排列，其中，在孔板的下游從帶電粒子束形成了多個帶電粒子分束；以及物鏡，用于將帶電粒子分束陣列聚焦在物體上；其中，帶電粒子束在緊鄰多孔板的上游處的動能高于10keV。
110、一種用于對基板進行多電子分束檢驗的方法，該方法包括以下步驟生成至少一束電子，所述電子具有第一動能；利用至少一塊多孔板由所述至少一束電子形成多個電子分束，在所述板中形成有多個孔，其中，電子束在緊鄰多孔板的上游處的動能高于 10keV;以及利用分束陣列在基板上形成電子束斑陣列。
111、一種用于在涂敷有抗蝕劑的物體上寫圖案的方法，該方法包括以下步驟生成至少一束電子，所述電子具有第一動能；利用至少一塊多孔板由所述至少一束電子形成多個電子分束，在所述板中形成有多個孔，其中，電子束在緊鄰多孔板的上游處的動能高于 10keV;以及利用電子分束陣列在涂敷有抗蝕劑的物體上形成電子束斑陣列。
112、一種粒子光學^f布結構，其包括至少一個帶電粒子源，用于生成至少一束帶電粒子；至少一塊多孔板，在該板中形成有多個孔，其中，在孔板的下游從帶電粒子束形成了多個帶電粒子分束；第一聚焦透鏡，在沿所述至少一束的方向與多孔板相鄰的第一區域中提供聚焦場；以及能量改變電極，在沿所述至少一束的方向與多孔板相鄰的第二區域中提供用于改變所述束的帶電粒子的動能的電場，并且其中，提供有聚焦場的第一區域與提供有能量改變場的第二區域是交疊區域。
113、根據權利要求112所述的粒子光學排布結構，其中，所述交疊區域基本上位于多孔板的上游。
114、根據權利要求112所述的粒子光學排布結構，其中，所述交疊區域基本上位于多孔板的下游。
115、根據權利要求112所述的粒子光學排布結構，其中，所述能量改變場是用于減小所述束的帶電粒子的動能的減速電場。
116、根據權利要求112所述的粒子光學排布結構，其中，所述能量改變場是用于增大所述束的帶電粒子的動能的加速電場。
117、根據權利要求112所述的粒子光學排布結構，其中，所述能量改變場與所述聚焦場之間的交疊大于1%。
118、一種用于形成多個帶電粒子分束的方法，該方法包括以下步驟: 生成至少一束帶電粒子，所述粒子；利用至少一塊多孔板由所述至少一束帶電粒子形成所述多個帶電粒子分束，在所述板中形成有多個孔；提供聚焦場和與該聚焦場相交疊的動能改變場，其中，該能量改變場在所述至少一塊多孔板的上游改變所述至少一束帶電粒子的動能。
119、一種多電子分束檢驗系統，其包括臺，用于安裝待檢驗物體；至少一個帶電粒子源，用于生成電子束；至少一塊多孔板，在該板中形成有多個孔，其中，所述多個孔按第一圖案排列，其中，在孔板的下游從電子束形成了多個電子分束；第一聚焦透鏡，在沿所述至少一束的方向與多孔板相鄰的第一區域中提供聚焦場；能量改變電極，在沿所述至少一束的方向與多孔板相鄰的第二區域中提供用于改變所述束的電子的動能的電場，并且其中，提供有聚焦場的第一區域與提供有能量改變場的第二區域是交疊區域；以及檢測器排布結構，用于檢測來自物體的由電子分束陣列生成的二次電子，以產生與基本上由電子分束陣列中的單個電子分束生成的二次電子相對應的信號的陣列。
120、一種帶電粒子多分束刻繪系統，用于在涂敷有抗蝕劑的物體上寫圖案，該系統包括臺，用于安裝物體；至少一個帶電粒子源，用于生成至少一個帶電粒子束；至少一塊多孔板，在該板中形成有多個孔，其中，在孔板的下游從帶電粒子束形成了多個帶電粒子分束；第一聚焦透鏡，在沿所述至少一束的方向與多孔板相鄰的第一區域中提供聚焦場；以及能量改變電極，在沿所述至少一束的方向與多孔板相鄰的第二區域中提供用于改變所述束的帶電粒子的動能的電場，并且其中，提供有聚焦場的第一區域與提供有能量改變場的第二區域是交疊區域；以及物鏡，用于將帶電粒子分束陣列聚焦在物體上。
121、一種用于對基板進行多電子分束檢驗的方法，該方法包括以下步驟生成至少一束帶電粒子，所述粒子；利用至少一塊多孔板由所述至少一束帶電粒子形成多個帶電粒子分束，在所述板中形成有多個孔；提供聚焦場和與該聚焦場相交疊的動能改變場，其中，該能量改變場在所述至少一塊多孔板的上游改變所述至少一束帶電粒子的動能；以及利用分束陣列在基板上形成電子束斑陣列。
122、一種用于在涂敷有抗蝕劑的物體上寫圖案的方法，該方法包括以下步驟生成至少一束帶電粒子，所述粒子；利用至少一塊多孔板由所述至少一束帶電粒子形成多個帶電粒子分束，在所述板中形成有多個孔；提供聚焦場和與該聚焦場相交疊的動能改變場，其中，該能量改變場在所述至少一塊多孔板的上游改變所述至少一束帶電粒子的動能；以及利用電子分束陣列在涂敷有抗蝕劑的物體上形成電子束斑陣列。
123、一種粒子光學排布結構，其包括至少一個帶電粒子源，用于生成至少一束帶電粒子；至少一塊多孔板，在該板中形成有多個孔，其中，所述多個孔按第一圖案排列，其中，在孔板的下游從帶電粒子束形成了多個帶電粒子分束；以及第一聚焦透鏡，在帶電粒子源與多孔板之間的區域中提供聚焦場；其中，帶電粒子束在緊鄰多孔板的上游的區域中是發散束或匯聚束。
124、一種用于形成多個帶電粒子分束的方法，該方法包括以下步驟: 生成至少一束帶電粒子，所述粒子；利用至少一塊多孔板由所述至少一束帶電粒子形成所述多個帶電粒子分束，在所述板中形成有多個孔；其中，帶電粒子束在緊鄰多孔板的上游的區域中是發散束或匯聚束。
125、一種粒子光學排布結構，其包括至少一個帶電粒子源，用于生成至少一束帶電粒子；至少一塊多孔板，在該板中形成有多個孔，其中，所述多個孔按第一圖案排列，其中，在孔板的下游從帶電粒子束形成了多個帶電粒子分束；以及第一聚焦透鏡，在帶電粒子源與多孔板之間的區域中提供具有聚焦場部分的磁場；其中，所述至少一個帶電粒子源布置在第一聚焦透鏡提供的磁場內。
126、根據權利要求114的粒子光學排布結構，其中，布置有所述至少一個帶電粒子源的磁場是大致均勻磁場。
127、一種用于形成多個帶電粒子分束的方法，該方法包括以下步驟:利用至少一個帶電粒子源生成至少一束帶電粒子，所述粒子；利用至少一塊多孔板由所述至少一束帶電粒子形成所述多個帶電粒子分束，在該板中形成有多個孔；利用磁場對所述至少一束帶電粒子進行聚焦，而使所述至少--個帶電粒子源位于該磁場內。
128、一種粒子光學排布結構，其包括至少一個帶電粒子源，用于生成帶電粒子束；至少一塊多孔板，在該板中形成有多個孔，其中，所述多個孔按第一圖案排列，其中，在多孔板的下游從帶電粒子束形成了多個帶電粒子分束，每個帶電粒子分束都具有位于多孔板的下游的多孔板的聚焦區中的焦點；以及第二聚焦透鏡，在聚焦區中提供聚焦場。
129、一種粒子光學排布結構，其包括至少一個帶電粒子源，用于生成帶電粒子束；至少一塊多孔板，在該板中形成有多個孔，其中，在多孔板的下游從帶電粒子束形成了多個帶電粒子分束，每個帶電粒子分束都具有位于多孔板的聚焦區中的焦點；以及物鏡，用于將多孔板的聚焦區基本上成像到可定位在粒子光學排布結構的物面中的物體上。
130、一種多電子分束檢驗系統，其包括臺，用于安裝待檢驗物體；至少一個電子源，用于生成至少一個電子束；至少一塊多孔板，在該板中形成有多個孔，其中，在多孔板的下游從所述至少一個電子束形成了電子分束陣列，每個電子分束都具有位于多孔板的聚焦區中的焦點；以及 '物鏡，用于將多孔板的聚焦區基本上成像到物體上；以及檢測器排布結構，用于檢測來自物體的由電子分束陣列生成的二次電子，以產生與基本上由電子分束陣列中的單個電子分束生成的二次電子相對應的信號的陣列。
131、一種用于對基板進行多電子分束檢驗的方法，該方法包括以下步驟生成至少一個電子束；由所述至少一個電子束形成電子分束陣列；對各電子分束進行聚焦，以在聚焦區中形成電子分束焦點陣列；將電子分束焦點陣列成像在基板上。
132、一種帶電粒子多分束刻繪系統，用于在涂敷有抗蝕劑的物體上寫圖案，該系統包括臺，用于安裝物體；至少一個帶電粒子源，用于生成至少一個帶電粒子束；至少一塊多孔板，在該板中形成有多個孔，其中，在多孔板的下游從所述至少一個帶電粒子束形成了帶電粒子分束陣列，每個帶電粒子分束都具有位于多孔板的聚焦區中的焦點；以及物鏡，用于將聚焦區成像到物體上，以在其上形成帶電粒子束斑陣列。
133、根據權利要求132所述的帶電粒子多分束刻繪系統，還包括束消隱器，該束消隱器用于選擇性地消隱每個帶電粒子分束，其中，該束消隱器置于聚焦區中。
134、一種用于在涂敷有抗蝕劑的物體上寫圖案的方法，該方法包括以下步驟生成至少一個電子束；由所述至少一個電子束形成電子分束陣列；對各電子分束進行聚焦，以在聚焦區中形成電子分束焦點陣列；將電子分束焦點陣列成像在物體上。
135、一種電子光學排布結構，其提供一次束路徑和二次束路徑，該一次束路徑用于從一次電子源指向可定位在該排布結構的物面中的物體的一次電子束，該二次束路徑用于源自物體的二次電子，該電子顯微術排布結構包括磁體排布結構，該磁體排布結構具有第一磁場區，由一次電子束路徑和二次電子束路徑穿過，用于將一次電子束路徑和二次電子束路徑相互分開，第二磁場區，布置在第一磁場區的上游的一次電子束路徑中，其中，二次電子束路徑不穿過第二磁場區，并且其中，第一磁場區和第二磁場區沿基本上相反的方向使一次電子束偏轉，第三磁場區，布置在第一磁場區的下游的二次電子束路徑中，其中，一次電子束路徑不穿過第三磁場區，并且其中，第一磁場區和第三磁場區沿基本上相同的方向使二次電子束路徑偏轉。
136、根據權利要求135所述的電子顯微術排布結構，其中，除第一磁場區和第二磁場區以外，在一次電子束路徑中沒有設置使一次電子束偏轉大于5°其他磁場區。
137、根據權利要求136所述的電子顯微術排布結構，其中，第二磁場區對一次電子束路徑的偏轉角比第一磁場區對一次電子束路徑的偏轉角要大。
138、根據權利要求135所述的電子顯微術排布結構，其中，第一磁場區對二次電子束路徑的偏轉角比第二磁場區對一次電子束路徑的偏轉角要小。
139、根據權利要求135所述的電子顯微術排布結構，其中，在第二磁場區與第一磁場區之間的一次電子束路徑中設置有基本上沒有磁場的第一漂移區。
140、根據權利要求135所述的電子顯微術排布結構，其中，在第一磁場區與第三磁場區之間的二次電子束路徑中設置有基本上沒有磁場的第二漂移區。
141、根據權利要求135所述的電子顯微術排布結構，還包括設置在第一磁場區與物面之間的物鏡，其中，一次電子束路徑和二次電子束路徑穿過該物鏡。
142、根據權利要求135所述的電子顯微術排布結構，還包括設置在第一磁場區與物面之間的至少一個電極，其中，一次電子束路徑橫穿所述至少一個電極，以使一次電子在撞在物體上之前減速，其中，二次電子束路徑穿過所述至少一個電極，以使二次電子在從物體發出之后加速。
143、根據權利要求142所述的電子顯微術排布結構，還包括驅動器,該驅動器用于向所述至少一個電極提供可調節電壓。
144、根據權利要求143所述的電子顯微術排布結構，還包括控制器，該控制器用于根據提供給所述至少一個電極的電壓，相對于第一磁場區中的磁場強度，改變第三磁場區中的磁場強度。
145、根據權利要求144所述的電子顯微術排布結構，其中，所述磁體排布結構還包括位于第三磁場區的下游的二次電子束路徑中的第四磁場區，其中，第四磁場區中的磁場強度是可以相對于第三磁場區中的磁場強度進行調節的。
146、根據權利要求145所述的電子顯微術排布結構，還包括控制器，該控制器用于根據提供給所述至少一個電極的電壓，相對于第三磁場區中的場強改變第四磁場區中的場強。
147、根據權利要求145所述的電子顯微術排布結構，其中，第三磁場區和第四磁場區基本上彼此直接相鄰地布置在二次電子束路徑中。
148、根據權利要求143所述的電子顯微術排布結構，還包括布置在第三磁場區的下游的二次電子束路徑中的至少一個四極透鏡。
149、根據權利要求148所述的電子顯微術排布結構，還包括控制器，該控制器用于根據提供給所述至少一個電極的電壓，改變四極透鏡的場強。
150、根據權利要求145所述的電子顯微術排布結構，還包括布置在第四磁場區與四極透鏡之間的二次電子束路徑中的第五磁場區。
151、根據權利要求150所述的電子顯微術排布結構，還包括控制器，該控制器用于根據提供給所述至少一個電極的電壓，相對于第三磁場區中的場強改變第五磁場區中的場強。
152、根據權利要求150所述的電子顯微術排布結構，其中，第四磁場區和第五磁場區基本上彼此直接相鄰地布置在二次電子束路徑中。
153、根據權利要求150所述的電子顯微術排布結構，其中，二次電子在第一磁場區與第五磁場區之間的束路徑的區域中形成了物面的中間
154、根據權利要求135所述的電子顯微術排布結構，還包括布置在第三磁場區的下游的二次束路徑中的檢測器。
155、根據權利要求135所述的電子顯微術排布結構，還包括布置在檢測器的上游的二次束路徑中的中繼透鏡排布結構。
156、根據權利要求150所述的電子顯微術排布結構，其中，在第一磁場區、第二磁場區、第三磁場區、第四磁場區以及第五磁場區中的至少一個中設置了基本上均勻的磁場。
157、一種多電子分束檢驗系統，其包括臺，用于安裝待檢驗物體；電子源排布結構，用于生成一次電子分束陣列；物鏡，用于將各一次電子分束聚焦在物體上，其中，由所述一次電子分束生成了二次電子分束陣列，所述二次電子分束橫穿該物鏡；分束器，用于將二次電子分束的束路徑與一次電子分束的束路徑分開；檢測器排布結構，用于產生與二次電子分束陣列相對應的信號的陣列；其中，分束器包括磁體排布結構，該磁體排布結構具有-第一磁場區，由一次電子束路徑和二次電子束路徑穿過，用于將一次電子束路徑與二次電子束路徑相互分開；第二磁場區，布置在第一磁場區的上游的一次電子束路徑中，其中，二次電子束路徑不穿過第二磁場區，并且其中，第一磁場區和第二磁場區沿基本上相反的方向使一次電子束偏轉；第三磁場區，布置在第一磁場區的下游的二次電子束路徑中，其中，一次電子束路徑不穿過第三磁場區，并且其中，第一磁場區和第三磁場區沿基本上相同的方向使二次電子束路徑偏轉。
158、一種用于對基板進行多電子分束檢驗的方法，該方法包括以下步驟生成一次電子分束陣列；將各一次電子分束聚焦在基板上，以生成從基板發出的二次電子分束的陣列；檢測二次電子分束的強度；以及使用分束器將二次電子分束的束路徑與一次電子分束的束路徑分開，該分束器包括磁體排布結構，該磁體排布結構具有第一磁場區，由一次電子束路徑和二次電子束路徑穿過，用于將一次電子束路徑和二次電子束路徑相互分開；第二磁場區，布置在第一磁場區的上游的一次電子束路徑中，其中，二次電子束路徑不穿過第二磁場區，并且其中，第一磁場區和第二磁場區沿基本上相反的方向使一次電子束偏轉；第三磁場區，布置在第一磁場區的下游的二次電子束路徑中，其中，一次電子束路徑不穿過第三磁場區，并且其中，第一磁場區和第三磁場區沿基本上相同的方向使二次電子束路徑偏轉。
159、一種多電子分束檢驗系統，其包括臺，用于安裝待檢驗物體；電子源排布結構，用于生成一次電子分束陣列；物鏡，用于將一次電子分束聚焦在物體上，該物鏡包括梳狀透鏡排布結構，具有包括多個場源部件的行；和控制器，用于對場源部件進行賦能，使得梳狀透鏡提供的電子光學性質可沿所述行發生位移；以及檢測器排布結構，用于檢測來自物體的由電子分束陣列生成的二次電子，以產生與基本上由電子分束陣列中的單個電子分束生成的二次電子相對應的信號的陣列。
160、一種用于對基板進行多電子分束檢驗的方法，該方法包括以下步驟生成電子分束陣列；利用物鏡對各電子分束進行聚焦，以在物體上形成電子束斑陣列，該物鏡包括梳狀透鏡排布結構，具有包括多個場源部件的行；和控制器，用于對場源部件進行賦能，使得梳狀透鏡提供的電子光學性質可沿所述行發生位移；檢測與透過物鏡的一次電子束斑陣列相對應的二次電子強度。
161、一種帶電粒子多分束刻繪系統，用于在涂敷有抗蝕劑的物體上寫圖案，該系統包括-臺，用于安裝物體；帶電粒子源排布結構，用于生成帶電粒子分束陣列；物鏡，用于將帶電粒子分束聚焦在物體上，以在其上形成帶電粒子束斑陣列，該物鏡包括梳狀透鏡排布結構，具有包括多個場源部件的行；和控制器，用于對場源部件進行賦能，使得梳狀透鏡提供的粒子光學性質可沿所述行發生位移；以及物鏡，用于將帶電粒子分束聚焦在物體上，以在其上形成帶電粒子束斑陣列。
162、一種用于在涂敷有抗蝕劑的物體上寫圖案的方法，該方法包括以下步驟生成電子分束陣列；使用物鏡將電子分束陣列聚焦在物體上，該物鏡包括梳狀透鏡排布結構，具有包括多個場源部件的行；和控制器，用于對場源部件進行賦能，使得梳狀透鏡提供的粒子光學性質可沿所述行發生位移。
全文摘要
一種粒子光學排布結構，其包括用于生成帶電粒子束的帶電粒子源；布置在帶電粒子束的束路徑中的多孔板，其中，該多孔板具有按預定的第一陣列圖案形成在其中的多個孔，其中，在多孔板的下游從帶電粒子束形成了多個帶電粒子分束，并且其中，所述多個分束在該裝置的像面中形成了多個束斑，所述多個束斑按第二陣列圖案排列；以及用于操縱帶電粒子束和/或多個分束的粒子光學元件；其中，第一陣列圖案在第一方向上具有第一圖案規則度，而第二陣列圖案在與第一方向電子光學地對應的第二方向上具有第二圖案規則度，并且其中，第二規則度比第一規則度要大。
文檔編號H01J37/09GK101103417SQ200480025528
公開日2008年1月9日申請日期2004年9月7日優先權日2003年9月5日
發明者史蒂文·羅杰, 奧利弗·金茨勒, 安東尼奧·卡薩雷斯, 托馬斯·克門, 斯特凡·烏勒曼, 海科·米勒, 賴納·克尼佩梅爾, 馬克西米利安·海德爾申請人:卡爾蔡司Smt股份有限公司;以色列實用材料有限公司

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