專利名稱：等離子體顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示裝置，并具體涉及一種具有改進(jìn)結(jié)構(gòu)以便耗散等離子體顯示板(PDP)的熱量的等離子體顯示裝置。
背景技術(shù)：
等離子體顯示裝置是一種平板顯示裝置，其通過利用氣體放電效應(yīng)來顯示圖像。由于其強大的性能和特性，如高顯示容量，高亮度，高對比度，清晰的圖像和大視角，PDP可取代陰極射線管(CRT)，特別是用于大屏幕顯示。
等離子體顯示裝置通常封裝在機殼內(nèi)，其包括PDP和底板，并且底板的后表面上可包括用以驅(qū)動PDP的電路部分。
PDP包括密封在一起以形成放電空間的兩個基板。第一基板上形成多個電極對，第二基板上形成多個地址電極和多個隔離肋。
具有上述結(jié)構(gòu)的等離子體顯示裝置通過有選擇地使放電單元放電而顯示彩色圖像。為了顯示圖像，驅(qū)動裝置與多個地址電極連接，其將受控的信號連續(xù)施加給這些地址電極。
不過，PDP中的大量放電產(chǎn)生熱，不能有效地去除熱量會對PDP的驅(qū)動特性造成不利影響。
從而，傳統(tǒng)上，底板可由高導(dǎo)熱率材料，如鋁制成，以便將PDP產(chǎn)生的熱量耗散。不過，鋁底板不能接觸PDP，這是因為鋁與通常用于形成PDP的玻璃具有不同的熱膨脹系數(shù)，并且高熱條件下PDP玻璃可能會破裂。
因此，可以將熱輻射片設(shè)置在PDP與底板之間，以便將熱量從PDP通過底板傳遞到外部。
不過，由于熱量通過熱輻射片和底板傳輸，這種結(jié)構(gòu)可能不能最優(yōu)地傳送熱量。
此外，安裝于底板上的電路板上電子部件產(chǎn)生的熱，有可能會向回傳送到PDP。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種具有改進(jìn)結(jié)構(gòu)的等離子體顯示裝置，其可有效地耗散PDP產(chǎn)生的熱。
本發(fā)明還提供一種等離子體顯示裝置，其可有效地阻擋熱量從電路板傳遞到PDP。
本發(fā)明還提供一種牢固固定PDP的等離子體顯示裝置。
在下面的描述中將給出本發(fā)明的附加特征，其部分可由描述顯然看出，或者可通過本發(fā)明的實施而獲悉。
本發(fā)明披露了一種等離子體顯示裝置，包括在其上顯示圖像的PDP，具有開口并與PDP的表面接觸的框架元件，以及設(shè)置在開口中的熱輻射元件。
應(yīng)該理解，上面的概括描述和下面的詳細(xì)描述都是示例性和解釋性的，意在提供對要求保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步解釋。
用于提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且包含在本說明書中且構(gòu)成本說明書一部分的附圖，說明了本發(fā)明的實施例，與描述一起用于解釋本發(fā)明的原理。
圖1為根據(jù)本發(fā)明一個示例性實施例的等離子體顯示裝置的分解透視圖。
圖2是表示用于圖1的等離子體顯示裝置的PDP的部分透視圖。
圖3是表示圖1的等離子體顯示裝置的一部分的剖面圖。
圖4是表示根據(jù)本發(fā)明一個示例性實施例的熱輻射元件的部分?jǐn)嚅_透視圖。
圖5為根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施例，具有板形輔助框架的等離子體顯示裝置的分解透視圖。
圖6為根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施例，具有一體的板形輔助框架的等離子體顯示裝置的分解透視圖。
圖7為根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施例的等離子體顯示裝置的分解透視圖。
圖8所示的剖面圖表示圖7等離子體顯示裝置的一部分。
具體實施例方式
現(xiàn)在將參照附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明，附圖表示本發(fā)明的實施例。附圖中相同附圖標(biāo)記表示相同或相似元件。
圖1所示的分解透視圖表示根據(jù)本發(fā)明一個示例性實施例的等離子體顯示裝置。圖2的部分透視圖表示圖1的等離子體顯示裝置的PDP，圖3的剖面圖表示圖1的等離子體顯示裝置的一部分。
參照圖1，根據(jù)本發(fā)明一個示例性實施例的等離子體顯示裝置包括PDP 2，用于牢固固定PDP 2的框架元件4，以及用于耗散PDP 2產(chǎn)生的熱量的熱輻射元件5。PDP 2、框架元件4和熱輻射元件5容納在后蓋12中，并且前蓋11與后蓋12接合在一起。屏蔽紅外線和電磁波的過濾元件3處于PDP 2與前蓋11之間。
如圖2中所示，PDP 2包括密封在一起以形成放電空間S的前基板21和后基板22，該放電空間S可以填充諸如Ne或Xe的放電氣體。前基板21和后基板22的邊緣通過諸如flit glass的密封件來氣密性密封。
地址電極A按照預(yù)先確定的圖案形成于后基板22上，并且被介電層27所覆蓋。多個隔離肋28形成于介電層27上，以保持放電距離，并防止像素之間發(fā)生電和光學(xué)串?dāng)_。熒光層29形成于介電層27上，并且處于隔離肋28的一側(cè)上。
X電極23和Y電極24形成在前基板21的下表面上。它們以平行的對形成，并且與地址電極A垂直。X電極23和Y電極24可用于維持放電，并且X和Y電極23和24對與地址電極A之間的交叉點構(gòu)成放電單元。X電極23和Y電極24可分別包括透明部分23a和24a，和金屬部分23b和24b。
介電層25覆蓋X電極23和Y電極24，由氧化鎂(MgO)制成的保護(hù)層26覆蓋介電層25。
由黑色絕緣材料制成的黑色條紋可以形成于Y電極24和X電極23的對之間，以提高PDP 2的對比度。
圖1的PDP 2不限于上述和圖2中所示的示例結(jié)構(gòu)。
如圖1和圖3中所示，熱輻射元件5和框架元件4設(shè)置在PDP 2的后基板22的后面。
熱輻射元件5可以與后基板22接觸，框架元件4沿?zé)彷椛湓?的外邊緣設(shè)置。
根據(jù)本發(fā)明一個示例性實施例，框架元件4可具有與每個熱輻射元件5對應(yīng)的開口41。開口41的面積優(yōu)選大于熱輻射元件5的面積，這是因為熱輻射元件5通過開口41與PDP 2接觸。另一方面，開口41的面積可小于熱輻射元件5的面積。在此情形中，熱輻射元件5可以在開口41的邊緣處與框架元件4重疊。另外，圖1表示一個熱輻射元件5設(shè)置于一個開口41中。不過，可以將不止一個熱輻射元件5設(shè)置在一個開口41中。
框架元件4可以由合成材料或?qū)щ娝芰喜牧现瞥?，但是不?yīng)當(dāng)由諸如鋁的金屬構(gòu)成?？蚣茉?的傳熱系數(shù)可大于1.0W/mk。
如圖1和圖3中所示，框架元件4可通過粘接元件42粘接到PDP2的邊緣，該粘接元件42可以是雙面膠帶。框架元件4可通過處于框架元件外邊緣上的耦合部件43而與前蓋11耦合。
如圖3中所示，熱輻射元件5可以為由具有高導(dǎo)熱率的材料制成的片，并且其可以接觸后基板22。因此，PDP 2處產(chǎn)生的熱可以直接傳輸給熱輻射元件5。
熱輻射元件5可通過多種方法固定到PDP 2。如圖1中所示，根據(jù)本發(fā)明一個示例性實施例，輔助框架6將熱輻射元件5固定到PDP2。
輔助框架6可由金屬材料形成，其還可以類似于框架元件4，由塑料材料或合成材料形成。
輔助框架6可以比開口41和熱輻射元件5更寬。此外，輔助框架6的每一端可通過螺栓、鉚釘、焊接或其他類似裝置與框架元件4耦合。將輔助框架6附著到框架元件4上，防止了熱輻射元件5與PDP 2失去接觸。
輔助框架6可具有與圖1中所示的不同的形狀。例如，輔助框架6可以具有如圖5中所示的多個具有開口63的矩形板狀元件，或者如圖6中所示可以為具有開口63的單個板。在這些板型輔助框架6中，開口63可以暴露出所有或者一部分熱輻射元件5，并且開口63可改善該裝置的熱輻射特性。如圖6中所示，開口63還可以具有不同的尺寸和形狀。將輔助框架6形成為板形，可簡化電路基片的組裝，并改善電磁干擾(EMI)屏蔽效果。
如圖3中所示，支撐元件61可包含在輔助框架6面對熱輻射元件5的表面上。當(dāng)輔助框架6附著到框架元件4上時，支撐元件61將熱輻射元件5按壓到PDP 2上。
如圖1和圖3中所示，突出(boss)部件62形成在輔助框架6上，并且具有許多電子部件71的電路板7可以安裝到突出部件62上。
將電路板7安裝到突出部件62上，可防止熱量從電路板的電子部件71傳輸?shù)絇DP 2。
如上所述，可使用具有高導(dǎo)熱率的材料作為熱輻射元件5?；蛘撸鐖D4中所示，可使用蒸汽腔50作為熱輻射元件。
蒸汽腔50為具有薄片和金屬殼51的熱管，其內(nèi)部52為密封的真空。諸如水或甲醇的液體可以填充于殼51中。蒸汽腔50還可以進(jìn)一步增大PDP 2的熱輻射效果，這是因為可以將蒸汽腔50的熱傳導(dǎo)率系數(shù)可以設(shè)定為大于1,000W/mK。
可通過多種方法形成熱輻射元件5，包括含有傳熱填料的基質(zhì)樹脂?；|(zhì)樹脂可由環(huán)氧樹脂構(gòu)成，傳熱填料可由高導(dǎo)熱率粉末，如鋁、石墨、銅、銀、鎳或其他類似物質(zhì)構(gòu)成。
熱輻射元件5可以為具有高導(dǎo)熱率的金屬片，如鋁、銅、銀、鎳或其他類似物質(zhì)的片，通過將該片附著到樹脂的整個表面而形成。
此外，可通過密封由薄鋁箔形成的、并填充以諸如熱輻射油脂的液體熱輻射材料的導(dǎo)熱容器，來形成熱輻射元件5。導(dǎo)熱容器還可以填充以具有高導(dǎo)熱率的適當(dāng)凝聚的粉末。所述粉末可以為金屬粉末，如鋁粉末、石墨粉末、銅粉末、銀粉末、鎳粉末和其他類似物質(zhì)。
另外，可使用具有高導(dǎo)熱率的織碳纖維、碳纖維疊層和石墨基(graphite group)作為熱輻射元件5。
如上所述，本發(fā)明的實施例披露了一種對熱輻射元件5進(jìn)行支撐的輔助框架6，不過本發(fā)明不限于此。如圖7和圖8中所示，可使用粘接元件8將熱輻射元件5粘接到后基板22。粘接元件8可為具有高導(dǎo)熱率的雙面膠帶，或者為其他導(dǎo)熱粘合劑。
在此情形中，電路板7可以固定到形成于框架元件4上的突出部件44上。
如上所述，當(dāng)熱輻射元件5接觸后基板22，或者通過導(dǎo)熱粘合劑粘接到后基板時，可提高PDP 2的熱輻射特性，這是因為PDP產(chǎn)生的熱沒有穿過底板而被直接傳輸?shù)綗彷椛湓?，并且熱輻射元件5與電路板7之間形成的空間可防止熱從電路板7傳輸?shù)絇DP 2。
如上所述，本發(fā)明可以提供下述優(yōu)點。
首先，因為熱輻射元件與PDP接觸或者粘接到PDP，因此水平和垂直方向上的傳熱效率可以增大，這樣會增大其熱輻射特性。
第二，可防止熱量從電路板傳輸?shù)絇DP。
第三，因為熱輻射元件可以接觸空氣，因此可增加熱輻射。
第四，框架元件可以將PDP適當(dāng)?shù)毓潭ㄔ跉んw內(nèi)。
第五，熱輻射元件可以更牢固地壓在PDP的后基板上。
第六，在框架元件上形成開口可減小PDP的重量和材料成本。
第七，輔助框架可增大EMI屏蔽效果。
在不偏離本發(fā)明精神或范圍的條件下本領(lǐng)域技術(shù)人員顯然可以對本發(fā)明進(jìn)行多種變型和改變。因此，本發(fā)明意在覆蓋本發(fā)明的這些變型和改變，只要這些變型和改變處于所附權(quán)利要求和其等效的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示裝置，包括在其上顯示圖像的等離子體顯示板(PDP)；具有至少一個開口并耦合到PDP的框架元件；以及設(shè)置在所述開口中的至少一個熱輻射元件。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，還包括與框架元件耦合的至少一個輔助框架。
3.如權(quán)利要求2所述的等離子體顯示裝置，還包括形成在輔助框架的內(nèi)側(cè)上并耦合到熱輻射元件的支撐部件。
4.如權(quán)利要求2所述的等離子體顯示裝置，還包括形成在輔助框架外側(cè)上的突出部件，和安裝在突出部件上的電路板。
5.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，還包括置于PDP與熱輻射元件之間的導(dǎo)熱粘接元件。
6.如權(quán)利要求5所述的等離子體顯示裝置，還包括在框架元件外側(cè)上的突出部件；和安裝在突出部件上的電路板。
7.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中粘接元將框架元件耦合至PDP。
8.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中熱輻射元件包括容納液體并密封于真空中的導(dǎo)熱殼體。
9.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中熱輻射元件包括由鋁、銅、銀或鎳形成的片。
10.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中熱輻射元件包括由導(dǎo)熱材料形成的并容納熱輻射油脂的容器。
11.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中熱輻射元件包括由導(dǎo)熱材料形成的并容納導(dǎo)熱粉末的容器。
12.如權(quán)利要求11所述的等離子體顯示裝置，其中導(dǎo)熱粉末為鋁粉末、石墨粉末、銅粉末、銀粉末或鎳粉末。
13.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中熱輻射元件包括含有傳熱填料的基質(zhì)樹脂。
14.如權(quán)利要求13所述的等離子體顯示裝置，其中所述傳熱填料包括鋁、石墨、銅、銀或鎳。
15.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中所述熱輻射元件包括碳纖維。
16.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中所述熱輻射元件包括石墨基熱輻射材料。
17.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中熱輻射元件的一部分與框架元件重疊。
18.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，還包括與框架元件耦合并支撐熱輻射元件的至少一個板形輔助框架。
19.如權(quán)利要求18所述的等離子體顯示裝置，還包括形成在輔助框架上以暴露出一部分熱輻射元件的開口。
20.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置，其中兩個或多個熱輻射元件設(shè)置在一個開口中。
全文摘要
一種等離子體顯示裝置，其有效地將PDP處產(chǎn)生的熱輻射出，有效阻擋熱從電路板傳輸?shù)絇DP，并牢固固定PDP。該等離子體顯示裝置包括在其上顯示圖像的PDP，具有開口并與PDP的表面相接觸的框架元件，以及設(shè)置于開口中的熱輻射元件。
文檔編號H01J17/28GK1622746SQ20041009179
公開日2005年6月1日 申請日期2004年11月25日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月25日
發(fā)明者裵成元 申請人:三星Sdi株式會社