專利名稱：等離子體顯示裝置及其面板結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示裝置的結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種改善等離子體顯示單元放電特性的等離子體顯示裝置的結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
近年來，不斷開發(fā)出了各種新型平面顯示器(flat panel display，F(xiàn)PD)，例如液晶顯示器(liquid crystal display，LCD)、有機(jī)發(fā)光顯示器(organic lightemitting diode，OLED)及等離子體顯示器(plasma display panel，PDP)，且有漸漸取代傳統(tǒng)陰極射線管(cathode ray tube，CRT)的趨勢。其中，等離子體顯示器是一種借助于氣體放電發(fā)光的平面顯示器，其最大的特點(diǎn)是輕、薄、易大型化且無視角問題。
請參照圖1A至1C，它們示出了現(xiàn)有的等離子體顯示裝置的封裝過程。如圖1A所示，當(dāng)?shù)入x子體顯示裝置的前基板14與后基板12以一膠材20完成組裝后，需在后基板12的通氣孔30上借助于封合材料22設(shè)置抽氣-灌氣管40，接著用抽氣-灌氣裝置50對組合面板10進(jìn)行抽氣-烘烤工藝，以除去不純物質(zhì)60(impurity)。當(dāng)組合面板10達(dá)到一定真空度后，如圖1B所示，放電氣體經(jīng)由抽氣-灌氣管40填入組合面板10的顯示區(qū)域70間。在完成灌氣過程后，如圖1C所示，以加熱的方式融化抽氣-灌氣管40，使抽氣-灌氣管40縮口。
在傳統(tǒng)的等離子體顯示器制造過程中，如形成阻隔壁或封合材料的過程中，往往不可避免地要使用有機(jī)溶劑，而且還將產(chǎn)生廢氣。然而，在等離子體顯示器的抽氣-烘烤的過程中，不純物質(zhì)60易被氣流80帶至抽氣-灌氣管40口及通氣孔30附近。因此，若抽氣-烘烤步驟控制不當(dāng)或抽氣-灌氣管40本身存有孔隙(pin hole)，不純物質(zhì)60將通過充填放電氣體時(shí)所產(chǎn)生的氣流80進(jìn)入組合面板10之間并進(jìn)一步殘留于顯示區(qū)域70內(nèi)，如此一來，所述不純物質(zhì)將污染顯示區(qū)域70內(nèi)的等離子體顯示單元，并嚴(yán)重影響等離子體顯示單元的放電特性(discharge characteristic)，尤其在通氣孔30附近，因而導(dǎo)致局部區(qū)域出現(xiàn)圖象質(zhì)量及顯示特性不均以及異?，F(xiàn)象。
因此，降低等離子體顯示器內(nèi)殘留的不純物與放電氣體的比例、以避免等離子體顯示單元放電特性異?，F(xiàn)象發(fā)生是等離子體顯示裝置制造過程中一項(xiàng)急待解決的任務(wù)。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于此，為了解決上述問題，本發(fā)明的主要目的在于利用吸附層吸附在抽氣過程中集中于通氣孔附近及抽氣-灌氣管內(nèi)的不純物質(zhì)，避免因抽氣-烘烤步驟控制不當(dāng)或殘留于抽氣-灌氣管孔隙中的不純物質(zhì)經(jīng)由后續(xù)的灌氣或封管步驟再進(jìn)入顯示區(qū)域內(nèi)而造成等離子體顯示單元的放電特性異常，以進(jìn)一步防止出現(xiàn)等離子體顯示裝置局部區(qū)域圖象質(zhì)量不均的現(xiàn)象。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種等離子體顯示裝置的面板結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)可使等離子體顯示裝置的顯示區(qū)域維持均勻放電的特性。所述等離子體顯示裝置的面板結(jié)構(gòu)包括一基板、一通氣孔及一吸附層，其中，所述基板具有一第一表面及一第二表面，所述第二表面位于所述第一表面的相反側(cè)；所述通氣孔由所述基板的第一表面貫穿至所述基板的第二表面；所述吸附層形成于與所述通氣孔相鄰的所述基板的第一表面上。
根據(jù)本發(fā)明的等離子體顯示裝置的面板結(jié)構(gòu)，其中，所述吸附層形成于與所述通氣孔相鄰的所述基板的第一表面并可進(jìn)一步延伸至所述通氣孔的部分或全部側(cè)壁上；且所述吸附層還可進(jìn)一步被形成于與所述通氣孔相鄰的所述基板的第二表面上，所述基板可為等離子體顯示裝置的后基板(rearplate)。
本發(fā)明等離子體顯示裝置的面板結(jié)構(gòu)的另一種形式是，其至少包括一基板、一通氣孔、一抽氣-灌氣管及一第一吸附層，其中，所述基板具有一第一表面及一第二表面，所述第二表面位于所述第一表面的相反側(cè)；所述通氣孔由所述基板的第一表面貫穿至基板的第二表面；所述抽氣-灌氣管以一封合材料結(jié)合于所述基板的第一表面上，且所述抽氣-灌氣管覆蓋包括所述通氣孔的所述基板；所述第一吸附層形成于所述抽氣-灌氣管內(nèi)的側(cè)壁上。
本發(fā)明的等離子體顯示裝置的面板結(jié)構(gòu)還可包括一第二吸附層，所述第二吸附層可形成于被所述抽氣-灌氣管所覆蓋的所述基板的第一表面上，其中，該第二吸附層形成于所述基板的第一表面的范圍可包括抽氣-灌氣管所涵蓋的基板的第一表面的范圍；所述第二吸附層亦可被形成并延伸至所述通氣孔的側(cè)壁；該第二吸附層還可被形成在與所述通氣孔相鄰的所述基板的第二表面上。所述第二吸附層可由與所述第一吸附層相同的材料構(gòu)成。
本發(fā)明所提供的等離子體顯示裝置，包括本發(fā)明的所述等離子體顯示裝置的面板結(jié)構(gòu)。所述等離子體顯示裝置至少包括一第一基板、一第二基板、一封合層、一顯示區(qū)域、一通氣孔及一第一吸附層，其中所述第一基板具有一第一表面及一第二表面，所述第二表面位于所述第一表面的相反側(cè)；所述第二基板可配置于所述第一基板的下方，并以一第三表面與所述第一基板的第二表面相對；所述封合層形成于所述第一基板與所述第二基板的四周，用以封裝/組合所述第一基板與第二基板，并形成一封合空間；所述顯示區(qū)域形成于所述第一基板的第二表面及所述第二基板的第三表面之間的封合空間內(nèi)；所述通氣孔由所述顯示區(qū)域之外的所述第一基板的第一表面貫穿至所述第二表面；所述第一吸附層形成于與所述通氣孔相鄰的所述第一基板的第一表面。
根據(jù)本發(fā)明的等離子體顯示裝置，其中，所述第一吸附層形成于與所述通氣孔相鄰的所述第一基板的第一表面并可進(jìn)一步延伸至所述通氣孔的側(cè)壁。此外，所述第一吸附層還可進(jìn)一步被形成在與所述通氣孔相鄰的所述第一基板的第二表面上。
本發(fā)明所述的等離子體顯示裝置，還可包括一抽氣-灌氣管及一第二吸附層，其中，所述抽氣-灌氣管以一封合材料結(jié)合于所述第一基板的第一表面上，并覆蓋所述通氣孔；所述第二吸附層形成于所述抽氣-灌氣管內(nèi)的側(cè)壁上。此外，所述第二吸附層可由與所述第一吸附層相同的材料構(gòu)成。
為使本發(fā)明的上述目的、特征更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施方式并結(jié)合附圖作詳細(xì)說明。
圖1A至1C示出了現(xiàn)有的等離子體顯示裝置的封裝過程；圖2示出了本發(fā)明等離子體顯示裝置的面板結(jié)構(gòu)的一優(yōu)選實(shí)施方式；圖3是對本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施方式的等離子體顯示裝置面板結(jié)構(gòu)進(jìn)行組裝的示意圖；
圖4是對本發(fā)明另一優(yōu)選實(shí)施方式的等離子體顯示裝置面板結(jié)構(gòu)進(jìn)行組裝的示意圖；圖5示出了本發(fā)明等離子體顯示裝置面板結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)選實(shí)施方式；圖6至9示出了本發(fā)明的等離子體顯示裝置面板結(jié)構(gòu)的其它優(yōu)選實(shí)施方式；圖10是本發(fā)明等離子體顯示裝置一優(yōu)選實(shí)施方式的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
附圖標(biāo)記說明10 組合面板12 后基板14 前基板 20 膠材22 封合材料30 通氣孔40 抽氣-灌氣管 50 抽氣-灌氣裝置60 不純物質(zhì)70 顯示區(qū)域80 氣流方向100 面板結(jié)構(gòu)110 基板112 第一表面114 第二表面116 第三表面120 通氣孔 122 通氣孔側(cè)壁130 吸附層 132 第二吸附層14 封合層 150 前基板160、166抽氣-灌氣管 162 抽氣-灌氣管側(cè)壁170 封著材料190 顯示區(qū)域200 等離子體顯示裝置210 后基板250 前基板具體實(shí)施方式
本發(fā)明的改善了等離子體顯示單元放電特性的等離子體顯示裝置的面板結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)在于在基板的通氣孔附近的區(qū)域及(或)抽氣-灌氣管的內(nèi)側(cè)形成一吸附層，當(dāng)進(jìn)行抽氣-灌氣及封管步驟時(shí)，可有效地將在形成顯示區(qū)域、抽氣-灌氣及封管過程中產(chǎn)生的不純物(impurity)集中并吸附在顯示區(qū)域之外，以保持等離子體顯示裝置內(nèi)的等離子體顯示單元正常運(yùn)作。
以下，將結(jié)合附圖并以等離子體顯示裝置的后基板為例詳細(xì)說明本發(fā)明的可改善等離子體顯示單元放電特性的等離子體顯示裝置的面板結(jié)構(gòu)。
首先，請參見圖2。該圖示出了本發(fā)明等離子體顯示裝置的面板結(jié)構(gòu)的一優(yōu)選實(shí)施方式，用來進(jìn)一步解釋各部件的相對關(guān)系。如圖2所示，本發(fā)明的等離子體顯示裝置的面板結(jié)構(gòu)100至少具有一基板110、一通氣孔120及一吸附層130。其中，所述基板110具有一第一表面112及一位于所述第一表面112相反側(cè)的第二表面114。在此實(shí)施方式中，面板結(jié)構(gòu)100為等離子體顯示裝置所使用的后基板，基板110上的第二表面114可以已完成任何等離子體顯示區(qū)域190所需的組件，例如電極、阻隔壁、熒光體及封合層，此處為使附圖簡化，僅以平整的基板表示；通氣孔120設(shè)置于等離子體顯示區(qū)域190以外的基板110中，且由所述基板110的第一表面112貫穿至所述基板110的第二表面114；吸附層130形成于與通氣孔120相鄰的所述基板的第一表面上，且該吸附層為一活性薄膜，具有可吸附雜質(zhì)(例如，溶劑、易揮發(fā)溶質(zhì)、有機(jī)物質(zhì)、水氣、氧氣、或其它粉塵)的特性，其適合的材料可以是鎂化物、鋁化物或鋯化物，尤以氧化鎂為佳。利用氧化鎂作為吸附層的優(yōu)點(diǎn)在于，氧化鎂普遍作為前板的二次電子放射保護(hù)層，因此以氧化鎂作為吸附層時(shí)可與前板共享相同的材料及設(shè)備。此外，形成吸附層130的方法例如可為濺鍍法、蒸鍍法、網(wǎng)印法、旋涂法或汽相沉積法等。
請參照圖3，當(dāng)面板結(jié)構(gòu)100與相對應(yīng)的面板結(jié)構(gòu)150(此處為等離子體顯示裝置的前基板，為簡化附圖，也僅以一平整的基板表示)以封合層140進(jìn)行組裝后，將抽氣-灌氣管160設(shè)置于基板110的第一表面112上并覆蓋通氣孔120，以利于接續(xù)進(jìn)行抽氣-灌氣步驟，其中，吸附層130形成在基板110的第一表面112上的范圍可小于抽氣-灌氣管160所涵蓋的基板110的第一表面112的范圍，如圖3所示。此外，吸附層130形成在基板110的第一表面112上的范圍亦可大于抽氣-灌氣管160所涵蓋的基板110的第一表面112的范圍，如圖4所示。在抽氣過程中，部分不純物質(zhì)將經(jīng)由抽氣-灌氣管160而被抽出。再者，殘留的不純物質(zhì)亦可被氣流帶至抽氣-灌氣管160口及通氣孔120附近而被吸附層130集中并予以吸附。因此，當(dāng)進(jìn)行灌氣步驟時(shí)，不純物質(zhì)不會隨放電氣體進(jìn)入顯示區(qū)域190內(nèi)。
在本發(fā)明的另一優(yōu)選實(shí)施方式中，為增加吸附雜質(zhì)的能力，吸附層130除了可形成于與通氣孔120相鄰的基板110的第一表面112外，亦可進(jìn)一步延伸至所述通氣孔的側(cè)壁122上，如圖5所示；且所述吸附層130還可進(jìn)一步被形成于與通氣孔120相鄰的基板110的第二表面114上，請參照圖6。
在本發(fā)明的其它優(yōu)選實(shí)施方式中，所述改善等離子體顯示單元放電特性的等離子體顯示裝置的面板結(jié)構(gòu)100還可包括一以封合材料170結(jié)合于所述基板110的第一表面112上并覆蓋所述通氣孔120的抽氣-灌氣管160，而吸附層130形成于所述抽氣-灌氣管160內(nèi)的側(cè)壁162上，請參照圖7。此外，所述等離子體顯示裝置的面板結(jié)構(gòu)100還可包括一第二吸附層132，該第二吸附層132形成于被抽氣-灌氣管160所覆蓋的基板110的第一表面112上，如圖8所示。第二吸附層132的形成于所述基板110的第一表面112的范圍還可包括所述抽氣-灌氣管160所涵蓋的所述基板110的第一表面112的范圍，如圖9所示。第二吸附層132還可被形成并延伸至所述通氣孔120的側(cè)壁122，且第二吸附層132可被形成于與通氣孔120相鄰的所述基板110的第二表面114上。第二吸附層132可由與第一吸附層130相同的材料構(gòu)成。
此外，請參照圖10，該圖示出了本發(fā)明的改善了等離子體顯示單元放電特性的等離子體顯示裝置200的一優(yōu)選實(shí)施方式。該等離子體顯示裝置包括一后基板210、一前基板250、一封合層140、一顯示區(qū)域190、一通氣孔120及一吸附層130，其中，后基板210具有一第一表面112及一第二表面114，第二表面114位于第一表面112的相反側(cè)；前基板250可配置于后基板210的下方，并以一第三表面116與后基板210的第二表面114相對；封合層140形成于后基板210與前基板250的四周，用以組裝前基板250與后基板210并形成一封合空間；顯示區(qū)域190形成于后基板210的第二表面114及前基板250的第三表面116之間的封合空間內(nèi)；通氣孔120由顯示區(qū)域119之外的后基板210的第一表面112貫穿至第二表面114；且吸附層130形成于與通氣孔120相鄰的后基板210的第一表面112上。再者，等離子體顯示裝置200還可包括抽氣-灌氣管166，抽氣-灌氣管166的一端封合，一端與所述通氣孔連通。
綜上所述，本發(fā)明的改善等離子體顯示單元放電特性的等離子體顯示裝置及其面板結(jié)構(gòu)，在基板的通氣孔附近的區(qū)域及(或)抽氣-灌氣管的內(nèi)側(cè)形成一吸附層，當(dāng)進(jìn)行抽氣-灌氣及封管步驟時(shí)，可有效地將在形成顯示區(qū)域、抽氣-灌氣及封管過程中所產(chǎn)生的不純物(impurity)集中并吸附于顯示區(qū)域之外，以保持等離子體顯示裝置內(nèi)的等離子體顯示單元正常運(yùn)作。
本發(fā)明所述的具有均勻放電特性的等離子體顯示裝置，借助于吸附層、抽氣-灌氣緩沖層及通氣孔之間相互關(guān)系的設(shè)計(jì)，可有效地將抽氣-灌氣或封管過程中所產(chǎn)生的不純物質(zhì)集中于顯示區(qū)外，并利用吸附層加以吸附，避免不純物質(zhì)污染顯示區(qū)域而影響等離子體顯示單元的放電特性，因而可得到均勻放電特性的等離子體顯示裝置。
本發(fā)明雖以優(yōu)選實(shí)施方式被披露如上，然而，所述優(yōu)選實(shí)施方式并非用以限定本發(fā)明的范圍，本領(lǐng)域技術(shù)人員在不超出本發(fā)明的構(gòu)思和保護(hù)范圍的前提下，可以作出各種更改與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以后附的權(quán)利要求書為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種等離子體顯示裝置的面板結(jié)構(gòu)，包括一基板，該基板具有一第一表面及一位于所述第一表面的相反側(cè)的第二表面；一通氣孔，該通氣孔由所述基板的所述第一表面貫穿至所述第二表面；以及一第一吸附層，該吸附層形成于與所述通氣孔相鄰的所述基板的所述第一表面上。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置的面板結(jié)構(gòu)，其中，所述第一吸附層進(jìn)一步延伸至所述通氣孔的側(cè)壁。
3.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置的面板結(jié)構(gòu)，其中，所述第一吸附層進(jìn)一步形成于與所述通氣孔相鄰的所述基板的第二表面上。
4.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置的面板結(jié)構(gòu)，其中，所述第一吸附層的材料包括鎂化物、鋁化物或鋯化物。
5.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置的面板結(jié)構(gòu)，其中，所述第一吸附層的材料為氧化鎂。
6.如權(quán)利要求1所述的等離子體顯示裝置的面板結(jié)構(gòu)，其中，還包括一抽氣-灌氣管，該抽氣-灌氣管一端封合，一端與所述通氣孔連通。
7.如權(quán)利要求6所述的等離子體顯示裝置的面板結(jié)構(gòu)，其中，還包括一形成于所述抽氣-灌氣管的側(cè)壁上的第二吸附層。
8.如權(quán)利要求6所述的等離子體顯示裝置的面板結(jié)構(gòu)，其中，所述第一吸附層形成在所述基板的第一表面的范圍內(nèi)，該范圍不小于所述抽氣-灌氣管所涵蓋的所述基板的第一表面的范圍。
9.如權(quán)利要求7所述的等離子體顯示裝置的面板結(jié)構(gòu)，其中，所述第二吸附層由與所述第一吸附層相同的材料構(gòu)成。
10.一種等離子體顯示裝置的面板結(jié)構(gòu)，包括一基板，該基板具有一第一表面及一位于所述第一表面的相反側(cè)的第二表面；一通氣孔，該通氣孔由所述基板的所述第一表面貫穿至所述第二表面；一抽氣-灌氣管，該抽氣-灌氣管以一封合材料結(jié)合于所述基板的所述第一表面上，并覆蓋所述通氣孔；以及一第一吸附層，該第一吸附層形成于所述抽氣-灌氣管內(nèi)的側(cè)壁上。
11.如權(quán)利要求10所述的等離子體顯示裝置的面板結(jié)構(gòu)，其中，還包括一形成于被所述抽氣-灌氣管所覆蓋的所述基板的所述第一表面上的第二吸附層。
12.如權(quán)利要求11所述的等離子體顯示裝置的面板結(jié)構(gòu)，其中，所述第二吸附層形成于所述基板的所述第一表面的范圍內(nèi)，該范圍不小于所述抽氣-灌氣管涵蓋的所述基板的所述第一表面的范圍。
13.如權(quán)利要求11所述的等離子體顯示裝置的面板結(jié)構(gòu)，其中，所述第二吸附層進(jìn)一步形成并延伸至所述通氣孔的側(cè)壁。
14.如權(quán)利要求11所述的等離子體顯示裝置的面板結(jié)構(gòu)，其中，所述第二吸附層進(jìn)一步形成于與所述通氣孔相鄰的所述基板的所述第二表面上。
15.如權(quán)利要求10所述的等離子體顯示裝置的面板結(jié)構(gòu)，其中，所述第一吸附層的材料包括鎂化物、鋁化物或鋯化物。
16.如權(quán)利要求10所述的等離子體顯示裝置的面板結(jié)構(gòu)，其中，所述第一吸附層的材料為氧化鎂。
17.如權(quán)利要求11所述的等離子體顯示裝置的面板結(jié)構(gòu)，其中，所述第二吸附層由與所述第一吸附層相同的材料構(gòu)成。
18.一種等離子體顯示裝置，包括一第一基板，該第一基板具有一第一表面及一位于所述第一表面的相反側(cè)的第二表面；一第二基板，其配置于所述第一基板的下方，并以一第三表面與所述第一基板的所述第二表面相對；一封合壁，其位于所述第一基板與所述第二基板的四周，用以封合所述第一基板與所述第二基板；一形成于所述第一基板的所述第二表面及所述第二基板的所述第三表面之間的顯示區(qū)域；一通氣孔，該通氣孔由所述顯示區(qū)域之外的所述第一基板的所述第一表面貫穿至所述第二表面；以及一第一吸附層，該第一吸附層形成于與所述通氣孔相鄰的所述第一基板的所述第一表面上。
19.如權(quán)利要求18所述的等離子體顯示裝置，其中，所述第一吸附層進(jìn)一步延伸至所述通氣孔的側(cè)壁。
20.如權(quán)利要求18所述的等離子體顯示裝置，其中，所述第一吸附層進(jìn)一步被形成于與所述通氣孔相鄰的所述第一基板的所述第二表面上。
21.如權(quán)利要求18所述的等離子體顯示裝置，其中，所述第一吸附層的材料包括鎂化物、鋁化物或鋯化物。
22.如權(quán)利要求18所述的等離子體顯示裝置，其中，所述第一吸附層的材料為氧化鎂。
23.如權(quán)利要求18所述的等離子體顯示裝置，其中，還包括一抽氣-灌氣管，該抽氣-灌氣管以一封合材料結(jié)合于所述第一基板的所述第一表面上，一端封合，一端與所述通氣孔相連；以及一第二吸附層，該第二吸附層形成于所述抽氣-灌氣管內(nèi)的側(cè)壁上。
24.如權(quán)利要求23所述的等離子體顯示裝置，其中，所述第二吸附層由與所述第一吸附層相同的材料構(gòu)成。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種等離子體顯示裝置及其面板結(jié)構(gòu)。主要目的在于利用吸附層吸附在抽氣過程中集中于通氣孔附近及抽氣－灌氣管內(nèi)的不純物質(zhì)，避免因抽氣－烘烤步驟控制不當(dāng)或殘留于抽氣－灌氣管孔隙中的不純物質(zhì)通過后續(xù)的灌氣或封管步驟再進(jìn)入顯示區(qū)域內(nèi)而造成等離子體顯示單元的放電特性異常，以進(jìn)一步防止出現(xiàn)等離子體顯示裝置局部區(qū)域圖象質(zhì)量不均的現(xiàn)象。
文檔編號H01J17/16GK1564301SQ20041003005
公開日2005年1月12日 申請日期2004年3月18日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月18日
發(fā)明者陳柏丞, 吳俊翰 申請人:友達(dá)光電股份有限公司