一種tft陣列的結構的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種TFT陣列的結構，包括上基層、柵極、顯示電極、TFT管、下偏光板、陰極板、共通電極層和保護膜層，所述上基層下側安裝有上偏光板，且上偏光板下側安裝有柵極，所述柵極內部安裝有像素電極，所述柵極下側安裝有保護膜層，且保護膜層下側安裝有共通電極，所述顯示電極內部安裝有存儲電容，且存儲電容右側安裝有TFT管，所述TFT管右側安裝有液晶，所述顯示電極下側安裝有下基層，且下基層下側安裝有下偏光板，所述下偏光板下側安裝有反射板，且反射板下側安裝有陰極板，所述陰極板下側安裝有印刷電路板。本實用新型通過共通電極下側安裝的濾光板，能夠實現對雜質光的過濾，提高了顯示的質量。
【專利說明】
一種TFT陣列的結構
技術領域
[0001 ]本實用新型涉及TFT陣列技術領域，具體為一種TFT陣列的結構。
【背景技術】
[0002]目前，市場上的液晶顯示屏主要運用的都是TFT結構，清晰度較高，且結構相對簡單，但市場上的液晶顯示屏的TFT結構存在著一定的缺陷，首先顯示電極內部的設備之間沒有設施阻隔，導致互相產生影響，降低了顯示效果，柵極也存在沒有絕緣設施的現狀，導致顯示效果不好，還有就是沒有濾光設備，導致雜亂光線影響顯示效果，給用戶帶來了不好的體驗，同時也造成了一定的經濟損失。
【發明內容】
[0003]本實用新型的目的在于提供一種TFT陣列的結構，以解決上述【背景技術】中提出的問題。
[0004]為實現上述目的，本實用新型提供如下技術方案:一種TFT陣列的結構，包括上基層、柵極、顯示電極、TFT管、下偏光板、陰極板、共通電極層和保護膜層，所述上基層下側安裝有上偏光板，且上偏光板下側安裝有柵極，所述柵極內部安裝有像素電極，所述柵極下側安裝有保護膜層，且保護膜層下側安裝有共通電極，所述顯示電極內部安裝有存儲電容，且存儲電容右側安裝有TFT管，所述TFT管右側安裝有液晶，所述顯示電極下側安裝有下基層，且下基層下側安裝有下偏光板，所述下偏光板下側安裝有反射板，且反射板下側安裝有陰極板，所述陰極板下側安裝有印刷電路板。
[0005]優選的，所述顯示電極內部安裝有間隙球。
[0006]優選的，所述柵極上下兩側安裝有柵絕緣膜。
[0007]優選的，所述共通電極下側安裝有濾光板。
[0008]優選的，所述保護膜層采用的是硅化物層。
[0009]與現有技術相比，本實用新型的有益效果是:本實用新型通過顯示電極的間隙球，能夠很好的避免顯示電極內部設備的互相接觸，提高了顯示效果，實用性較強，通過柵極上下兩側安裝的柵絕緣膜，能夠避免其它設備對內部像素電極的影響，提高了像素的品質，提高了觀賞效果，實用性強，通過共通電極下側安裝的濾光板，能夠實現對雜質光線的過濾，提高了顯示的效果，同時也增加了生產廠家的效益，保護膜層采用的是硅化物層，一方面能夠很好的實現絕緣，另一方面能夠降低成本。
【附圖說明】
[0010]圖1為本實用新型一種TFT陣列結構的示意圖；
[0011]圖2為本實用新型一種TFT陣列的結構的顯示電極內部結構示意圖；
[0012]圖3為本實用新型一種TFT陣列的結構的柵極內部結構示意圖。
[0013]圖中:1-保護膜層;2-濾光板;3-下基層;4-反射板;5-印刷電路板;6_上基層;7_上偏光板;8-柵極;9-共通電極;10-顯示電極;11-陰極板；12-下偏光板;13-存儲電容；14-TFT管；15-間隙球;16-液晶；17-像素電極;18-柵絕緣膜。
【具體實施方式】
[0014]下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0015]請參閱圖1-3，本實用新型提供的一種實施例:一種TFT陣列的結構，包括上基層6、柵極8、顯示電極10、TFT管14、下偏光板12、陰極板11、共通電極9和保護膜層1，上基層6下側安裝有上偏光板7，且上偏光板7下側安裝有柵極8，柵極8內部安裝有像素電極17，柵極8下側安裝有保護膜層1，且保護膜層I下側安裝有共通電極9，顯示電極10內部安裝有存儲電容13，且存儲電容13右側安裝有TFT管14，TFT管14右側安裝有液晶16，顯示電極10下側安裝有下基層3，且下基層3下側安裝有下偏光板12，下偏光板12下側安裝有反射板4，且反射板4下側安裝有陰極板11，陰極板11下側安裝有印刷電路板5，顯示電極10內部安裝有間隙球15，柵極8上下兩側安裝有柵絕緣膜18，共通電極9下側安裝有濾光板2，共通電極9下側安裝有濾光板2。
[0016]具體使用方式:本實用新型工作中，將印刷電路板5接入電源，并給陰極板11供電，上偏光板7能夠將內部設備發出的非特定偏振方向的光源轉化成極光，柵極8起控制陰極表面電場強度從而改變陰極放射電流或捕獲二次放射電子的作用，間隙球15能夠避免存儲電容13、TFT管14的接觸，提高了顯示質量，提高了實用性，保護膜層I能夠實現能夠避免共通電極9對上面的設備產生影響，提高了顯示質量，且結構簡單，設計合理。
[0017]對于本領域技術人員而言，顯然本實用新型不限于上述示范性實施例的細節，而且在不背離本實用新型的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實現本實用新型。因此，無論從哪一點來看，均應將實施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本實用新型的范圍由所附權利要求而不是上述說明限定，因此旨在將落在權利要求的等同要件的含義和范圍內的所有變化囊括在本實用新型內。不應將權利要求中的任何附圖標記視為限制所涉及的權利要求。
【主權項】
1.一種TFT陣列的結構，包括上基層(6)、柵極(8)、顯示電極(10)、TFT管(I4)、下偏光板(12)、陰極板(11)、共通電極(9)和保護膜層(I)，其特征在于:所述上基層(6)下側安裝有上偏光板(7)，且上偏光板(7)下側安裝有柵極(8)，所述柵極(8)內部安裝有像素電極(17)，所述柵極(8)下側安裝有保護膜層(I)，且保護膜層(I)下側安裝有共通電極(9)，所述顯示電極(10)內部安裝有存儲電容(13)，且存儲電容(13)右側安裝有TFT管(14)，所述TFT管(14)右側安裝有液晶(16)，所述顯示電極(10)下側安裝有下基層(3)，且下基層(3)下側安裝有下偏光板(12)，所述下偏光板(12)下側安裝有反射板(4)，且反射板(4)下側安裝有陰極板(11)，所述陰極板(11)下側安裝有印刷電路板(5)。2.根據權利要求1所述的一種TFT陣列的結構，其特征在于:所述顯示電極(10)內部安裝有間隙球(15)。3.根據權利要求1所述的一種TFT陣列的結構，其特征在于:所述柵極(8)上下兩側安裝有柵絕緣膜(18)。4.根據權利要求1所述的一種TFT陣列的結構，其特征在于:所述共通電極(9)下側安裝有濾光板(2)。5.根據權利要求1所述的一種TFT陣列的結構，其特征在于:所述保護膜層(I)采用的是硅化物層。
【文檔編號】H01L29/423GK205507318SQ201620269523
【公開日】2016年8月24日
【申請日】2016年3月31日
【發明人】李蘭, 謝國浩, 潘海
【申請人】河源中光電通訊技術有限公司