像素單元和陣列基板的制作方法
【專利摘要】本實用新型提供了一種像素單元和陣列基板。所述像素單元包括狹縫電極，并且所述像素單元包括四個分區，所述四個分區中的狹縫電極之間相互電連接。所述像素單元在所述四個分區中的每一個分區中的狹縫電極的狹縫傾斜方向一致，并且所述像素單元在所述四個分區中的任意兩個相鄰分區中的狹縫電極的狹縫傾斜方向不同。本實用新型提供的具有多個疇區的像素單元結構以及具有該像素單元結構的陣列基板，能夠在最大程度上消除色彩偏差的問題，并且具有良好的光透過率。
【專利說明】
像素單元和陣列基板
技術領域
[0001]本實用新型涉及顯示領域，尤其涉及像素單元和陣列基板。
【背景技術】
[0002]現有技術中，像素單元通常設置在由相鄰兩條柵線和相鄰兩條數據線(其中，柵線與數據線交叉)所圍成的最小單元的區域中。當像素單元中的狹縫電極(例如，像素電極)的狹縫傾斜方向相同時，可以提高光透過率，但是會造成左、右和上、下視角下的色彩偏差。
【實用新型內容】
[0003]針對現有技術中的上述問題，提出了本實用新型的技術方案。本實用新型提供了一種具有多個疇區的像素單元結構以及具有該像素單元結構的陣列基板，其能夠在最大程度上消除色彩偏差的問題，并且具有良好的光透過率。
[0004]根據本實用新型的一個方面，提供了一種像素單元。所述像素單元包括狹縫電極，該像素單元包括四個分區，所述四個分區中的狹縫電極之間相互電連接。所述像素單元在所述四個分區中的每一個分區中的狹縫電極的狹縫傾斜方向一致，并且所述像素單元在所述四個分區中的任意兩個相鄰分區中的狹縫電極的狹縫傾斜方向不同。
[0005]在一個實施例中，所述像素單元位于柵線與數據線交叉的位置處，并且所述像素單元的四個分區由相應的柵線和數據線劃分。
[0006]在一個實施例中，所述像素單元在所述四個分區中的狹縫電極的狹縫傾斜方向關于所述柵線和/或數據線呈鏡像對稱。
[0007]在一個實施例中，所述像素單元的狹縫電極的狹縫傾斜方向與所述柵線之間的銳角角度在3-20度之間。
[0008]在一個實施例中，所述像素單元的狹縫電極的狹縫傾斜方向與所述數據線之間的銳角角度在3-20度之間。
[0009]在一個實施例中，由相鄰兩條柵線和相鄰兩條數據線所圍成的區域為一個最小單元，所述像素單元的四個分區分別包括在四個相鄰的最小單元中，并且每個最小單元包括分別屬于四個相鄰像素單元的四個分區。
[0010]在一個實施例中，包括在同一個最小單元內的四個分區中的狹縫電極相互電隔離，并且包括在同一個最小單元內的四個分區中的狹縫電極具有相同的狹縫傾斜方向。
[0011]在一個實施例中，所述四個分區所占的開口面積相等。
[0012]在一個實施例中，所述狹縫電極是像素電極。
[0013]在一個實施例中，所述像素單元還包括公共電極以及位于柵線和數據線交點處的薄膜晶體管，其中所述薄膜晶體管的源極與所述數據線電連接，所述薄膜晶體管的漏極與所述狹縫電極通過過孔電連接。
[0014]在一個實施例中，所述狹縫電極是公共電極。
[0015]根據本實用新型的像素單元設置在柵線與數據線交叉的位置處，并且包括了由柵線和數據線劃分的彼此電連接的四個分區。由于根據本實用新型的像素單元在任意兩個相鄰分區中的狹縫電極的狹縫傾斜方向不同，因此根據本實用新型的像素單元在上、下方向和左、右方向上均包括了多個疇區。因而，根據本實用新型的像素單元不僅改善了上、下色彩偏差，還改善了左、右色彩偏差，因此在最大程度上消除了色彩偏差的問題。
[0016]此外，由于根據本實用新型的像素單元設置在柵線與數據線交叉的位置處，所以由相鄰兩條柵線和相鄰兩條數據線所圍成的最小單元可以包括分別屬于四個相鄰像素單元的四個分區。將包括在同一個最小單元內的四個分區中的狹縫電極設置為具有相同的狹縫傾斜方向，因此在同一最小單元內的液晶分子取向一致，從而提供了良好的光透過率。
[0017]根據本實用新型的另一個方面，提供了一種陣列基板。所述陣列基板包括交叉設置的多條柵線和多條數據線，以及設置在各條柵線與各條數據線的交叉位置處的多個像素單元，每個像素單元包括狹縫電極，并且每個像素單元包括由柵線和數據線劃分的四個分區，所述四個分區中的狹縫電極之間相互電連接，其中，每個像素單元在所述四個分區中的每一個分區中的狹縫電極的狹縫傾斜方向一致，并且每個像素單元在所述四個分區中的任意兩個相鄰分區中的狹縫電極的狹縫傾斜方向不同。
[0018]在一個實施例中，由相鄰兩條柵線和相鄰兩條數據線所圍成的區域為一個最小單元，所述像素單元的四個分區分別包括在四個相鄰的最小單元中，并且每個最小單元包括分別屬于四個相鄰像素單元的四個分區。
[0019]在一個實施例中，包括在同一個最小單元內的四個分區中的狹縫電極相互電隔離，并且包括在同一個最小單元內的四個分區中的狹縫電極具有相同的狹縫傾斜方向。
[0020]在一個實施例中，所述四個分區所占的開口面積相等。
[0021 ]在一個實施例中，所述狹縫電極是像素電極。
[0022]根據本實用新型的陣列基板包括交叉設置的多條柵線和多條數據線，以及設置在各條柵線與各條數據線的交叉位置處的多個像素單元。由于陣列基板的各個像素單元包括由柵線和數據線劃分的彼此電連接的四個分區，因此使得像素單元在上、下方向上包括了兩個疇區，并且在左、右方向上包括了兩個疇區。因而，陣列基板在整體上不僅改善了上、下色彩偏差，還改善了左、右色彩偏差，因此在最大程度上消除色差偏差的問題。
[0023]將包括在陣列基板的各個最小單元中的每一個最小單元內的四個分區中的狹縫電極設置為具有相同的狹縫傾斜方向，使得在同一最小單元內的液晶分子取向一致，從而使得陣列基板在整體上提供了良好的光透過率。
[0024]根據本實用新型的另一個方面，提供了一種制作陣列基板的方法。所述制作陣列基板的方法包括步驟:形成交叉設置的多條柵線和多條數據線；以及在各條柵線與各條數據線的交叉位置處設置多個像素單元。每個像素單元包括狹縫電極，并且每個像素單元包括由柵線和數據線劃分的四個分區，所述四個分區中的狹縫電極之間相互電連接。每個像素單元在所述四個分區中的每一個分區中的狹縫電極的狹縫傾斜方向一致，并且每個像素單元在所述四個分區中的任意兩個相鄰分區中的狹縫電極的狹縫傾斜方向不同。
[0025]在一個實施例中，由相鄰兩條柵線和相鄰兩條數據線所圍成的區域為一個最小單元，所述像素單元的四個分區分別包括在四個相鄰的最小單元中，并且每個最小單元包括分別屬于四個相鄰像素單元的四個分區。
[0026]在一個實施例中，包括在同一個最小單元內的四個分區中的狹縫電極相互電隔離，并且包括在同一個最小單元內的四個分區中的狹縫電極具有相同的狹縫傾斜方向。
[0027]在一個實施例中，所述四個分區所占的開口面積相等。
【附圖說明】
[0028]通過以下結合附圖的詳細描述，將更加清楚地理解本實用新型的以上和其它特征和優點，其中:
[0029]圖1是根據本實用新型的一個實施例的像素單元的示意性結構圖；
[0030]圖2是根據本實用新型的一個實施例的陣列基板的示意性結構圖；以及
[0031]圖3示意性地示出了根據本實用新型的一個實施例的制造陣列基板的方法流程圖。
【具體實施方式】
[0032]下文中，將參照附圖詳細描述本實用新型構思的示例性實施例。
[0033]然而，本實用新型構思可按照許多不同形式例示，并且不應理解為限于本文闡述的特定實施例。此外，提供這些實施例是為了使得本公開將是徹底和完整的，并且將把本實用新型構思的范圍完全傳遞給本領域技術人員。
[0034]為了清楚起見，在附圖中可夸大示出元件的形狀和尺寸。并且相同的附圖標記將用于始終指代相同或相似的元件。
[0035]為了方便描述，本文中可使用諸如“在……下方”、“在……上方”、“在……左側”、“在……右側”等的空間相對術語，以描述附圖中所示的一個元件或特征與另一個(一些)元件或特征的關系。應該理解，空間相對術語旨在涵蓋使用或操作中的裝置的除圖中所示的取向之外的不同取向。例如，如果圖中的裝置顛倒，則被描述為“在其它元件或特征下方”的元件將因此被取向為“在其它元件或特征上方”。這樣，示例性術語“在……下方”可涵蓋“在……下方”和“在……上方”這兩個取向。裝置可按照其它方式取向(旋轉90度或位于其它取向)，并且本文所用的空間相對描述語將相應地解釋。
[0036]圖1是根據本實用新型一個實施例的像素單元的示意性結構圖。
[0037]如圖1所示，像素單元10(圖1中由虛線所圍成的部分)位于柵線20與數據線30交叉的位置處。像素單元10包括由柵線20和數據線30劃分的四個分區al、bl、cl和dl，四個分區al、bl、cl和dl中的狹縫電極之間相互電連接。像素單元10在任意兩個相鄰分區中的狹縫電極的狹縫傾斜方向不同。例如，如圖1所示，分區al與分區bl為兩個相鄰分區，像素單元10在分區a I中的狹縫電極的狹縫傾斜方向與在分區b I中的狹縫電極的狹縫傾斜方向不同；分區al與分區Cl為兩個相鄰分區，像素單元10在分區al中的狹縫電極的狹縫傾斜方向與在分區c I中的狹縫電極的狹縫傾斜方向不同。
[0038]像素單元10設置在柵線20與數據線30交叉的位置處，并且包括由柵線20和數據線30劃分的彼此電連接的四個分區al、bl、cl和dl。由于像素單元10在任意兩個相鄰分區中的狹縫電極的狹縫傾斜方向不同，因此像素單元10在上、下方向和左、右方向上均包括了多個疇區。也就是說，像素單元10的四個分區al、bl、cl和dl形成為四個疇區，像素單元10在上、下方向上包括了兩個疇區，并且在左、右方向上包括了兩個疇區。因而，像素單元10不僅改善了上、下方向上的色彩偏差，還改善了左、右方向上的色彩偏差，因此在最大程度上消除色彩偏差的冋題。
[0039 ]如圖1所示，像素單元1在四個分區a 1、b 1、c I和d I中的狹縫電極的狹縫傾斜方向與柵線20之間的銳角分別為α1、α2、α3和α4。像素單元10在四個分區中的狹縫電極的狹縫傾斜方向可以關于柵線20呈鏡像對稱，S卩，α1=α3且α2=α4。此外，像素單元在四個分區中的狹縫電極的狹縫傾斜方向可以關于數據線30呈鏡像對稱，S卩，α1=α2且α3=α4。再者，像素單元10在四個分區中的狹縫電極的狹縫傾斜方向可以關于柵線20和數據線30均呈鏡像對稱，即，α1=α2=α3=α40
[0040]像素單元10在四個分區al、bl、cl和dl中的狹縫電極的狹縫傾斜方向關于柵線20和/或數據線30呈鏡像對稱，可以使得液晶分子在像素單元10中的受力是均勻的。
[0041]根據本實用新型的實施例，像素單元10在四個分區al、bl、cl和dl中的狹縫電極的狹縫傾斜方向與柵線20之間的銳角α1、α2、α3和α4可以在3-20度之間。可替換地，像素單元10在四個分區al、bl、cl和dl中的狹縫電極的狹縫傾斜方向與數據線30之間的銳角可以在3-20度之間。
[0042]如圖1所示，像素單元10的四個分區al、bl、cl和dl分別包括在四個相鄰的最小單元A、B、C和D中，并且每個最小單元包括分別屬于四個相鄰像素單元的四個分區。具體而言，像素單元10的分區al包括在最小單元A中，同時最小單元A還包括分別屬于另外三個像素單元的三個分區a2、a3和a4;像素單元10的分區bl包括在最小單元B中，同時最小單元B還包括分別屬于另外三個像素單元的三個分區b2、b3和b4;像素單元10的分區Cl包括在最小單元C中，同時最小單元C還包括分別屬于另外三個像素單元的三個分區c2、c3和c4;并且像素單元10的分區dl包括在最小單元D中，同時最小單元D還包括分別屬于另外三個像素單元的三個分區d2、d3和d4。
[0043]如圖1所示，包括在同一個最小單元內的四個分區中的狹縫電極相互電隔離，并且包括在同一個最小單元內的四個分區中的狹縫電極具有相同的狹縫傾斜方向。具體而言，例如，包括在最小單元A中的四個分區al、a2、a3和a4中的狹縫電極相互電隔離，這是因為四個分區al、a2、a3和a4分別屬于四個相鄰的像素單元。此外，四個分區al、a2、a3和a4中的狹縫電極具有相同的狹縫傾斜方向，從而使得在最小單元A內的各個狹縫電極具有相同的狹縫傾斜方向。
[0044]將包括在同一個最小單元內的四個分區中的狹縫電極設置為具有相同的狹縫傾斜方向，使得在同一最小單元內的液晶分子取向一致，從而提供了良好的光透過率。
[0045]像素單元10的四個分區al、bl、cl和dl所占的開口面積可以相等。此外，每個最小單元中包含的四個分區的開口面積也可以相等(例如，最小單元A中包含的四個分區al、a2、a3和a4的開口面積相等)。
[0046]針對高級超維場轉換技術(Advanced Super Dimens1n Switch，ADS)顯不模式，狹縫電極是像素電極。像素單元10還包括公共電極以及位于柵線20和數據線30交點處的薄膜晶體管，其中所述薄膜晶體管的源極與所述數據線30電連接，所述薄膜晶體管的漏極與所述狹縫電極通過過孔電連接。
[0047]可替換地，狹縫電極也可以是公共電極。狹縫電極為公共電極針對的是高開口率HADS顯示模式。由于公共電極一層制作且接相同的公共電極信號，不需要進行分區間的連接，通過對板狀像素電極按照前述方式進行分區，最大程度消除色彩偏差的問題。
[0048]像素電極與對應的公共電極之間設置有絕緣層，并且所述像素電極設置在對應的公共電極上方或者下方。
[0049]圖2是根據本實用新型的一個實施例的陣列基板的示意性結構圖。
[0050]如圖2所示，陣列基板100包括交叉設置的多條柵線20和多條數據線30，以及設置在各條柵線20與各條數據線30的交叉位置處的多個像素單元10。每個像素單元10包括由柵線20和數據線30劃分的四個分區al、bl、cl和dl，四個分區al、bl、cl和dl中的狹縫電極之間相互電連接。每個像素單元10在任意兩個相鄰分區中的狹縫電極的狹縫傾斜方向不同。
[0051]根據本實用新型的實施例，由形成在陣列基板100上的相鄰兩條柵線20和相鄰兩條數據線30所圍成的區域為一個最小單元。陣列基板100的各個像素單元10的四個分區al、bl、cl和dl可以分別包括在四個相鄰的最小單元A、B、C和D中，并且每個最小單元可以包括分別屬于四個相鄰像素單元的四個分區。
[0052]根據本實用新型的實施例，包括在同一個最小單元內的四個分區中的狹縫電極相互電隔離，并且包括在同一個最小單元內的四個分區中的狹縫電極具有相同的狹縫傾斜方向。
[0053]根據本實用新型的實施例，像素單元10的四個分區al、bl、cl和dl所占的開口面積相等。進而，形成在陣列基板100上的所有分區所占的開口面積相等。
[0054]如圖2所示，根據本實用新型的狹縫電極的狹縫可以為開口形式，也可以為封閉形式。
[0055]陣列基板100包括交叉設置的多條柵線20和多條數據線30，以及設置在各條柵線20與各條數據線30的交叉位置處的多個像素單元10。由于陣列基板100的各個像素單元10包括由柵線20和數據線30劃分的彼此電連接的四個分區al、bl、cl和dl，因此使得像素單元10在上、下方向上包括了兩個疇區，并且在左、右方向上包括了兩個疇區。因而，陣列基板100在整體上不僅改善了上、下色彩偏差，還改善了左、右色彩偏差，因此在最大程度上消除色差偏差的冋題。
[0056]將包括在陣列基板100的各個最小單元中的每一個最小單元內的四個分區中的狹縫電極設置為具有相同的狹縫傾斜方向，使得在同一最小單元內的液晶分子取向一致，從而使得陣列基板100在整體上提供了良好的光透過率。
[0057]圖3示意性地示出了根據本實用新型的一個實施例的制造陣列基板的方法流程圖。
[0058]如圖3所示，根據本實用新型的制作陣列基板的方法包括步驟:
[0059]S1、形成交叉設置的多條柵線和多條數據線；以及
[0060]S2、在各條柵線與各條數據線的交叉位置處設置多個像素單元，每個像素單元包括由柵線和數據線劃分的四個分區，所述四個分區中的狹縫電極之間相互電連接，
[0061]其中，每個像素單元在任意兩個相鄰分區中的狹縫電極的狹縫傾斜方向不同。
[0062]根據本實用新型的實施例，由形成在陣列基板上的相鄰兩條柵線和相鄰兩條數據線所圍成的區域為一個最小單元。像素單元的四個分區分別可以包括在四個相鄰的最小單元中，并且每個最小單元可以包括分別屬于四個相鄰像素單元的四個分區。此外，包括在同一個最小單元內的四個分區中的狹縫電極可以相互電隔離，并且包括在同一個最小單元內的四個分區中的狹縫電極可以具有相同的狹縫傾斜方向。像素單元的四個分區所占的開口面積可以相等。
[0063]根據本實用新型的制作陣列基板的方法將各個像素單元設置在各條柵線與各條數據線的交叉位置處，使得每個像素單元包括由柵線和數據線劃分的四個分區。由于各個像素單元包括由柵線和數據線劃分的彼此電連接的四個分區，因此使得像素單元在上、下方向上包括了兩個疇區，并且在左、右方向上包括了兩個疇區。因而，不僅改善了上、下方向上的色彩偏差，還改善了左、右方向上的色彩偏差，因此在最大程度上消除了色彩偏差的問題。
[0064]將包括在同一個最小單元內的四個分區中的狹縫電極設置為具有相同的狹縫傾斜方向，使得在同一最小單元內的液晶分子取向一致，從而提供了良好的光透過率。
[0065]雖然已經示出并說明了根據本實用新型的各個實施例，但本領域普通技術人員應當理解的是，可以對這些示例性實施例在形式和細節方面做出各種改變而不背離由所附權利要求書限定的本實用新型構思的精神和范圍。
【主權項】
1.一種像素單元，包括狹縫電極，其特征在于，該像素單元包括四個分區，所述四個分區中的狹縫電極之間相互電連接， 所述像素單元在所述四個分區中的每一個分區中的狹縫電極的狹縫傾斜方向一致，并且所述像素單元在所述四個分區中的任意兩個相鄰分區中的狹縫電極的狹縫傾斜方向不同。2.根據權利要求1所述的像素單元，其特征在于，所述像素單元位于柵線與數據線交叉的位置處，并且所述像素單元的四個分區由相應的柵線和數據線劃分。3.根據權利要求2所述的像素單元，其特征在于，所述像素單元在所述四個分區中的狹縫電極的狹縫傾斜方向關于所述柵線和/或數據線呈鏡像對稱。4.根據權利要求2或3所述的像素單元，其特征在于，所述像素單元的狹縫電極的狹縫傾斜方向與所述柵線之間的銳角角度在3-20度之間。5.根據權利要求2或3所述的像素單元，其特征在于，所述像素單元的狹縫電極的狹縫傾斜方向與所述數據線之間的銳角角度在3-20度之間。6.根據權利要求1至3任一所述的像素單元，其特征在于，由相鄰兩條柵線和相鄰兩條數據線所圍成的區域為一個最小單元，所述像素單元的四個分區分別包括在四個相鄰的最小單元中，并且每個最小單元包括分別屬于四個相鄰像素單元的四個分區。7.根據權利要求6所述的像素單元，其特征在于，包括在同一個最小單元內四個分區中的狹縫電極相互電隔離，并且包括在同一個最小單元內的四個分區中的狹縫電極具有相同的狹縫傾斜方向。8.根據權利要求1至3任一所述的像素單元，其特征在于，所述四個分區所占的開口面積相等。9.根據權利要求1至3任一所述的像素單元，其特征在于，所述狹縫電極是像素電極。10.根據權利要求9所述的像素單元，其特征在于，所述像素單元還包括公共電極以及位于柵線和數據線交點處的薄膜晶體管，其中所述薄膜晶體管的源極與所述數據線電連接，所述薄膜晶體管的漏極與所述狹縫電極通過過孔電連接。11.根據權利要求1至3任一所述的像素單元，其特征在于，所述狹縫電極是公共電極。12.—種陣列基板，包括交叉設置的多條柵線和多條數據線，以及設置在各條柵線與各條數據線的交叉位置處的多個像素單元，每個像素單元包括狹縫電極，并且每個像素單元包括由柵線和數據線劃分的四個分區，所述四個分區中的狹縫電極之間相互電連接， 其中，每個像素單元在所述四個分區中的每一個分區中的狹縫電極的狹縫傾斜方向一致，并且每個像素單元在所述四個分區中的任意兩個相鄰分區中的狹縫電極的狹縫傾斜方向不同。13.根據權利要求12所述的陣列基板，其中，由相鄰兩條柵線和相鄰兩條數據線所圍成的區域為一個最小單元，所述像素單元的四個分區分別包括在四個相鄰的最小單元中，并且每個最小單元包括分別屬于四個相鄰像素單元的四個分區。14.根據權利要求13所述的陣列基板，其中，包括在同一個最小單元內的四個分區中的狹縫電極相互電隔離，并且包括在同一個最小單元內的四個分區中的狹縫電極具有相同的狹縫傾斜方向。15.根據權利要求12至14任一所述的陣列基板，其中，所述四個分區所占的開口面積相等。16.根據權利要求12至14任一所述的陣列基板，其中，所述狹縫電極是像素電極。
【文檔編號】H01L27/12GK205507313SQ201620078722
【公開日】2016年8月24日
【申請日】2016年1月27日
【發明人】邵喜斌, 陳東川, 廖燕平, 張振宇
【申請人】京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方顯示技術有限公司