反射型環(huán)行器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及光纖通信系統(tǒng)的光無源器件，具體的說是反射型環(huán)行器。
【背景技術(shù)】
[0002]光學(xué)環(huán)行器能使光信號只沿規(guī)定的端口順序傳輸，當(dāng)光從端口 a輸入，從端口 b輸出；當(dāng)光從端口 b輸入，從端口 c輸出?，F(xiàn)有的光學(xué)環(huán)行器通常為透射型，通常使用兩個準(zhǔn)直器，其中端口 a、c集成在一個雙纖準(zhǔn)直器上，端口 b集成在一個單纖準(zhǔn)直器上。這樣的布局造成了兩個準(zhǔn)直器分別向不同方向出光纖，使得環(huán)行器被封裝在模塊中時需要占據(jù)較大的物理空間。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型旨在克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種反射型環(huán)行器，長度短，耗材少，單向出光纖。
[0004]為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的:
[0005]一種反射型環(huán)行器，其特征在于:它包括依次順序排列的準(zhǔn)直器、第一雙折射晶體、第一半波片、第二半波片、第一磁光晶體、第二雙折射晶體、第二磁光晶體和反射鏡，所述第一半波片和第二半波片上下并列設(shè)置。
[0006]所述的反射型環(huán)行器，其特征在于:所述準(zhǔn)直器為陣列準(zhǔn)直器或三光尾纖準(zhǔn)直器。
[0007]所述的反射型環(huán)行器，其特征在于:所述反射鏡為屋脊反射鏡。
[0008]所述的反射型環(huán)行器，其特征在于:所述第一雙折射晶體和第二雙折射晶體均為釩酸釔晶體。
[0009]所述的反射型環(huán)行器，其特征在于:所述第一雙折射晶體在垂直面上的角度為5。-6。。
[0010]所述的反射型環(huán)行器，其特征在于:所述反射鏡的厚度為0.
[0011]所述的反射型環(huán)行器，其特征在于:所述第二雙折射晶體的長度為6_-7_。
[0012]本實(shí)用新型的有益效果是:端口 a、b、c均集成在同一個陣列準(zhǔn)直器或三光尾纖準(zhǔn)直器上，使得三根光纖單向出光纖。有別于傳統(tǒng)的透射型環(huán)行器，反射型環(huán)行器在最終封裝在模塊中時只需占據(jù)較小的物理空間。
【附圖說明】
[0013]下面結(jié)合附圖和實(shí)施方式對本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說明:
[0014]圖1為本實(shí)用新型陣列準(zhǔn)直器和反射鏡在XOy水平面內(nèi)的光路示意圖。
[0015]圖2為本實(shí)用新型陣列準(zhǔn)直器和反射鏡在yOz垂直面內(nèi)的光路示意圖。
[0016]圖3為本實(shí)用新型的偏振態(tài)端口 a_端口 b的變化立體示意圖。
[0017]圖4為本實(shí)用新型三光尾纖準(zhǔn)直器和屋脊反射鏡在xOy水平面內(nèi)端口 a到端口 b的光路不意圖。
[0018]圖5為本實(shí)用新型三光尾纖準(zhǔn)直器和屋脊反射鏡在xOy水平面內(nèi)端口 b到端口 c的光路不意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]如圖1所示:一種反射型環(huán)行器，它包括依次順序排列的準(zhǔn)直器、第一雙折射晶體2、第一半波片3、第二半波片4、第一磁光晶體5、第二雙折射晶體6、第二磁光晶體7和反射鏡8，第一半波片和第二半波片上下并列設(shè)置；準(zhǔn)直器為陣列準(zhǔn)直器I或三光尾纖準(zhǔn)直器9 ;反射鏡為屋脊反射鏡10 ;第一雙折射晶體和第二雙折射晶體均為釩酸釔(YV04)晶體；
[0020]如圖1、2所示:輸入輸出端口，包括一個陣列準(zhǔn)直器I ;分光合光部件，包括第一雙折射晶體2 ;光束位移部件，包括第二雙折射晶體6 ;旋光單元，包括第一磁光晶體5、第二磁光晶體7、第一半波片3和第二半波片4 ;反射部件，包括一個反射鏡8。或者所述輸入輸出端口也可由一個三光尾纖準(zhǔn)直器9構(gòu)成，所述反射部件由一個屋脊反射鏡10構(gòu)成，如圖4、5所示。
[0021]如圖3所示(偏振態(tài)從左向右看)，由端口 a輸入的光束經(jīng)由第一雙折射晶體2后，沿z方向被分解成兩束偏振方向互相正交的線偏振光，成上下分布。第一半波片3和第二半波片4的光軸方向相反。上面一束線偏振光(以下簡稱上光)經(jīng)過第一半波片3后偏振方向逆時針旋轉(zhuǎn)45度，下面一束線偏振光(以下簡稱下光)經(jīng)過第二半波片4后偏振方向順時針旋轉(zhuǎn)45度，此時上光和下光的偏振方向相同。上光和下光經(jīng)過第一磁光晶體5后偏振方向均逆時針旋轉(zhuǎn)45度。上光和下光經(jīng)過第二雙折射晶體6時均為ο光，所以偏振方向和傳播方向均不變。上光和下光經(jīng)過第二磁光晶體7后偏振方向均逆時針旋轉(zhuǎn)45度。上光和下光經(jīng)由反射鏡反射后偏振方向不變，傳播方向翻轉(zhuǎn)180度。上光和下光經(jīng)過第二磁光晶體7后偏振方向均逆時針旋轉(zhuǎn)45度。上光和下光經(jīng)過第二雙折射晶體6時均為e光，偏振方向不變，但是光路產(chǎn)生X方向平移。上光和下光經(jīng)過第一磁光晶體5后偏振方向均逆時針旋轉(zhuǎn)45度。上光經(jīng)過第一半波片3后偏振方向順時針旋轉(zhuǎn)45度，下光經(jīng)過第二半波片4后偏振方向逆時針旋轉(zhuǎn)45度，此時上光和下光的偏振方向互相正交。上光和下光經(jīng)由第一雙折射晶體2后被合成一束光，由端口 b輸出。上述偏振態(tài)變化對于光束從端口 b輸入，從端口 c輸出的情形同樣適用，最終實(shí)現(xiàn)環(huán)行器的環(huán)路傳輸功能。
[0022]第一雙折射晶體2在yOz平面上應(yīng)具有一定角度，該角度約為5° -6°，使得輸入光束被上下對稱地分解成兩束光，以便封裝耦合。
[0023]反射鏡8應(yīng)具有一定厚度，該厚度約為0.用于PMD補(bǔ)償。反射鏡8被分成上下兩部分。其中上部前表面鍍AR膜，以使得上光得以輸入。然后在后表面鍍HR膜，用于反射上光。下部前表面鍍HR膜，用于反射下光。反射鏡8對于上光和下光引起的光程差正好用于補(bǔ)償?shù)谝浑p折射晶體2產(chǎn)生的光程差，以達(dá)到PMD補(bǔ)償效果。
[0024]第二雙折射晶體6應(yīng)具有一定長度，該長度約為6mm-7mm，用于在x方向產(chǎn)生合適的光路平移。這個平移距離應(yīng)與準(zhǔn)直器陣列的節(jié)距(P) —致，以達(dá)到光路耦合效果。
[0025]如圖4所示，在xOy平面上，三光尾纖準(zhǔn)直器9的端口 a輸入一束帶角度的光，這個角度需要通過屋脊反射鏡10進(jìn)行補(bǔ)償，反射光水平地輸入端口 b，并由端口 b輸出。同樣地，如圖5所示，端口 b輸入一束水平光，通過屋脊反射鏡10產(chǎn)生一定的角度，反射光帶角度地輸入端口 c，并由端口 c輸出，最終實(shí)現(xiàn)環(huán)行器的環(huán)路傳輸功能。
【主權(quán)項】
1.一種反射型環(huán)行器，其特征在于:它包括依次順序排列的準(zhǔn)直器、第一雙折射晶體、第一半波片、第二半波片、第一磁光晶體、第二雙折射晶體、第二磁光晶體和反射鏡，所述第一半波片和第二半波片上下并列設(shè)置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反射型環(huán)行器，其特征在于:所述準(zhǔn)直器為陣列準(zhǔn)直器或三光尾纖準(zhǔn)直器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反射型環(huán)行器，其特征在于:所述反射鏡為屋脊反射鏡。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反射型環(huán)行器，其特征在于:所述第一雙折射晶體和第二雙折射晶體均為釩酸釔晶體。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反射型環(huán)行器，其特征在于:所述第一雙折射晶體在垂直面上的角度為5° -6°。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反射型環(huán)行器，其特征在于:所述反射鏡的厚度為0.5mm-lmm0
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反射型環(huán)行器，其特征在于:所述第二雙折射晶體的長度為6mm-7mm0
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種反射型環(huán)行器，它包括依次順序排列的準(zhǔn)直器、第一雙折射晶體、第一半波片、第二半波片、第一磁光晶體、第二雙折射晶體、第二磁光晶體和反射鏡，第一半波片和第二半波片上下并列設(shè)置；準(zhǔn)直器為陣列準(zhǔn)直器或三光尾纖準(zhǔn)直器；反射鏡為屋脊反射鏡；第一雙折射晶體和第二雙折射晶體均為釩酸釔晶體；第一雙折射晶體在垂直面上的角度為5°-6°；反射鏡的厚度為0.5mm-1mm；第二雙折射晶體的長度為6mm-7mm。本實(shí)用新型長度短，耗材少，單向出光纖。
【IPC分類】G02B6-27, G02B6-26
【公開號】CN204496046
【申請?zhí)枴緾N201520158095
【發(fā)明人】洪亮, 黃春輝
【申請人】上海中科股份有限公司, 上海中科光纖通訊器件有限公司, 上海中科創(chuàng)欣通訊設(shè)備有限公司
【公開日】2015年7月22日
【申請日】2015年3月20日