Coa型液晶顯示面板及其制作方法
【專利摘要】本發明提供一種COA型液晶顯示面板及其制作方法。本發明的COA型液晶顯示面板，黑色矩陣設于下基板上，且整面覆蓋彩色光阻層上的過孔，從而加強了對彩色光阻層的保護能力，能夠防止氣泡從彩色光阻層中滲出，進而改善了液晶顯示面板因為在彩色光阻層上設置過孔而出現冒泡的不良現象，產品良率高，且制作方法簡單。本發明的COA型液晶顯示面板的制作方法，結合BOA技術，將黑色矩陣制作于下基板上，形成于像素電極之后，且使黑色矩陣整面覆蓋彩色光阻層上的過孔，從而加強了對彩色光阻層的保護能力，能夠防止氣泡從彩色光阻層中滲出，在不增加制程道次的情況下，能夠改善液晶顯示面板出現冒泡的不良現象，提高了產品良率，制作方法簡單。
【專利說明】
COA型液晶顯示面板及其制作方法
技術領域
[0001]本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種COA型液晶顯示面板及其制作方法。
【背景技術】
[0002]液晶顯示裝置(LiquidCrystal Display，LCD)具有機身薄、省電、無福射等眾多優點，得到了廣泛的應用。如:液晶電視、移動電話、個人數字助理(PDA)、數字相機、計算機屏幕或筆記本電腦屏幕等。
[0003]通常液晶顯示裝置包括殼體、設于殼體內的液晶面板及設于殼體內的背光模組(Backlight module)。其中，液晶面板的結構主要是由一薄膜晶體管陣列(Thin FilmTransistor Array ,TFT Array)基板、一彩色濾光片(Color Filter，CF)基板、以及配置于兩基板間的液晶層(Liquid Crystal Layer)所構成，其工作原理是通過在兩片玻璃基板上施加驅動電壓來控制液晶層的液晶分子的旋轉，將背光模組的光線折射出來產生畫面。
[0004]C0A(Color-filter on Array)技術是一種將彩色濾光層直接制作在陣列基板上的一種集成技術，能夠有效解決液晶顯示裝置對盒工藝中因對位偏差造成的漏光等問題，并能顯著提升顯示開口率。
[0005]請參閱圖1，為現有的一種COA型液晶顯示面板的結構示意圖，其包括下基板I’、與所述下基板I’相對設置的上基板2’、及位于所述下基板I’與上基板2’之間的液晶層(未圖示)；其中，該下基板I’為陣列基板，具體包括:第一基板100、設于第一基板100上的TFT層200、設于所述TFT層200上的第一鈍化層310、設于第一鈍化層310上的彩色光阻層400、設于彩色光阻層400上的第二鈍化層320、及設于所述第二鈍化層320上的像素電極500;所述TFT層200具體包括設于所述第一基板100上的柵極(GE)210、設于柵極210、及第一基板100上的柵極絕緣層(GI)220、設于所述柵極絕緣層220上的半導體層230、及設于所述半導體層230、及柵極絕緣層220上的源極241與漏極242;所述彩色光阻層400包括數個陣列排布的光阻塊單元。該上基板2’包括第二基板600、設于第二基板600上的黑色矩陣700、及設于所述第二基板600、及黑色矩陣700上的公共電極800。為了實現像素電極500與漏極242的電性連接，這樣就需要在第一、第二鈍化層310、320上增加過孔(Via hole)，在彩色光阻層400上對應增加開口，其中，彩色光阻層400的開口尺寸大于第一、第二鈍化層310、320上過孔的尺寸，第一鈍化層310和第二鈍化層320均緊鄰彩色光阻層400，將彩色光阻層400夾住。
[0006]然而，COA設計中，彩色光阻層400的開口處常有氣泡(bubble)產生，經研究發現，通常產生氣泡的區域，第一、第二鈍化層310、320上的過孔與彩色光阻層400的開口都偏離較遠，使得第一鈍化層310和第二鈍化層320的重疊區域較短，例如圖1中第一、第二鈍化層310、320在右側重疊的長度L2小于左側重疊的長度LI，從而造成右側的第一、第二鈍化層310、320對彩色光阻層400的保護作用不足，最后導致彩色光阻層400內的氣泡滲出。
[0007]因此，第一、第二鈍化層310、320上的過孔與彩色光阻層400的開口的位置偏差，將影響第一、第二鈍化層310、320的重疊量。若偏移量過大，第一、第二鈍化層310、320重疊較少的一側對彩色光阻層400的保護作用不佳，彩色光阻層400內的氣泡容易滲出，進而導致液晶面板冒泡的不良發生。目前，COA產品為防止冒泡不良的產生需要做額外的設計，從而增加了生產成本與制程難度。
[0008]另外，研究發現，在非COA產品中，以PSVA面板為例，在制作完成彩色光阻層之后會有整面的導電層覆蓋其上面，而IPS面板結構中，在制作完成彩色光阻層之后會在其上形成有機覆蓋層(Organic Cover,OC)起到平坦和保護的作用，所以在非COA產品中冒泡的不良現象并不常見。
[0009]B0A(Black Matrix On Array)技術是將黑色矩陣制作于陣列基板側的一種集成技術，由于黑色矩陣集成在陣列基板一側，因此同樣能夠減少對位偏差。
【發明內容】
[0010]本發明的目的在于提供一種COA型液晶顯示面板，黑色矩陣設于下基板上，且整面覆蓋彩色光阻層上的過孔，能夠有效改善液晶顯示面板出現冒泡的不良現象。
[0011]本發明的目的還在于提供一種COA型液晶顯示面板的制作方法，結合BOA技術，將黑色矩陣制作于下基板上，且使黑色矩陣整面覆蓋彩色光阻層上的過孔，能夠有效改善液晶顯示面板出現冒泡的不良現象。
[0012]為實現上述目的，本發明提供一種⑶A型液晶顯示面板，包括下基板、及與所述下基板相對設置的上基板；
[0013]所述下基板包括第一襯底基板、設于所述第一襯底基板上的TFT層、設于所述TFT層上的第一鈍化層、設于所述第一鈍化層上的彩色光阻層、覆蓋所述彩色光阻層的第二鈍化層、設于所述第二鈍化層上的像素電極、及設于所述像素電極、及第二鈍化層上的黑色矩陣；
[0014]所述TFT層包括設于所述第一襯底基板上的柵極、設于柵極、及第一襯底基板上的柵極絕緣層、設于所述柵極絕緣層上的半導體層、及設于所述半導體層、及柵極絕緣層上的源極與漏極；
[0015]所述彩色光阻層對應于所述漏極上方設有第一過孔，所述第二鈍化層經由第一過孔與所述第一鈍化層相接觸，所述第二鈍化層與所述第一鈍化層在對應所述第一過孔內的區域設有第二過孔；
[0016]所述像素電極經由第二過孔與所述漏極相接觸；
[0017]所述黑色矩陣的尺寸大于所述第一過孔的尺寸而整面覆蓋所述第一過孔與第二過孔。
[0018]還包括夾設于所述上基板與下基板之間的液晶層；
[0019]所述上基板包括第二襯底基板、及設于所述第二襯底基板面向所述下基板一側上的公共電極。
[0020]還包括分別設于所述上基板與下基板相面對的一側上的配向膜。
[0021]所述彩色光阻層包括紅色色阻單元、綠色色阻單元、及藍色色阻單元；
[0022]所述彩色光阻層的厚度大于所述黑色矩陣的厚度。
[0023]所述第一、第二鈍化層為氮化硅層、氧化硅層、或者氮化硅層與氧化硅層組成的復合層，所述像素電極為銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物中的一種或多種。
[0024]本發明還提供一種COA型液晶顯示面板的制作方法，包括如下步驟:
[0025]步驟1、提供第一襯底基板，在所述第一襯底基板上形成TFT層；
[0026]所述TFT層包括設于所述第一襯底基板上的柵極、設于柵極、及第一襯底基板上的柵極絕緣層、設于所述柵極絕緣層上的半導體層、及設于所述半導體層、及柵極絕緣層上的源極與漏極；
[0027]步驟2、在所述TFT層上沉積形成第一鈍化層；
[0028]步驟3、在所述第一鈍化層上涂布形成彩色光阻層，對所述彩色光阻層進行圖案化處理，形成對應于所述漏極上方的第一過孔；
[0029]步驟4、沉積形成覆蓋所述彩色光阻層的第二鈍化層，所述第二鈍化層經由第一過孔與所述第一鈍化層相接觸；
[0030]步驟5、對所述第二鈍化層與所述第一鈍化層進行圖案化處理，在對應所述第一過孔內的區域形成第二過孔，從而露出所述漏極的部分上表面；
[0031]步驟6、在所述第二鈍化層上沉積并圖案化形成像素電極，所述像素電極經由第二過孔與所述漏極相接觸；
[0032]步驟7、在所述像素電極、及第二鈍化層上涂布并圖案化形成黑色矩陣，得到下基板；
[0033]所述黑色矩陣的尺寸大于所述第一過孔的尺寸而整面覆蓋所述第一過孔與第二過孔；
[0034]步驟8、提供上基板，將所述上基板與下基板進行對組，并在所述上基板和下基板之間灌入液晶，得到COA型液晶顯示面板。
[0035]所述步驟8提供的上基板包括第二襯底基板、及設于所述第二襯底基板面向所述下基板一側上的公共電極；
[0036]所述步驟8還包括在將所述上基板與下基板進行對組前，在所述上基板與下基板預相面對的一側上分別形成配向膜的步驟。
[0037]所述彩色光阻層包括紅色色阻單元、綠色色阻單元、及藍色色阻單元；
[0038]所述彩色光阻層的厚度大于所述黑色矩陣的厚度。
[0039]所述步驟I中形成TFT層的步驟具體包括:
[0040]步驟11、在所述第一襯底基板上沉積第一金屬層，對所述金屬層進行圖案化處理，得到柵極，在所述柵極、及所述第一襯底基板上沉積柵極絕緣層；
[0041]步驟12、在所述柵極絕緣層上沉積并圖案化形成半導體層，在所述半導體層、及柵極絕緣層上沉積第二金屬層，對所述第二金屬層進行圖案化處理，得到源極與漏極。
[0042]所述第一、第二鈍化層為氮化硅層、氧化硅層、或者氮化硅層與氧化硅層組成的復合層，所述像素電極為銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物中的一種或多種。
[0043]本發明的有益效果:本發明的COA型液晶顯示面板，黑色矩陣設于下基板的像素電極、及第二鈍化層上，且整面覆蓋彩色光阻層、第一鈍化層、及第二鈍化層上的過孔，從而加強了對彩色光阻層的保護能力，能夠防止氣泡從彩色光阻層中滲出，進而改善了液晶顯示面板因為在彩色光阻層上設置過孔而出現冒泡的不良現象，產品良率高，且制作方法簡單。本發明的COA型液晶顯示面板的制作方法，結合BOA技術，將黑色矩陣制作于下基板上，形成于像素電極之后，且使黑色矩陣整面覆蓋彩色光阻層、第一鈍化層、及第二鈍化層上的過孔，從而加強了對彩色光阻層的保護能力，能夠防止氣泡從彩色光阻層中滲出，在不增加制程道次的情況下，能夠改善液晶顯示面板出現冒泡的不良現象，提高了產品良率，制作方法簡單。
[0044]為了能更進一步了解本發明的特征以及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發明加以限制。
【附圖說明】
[0045]下面結合附圖，通過對本發明的【具體實施方式】詳細描述，將使本發明的技術方案及其他有益效果顯而易見。
[0046]附圖中，
[0047]圖1為現有的COA型液晶顯不面板的結構不意圖；
[0048]圖2為本發明的COA型液晶顯不面板的結構不意圖；
[0049]圖3為本發明的COA型液晶顯示面板的制作方法的流程示意圖。
【具體實施方式】
[0050]為更進一步闡述本發明所采取的技術手段及其效果，以下結合本發明的優選實施例及其附圖進行詳細描述。
[0051]請參閱圖2，本發明提供一種COA型液晶顯示面板，包括下基板1、與所述下基板I相對設置的上基板2、及夾設于所述上基板2與下基板I之間的液晶層(未圖示)。
[0052]所述下基板I包括第一襯底基板10、設于所述第一襯底基板10上的TFT層20、設于所述TFT層20上的第一鈍化層30、設于所述第一鈍化層30上的彩色光阻層40、覆蓋所述彩色光阻層40的第二鈍化層50、設于所述第二鈍化層50上的像素電極60、及設于所述像素電極60、及第二鈍化層50上的黑色矩陣70。
[0053]所述TFT層20包括設于所述第一襯底基板10上的柵極21、設于柵極21、及第一襯底基板10上的柵極絕緣層22、設于所述柵極絕緣層22上的半導體層23、及設于所述半導體層23、及柵極絕緣層22上的源極24與漏極25。
[0054]所述彩色光阻層40對應于所述漏極25上方設有第一過孔45，所述第二鈍化層50經由第一過孔45與所述第一鈍化層30相接觸，所述第二鈍化層50與所述第一鈍化層30在對應所述第一過孔45內的區域設有第二過孔55。
[0055]具體地，所述第二過孔55的尺寸小于所述第一過孔45的尺寸，并穿過所述第一過孔45，所述第二過孔55的孔壁屬于所述第一鈍化層30與第二鈍化層50。
[0056]具體地，所述像素電極60經由第二過孔55與所述漏極25相接觸；
[0057]具體地，所述黑色矩陣70的尺寸大于所述第一過孔45的尺寸而整面覆蓋所述第一過孔45與第二過孔55，從而加強了對彩色光阻層40的保護能力，能夠防止氣泡從彩色光阻層40中滲出。
[0058]具體地，所述上基板2包括第二襯底基板80、及設于所述第二襯底基板80面向所述下基板I 一側上的公共電極90。
[0059]具體地，所述COA型液晶顯示面板還包括分別設于所述上基板2與下基板I相面對的一側上的配向膜(未圖示)。
[0060]具體地，所述彩色光阻層40包括紅色色阻單元、綠色色阻單元、及藍色色阻單元；所述彩色光阻層40的厚度大于所述黑色矩陣70的厚度。
[0061 ]具體地，所述第一、第二鈍化層30、50為氮化硅層、氧化硅層、或者氮化硅層與氧化硅層組成的復合層。
[0062 ]優選地，所述第一、第二鈍化層30、50為氮化硅層。
[0063]具體地，所述像素電極60為銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物中的一種或多種。
[0064]優選地，所述像素電極60為銦錫氧化物。
[0065]具體地，所述像素電極60同樣整面覆蓋所述第一過孔45與第二過孔55。
[0066]本發明提供的COA型液晶顯示面板，黑色矩陣70設于下基板I的像素電極60、及第二鈍化層50上，且整面覆蓋彩色光阻層40的第一過孔45與第一、第二鈍化層30、50的第二過孔55，從而加強了對彩色光阻層40的保護能力，能夠防止氣泡從彩色光阻層40中滲出，進而改善了液晶顯示面板因為在彩色光阻層40上設置過孔而出現冒泡的不良現象，產品良率高，且制作方法簡單。
[0067]請參閱圖3，本發明還提供一種COA型液晶顯示面板的制作方法，包括如下步驟:
[0068]步驟1、提供第一襯底基板10，在所述第一襯底基板10上形成TFT層20。
[0069]具體地，所述TFT層20包括設于所述第一襯底基板10上的柵極21、設于柵極21、及第一襯底基板10上的柵極絕緣層22、設于所述柵極絕緣層22上的半導體層23、及設于所述半導體層23、及柵極絕緣層22上的源極24與漏極25。
[0070]具體地，所述步驟I中形成TFT層20的步驟具體包括:
[0071]步驟11、在所述第一襯底基板10上沉積第一金屬層，對所述金屬層進行圖案化處理，得到柵極21，在所述柵極21、及所述第一襯底基板10上沉積柵極絕緣層22。
[0072]步驟12、在所述柵極絕緣層22上沉積并圖案化形成半導體層23，在所述半導體層23、及柵極絕緣層22上沉積第二金屬層，對所述第二金屬層進行圖案化處理，得到源極24與漏極25。
[0073]步驟2、在所述TFT層20上沉積形成第一鈍化層30。
[0074]具體地，所述第一鈍化層30為氮化硅層、氧化硅層、或者氮化硅層與氧化硅層組成的復合層。
[0075]優選地，所述第一鈍化層30為氮化硅層。
[0076]步驟3、在所述第一鈍化層30上涂布形成彩色光阻層40，對所述彩色光阻層40進行圖案化處理，形成對應于所述漏極25上方的第一過孔45。
[0077]具體地，所述彩色光阻層40包括紅色色阻單元、綠色色阻單元、及藍色色阻單元。
[0078]步驟4、沉積形成覆蓋所述彩色光阻層40的第二鈍化層50，所述第二鈍化層50經由第一過孔45與所述第一鈍化層30相接觸。
[0079]具體地，所述第二鈍化層50為氮化硅層、氧化硅層、或者氮化硅層與氧化硅層組成的復合層。
[0080]優選地，所述第二鈍化層50為氮化硅層。
[0081]步驟5、對所述第二鈍化層50與所述第一鈍化層30進行圖案化處理，在對應所述第一過孔45內的區域形成第二過孔55，從而露出所述漏極25的部分上表面。
[0082]具體地，所述第二過孔55穿過所述第一過孔45，所述第二過孔55的尺寸小于所述第一過孔45的尺寸，所述第二過孔55的孔壁屬于所述第一鈍化層30與第二鈍化層50。
[0083]步驟6、在所述第二鈍化層50上沉積并圖案化形成像素電極60，所述像素電極60經由第二過孔55與所述漏極25相接觸。
[0084]具體地，所述像素電極60整面覆蓋所述第一過孔45與第二過孔55。
[0085]具體地，所述像素電極60為銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物中的一種或多種。
[0086]優選地，所述像素電極60為銦錫氧化物。
[0087]步驟7、在所述像素電極60、及第二鈍化層50上涂布并圖案化形成黑色矩陣70，得到下基板I。
[0088]具體地，所述黑色矩陣70的尺寸大于所述第一過孔45的尺寸而整面覆蓋所述第一過孔45與第二過孔55。
[0089]具體地，所述彩色光阻層40的厚度大于所述黑色矩陣70的厚度。
[0090]步驟8、提供上基板2，將所述上基板2與下基板I進行對組，并在所述上基板2和下基板I之間灌入液晶，得到COA型液晶顯示面板。
[0091]具體地，所述步驟8提供的上基板2包括第二襯底基板80、及設于所述第二襯底基板80面向所述下基板I 一側上的公共電極90。
[0092]具體地，所述步驟8還包括在將所述上基板2與下基板I進行對組前，在所述上基板2與下基板I預相面對的一側上分別形成配向膜的步驟。
[0093]與現有技術相比，本發明通過調整制程順序，結合BOA技術，將黑色矩陣70制作于下基板I上，形成于像素電極60之后，且使黑色矩陣70整面覆蓋彩色光阻層40的第一過孔45與第一、第二鈍化層30、50的第二過孔55，從而加強了對彩色光阻層40的保護能力，能夠防止氣泡從彩色光阻層40中滲出，在不增加制程道次的情況下，能夠改善液晶顯示面板出現冒泡的不良現象，提高了產品良率，制作方法簡單。
[0094]綜上所述，本發明的COA型液晶顯示面板，黑色矩陣設于下基板的像素電極、及第二鈍化層上，且整面覆蓋彩色光阻層、第一鈍化層、及第二鈍化層上的過孔，從而加強了對彩色光阻層的保護能力，能夠防止氣泡從彩色光阻層中滲出，進而改善了液晶顯示面板因為在彩色光阻層上設置過孔而出現冒泡的不良現象，產品良率高，且制作方法簡單。本發明的COA型液晶顯示面板的制作方法，結合BOA技術，將黑色矩陣制作于下基板上，形成于像素電極之后，且使黑色矩陣整面覆蓋彩色光阻層、第一鈍化層、及第二鈍化層上的過孔，從而加強了對彩色光阻層的保護能力，能夠防止氣泡從彩色光阻層中滲出，在不增加制程道次的情況下，能夠改善液晶顯示面板出現冒泡的不良現象，提高了產品良率，制作方法簡單。
[0095]以上所述，對于本領域的普通技術人員來說，可以根據本發明的技術方案和技術構思作出其他各種相應的改變和變形，而所有這些改變和變形都應屬于本發明后附的權利要求的保護范圍。
【主權項】
1.一種COA型液晶顯示面板，其特征在于，包括下基板(I)、及與所述下基板(I)相對設置的上基板(2); 所述下基板(I)包括第一襯底基板(10)、設于所述第一襯底基板(10)上的TFT層(20)、設于所述TFT層(20)上的第一鈍化層(30)、設于所述第一鈍化層(30)上的彩色光阻層(40)、覆蓋所述彩色光阻層(40)的第二鈍化層(50)、設于所述第二鈍化層(50)上的像素電極(60)、及設于所述像素電極(60)、及第二鈍化層(50)上的黑色矩陣(70); 所述TFT層(20)包括設于所述第一襯底基板(10)上的柵極(21)、設于柵極(21)、及第一襯底基板(10)上的柵極絕緣層(22)、設于所述柵極絕緣層(22)上的半導體層(23)、及設于所述半導體層(23)、及柵極絕緣層(22)上的源極(24)與漏極(25); 所述彩色光阻層(40)對應于所述漏極(25)上方設有第一過孔(45)，所述第二鈍化層(50)經由第一過孔(45)與所述第一鈍化層(30)相接觸，所述第二鈍化層(50)與所述第一鈍化層(30)在對應所述第一過孔(45)內的區域設有第二過孔(55); 所述像素電極(60)經由第二過孔(55)與所述漏極(25)相接觸； 所述黑色矩陣(70)的尺寸大于所述第一過孔(45)的尺寸而整面覆蓋所述第一過孔(45)與第二過孔(55)。2.如權利要求1所述的COA型液晶顯示面板，其特征在于，還包括夾設于所述上基板(2)與下基板(I)之間的液晶層； 所述上基板(2)包括第二襯底基板(80)、及設于所述第二襯底基板(80)面向所述下基板(I) 一側上的公共電極(90)。3.如權利要求1所述的COA型液晶顯示面板，其特征在于，還包括分別設于所述上基板(2)與下基板(I)相面對的一側上的配向膜。4.如權利要求1所述的COA型液晶顯示面板，其特征在于，所述彩色光阻層(40)包括紅色色阻單元、綠色色阻單元、及藍色色阻單元； 所述彩色光阻層(40)的厚度大于所述黑色矩陣(70)的厚度。5.如權利要求1所述的COA型液晶顯示面板，其特征在于，所述第一、第二鈍化層(30、50)為氮化硅層、氧化硅層、或者氮化硅層與氧化硅層組成的復合層，所述像素電極(60)為銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物中的一種或多種。6.一種COA型液晶顯示面板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟: 步驟1、提供第一襯底基板(10)，在所述第一襯底基板(10)上形成TFT層(20); 所述TFT層(20)包括設于所述第一襯底基板(10)上的柵極(21)、設于柵極(21)、及第一襯底基板(10)上的柵極絕緣層(22)、設于所述柵極絕緣層(22)上的半導體層(23)、及設于所述半導體層(23)、及柵極絕緣層(22)上的源極(24)與漏極(25); 步驟2、在所述TFT層(20)上沉積形成第一鈍化層(30); 步驟3、在所述第一鈍化層(30)上涂布形成彩色光阻層(40)，對所述彩色光阻層(40)進行圖案化處理，形成對應于所述漏極(25)上方的第一過孔(45); 步驟4、沉積形成覆蓋所述彩色光阻層(40)的第二鈍化層(50)，所述第二鈍化層(50)經由第一過孔(45)與所述第一鈍化層(30)相接觸； 步驟5、對所述第二鈍化層(50)與所述第一鈍化層(30)進行圖案化處理，在對應所述第一過孔(45)內的區域形成第二過孔(55)，從而露出所述漏極(25)的部分上表面； 步驟6、在所述第二鈍化層(50)上沉積并圖案化形成像素電極(60)，所述像素電極(60)經由第二過孔(55)與所述漏極(25)相接觸； 步驟7、在所述像素電極(60)、及第二鈍化層(50)上涂布并圖案化形成黑色矩陣(70)，得到下基板(I); 所述黑色矩陣(70)的尺寸大于所述第一過孔(45)的尺寸而整面覆蓋所述第一過孔(45)與第二過孔(55); 步驟8、提供上基板(2)，將所述上基板(2)與下基板(I)進行對組，并在所述上基板(2)和下基板(I)之間灌入液晶，得到COA型液晶顯示面板。7.如權利要求6所述的COA型液晶顯示面板的制作方法，其特征在于，所述步驟8提供的上基板(2)包括第二襯底基板(80)、及設于所述第二襯底基板(80)面向所述下基板(I) 一側上的公共電極(90); 所述步驟8還包括在將所述上基板(2)與下基板(I)進行對組前，在所述上基板(2)與下基板(I)預相面對的一側上分別形成配向膜的步驟。8.如權利要求6所述的COA型液晶顯示面板的制作方法，其特征在于，所述彩色光阻層(40)包括紅色色阻單元、綠色色阻單元、及藍色色阻單元； 所述彩色光阻層(40)的厚度大于所述黑色矩陣(70)的厚度。9.如權利要求6所述的COA型液晶顯示面板的制作方法，其特征在于，所述步驟I中形成TFT層(20)的步驟具體包括: 步驟11、在所述第一襯底基板(10)上沉積第一金屬層，對所述金屬層進行圖案化處理，得到柵極(21)，在所述柵極(21)、及所述第一襯底基板(10)上沉積柵極絕緣層(22); 步驟12、在所述柵極絕緣層(22)上沉積并圖案化形成半導體層(23)，在所述半導體層(23)、及柵極絕緣層(22)上沉積第二金屬層，對所述第二金屬層進行圖案化處理，得到源極(24)與漏極(25)。10.如權利要求6所述的COA型液晶顯示面板的制作方法，其特征在于，所述第一、第二鈍化層(30、50)為氮化硅層、氧化硅層、或者氮化硅層與氧化硅層組成的復合層，所述像素電極(60)為銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物中的一種或多種。
【文檔編號】G02F1/1362GK106094378SQ201610674973
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年8月16日 公開號201610674973.2, CN 106094378 A, CN 106094378A, CN 201610674973, CN-A-106094378, CN106094378 A, CN106094378A, CN201610674973, CN201610674973.2
【發明人】鄧竹明
【申請人】深圳市華星光電技術有限公司