Tft基板及其制作方法
【專利摘要】本發明提供一種TFT基板及其制作方法，該TFT基板在形成TFT基板的外圍信號走線的第二金屬層(500)上方的第二絕緣層(2)上設置若干沿各條外圍信號走線延伸方向排列的過孔(10)，并在第二絕緣層(2)上對應各條外圍信號走線的位置設置第三金屬層(800)，使第三金屬層(800)通過過孔(10)與各條外圍信號走線連接，能夠降低各條外圍信號走線的電阻，進而降低控制IC的功耗，提升TFT基板的抗靜電能力，使該TFT基板可應用于高PPI液晶顯示器及窄邊框液晶顯示器。
【專利說明】
TFT基板及其制作方法
技術領域
[0001]本發明涉及液晶顯示技術領域，尤其涉及一種TFT基板及其制作方法。
【背景技術】
[0002]液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)具有機身薄、省電、無福射等眾多優點，得到了廣泛的應用。如:液晶電視、移動電話、個人數字助理(PDA)、數字相機、計算機屏幕或筆記本電腦屏幕等，在平板顯示領域中占主導地位。
[0003]現有市場上的液晶顯示器大部分為背光型液晶顯示器，其包括液晶顯示面板及背光模組(backlight module)。液晶顯示面板的工作原理是在薄膜晶體管陣列基板(ThinFilm Transistor Array Substrate，TFT Array Substrate)與彩色濾光片基板(ColorFilter，CF)之間灌入液晶分子，并在兩片基板上施加驅動電壓來控制液晶分子的旋轉方向，以將背光模組的光線折射出來產生畫面。
[0004]主動式液晶顯示器中，每個像素電性連接一個TFT，TFT的柵極(Gate)連接至水平掃描線，漏極(Drain)連接至垂直方向的數據線，源極(Source)則連接至像素電極。在水平掃描線上施加足夠的電壓，會使得電性連接至該條水平掃描線上的所有TFT打開，從而數據線上的信號電壓能夠寫入像素，控制不同液晶的透光度進而達到控制色彩與亮度的效果。陣列基板行驅動技術(Gate Driver on Array，G0A)，是利用現有的薄膜晶體管液晶顯示器的陣列(Array)制程將柵極行掃描驅動電路制作在TFT基板上，實現對柵極逐行掃描的驅動方式。GOA技術能減少外接集成電路(Integrated Circuit，IC)的焊接(bonding)工序，有機會提升產能并降低產品成本，而且可以使液晶顯示面板更適合制作窄邊框或無邊框的顯示
τ?: 口廣PR ο
[0005]目前，隨著液晶顯示器的不斷發展，高像素密度(pixelsper inch，PPI)、輕薄和低功耗已經成為主要的發展方向。現有技術中，為了提升液晶顯示面板的PPI，會增加液晶顯示面板內部的GOA電路的級數，這會使GOA電路的負載增加，液晶顯示面板的控制IC功耗提升，增加產品的成本。為了使液晶顯示面板變得輕薄，會使面板外圍的走線距離玻璃切割邊的距離減小，會降低外圍走線抗靜電(Electrostatic Discharge，ESD)能力，從而使產品產生不良，降低產品品質。
【發明內容】
[0006]本發明的目的在于提供一種TFT基板，能夠降低TFT基板上各條外圍信號走線的電阻，降低控制IC功耗，提升TFT基板的抗靜電能力。
[0007]本發明的另一目的在于提供一種TFT基板的制作方法，能夠降低TFT基板上各條外圍信號走線的電阻，降低控制IC功耗，提升TFT基板的抗靜電能力。
[0008]為實現上述目的，本發明首先提供一種TFT基板，包括:襯底基板、設置在所述襯底基板上的第一絕緣層、設置在所述第一絕緣層上的第二金屬層、覆蓋在所述第二金屬層及第一絕緣層上的第二絕緣層、設置在第二絕緣層上的第三金屬層、及覆蓋在所述第三金屬層及第二絕緣層上的第三絕緣層；
[0009]所述第二金屬層包括多條外圍信號走線，所述第二絕緣層在各條外圍信號走線上方對應位置設有若干沿各條外圍信號走線延伸方向排列的貫穿第二絕緣層的過孔，所述第三金屬層形成于與各條金屬信號走線相對的位置，并通過過孔與各條外圍信號走線電性連接。
[0010]所述多條外圍信號走線包括:G0A電路的直流高電位信號線、直流低電位信號線、時鐘信號線、以及TFT基板的接地線。
[0011]所述第一絕緣層包括:自下而上層疊設置的緩沖層、柵極絕緣層、層間介電層。
[0012]所述第二絕緣層包括:自下而上層疊設置的平坦化層、及頂層絕緣層。
[0013]所述層間介電層與柵極絕緣層之間還設有第一金屬層。
[0014]本發明還提供一種TFT基板的制作方法，包括以下步驟:
[0015]步驟1、提供一襯底基板，在所述襯底基板上形成第一絕緣層，在所述第一絕緣層上沉積并圖案化第二金屬層，在所述第二金屬層上第二絕緣層；
[0016]所述第二金屬層包括多條外圍信號走線；
[0017]步驟2、在所述第二絕緣層上對應各條外圍信號走線的位置形成若干沿各條外圍信號走線的延伸方向排列的貫穿第二絕緣層的過孔；
[0018]步驟3、在所述第二絕緣層上沉積并圖案化第三金屬層，使第三金屬層形成于與各條外圍信號走線相對的位置，并通過若干過孔與各條外圍信號走線電性連接；
[0019]步驟4、在所述第二絕緣層及第三金屬層上沉積第三絕緣層，完成TFT基板的制作。
[0020]所述多條外圍信號走線包括:G0A電路的直流高電位信號線、直流低電位信號線、時鐘信號線、以及TFT基板的接地線。
[0021]所述步驟I中第一絕緣層包括:自下而上層疊設置的緩沖層、柵極絕緣層、層間介電層。
[0022]所述步驟I中第二絕緣層包括:自下而上層疊設置的平坦化層、及頂層絕緣層。
[0023]所述步驟I中還包括在所述層間介電層與柵極絕緣層之間形成第一金屬層。
[0024]本發明的有益效果:本發明提供的TFT基板，在形成TFT基板的外圍信號走線的第二金屬層上方的第二絕緣層上設置若干沿各條外圍信號走線延伸方向排列的過孔，并在第二絕緣層上對應各條外圍信號走線的位置設置第三金屬層，使第三金屬層通過過孔與各條外圍信號走線連接，能夠降低各條外圍信號走線的電阻，進而降低控制IC的功耗，提升TFT基板的抗靜電能力，使該TFT基板可應用于高PPI液晶顯示器及窄邊框液晶顯示器。本發明提供的TFT基板的制作方法，能夠降低各條外圍信號走線電阻降低控制IC功耗，提升TFT基板的抗靜電能力。
【附圖說明】
[0025]為了能更進一步了解本發明的特征以及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發明加以限制。
[0026]附圖中，
[0027]圖1為本發明的TFT基板的俯視示意圖；
[0028]圖2為本發明的TFT基板的剖視示意圖；
[0029]圖3為本發明的TFT基板的制作方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0030]為更進一步闡述本發明所采取的技術手段及其效果，以下結合本發明的優選實施例及其附圖進行詳細描述。
[0031 ]請參閱圖1至圖3，本發明提供一種TFT基板，該TFT基板為利用GOA技術的內嵌式(In Cell)觸控顯示面板的TFT基板，包括:襯底基板100、設置在所述襯底基板100上的第一絕緣層1、設置在所述第一絕緣層I上的第二金屬層500、覆蓋在所述第二金屬層500及第一絕緣層I上的第二絕緣層2、設置在第二絕緣層2上的第三金屬層800、及覆蓋在所述第三金屬層800及第二絕緣層2上的第三絕緣層3;
[0032]所述第二金屬層500包括多條外圍信號走線，所述第二絕緣層2各條外圍信號走線上方對應位置設有若干沿各條外圍信號走線延伸方向排列的貫穿第二絕緣層的過孔10，所述第三金屬層800形成于與各條金屬信號走線相對的位置，并通過過孔10與各條外圍信號走線電性連接。
[0033]具體地，所述多條外圍信號走線包括:GOA電路的直流高電位信號線、直流低電位信號線、時鐘信號線、以及TFT基板的接地線，其中，GOA電路的直流高電位信號線、直流低電位信號線、及時鐘信號線用于控制GOA電路完成驅動顯示面板的行掃描，各種外圍信號走線均可以根據需要設置相應的條數。其中，在直流高電位信號線、直流低電位信號線、及時鐘信號線CK上設置第三金屬層800能夠有效降低直流高電位信號線、直流低電位信號線、及時鐘信號線的電阻，降低控制IC的功耗，并且減少了GOA電路輸出掃描控制信號的延遲，提升像素的充電效果。而在接地線上設置第三金屬層800能夠有效提升接地線的抗ESD能力。
[0034]進一步地，所述第一絕緣層I包括:自下而上層疊設置的緩沖層200、柵極絕緣層300、層間介電層400，其中，在緩沖層200與柵極絕緣層300之間形成有遮光層，在柵極絕緣層300與層間介電層400之間還形成有第一金屬層，所述第一金屬層用于形成TFT基板上各個TFT的柵極、及與柵極電性連接的掃描線，而第二金屬層500除了形成有上述的多條外圍信號線，還形成有TFT基板上各個TFT的源極、漏極、及與所述源極電性連接的數據線。
[0035]此外，所述第二絕緣層2包括:自下而上層疊設置的平坦化層600、及頂層絕緣層700，所述第三絕緣層3包括:自下而上層疊設置的第一鈍化層910、及第二鈍化層920，在所述平坦化層600與所述頂層絕緣層700之間還形成有顯示面板的底層電極，而所述第三金屬層800還形成有觸控感應電極，可通過一次圖案化制程形成該觸控感應電極、及各個外圍信號線上的第三金屬層800，從而在不影響現有的工藝流程及盒厚的情況下，在各個外圍信號線上增加第三金屬層800。
[0036]所述第三絕緣層3包括:自下而上層疊設置的第一鈍化層910、及第二鈍化層920，所述第二鈍化層920上還設有頂層電極。
[0037]具體地，所述第一絕緣層1、第二絕緣層2、及第三絕緣層3的材料均可以選擇氧化硅、氮化硅中的一種或多種的組合。
[0038]請同時參閱圖1至3，基于上述TFT基板，本發明還提供一種TFT基板的制作方法，包括以下步驟:
[0039]步驟1、提供一襯底基板100，在所述襯底基板100上形成第一絕緣層I，在所述第一絕緣層I上沉積并圖案化第二金屬層500，在所述第二金屬層500上第二絕緣層2;
[0040]所述第二金屬層500包括多條外圍信號走線。
[0041]具體地，所述第一絕緣層I包括:自下而上層疊設置的緩沖層200、柵極絕緣層300、層間介電層400，所述第二絕緣層2包括:自下而上層疊設置的平坦化層600、及頂層絕緣層700。
[0042]進一步地，所述步驟I具體包括:首先在所述襯底基板100上形成緩沖層200，然后在所述緩沖層200上形成遮光層，接著在所述遮光層、及緩沖層200上形成柵極絕緣層300，隨后在柵極絕緣層300上形成第一金屬層，接著在第一金屬層上形成層間介電層400，接下來在層間介電層400上形成第二金屬層500，接著在第二金屬層500上形成平坦化層600，接著在所述平坦化層600上形成底層電極，最后在底層電極及平坦化層600上形成頂層絕緣層700。
[0043]步驟2、在所述第二絕緣層2上對應各條外圍信號走線的位置形成若干沿各條外圍信號走線的延伸方向排列的貫穿第二絕緣層2的過孔10。
[0044]具體地，所述多條外圍信號走線包括:GOA電路的直流高電位信號線、直流低電位信號線、時鐘信號線、以及TFT基板的接地線，其中，GOA電路的直流高電位信號線、直流低電位信號線、及時鐘信號線用于控制GOA電路完成驅動顯示面板的行掃描，各種外圍信號走線均可以根據需要設置相應的條數。
[0045]步驟3、在所述第二絕緣層2上沉積并圖案化第三金屬層800，使第三金屬層800形成于與各條外圍信號走線相對的位置，并通過若干過孔10與各條外圍信號走線電性連接。
[0046]具體地，所述第三金屬層800除了形成于與各條外圍信號走線相對的位置外，還對應形成In Cell觸控顯示面板的觸控感應電極，可通過一次圖案化制程形成該觸控感應電極、及各個外圍信號線上的第三金屬層800，從而在不影響現有的工藝流程及盒厚的情況下，在各個外圍信號線上增加第三金屬層800。其中，在直流高電位信號線、直流低電位信號線、及時鐘信號線CK上設置第三金屬層800能夠有效降低直流高電位信號線、直流低電位信號線、及時鐘信號線的電阻，降低控制IC的功耗，并且減少了 GOA電路輸出掃描控制信號的延遲，提升像素的充電效果。而在接地線上設置第三金屬層800能夠有效提升接地線的抗ESD能力。
[0047]步驟4、在所述第二絕緣層2及第三金屬層800上沉積第三絕緣層3，完成TFT基板的制作。
[0048]具體地，所述第三絕緣層3包括:自下而上層疊設置的第一鈍化層910、及第二鈍化層920，此外在所述第三絕緣層3還設有頂層電極。
[0049]具體地，所述第一絕緣層1、第二絕緣層2、及第三絕緣層3的材料均可以選擇氧化硅、氮化硅中的一種或多種的組合。
[0050]綜上所述，本發明提供的TFT基板，在形成TFT基板的外圍信號走線的第二金屬層上方的第二絕緣層上設置若干沿各條外圍信號走線延伸方向排列的過孔，并在第二絕緣層上對應各條外圍信號走線的位置設置第三金屬層，使第三金屬層通過過孔與各條外圍信號走線連接，能夠降低各條外圍信號走線的電阻，進而降低控制IC的功耗，提升TFT基板的抗靜電能力，使該TFT基板可應用于高PPI液晶顯示器及窄邊框液晶顯示器。本發明提供的TFT基板的制作方法，能夠降低各條外圍信號走線電阻降低控制IC功耗，提升TFT基板的抗靜電能力。
[0051]以上所述，對于本領域的普通技術人員來說，可以根據本發明的技術方案和技術構思作出其他各種相應的改變和變形，而所有這些改變和變形都應屬于本發明后附的權利要求的保護范圍。
【主權項】
1.一種TFT基板，其特征在于，包括:襯底基板(100)、設置在所述襯底基板(100)上的第一絕緣層(I)、設置在所述第一絕緣層(I)上的第二金屬層(500)、覆蓋在所述第二金屬層(500)及第一絕緣層(I)上的第二絕緣層(2)、設置在第二絕緣層(2)上的第三金屬層(800)、及覆蓋在所述第三金屬層(800)及第二絕緣層(2)上的第三絕緣層(3); 所述第二金屬層(500)包括多條外圍信號走線，所述第二絕緣層(2)在各條外圍信號走線上方對應位置設有若干沿各條外圍信號走線延伸方向排列的貫穿第二絕緣層(2)的過孔(10)，所述第三金屬層(800)形成于與各條金屬信號走線相對的位置，并通過過孔(10)與各條外圍信號走線電性連接。2.如權利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述多條外圍信號走線包括:GOA電路的直流高電位信號線、直流低電位信號線、時鐘信號線、以及TFT基板的接地線。3.如權利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述第一絕緣層(I)包括:自下而上層疊設置的緩沖層(200)、柵極絕緣層(300)、層間介電層(400)。4.如權利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述第二絕緣層(2)包括:自下而上層疊設置的平坦化層(600)、及頂層絕緣層(700)。5.如權利要求3所述的TFT基板，其特征在于，所述層間介電層(400)與柵極絕緣層(300)之間還設有第一金屬層。6.一種TFT基板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟: 步驟1、提供一襯底基板(100)，在所述襯底基板(100)上形成第一絕緣層(I)，在所述第一絕緣層(I)上沉積并圖案化第二金屬層(500)，在所述第二金屬層(500)上第二絕緣層(2)； 所述第二金屬層(500)包括多條外圍信號走線； 步驟2、在所述第二絕緣層(2)上對應各條外圍信號走線的位置形成若干沿各條外圍信號走線的延伸方向排列的貫穿第二絕緣層(2)的過孔(10); 步驟3、在所述第二絕緣層(2)上沉積并圖案化第三金屬層(800)，使第三金屬層(800)形成于與各條外圍信號走線相對的位置，并通過若干過孔(10)與各條外圍信號走線電性連接； 步驟4、在所述第二絕緣層(2)及第三金屬層(800)上沉積第三絕緣層(3)，完成TFT基板的制作。7.如權利要求6所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述多條外圍信號走線包括:GOA電路的直流高電位信號線、直流低電位信號線、時鐘信號線、以及TFT基板的接地線。8.如權利要求6所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步驟I中第一絕緣層(I)包括:自下而上層疊設置的緩沖層(200)、柵極絕緣層(300)、層間介電層(400)。9.如權利要求6所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步驟I中第二絕緣層(2)包括:自下而上層疊設置的平坦化層(600)、及頂層絕緣層(700)。10.如權利要求8所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步驟I中還包括在所述層間介電層(400)與柵極絕緣層(300)之間形成第一金屬層。
【文檔編號】G02F1/1362GK106094373SQ201610387619
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年6月2日 公開號201610387619.1, CN 106094373 A, CN 106094373A, CN 201610387619, CN-A-106094373, CN106094373 A, CN106094373A, CN201610387619, CN201610387619.1
【發明人】馬亮
【申請人】武漢華星光電技術有限公司