液晶顯示裝置的制造方法

液晶顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本公開提供一種顯示裝置。所述顯示裝置包括：TFT陣列基板；在TFT陣列基板上的柱狀間隔物；以及位于柱狀間隔物下的不透光材料層，所述不透光材料層接觸柱狀間隔物的下表面，并且由具有與所述柱狀間隔物不同折射率的不透光材料形成。
【專利說明】
液晶顯示裝置
[0001] 相關申請的交叉引用
[0002] 本申請要求2015年4月30日提交于韓國知識產權局的韓國專利申請第10-2015-0061170號的優先權，其公開內容通過引用并入本文中。
技術領域
[0003] 本公開涉及液晶顯示裝置和其中所使用的柱狀間隔物結構。
【背景技術】
[0004] 液晶顯示(IXD)裝置具有高對比度和低功耗，并且適于顯示動態圖像。因此，已被 應用于各種領域例如膝上型計算機、監視器和TV。液晶具有薄且長的液晶分子。另外，液晶 在取向和偏振方面表現出具有方向性的光學各向異性：當液晶處于電場中時，液晶的取向 可以根據電場的強度進行變化。因此，LCD裝置利用液晶的光學各向異性和偏振實現了圖 像。
[0005] -般地，IXD裝置包括通過接合兩個面對基板以及在兩個面對基板之間設置液晶 層而制造的液晶面板。在兩個基板的內表面上形成有電極。施加至電極的電場引起液晶分 子取向的變化，因此引起透光率的變化。
[0006] 由于液晶面板的透光率的差異，所以允許由置于液晶面板的背面上的背光單元提 供的光通過。通過當由背光單元提供的光穿過濾色器時實現的顏色組合顯示為彩色圖像。
[0007] 一般地，IXD裝置制造工藝可以分為基板制造工藝、盒工藝和模塊工藝。基板制造 工藝是用于單獨制造陣列基板和濾色器基板的工藝。盒工藝是用于完成液晶面板的工藝。 另外，模塊工藝是用于集成液晶面板和背光單元的工藝。
[0008] 具體地，在基板制造工藝中，在每個基板上多次重復薄膜沉積、光刻、蝕刻等以實 現薄膜晶體管(TFT)陣列層和濾色層。在盒工藝中，在TFT陣列基板和濾色器基板中的任意 一者上形成用于接合的密封圖案，并且使兩個基板彼此面對接合，兩個基板之間置入有液 晶層以完成液晶面板。在模塊工藝中，將已完成的液晶面板接合至偏振板、驅動電路等，并 且然后與背光單元集成以完成LCD裝置。
[0009] 同時，在TFT陣列基板與濾色器基板之間置有間隔物以保持TFT陣列基板與濾色器 基板之間的恒定間隙。間隔物根據其形狀和放置方法可以分類為球狀間隔物和柱狀間隔 物。球狀間隔物散布在陣列基板或濾色器基板上，柱狀間隔物通過圖案化形成在陣列基板 或濾色器基板上。近來，能夠在特定位置處形成為期望形狀的柱狀間隔物已得到廣泛應用。

【發明內容】

[0010] 本公開的一個目的是提供柱狀間隔物和使用柱狀間隔物的液晶顯示裝置。更具體 地，本公開的目的是提供如下柱狀間隔物結構:其包括下表面上不透光的材料，因此能夠確 保利用光測量高度的精確性。另外，本公開的另一目的是提供通過使用具有特定結構的柱 狀間隔物制造的液晶顯示裝置。
[0011] 根據本公開的一個方面，提供一種液晶顯示裝置。所述液晶顯示裝置包括:TFT陣 列基板;在TFT陣列基板上的柱狀間隔物；以及位于柱狀間隔物下的不透光材料層，所述不 透光材料層接觸柱狀間隔物的下表面，并且由具有與所述柱狀間隔物不同折射率的不透光 材料形成。
[0012] 根據本公開的另一方面，提供一種液晶顯示裝置。所述液晶顯示裝置包括:一對基 板；以及位于所述一對基板中的一個上的柱狀間隔物。在柱狀間隔物陣列中的所有的柱狀 間隔物配置為保持所述一對基板之間的間隙。柱狀間隔物陣列中的至少一些柱狀間隔物可 以包括具有不同的折射率的上端面和下端面以測量其高度。
[0013] 根據本公開的示例性實施方案，在柱狀間隔物的下端部分采用特定結構。因此，能 夠精確地測量柱狀間隔物的尚度。因此，能夠提尚液晶顯不裝置制造工藝的精確性，并且能 夠減小產品的缺陷率。另外，通過應用上述柱狀間隔物和制造工藝，能夠減小根據示例性實 施方案的液晶顯示裝置的質量變化。
【附圖說明】
[0014] 根據結合附圖的以下詳細描述，本公開的上述和其他的方面、特征和其他的優點 將更清楚地理解，在附圖中：
[0015] 圖1是根據本公開一個示例性實施方案的液晶顯示裝置的示意性平面圖；
[0016] 圖2是根據本公開一個示例性實施方案的液晶顯示裝置的示意性截面圖；
[0017] 圖3是根據本公開另一示例性實施方案的液晶顯示裝置的示意性截面圖；
[0018] 圖4A和圖4B是根據本公開一個示例性實施方案的柱狀間隔物的高度的測量的概 念圖；
[0019] 圖5A和圖5B是示出根據本公開一個示例性實施方案的柱狀間隔物的周圍的平面 圖和截面圖。
【具體實施方式】
[0020] 在描述本公開的部件時，可以使用術語例如第一、第二、A、B、（a)和(b)。這些術語 僅用于區分該部件與另一部件。因此，對應的部件的性能、順序、次序等不受限于這些術語。 應當理解的是，當元件被稱為"連接至"或"耦接至"另一元件時，其可以直接連接至或直接 耦接至另一元件，或者連接至或耦接至另一元件，其間仍然具有另一元件"插入"或"連接" 或"親接"他們。當元件或層被稱為在另一元件或層"上"時，可以存在插入元件或層。由于附 圖中示出的各個部件的尺寸和厚度是為了方便說明而表示的，所以本公開不必受限于各個 部件所示出的尺寸和厚度。
[0021 ]本公開的各個實施方案的特征可以部分地或整體地彼此接合或組合，并且本領域 技術人員可以通過各種技術方式進行聯鎖和操作，并且實施方案可以單獨或彼此相關聯地 進行。
[0022] 下文中，將參照附圖對本公開的各種示例性實施方案進行詳細描述。
[0023] 圖1是根據本公開一個示例性實施方案的液晶顯示裝置的示意性平面圖。圖2是根 據本公開一個示例性實施方案的液晶顯示裝置的示意性截面圖。
[0024] 參考圖1和圖2,液晶顯示(IXD)裝置100包括:第一基板(TFT陣列基板）110、第二基 板(濾色器基板）115、薄膜晶體管(TFT)130、平坦化層122和平坦化層123、公共電極140、像 素電極150、柱狀間隔物160、不透光材料層170、黑矩陣180等。為了方便說明，圖1僅示出了 IXD裝置100的一些元件。
[0025]第一基板110是LCD裝置100的陣列基板，并且包括多個像素和像素驅動元件(晶體 管、電容器等）。多個像素可以通過相互交叉的柵極線GL和數據線DL來限定。在LCD裝置100 中，N條柵極線GL和Μ條數據線DL相互交叉并且存在NXM個像素。然而，為了方便說明，圖1僅 示出了兩個紅色像素 R、兩個綠色像素 G和兩個藍色像素 Β。參考圖1，在平面上多個像素被依 次限定為綠色像素 G、藍色像素 Β和紅色像素 R。
[0026] 在第一基板110上形成有TFT 130JFT 130設置為對應于像素 R、像素 G和像素 Β中 的每一個。每個TFT 130包括柵電極131、有源層132、源電極133和漏電極134。具體地，在第 一基板110上形成有電連接至柵極線GL的柵電極131，并且在柵電極131上形成有柵極絕緣 層121。在柵極絕緣層121上形成有包括溝道的有源層132。另外，在有源層132上形成有電連 接至數據線DL的漏電極134和電連接至像素電極150的源電極133。有源層132可以由非晶 硅、多晶硅、氧化物半導體等形成。
[0027]第一平坦化層122形成為覆蓋第一基板110上的TFT 130。第一平坦化層122使在其 上形成有TFT 130的第一基板110的上部平坦化。第一平坦化層122可以由具有低介電常數 的有機絕緣材料例如光丙烯酸類物質形成。盡管在圖2中未示出，但是在TFT 130上還可以 形成有附加的鈍化層，并且第一平坦化層122可以形成在鈍化層上。
[0028] 在第一平坦化層122上形成有公共電極140。公共電極140是用于驅動液晶層的電 極。公共電極140在除了形成有用于將像素電極150電連接至TFT 130的源電極133的接觸孔 的區域之外的區域中形成為單個圖案。盡管在圖1和圖2中未示出，但是公共電極140可以通 過單獨的接觸孔電連接至設置成與柵極線GL平行的公共線。
[0029] 在公共電極140上形成有第二平坦化層123。第二平坦化層123保護公共電極140并 且還使公共電極140的上部平坦化。第二平坦化層123可以由與第一平坦化層122的材料相 同的材料形成，或者可以由與第一平坦化層122的材料不同的絕緣材料形成。
[0030] 在第二平坦化層123上形成有像素電極150。像素電極150是用于驅動液晶層的電 極。像素電極150在每個像素中形成為盒形，并且在第二平坦化層123上包括多個狹縫。像素 電極150通過形成在第一平坦化層122和第二平坦化層123中的接觸孔電連接至TFT 130的 源電極133。如圖1中所示，像素電極150可以具有在中心部彎曲至少一次的形狀。像素電極 150和公共電極140可以由透明導電材料形成。
[0031] 圖1示出了像素電極150形成為盒形并且包括多個狹縫，并且公共電極140形成為 單個圖案。然而，公共電極140而不是像素電極150可以包括多個狹縫，并且像素電極150和 公共電極140可以形成在同一層。
[0032] 第二基板115是LCD裝置100的濾色器基板并且面對第一基板110。在第二基板115 上形成有黑矩陣180,黑矩陣180將多個像素定義為遮光區和開放區。也就是說，形成有黑矩 陣180的區域被定義為遮光區，未形成有黑矩陣180的區域被定義為開放區。在對應于遮光 區的區域中，形成有各種驅動元件和線如TFT 130、數據線DL和柵極線GL。在定義為開放區 的區域中，形成有像素電極150和公共電極140。
[0033] 在形成有黑矩陣180的第二基板115上形成有多個濾色器190。具體地，形成有紅色 濾色器191、綠色濾色器192和藍色濾色器193以分別對應于紅色像素 R、綠色像素 G和藍色像 素 B的開放區。紅色濾色器191、綠色濾色器192和藍色濾色器193中的每一個的一部分可以 與黑矩陣180交疊。
[0034] 在第二基板115上形成有上覆層124以覆蓋黑矩陣180、紅色濾色器191、綠色濾色 器192和藍色濾色器193。上覆層124是用于使在其上形成有黑矩陣180、紅色濾色器191、綠 色濾色器192和藍色濾色器193的第二基板115的下部平坦化的層。上覆層124由絕緣材料形 成。上覆層124可以由與第一平坦化層122的材料相同的材料形成。
[0035] 在第一基板110與第二基板115之間形成有柱狀間隔物160。柱狀間隔物160可以保 持IXD裝置100的盒間隙。柱狀間隔物160形成在形成有黑矩陣180的遮光區上。
[0036] 如圖2所示，柱狀間隔物160可以設置成對應于藍色像素 B與紅色像素 R之間的遮光 區。也就是說，柱狀間隔物160可以形成為與形成在藍色像素 B與紅色像素 R之間的遮光區上 的數據線DL交疊并且與黑矩陣180交疊。
[0037] 在柱狀間隔物160的下表面與第二平坦化層123的上表面之間可以形成有不透光 材料層170。不透光材料不允許外部光大幅入射到不透光材料中。也就是說，大部分外部光 在不透光材料層170的表面上被反射。另外，不透光材料層170可以由折射率與柱狀間隔物 160的折射率不同的材料形成。也就是說，不透光材料層170和柱狀間隔物160可以是不同的 介質。因此，從面對柱狀間隔物160的特定的外部裝置中發射出的光可以入射到柱狀間隔物 160的上表面(最接近于第二基板的表面）。在這種情況下，部分光在上表面上被反射，并且 剩余的入射到柱狀間隔物160中。另外，入射到柱狀間隔物160中的光在柱狀間隔物160的下 表面上(離第二基板最遠的表面)上被反射而沒有穿過不透光材料層170。也就是說，從外部 裝置朝向柱狀間隔物發射出的光在兩部分上(柱狀間隔物的上表面和不透光材料層170的 上表面)被反射。通過利用這個性能，能夠測量柱狀間隔物160的高度。將參考圖4對柱狀間 隔物160的高度的測量進行更詳細地描述。
[0038] 不透光材料層170可以由金屬材料、與黑矩陣180的材料相同的材料等形成。本文 中，不透光材料層170可以具有足以以預定比率或更大比率反射入射光的厚度。例如，不透 光材料層170的高度可以根據材料的性能來不同地確定，并且可以為例如約2300 Λ。
[0039] 不透光材料層170和柱狀間隔物160形成為彼此接觸。參考圖2,不透光材料層170 和柱狀間隔物160可以設置成使得不透光材料層170的上表面和柱狀間隔物160的下表面彼 此接觸。
[0040] 圖1和圖2示出了柱狀間隔物160位于紅色像素 R與藍色像素 B之間，但是本公開不 限于此。柱狀間隔物160可以形成在紅色像素 R與綠色像素 G之間或綠色像素 G與藍色像素 B 之間。
[0041] 在第一基板110的第二平坦化層123上可以形成有第一取向膜，在第二基板115的 上覆層124上可以形成有第二取向膜。第一取向膜和第二取向膜可以由聚酰亞胺(PI)形成。
[0042] 在第一基板110與第二基板115之間置入有液晶層。液晶層可以置入在第一基板 110的第二平坦化層123與第二基板115的上覆層124之間。具體地，液晶層可以置入在第一 取向膜與第二取向膜之間。
[0043] 在IXD裝置100中還可以包括用于向IXD裝置100的液晶層提供光的背光單元。
[0044] 圖1和圖2示出了柱狀間隔物160形成在第一基板110的一側。然而，柱狀間隔物160 可以形成在第二基板115的一側。另外，柱狀間隔物160和用于測量柱狀間隔物160的高度的 結構(例如不透光材料層)可以形成在顯示面板的外側，即在母板(母玻璃)上。也就是說，為 了檢驗LCD裝置制造工藝的精確性，它們可以形成在測量柱狀間隔物的高度需要的任何位 置處。
[0045] 圖3是根據本公開另一示例性實施方案的液晶顯示(LCD)裝置的示意性截面圖。
[0046] 除了公共電極140和像素電極150設置在第二平坦化層123上，并且像素電極150通 過連接導體145連接至TFT 130之外，在圖3中示出的LCD裝置與圖2中的LCD裝置基本上相 同。
[0047] 另外，在圖3中示出的LCD裝置還可以包括在公共電極140上的電阻減小導體170'。 在柱狀間隔物160下的結構170(例如，不透光材料層)可以在制造導體170'的同時形成。在 這種情況下，用于在柱狀間隔物160下添加結構170的工藝可以更加簡化。同時，為了抑制結 構170的腐蝕，在第二平坦化層123上的絕緣層125-2可以覆蓋結構170的側表面和上表面。
[0048] 同時，不透光材料層170可以是包括在柱狀間隔物160中的一部分。也就是說，首先 制造包括形成為不透光材料層的下端面的柱狀間隔物:所述不透光材料層用于將從外部測 量裝置發射出并且入射到柱狀間隔物的上端面的光反射到外部測量裝置。然后，可以將柱 狀間隔物置于兩個基板之間。
[0049]圖4A和圖4B是根據本公開一個示例性實施方案的柱狀間隔物的高度的測量的概 念圖。
[0050] 在LCD裝置制造過程期間，在制造柱狀間隔物160之后有必要測量柱狀間隔物160 的高度。對于LCD裝置均勻地保持整個LCD裝置的液晶層的高度是重要的。液晶層的高度(即 盒間隙）的均勻性與顯示質量直接相關。因此，有必要檢驗用于保持盒間隙的柱狀間隔物是 否具有均勻的高度。
[0051]在該過程中，可以使用用于測量柱狀間隔物的高度的裝置200。外部測量裝置200 的一個實例是干涉儀。外部測量裝置200將光照射到測量目標并且利用反射光和返回光的 干涉來測量高度。例如干涉儀是配置為引起干涉并且分析由此產生的干涉圖案的裝置。干 涉圖案分析方法可以分為以下兩種方法。
[0052]首先，相移干涉測量法(PSI)是利用具有長臨時干涉距離的單色波長產生干涉圖 案，然后根據具體的數學公式測量高度的方法。也就是說，它是通過分析一個相的位移來測 量高度的方法。
[0053]其次，白光掃描干涉法(WSI)是利用具有短臨時干涉距離的白光測量高度的方法。 利用具有短臨時干涉距離的白光產生干涉圖案。然后，干涉圖案通過利用以納米(nm)單位 移動的壓電元件掃描目標物體而移動。然后，利用黑白交替觀測來自測量目標物體的最高 部分的強度的變化。利用具體的算法分析強度的變化以測量高度。這種方法被稱為WSI。由 于白光干涉具有短臨時干涉距離，如果用預定的量對某個物體進行掃描，那么干涉首先從 最高部分發生。如果觀測到來自從物體的高部分的強度的變化，那么對強度的變化進行檢 驗以區分哪里高哪里低。
[0054]在通過WSI對柱狀間隔物160的高度進行測量的情況下，如果利用光干涉觀察到強 度的變化，那么分別在介質變化地方對應于部分160a和160b形成峰點，如圖4B所示。在峰點 之間的間隙可以轉換為距離，因此，可以計算高度。由于介質在柱狀間隔物160的上表面 160a和下表面160b處變化，所以會出現兩個峰點0和1。在這種情況下，如果非常薄或透明的 材料位于下表面160b下，那么第二峰點（峰點1)會不清晰地出現。具體地，如果用作鈍化層 的透明有機薄膜位于柱狀間隔物下，那么當利用干涉儀對高度進行測量時，干涉儀不能區 分鈍化層和柱狀間隔物。
[0055]因此，為了易于辨認柱狀間隔物的下表面160b，如果不透光材料層被設置在柱狀 間隔物下，那么下表面160b可以清楚地辨認出。如圖4B所示，如果不透光材料層設置在柱狀 間隔物下，那么可以清楚地區分出峰點。
[0056] 圖5A和圖5B是示出根據本公開一個示例性實施方案的柱狀間隔物的周圍的平面 圖和截面圖。
[0057] 圖5A是從上基板的方向看柱狀間隔物的情況下的平面圖。參考圖5A，可以看到柱 狀間隔物160、柱狀間隔物160下的不透光材料層170以及包圍不透光材料層170的絕緣層 125-2。不透光材料層170與柱狀間隔物160的下表面接觸，并且可以由不透光的金屬、炭黑 等形成。
[0058]不透光材料層170可以設置成以與柱狀間隔物160的整個下端面對應。另外，為了 工藝方便，不透光材料層170可以設置成比柱狀間隔物160的整個下端面較寬。也就是說，不 透光材料層170可以設置成在與柱狀間隔物160的下端面對應的位置處具有與柱狀間隔物 160的下端面相等的或較大的面積。
[0059] 絕緣層125-2設置為覆蓋不透光材料層170的一部分或整體。圖5A和圖5B示出了絕 緣層125-2覆蓋不透光材料層170的一部分。圖3和圖4示出了絕緣層125-2可以覆蓋結構170 的側面和上表面。然而，絕緣層125-2可以設置成以預定距離與結構170分隔開而不覆蓋結 構170的側面和上表面。絕緣層125-2可以與不透光材料層170位于同一層。
[0060] 還可以對本公開的示例性實施方案進行如下描述：
[0061] 根據本公開一個示例性實施方案的液晶顯示裝置可以包括:TFT陣列基板;在TFT 陣列基板上的柱狀間隔物；以及位于柱狀間隔物下的不透光材料層，所述不透光材料層接 觸柱狀間隔物的下表面，并且由折射率與柱狀間隔物的折射率不同的不透光材料形成。
[0062] 不透光材料層可以配置成反射從面對柱狀間隔物的上表面的方向入射到柱狀間 隔物中的光。
[0063] 不透光材料層可以具有足以以預定比率或更大比率反射入射光的厚度。
[0064] 不透光材料層可以由金屬材料形成。
[0065]液晶顯示裝置還可以包括位于與不透光材料層相同的層并且覆蓋不透光材料層 的一部分的絕緣層。
[0066]不透光材料層可以位于平坦化層上，并且平坦化層可以使設置在TFT陣列基板上 的TFT的上部平坦化。
[0067] 液晶顯示裝置還可以包括濾色器基板，在濾色器基板上，在對應于柱狀間隔物的 位置處設置有黑矩陣。不透光材料層可以由與黑矩陣的材料相同的材料形成。
[0068]根據本公開另一示例性實施方案的液晶顯示裝置可以包括:一對基板；以及位于 所述一對基板中的一個上的柱狀間隔物陣列。在柱狀間隔物陣列中的所有的柱狀間隔物配 置成保持所述一對基板之間的間隙。在柱狀間隔物陣列中的至少一些柱狀間隔物可以包括 具有不同的折射率的上端面和下端面以測量其高度。
[0069] 至少一些柱狀間隔物可以接觸不透光材料層使得其下端面將從外部測量裝置發 射出并且入射到柱狀間隔物的上端面中的光反射至外部測量裝置。
[0070] 至少一些柱狀間隔物可以配置成具有不透光材料層，使得其下端面將從外部測量 裝置發射出并且入射到柱狀間隔物的上端面中的光反射至外部測量裝置。
[0071] 柱狀間隔物陣列可以位于在一對基板之間設置有像素和用于驅動像素的元件的 基板上。
[0072] 提供前面的描述和附圖僅用于示出本公開的技術構思，但本領域技術人員將理解 的是，在不脫離本公開的范圍的情況下，可以做出各種修改和改變，例如部件的組合、分離、 替換和替代。
【主權項】
1. 一種液晶顯示裝置，包括： TFT陣列基板； 在所述TFT陣列基板上的柱狀間隔物；以及 位于所述柱狀間隔物下的不透光材料層，所述不透光材料層接觸所述柱狀間隔物的下 表面，并且由具有與所述柱狀間隔物不同折射率的不透光材料形成。2. 根據權利要求1所述的液晶顯示裝置，其中所述不透光材料層配置為反射從面對柱 狀間隔物的上表面的方向入射到柱狀間隔物中的光。3. 根據權利要求2所述的液晶顯示裝置，其中所述不透光材料層具有足以以預定比率 或更大比率反射入射光的厚度。4. 根據權利要求2所述的液晶顯示裝置，其中所述不透光材料層由金屬材料形成。5. 根據權利要求1所述的液晶顯示裝置，其中所述不透光材料層位于平坦化層上，以及 所述平坦化層使設置在所述TFT陣列基板上的TFT的上部平坦化。6. 根據權利要求1所述的液晶顯示裝置，還包括： 濾色器基板，在所述濾色器基板上，在與所述柱狀間隔物對應的位置處設置有黑矩陣， 其中所述不透光材料層由與所述黑矩陣相同的材料形成。7. -種液晶顯示裝置，包括： 一對基板；以及 位于所述一對基板中的一個上的柱狀間隔物陣列， 其中所述柱狀間隔物陣列中的所有的柱狀間隔物配置為保持所述一對基板之間的間 隙，以及 所述柱狀間隔物陣列中的至少一些柱狀間隔物包括具有不同的折射率的上端面和下 端面以測量其高度。8. 根據權利要求7所述的液晶顯示裝置，其中所述至少一些柱狀間隔物接觸不透光材 料層，使得其下端面將從外部測量裝置發射出并且入射到所述柱狀間隔物的上端面中的光 反射至所述外部測量裝置。9. 根據權利要求7所述的液晶顯示裝置，其中所述至少一些柱狀間隔物配置成為不透 光材料層，使得其下端面將從外部測量裝置發射出并且入射到所述柱狀間隔物的上端面中 的光反射至所述外部測量裝置。10. 根據權利要求7所述的液晶顯示裝置，其中所述柱狀間隔物陣列位于所述一對基板 之中的設置有像素和用于驅動所述像素的元件的基板上。
【文檔編號】G02F1/1339GK106094354SQ201610266166
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年4月26日 公開號201610266166.7, CN 106094354 A, CN 106094354A, CN 201610266166, CN-A-106094354, CN106094354 A, CN106094354A, CN201610266166, CN201610266166.7
【發明人】樸正煥, 鄭塤, 曹碩鎬
【申請人】樂金顯示有限公司