一種液晶顯示面板及裝置的制造方法
【專利摘要】本發明提供一種液晶顯示面板及裝置，所述面板包括：第一基板、第二基板；第一基板包括柵極區，第二基板包括：第二襯底基板、第二透明導電層；第二透明導電層位于所述第二襯底基板上；所述第二透明導電層包括間隙區，所述間隙區與所述柵極區的位置相對應。本發明的液晶顯示面板及裝置，通過將與柵極對應位置的公共電極刻蝕掉，使得柵極與公共電極之間不會產生電場，避免對氧化物半導體材料造成影響，提高了薄膜晶體管的導電性能。
【專利說明】
一種液晶顯示面板及裝置
【技術領域】
[0001]本發明涉及液晶顯示器技術領域，特別是涉及一種液晶顯示面板及裝置。
【【背景技術】】
[0002]隨著顯示器的不斷發展，使得對顯示器的性能要求越來越高。比如以陣列基板為例，現有的陣列基板包括:襯底基板、第一金屬層、柵絕緣層、有源層、第二金屬層;第一金屬層包括柵極;柵絕緣層部分位于第一金屬層上，有源層部分位于柵絕緣層上，用于形成溝道;第二金屬層位于有源層上，包括源極、漏極。由于氧化物半導體材料比非晶硅材料具有更高的載流子濃度，可以實現快速充電，提高充電率等優點，因此現有的有源層通常采用氧化物半導體材料制成。
[0003]但是，氧化物半導體材料的穩定性較差，容易受到光、熱、電的影響。比如當柵極與彩膜基板側的公共電極之間存在著電壓差時，在兩者之間形成電場，從而影響氧化物半導體材料的導電性能，導致薄膜晶體管的導電性能下降
[0004]因此，有必要提供一種液晶顯示面板及裝置，以解決現有技術所存在的問題。
【
【發明內容】
】
[0005]本發明的目的在于提供一種液晶顯示面板及裝置，以解決現有技術中有源層容易受到柵極和公共電極之間的電場的影響，導致薄膜晶體管的導電性能比較差的技術問題。
[0006]為解決上述技術問題，本發明構造了一種液晶顯示面板，其包括:
[0007]第一基板，其包括:
[0008]第一襯底基板；
[0009]第一金屬層，位于所述襯底基板上，包括薄膜晶體管的柵極區；
[0010]柵絕緣層，部分位于所述第一金屬層上，用于隔離所述第一金屬層和第二金屬層；[0011 ]有源層，部分位于所述柵絕緣層上，用于形成溝道;所述有源層的材料為氧化物半導體材料；
[0012]第二金屬層，位于所述有源層上，包括薄膜晶體管的源極區和漏極區；
[0013]第一絕緣層，位于所述第二金屬層上，其上設置有過孔；以及
[0014]第一透明導電層，位于所述第一絕緣層上及所述過孔內；以及
[0015]第二基板，其包括:
[0016]第二襯底基板；以及
[0017]第二透明導電層，位于所述第二襯底基板上;所述第二透明導電層包括間隙區，所述間隙區與所述柵極區的位置相對應。
[0018]在本發明的液晶顯示面板中，所述第二基板還包括色阻層和黑色矩陣；所述色阻層包括多個彩膜色阻;所述色阻層位于所述第二襯底基板和所述第二透明導電層之間，所述黑色矩陣位于相鄰兩個彩膜色阻之間。
[0019]在本發明的液晶顯示面板中，所述第一基板還包括色阻層，所述色阻層位于所述第一透明導電層和所述第一絕緣層之間。
[0020]在本發明的液晶顯示面板中，所述色阻層與所述第一透明導電層之間還設置有第二絕緣層。
[0021]在本發明的液晶顯示面板中，所述第一基板還包括黑色矩陣，所述色阻層包括多個彩膜色阻，所述黑色矩陣位于相鄰兩個彩膜色阻之間。
[0022]在本發明的液晶顯示面板中，所述黑色矩陣在所述第一襯底基板上的投影面積大于所述溝道在所述第一襯底基板上的投影面積。
[0023]在本發明的液晶顯示面板中，在與所述溝道對應的位置上設置有間隔子，所述間隔子的材料為遮光材料。
[0024]在本發明的液晶顯示面板中，所述間隔子在所述第一襯底基板上的投影面積大于所述溝道在所述第一襯底基板上的投影面積。
[0025]本發明還提供一種液晶顯示裝置，其包括:
[0026]背光模塊，以及
[0027]液晶顯示面板，其包括:
[0028]第一基板，其包括:
[0029]第一襯底基板；
[0030]第一金屬層，位于所述襯底基板上，包括薄膜晶體管的柵極區；
[0031 ]柵絕緣層，部分位于所述第一金屬層上，用于隔離所述第一金屬層和第二金屬層；
[0032]有源層，部分位于所述柵絕緣層上，用于形成溝道;所述有源層的材料為氧化物半導體材料；
[0033]第二金屬層，位于所述有源層上，包括薄膜晶體管的源極區和漏極區；
[0034]第一絕緣層，位于所述第二金屬層上，其上設置有過孔；以及
[0035]第一透明導電層，位于所述第一絕緣層上及所述過孔內；以及
[0036]第二基板，其包括:
[0037]第二襯底基板；以及
[0038]第二透明導電層，位于所述第二襯底基板上;所述第二透明導電層包括間隙區，所述間隙區與所述柵極區的位置相對應。
[0039]在本發明的液晶顯示裝置中，所述第二基板還包括色阻層和黑色矩陣；所述色阻層包括多個彩膜色阻;所述色阻層位于所述第二襯底基板和所述第二透明導電層之間，所述黑色矩陣位于相鄰兩個彩膜色阻之間。
[0040]本發明的液晶顯示面板及裝置，通過將與柵極對應位置的公共電極刻蝕掉，使得柵極與公共電極之間不會產生電場，避免對氧化物半導體材料造成影響，提高了薄膜晶體管的導電性能。
【【附圖說明】】
[0041]圖1為本發明第一種液晶顯示面板的結構示意圖；
[0042]圖2為本發明第一種液晶顯示面板的優選結構示意圖；
[0043]圖3為本發明第二種液晶顯示面板的結構示意圖；
[0044]圖4為本發明第二種液晶顯示面板的優選結構示意圖。【【具體實施方式】】
[0045]以下各實施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發明可用以實施的特定實施例。本發明所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內」、「外」、「側面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本發明，而非用以限制本發明。在圖中，結構相似的單元是以相同標號表示。
[0046]請參照圖1，圖1為本發明第一種液晶顯示面板的結構示意圖。
[0047]如圖1所示，本發明的液晶顯示包括:第一基板10、第二基板20、以及位于所述第一基板10和所述第二基板20之間的液晶層30，第一基板10和第二基板20相對設置，所述第一基板10比如為陣列基板，所述第二基板20比如為彩膜基板。
[0048]第一基板10包括:第一襯底基板11、第一金屬層12、柵絕緣層13、有源層14、第二金屬層15、第一絕緣層16、第一透明導電層17 ；
[0049]第一金屬層12位于所述第一襯底基板11上，第一金屬層12包括薄膜晶體管的柵極區；柵絕緣層13部分位于所述第一金屬層12上，用于隔離所述第一金屬層12和第二金屬層15;有源層14，部分位于所述柵絕緣層13上，用于形成溝道;其中所述有源層14的材料為氧化物半導體材料，比如銦鎵鋅氧化物IGZO;第二金屬層15位于所述有源層14上，第二金屬層15包括薄膜晶體管的源極區和漏極區；第一絕緣層16位于所述第二金屬層15上，其上設置有過孔;第一透明導電層17位于所述第一絕緣層16上及所述過孔內；第一透明導電層17包括像素電極，該過孔用于連接漏極與像素電極。
[0050]第二基板20包括:第二襯底基板21、色阻層22、黑色矩陣23、第二透明導電層24;色阻層22位于第二襯底基板21上，其包括多個彩膜色阻，比如紅色彩膜、藍色彩膜、綠色彩膜等等；黑色矩陣23設置在相鄰兩個彩膜色阻之間。第二透明導電層24位于色阻層22上，所述第二透明導電層24包括公共電極和間隙區(比如虛線框101所示的區域)，所述間隙區與所述柵極區的位置相對應，具體地，所述間隙區在所述第一襯底基板11上的投影與所述薄膜晶體管的柵極區在所述第一襯底基板11上的投影重疊。可以理解的是，所述公共電極在所述第一襯底基板上的投影與所述薄膜晶體管的柵極區在所述第一襯底基板上的投影不重置。
[0051]比如通過蝕刻或者曝光顯影的方式將與柵極對應的透明導電層去掉，使得柵極與公共電極之間不會產生電場，避免對氧化物半導體材料造成影響，提高了薄膜晶體管的導電性能。
[0052]優選地，所述黑色矩陣23在所述第一襯底基板11上的投影面積大于所述溝道在所述第一襯底基板11上的投影面積，進一步地，兩者之間的面積差值位于預設范圍內，該預設范圍可以根據經驗值設定，比如接近O的范圍。通過黑色矩陣對溝道進行遮光，從而避免了光照對氧化物半導體材料造成影響，進一步提高了薄膜晶體管的導電性能。
[0053]優選地，如圖2所示，在與所述溝道對應的位置上設置有間隔子18，所述間隔子18的材料為遮光材料，該遮光材料比如為黑色矩陣的材料。從而避免光照對氧化物半導體材料造成影響，提高了薄膜晶體管的導電性能。
[0054]所述間隔子18在所述第一襯底基板11上的投影面積大于所述溝道在所述第一襯底基板11上的投影面積，進一步地，兩者之間的面積差值位于預設范圍內，該預設范圍可以根據經驗值設定，比如接近O的范圍。比如間隔子對溝道遮光的面積越大，能更好地提高薄膜晶體管的導電性能。
[0055]本發明的液晶顯示面板，通過將與柵極對應位置的公共電極刻蝕掉，使得柵極與公共電極之間不會產生電場，避免對氧化物半導體材料造成影響，提高了薄膜晶體管的導電性能。
[0056]請參照圖3，圖3為本發明第二種液晶顯示面板的結構示意圖。
[0057]如圖3所示，本發明的液晶顯示包括:第一基板40、第二基板50、以及位于所述第一基板40和所述第二基板50之間的液晶層30，第一基板40和第二基板50相對設置，所述第一基板40比如為COA基板。
[0058]第一基板40包括:第一襯底基板41、第一金屬層42、柵絕緣層43、有源層44、第二金屬層45、還可以設置第一絕緣層46、色阻層47、第一透明導電層48;
[0059]第一金屬層42位于所述第一襯底基板41上，第一金屬層42包括薄膜晶體管的柵極區；柵絕緣層43部分位于所述第一金屬層42上，用于隔離所述第一金屬層42和第二金屬層45;有源層44，部分位于所述柵絕緣層43上，用于形成溝道;其中所述有源層44的材料為氧化物半導體材料，比如銦鎵鋅氧化物IGZO;第二金屬層45位于所述有源層44上，第二金屬層45包括薄膜晶體管的源極區和漏極區；第一絕緣層46位于所述第二金屬層45上，第一絕緣層46位于所述第二金屬層45上，色阻層47位于所述第一絕緣層46上，色阻層47和第一透明導電層48之間還可以設置有第二絕緣層，在所述第二絕緣層上設置有過孔，第一透明導電層48位于所述第二絕緣層上及所述過孔內；第一透明導電層48包括像素電極，該過孔用于連接漏極與像素電極。
[0060]所述第一基板40還可以包括黑色矩陣49，所述色阻層47包括多個彩膜色阻，所述黑色矩陣49位于相鄰兩個彩膜色阻之間。
[0061]第二基板50包括:第二襯底基板51、第二透明導電層52;第二透明導電層52位于第二襯底基板51上，所述第二透明導電層52包括公共電極和間隙區(比如虛線框201所示的區域)，所述間隙區與所述柵極區的位置相對應，具體地，所述間隙區在所述第一襯底基板41上的投影與所述薄膜晶體管的柵極區在所述第一襯底基板41上的投影重疊。可以理解的是，所述公共電極在所述第一襯底基板上的投影與所述薄膜晶體管的柵極區在所述第一襯底基板上的投影不重疊。
[0062]比如通過蝕刻或者曝光顯影的方式將與柵極對應的透明導電層去掉，使得柵極與公共電極之間不會產生電場，避免對氧化物半導體材料造成影響，提高了薄膜晶體管的導電性能。
[0063]優選地，所述黑色矩陣49在所述第一襯底基板41上的投影面積大于所述溝道在所述第一襯底基板41上的投影面積，進一步地，兩者之間的面積差值位于預設范圍內，該預設范圍可以根據經驗值設定，比如接近O的范圍。通過黑色矩陣對溝道進行遮光，從而避免了光照對氧化物半導體材料造成影響，進一步提高了薄膜晶體管的導電性能。
[0064]優選地，如圖4所示，在與所述溝道對應的位置上設置有間隔子60，所述間隔子60的材料為遮光材料，該遮光材料比如為黑色矩陣的材料。從而避免光照對氧化物半導體材料造成影響，提高了薄膜晶體管的導電性能。
[0065]所述間隔子60在所述第一襯底基板41上的投影面積大于所述溝道在所述第一襯底基板41上的投影面積，進一步地，兩者之間的面積差值位于預設范圍內，該預設范圍可以根據經驗值設定，比如接近O的范圍。比如間隔子對溝道遮光的面積越大，能更好地提高薄膜晶體管的導電性能。
[0066]本發明的液晶顯示面板，通過將與柵極對應位置的公共電極刻蝕掉，使得柵極與公共電極之間不會產生電場，避免對氧化物半導體材料造成影響，提高了薄膜晶體管的導電性能。
[0067]本發明還提供一種液晶顯示裝置，其包括液晶顯示面板，該液晶顯示面板包括:第一基板、第二基板、以及液晶層；
[0068]第一基板包括:第一襯底基板、第一金屬層、柵絕緣層、有源層、第二金屬層、第一絕緣層、第一透明導電層；
[0069]第一金屬層，位于所述襯底基板上，包括薄膜晶體管的柵極區；柵絕緣層，部分位于所述第一金屬層上，用于隔離所述第一金屬層和第二金屬層;有源層，部分位于所述柵絕緣層上，用于形成溝道;所述有源層的材料為氧化物半導體材料;第二金屬層，位于所述有源層上，包括薄膜晶體管的源極區和漏極區；第一絕緣層，位于所述第二金屬層上，其上設置有過孔;第一透明導電層，位于所述第一絕緣層上及所述過孔內；以及
[0070]第二基板，其包括:第二襯底基板、第二透明導電層;第二透明導電層，位于所述第二襯底基板上;所述第二透明導電層包括間隙區，所述間隙區與所述柵極區的位置相對應。
[0071]本發明的液晶顯示裝置可以包括上述任意一種液晶顯示面板，請具體參見上述液晶顯示面板的描述，在此不再贅述。
[0072]本發明的液晶顯示裝置，通過將與柵極對應位置的公共電極刻蝕掉，使得柵極與公共電極之間不會產生電場，避免對氧化物半導體材料造成影響，提高了薄膜晶體管的導電性能。
[0073]綜上所述，雖然本發明已以優選實施例揭露如上，但上述優選實施例并非用以限制本發明，本領域的普通技術人員，在不脫離本發明的精神和范圍內，均可作各種更動與潤飾，因此本發明的保護范圍以權利要求界定的范圍為準。
【主權項】
1.一種液晶顯示面板，其特征在于，包括: 第一基板，其包括: 第一襯底基板； 第一金屬層，位于所述襯底基板上，包括薄膜晶體管的柵極區； 柵絕緣層，部分位于所述第一金屬層上，用于隔離所述第一金屬層和第二金屬層；有源層，部分位于所述柵絕緣層上，用于形成溝道;所述有源層的材料為氧化物半導體材料； 第二金屬層，位于所述有源層上，包括薄膜晶體管的源極區和漏極區； 第一絕緣層，位于所述第二金屬層上，其上設置有過孔； 第一透明導電層，位于所述第一絕緣層上及所述過孔內；以及 第二基板，其包括: 第二襯底基板； 第二透明導電層，位于所述第二襯底基板上;所述第二透明導電層包括間隙區，所述間隙區與所述柵極區的位置相對應。2.根據權利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于， 所述第二基板還包括色阻層和黑色矩陣；所述色阻層包括多個彩膜色阻；所述色阻層位于所述第二襯底基板和所述第二透明導電層之間，所述黑色矩陣位于相鄰兩個彩膜色阻之間。3.根據權利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于， 所述第一基板還包括色阻層，所述色阻層位于所述第一透明導電層和所述第一絕緣層之間。4.根據權利要求3所述的液晶顯示面板，其特征在于， 所述色阻層與所述第一透明導電層之間還設置有第二絕緣層。5.根據權利要求3所述的液晶顯示面板，其特征在于， 所述第一基板還包括黑色矩陣，所述色阻層包括多個彩膜色阻，所述黑色矩陣位于相鄰兩個彩膜色阻之間。6.根據權利要求3或4所述的液晶顯示面板，其特征在于， 所述黑色矩陣在所述第一襯底基板上的投影面積大于所述溝道在所述第一襯底基板上的投影面積。7.根據權利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于， 在與所述溝道對應的位置上設置有間隔子，所述間隔子的材料為遮光材料。8.根據權利要求7所述的液晶顯示面板，其特征在于， 所述間隔子在所述第一襯底基板上的投影面積大于所述溝道在所述第一襯底基板上的投影面積。9.一種液晶顯示裝置，其特征在于，包括: 背光模塊，以及 液晶顯示面板，其包括: 第一基板，其包括: 第一襯底基板； 第一金屬層，位于所述襯底基板上，包括薄膜晶體管的柵極區； 柵絕緣層，部分位于所述第一金屬層上，用于隔離所述第一金屬層和第二金屬層；有源層，部分位于所述柵絕緣層上，用于形成溝道;所述有源層的材料為氧化物半導體材料； 第二金屬層，位于所述有源層上，包括薄膜晶體管的源極區和漏極區； 第一絕緣層，位于所述第二金屬層上，其上設置有過孔；以及 第一透明導電層，位于所述第一絕緣層上及所述過孔內；以及 第二基板，其包括: 第二襯底基板；以及 第二透明導電層，位于所述第二襯底基板上;所述第二透明導電層包括間隙區，所述間隙區與所述柵極區的位置相對應。10.根據權利要求9所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 所述第二基板還包括色阻層和黑色矩陣；所述色阻層包括多個彩膜色阻；所述色阻層位于所述第二襯底基板和所述第二透明導電層之間，所述黑色矩陣位于相鄰兩個彩膜色阻之間。
【文檔編號】G02F1/1362GK106054480SQ201610638585
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年8月4日 公開號201610638585.9, CN 106054480 A, CN 106054480A, CN 201610638585, CN-A-106054480, CN106054480 A, CN106054480A, CN201610638585, CN201610638585.9
【發明人】甘啟明
【申請人】深圳市華星光電技術有限公司