用于光學鄰近修正修復的方法
【專利摘要】本發明提供一種用于光學鄰近修正修復的方法，所述方法包括：選擇包含問題圖案的特定圖案；對整個芯片進行掃描以定位與所述特定圖案相匹配的特定區域；以及在所述特定區域內實施光學鄰近修正修復。本發明所提供的用于光學鄰近修正修復的方法基于圖案匹配使得光學鄰近修正修復可以在錯誤標記指定的較小區域內高效執行，不對其他區域造成不期望的影響。
【專利說明】
用于光學鄰近修正修復的方法
技術領域
[0001]本發明涉及半導體技術領域，具體而言涉及一種用于光學鄰近修正修復(OpticalProximity Correct1n repair, OPC repair)的方法。
【背景技術】
[0002]隨著集成電路的復雜度越來越高，特征尺寸也變的越來越小。當集成電路的特征尺寸接近光刻機曝光的系統極限，即特征尺寸接近或小于光刻光源時，硅片上制造出的版圖會出現明顯的畸變，該現象稱為光學鄰近效應。為了應對光學鄰近效應，提出了分辨率增強技術。其中，光學鄰近修正(即0PC)已成為最重要的技術。
[0003]通常實施OPC以確保最終輪廓在垂直和水平方向上均具有足夠的關鍵尺寸(Critical Dimens1n,⑶)，同時需要滿足空間限制。OPC修復流程可以包括例如邊緣移動，然而有些情形不適用邊緣移動。例如輪廓的水平尺寸受到光罩規則檢查(Mask RuleCheck, MRC)的限制，同時它的垂直尺寸又受到設計規則檢查(Design Rule Check, DRC)的限制。在此情況下，添加輔助圖形可能是一種解決方法。然而，有時進行邊緣移動和/或輪廓再成形(reshape)是必需的，現有的OPC修復流程對其無法進行處理。實質上，任何通過簡單的邊緣移動無法解決的壞點(weak point)都將對修復流程提出嚴峻的挑戰。
【發明內容】
[0004]針對現有技術的不足，本發明提供一種用于光學鄰近修正修復的方法，所述方法包括:選擇包含問題圖案的特定圖案；對整個芯片進行掃描以定位與所述特定圖案相匹配的特定區域；以及在所述特定區域內實施光學鄰近修正修復。
[0005]在本發明的一個實施例中，所述問題圖案包括關鍵尺寸不符合期望尺寸的圖案。
[0006]在本發明的一個實施例中，所述在所述特定區域內實施光學鄰近修正修復包括在所述特定區域內的合適位置處添加不會在光刻膠上形成圖形的輔助圖形。
[0007]在本發明的一個實施例中，所述輔助圖形包括散射條(scattering bar, SB)。
[0008]在本發明的一個實施例中，所述散射條的參數基于所述問題圖案和工藝狀況來確定。
[0009]在本發明的一個實施例中，所述方法還包括對所述散射條的參數進行優化。
[0010]在本發明的一個實施例中，所述在所述特定區域內實施光學鄰近修正修復包括在所述特定區域內使問題圖案重新進行目標定位(retarget)。
[0011]在本發明的一個實施例中，所述在所述特定區域內實施光學鄰近修正修復包括在所述特定區域內使問題圖案進行邊緣移動。
[0012]在本發明的一個實施例中，所述方法是針對連接孔層的光學鄰近修正修復。
[0013]在本發明的一個實施例中，所述連接孔為接觸孔(contact，CT)。
[0014]本發明所提供的用于光學鄰近修正修復的方法基于圖案匹配使得光學鄰近修正修復可以在錯誤標記指定的較小區域內高效執行，不對其他區域造成不期望的影響。
【附圖說明】
[0015]本發明的下列附圖在此作為本發明的一部分用于理解本發明。附圖中示出了本發明的實施例及其描述，用來解釋本發明的原理。
[0016]附圖中:
[0017]圖1示出了接觸孔的關鍵尺寸出現異常的示例；
[0018]圖2示出了根據本發明一個實施例的用于光學鄰近修正修復的方法的流程圖；
[0019]圖3示出了采用圖2的方法進行光學鄰近修正修復的示例；
[0020]圖4示出了采用圖2的方法后圖1的接觸孔的關鍵尺寸恢復正常的示意圖；以及
[0021]圖5示出了采用圖2的方法進行光學鄰近修正修復的另一示例。
【具體實施方式】
[0022]在下文的描述中，給出了大量具體的細節以便提供對本發明更為徹底的理解。然而，對于本領域技術人員而言顯而易見的是，本發明可以無需一個或多個這些細節而得以實施。在其他的例子中，為了避免與本發明發生混淆，對于本領域公知的一些技術特征未進行描述。
[0023]應當理解的是，本發明能夠以不同形式實施，而不應當解釋為局限于這里提出的實施例。相反地，提供這些實施例將使公開徹底和完全，并且將本發明的范圍完全地傳遞給本領域技術人員。
[0024]在此使用的術語的目的僅在于描述具體實施例并且不作為本發明的限制。在此使用時，單數形式的“一”、“一個”和“所述/該”也意圖包括復數形式，除非上下文清楚指出另外的方式。還應明白術語“組成”和/或“包括”，當在該說明書中使用時，確定所述特征、整數、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個或更多其它的特征、整數、步驟、操作、元件、部件和/或組的存在或添加。在此使用時，術語“和/或”包括相關所列項目的任何及所有組合。
[0025]為了徹底理解本發明，將在下列的描述中提出詳細的步驟以及詳細的結構，以便闡釋本發明提出的技術方案。本發明的較佳實施例詳細描述如下，然而除了這些詳細描述夕卜，本發明還可以具有其他實施方式。
[0026]OPC已經成為集成電路制造工藝中關鍵尺寸控制和良率提升不可缺少的途徑。例如，對接觸孔等連通孔的OPC程序(recipe)通常被調整用于確保最終的輪廓在垂直和水平方向上具有足夠的關鍵尺寸，同時它們又需要滿足空間限制。即使是調整較好的程序也可能使某些輪廓不符合規格。通常可以應用修復流程來解決剩余的壞點。修復流程通常實施邊緣移動來重新對接觸孔進行目標定位。然而，有時簡單的邊緣移動并不適用于某些情形。
[0027]圖1示出了接觸孔的關鍵尺寸出現異常的示例。如圖1所示，箭頭所指的接觸孔沿水平方向的關鍵尺寸偏小(例如圖1中示出為61.75納米(nm))，不符合規格。然而，該問題接觸孔的水平尺寸受到MRC的限制，同時垂直尺寸受到DRC的限制，因此不適用于通過簡單的邊緣移動來處理。這里，MRC對兩個接觸孔邊緣之間的最小距離有限制，DRC對接觸孔在AA區域上的最大延伸有限制。此時，可以通過添加輔助圖形來解決關鍵尺寸的問題。然而，對于一些情況，接觸孔移動和再成形是必需的。在此情況下，現有的修復流程無法進行處理。
[0028]圖2示出了根據本發明一個實施例的用于光學鄰近修正修復的方法200的流程圖。如圖2所示，方法200包括以下步驟:
[0029]步驟201:選擇包含問題圖案的特定圖案。具體地，可以選擇包含問題圖案的小片區域，以形成特定圖案。其中，問題圖案例如可以包括關鍵尺寸不符合期望尺寸的圖案。例如，如圖1所示箭頭指向的接觸孔由于其相對孤立的環境而導致其水平方向的關鍵尺寸偏小。
[0030]步驟202:對整個芯片進行掃描以定位與該特定圖案相匹配的特定區域。具體地，可以采用圖案匹配的方法在整個芯片中定位出與步驟201中形成的特定圖案相匹配的圖案區域，以形成即將在其上進行光學鄰近修正修復的特定區域。
[0031]步驟203:在該特定區域內實施光學鄰近修正修復。其中，在特定區域內實施光學鄰近修正修復可以包括在特定區域內的合適位置處添加不會在光刻膠上形成圖形的輔助圖形。對于圖1示出的孤立接觸孔圖形，可以在其周圍添加亞分辨率輔助圖形，使其具有密集圖形的特性，從而改善其光強分布，提高成像質量。
[0032]具體地，可以在該特定區域內的合適位置處添加散射條。散射條的參數可以基于問題圖案和工藝狀況來確定。可選地，還可以對散射條的參數進行優化。例如，散射條的關鍵參數可以包括寬度和散射條的邊界到主圖形邊界的距離。這兩個參數的變化對散射條效果的影響很大。通過模擬，可以在特定工藝條件下對這兩個參數進行優化。散射條技術不僅能進行鄰近效應校正、提高工藝焦深，而且還能降低掩膜誤差因子、減小光學透鏡色差的影響。散射條技術將孤立圖形和半密集圖形變為密集圖形，使其與密集圖形的工藝窗口相匹配，從而使整個圖形更容易加工。
[0033]圖3示出了采用圖2的方法進行光學鄰近修正修復的示例。在圖3中以接觸孔為例，如圖3所示，箭頭指向的接觸孔為關鍵尺寸出現異常的接觸孔。如圖3所示，選擇包含問題圖案的一小片區域(如圖3中的橢圓圈中的區域)形成特定圖案，然后通過對整個芯片進行掃描，定位到與特定圖案相匹配的特定區域，再在該特定區域的期望位置處精確地添加散射條。
[0034]以該方式，最終可以在期望位置處添加散射條，而不影響其他不同位置的散射條，結果的輪廓的關鍵尺寸得到了修復，正如圖4所示的。在圖4中，對圖1的接觸孔采用圖2的方法后，水平方向的關鍵尺寸得到了修復，增大為66.25納米。
[0035]根據本發明的一個實施例，在特定區域內實施光學鄰近修正修復還可以包括在特定區域內使問題圖案重新進行目標定位。圖5示出了采用圖2的方法進行光學鄰近修正修復的另一示例，圖5以接觸孔為例，如圖5所示，形成特定圖案以及圖案匹配后，在特定區域實施接觸孔重新目標定位。特定圖案內下側的小多邊形為問題圖案，問題圖案外側的方框指定經重新目標定位的接觸孔。
[0036]本領域普通技術人員可以理解，除了在特定區域內添加散射條、重新目標定位之夕卜，還可以在特定區域內的期望位置處進行任何其他的修復操作(例如在特定區域內使問題圖案進行邊緣移動等)，而不會對其他位置的圖案產生影響，提供強健而高效的修復。
[0037]本發明已經通過上述實施例進行了說明，但應當理解的是，上述實施例只是用于舉例和說明的目的，而非意在將本發明限制于所描述的實施例范圍內。此外本領域技術人員可以理解的是，本發明并不局限于上述實施例，根據本發明的教導還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發明所要求保護的范圍以內。本發明的保護范圍由附屬的權利要求書及其等效范圍所界定。
【主權項】
1.一種用于光學鄰近修正修復的方法，其特征在于，所述方法包括: 選擇包含問題圖案的特定圖案； 對整個芯片進行掃描以定位與所述特定圖案相匹配的特定區域；以及 在所述特定區域內實施光學鄰近修正修復。2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述問題圖案包括關鍵尺寸不符合期望尺寸的圖案。3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述特定區域內實施光學鄰近修正修復包括在所述特定區域內的合適位置處添加不會在光刻膠上形成圖形的輔助圖形。4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述輔助圖形包括散射條。5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，所述散射條的參數基于所述問題圖案和工藝狀況來確定。6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法還包括對所述散射條的參數進行優化。7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述特定區域內實施光學鄰近修正修復包括在所述特定區域內使問題圖案重新進行目標定位。8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述特定區域內實施光學鄰近修正修復包括在所述特定區域內使問題圖案進行邊緣移動。9.如權利要求1-8中的任意一項所述的方法，其特征在于，所述方法是針對連接孔層的光學鄰近修正修復。10.如權利要求9所述的方法，其特征在于，所述連接孔為接觸孔。
【文檔編號】G03F1/36GK106033172SQ201510121332
【公開日】2016年10月19日
【申請日】2015年3月19日
【發明人】杜杳雋
【申請人】中芯國際集成電路制造(上海)有限公司