陣列基板及陣列基板的制作方法、顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本發明提供一種陣列基板及陣列基板的制作方法、顯示裝置，涉及顯示技術領域。陣列基板，包括：一基板，設置有呈十字型交叉布置的復數條數據線和復數條掃描線；復數條公共電極線，一該公共電極線布置在兩相鄰的數據線之間；主動元件，設置在該復數條數據線與該復數條掃描線的十字型交叉區域；像素電極，以各個該十字型交叉區域為中心形成有復數個重復排列的像素電極單元，且通過一第一接觸孔與該主動元件電性連接；透明電極，在該復數條數據線和該復數條掃描線限定的區域內，形成復數個重復排列的透明電極單元，該透明電極單元與該公共電極線電性連接。本發明同時還公開了該陣列基板的制造方法。
【專利說明】
陣列基板及陣列基板的制作方法、顯示裝置
技術領域
[0001]本發明涉及顯示技術領域，特別涉及一種具有高透光率的陣列基板及陣列基板的制作方法、顯示裝置。
【背景技術】
[0002]垂直電場型液晶顯示模式是最基本的液晶顯示模式，包括TN(Twisted Nematic,扭曲向列型)、VA(Vertical Alignment，垂直配向)等液晶顯示模式。目前市場上的TN面板多是改良型的TN+film，film即補償膜，用于彌補TN面板可視角度的不足，目前改良的TN面板的可視角度都達到160° JA類面板是現在高端液晶應用較多的面板類型，屬于廣視角面板。VA類面板又分為MVA(Multi_domain Vertical Alignment，多象限垂直配向技術)面板、PVA(Patterned Vertical Alignment)面板、PSVA(Polymer Stabilizat1n VerticalAlignment，聚合物穩定垂直配向)面板、UV2A(UV Vertical Alignment，UV光垂直配向)面板j等等。
[0003]垂直電場型液晶顯示模式的像素結構分為TFT側的像素結構和CF側的像素結構兩部分。TFT側的像素結構主要實現TFT-LCD的電學功能，是決定像素電容效應、配向延遲效應、灰階電壓寫入特性和保持特性的主要方面。CF側的像素結構主要實現TFT-LCD的光學功能，是決定TFT-1XD對比度和色度域的主要方面。
[0004]TFT側的像素結構一般采用Cs on COM結構。Cs on COM結構的特點是，像素電極覆蓋在金屬公共電極線上形成存儲電容。公共電極線的位置可以在像素的上下兩側，也可以在像素的中央。公共電極線延伸到數據線兩側的結構起到遮光的作用。像素電極與公共電極線重疊的區域就是像素的存儲電容面積。
[0005]CF側的像素一般包括黑色矩陣BM、RGB色阻、間隙子、公共電極等結構。CF側像素的結構主要由濾光和遮光兩部分組成:濾光結構由RGB色層構成，遮光結構由黑色矩陣構成。CF側像素結構的設計關鍵是把握黑色矩陣的遮光尺寸，以及RGB色層與黑色矩陣遮光層的重疊量。黑色矩陣遮光結構的設計，目的是要防止CF基板和TFT基板貼合偏移后出現漏光現象。如果CF和TFT基板的貼合精度為6um，那么公共電極線的遮光線段靠近數據線一側的邊與黑色矩陣挨著色層一側的邊之間的距離至少要保證在6um以上。這個設計規則的存在，使得像素的實際開口率很低，降低了像素的光利用效率。
[0006]為了提高像素的光利用效率，一種做法是像FFS(Fringe Field Switching，邊緣電場開關)那樣把金屬公共電極線更換為透明電極。FFS在掃描線層的下方需要通過一道ITO-PR工藝，在每個像素的底層形成面狀分布的COM電極。FFS像素的掃描線、數據線和TFT開關的功能與其他顯示模式共通，與掃描線同層的細條狀金屬COM線的主要功能是向底層面狀COM電極提供穩定的COM電壓，像素電極在四周連接成環狀，由TFT開關進行供電。頂層連接像素電壓的ITO圖案和底層連接COM電壓的ITO圖案重疊形成像素的存儲電容Cs。
[0007]借鑒FFS的透明底層面狀COM電極的設計方法，可以在TN、VA等垂直配向型液晶顯示模式中導入透明底層面狀COM電極，提升像素的光利用效率。
【發明內容】
[0008]本發明專利所要解決的技術問題在于提供一種高透光率的透明液晶顯示器及其陣列基板的制作方法。
[0009]為了達到上述或其它目的，本發明一方面提出了一種液晶顯示裝置的陣列基板，包括:一基板，設置有呈十字型交叉布置的復數條數據線和復數條掃描線;復數條公共電極線，一該公共電極線布置在兩相鄰的數據線之間；主動元件，設置在該復數條數據線與該復數條掃描線的十字型交叉區域;像素電極，以各個該十字型交叉區域為中心形成有復數個重復排列的像素電極單元，且通過一第一接觸孔與該主動元件電性連接;透明電極，以十字型交叉布置的該復數條數據線和該復數條掃描線限定的區域內，形成復數個重復排列的透明電極單元，該透明電極單元與該公共電極線電性連接。
[0010]進一步地，該透明電極與該像素電極在與該陣列基板垂直的方向上具有部分重疊區域，該重疊區域形成存儲電容器。
[0011]進一步地，該復數個重復排列的像素電極單元之間設有間隔距離。
[0012]進一步地，兩相鄰的數據線和兩相鄰的掃描線限定的區域內，形成一透明電極單元，該一透明電極單元的四周邊界與該兩相鄰的數據線和該兩相鄰的掃描線間隔一定的距離。
[0013]進一步地，該透明電極直接分布在公共電極線的上方或者公共電極線的下方。
[0014]進一步地，該透明電極隔著絕緣介質分布在公共電極線的上方或者公共電極線的下方，通過一第二接觸孔與該公共電極線電連接。
[0015]進一步地，該透明電極的材料采用錫摻雜三氧化銦、鋁摻雜氧化鋅、納米銀線、或者石墨烯。
[0016]為了達到上述或其它目的，本發明又一方面提出了一種液晶顯示裝置，包括:如權利要求1-7所述的陣列基板;對置基板，與該陣列基板相對設置;液晶層，夾置在該陣列基板與該對置基板之間；還包括公共電極，呈面電極圖案分布在該對置基板上；其中，該公共電極層與該透明電極同時施加相同電位電壓。
[0017]為了達到上述或其它目的，本發明另一方面提出了一種液晶顯示裝置的陣列基板的制作方法，包括:提供一陣列基板，形成第一層金屬薄膜圖案，該第一層金屬薄膜圖案包括復數條掃描線;在該第一金屬層的圖案上形成柵極絕緣層，在該柵極絕緣層的上方形成半導體圖案;在該半導體圖案上，形成第二層金屬薄膜圖案，該第二層金屬薄膜圖案包括復數條公共電極線，復數條數據線，一該公共電極線布置在兩相鄰的數據線之間，該復數條數據線與該復數條掃描線呈十字型交叉布置;還包括薄膜晶體管漏極;在該第二層金屬薄膜圖案上形成透明電極，且該透明電極覆蓋在該公共電極線的表面上方;在該透明電極上分布絕緣層，在該絕緣層上分布像素電極，該像素電極為以各個該復數條數據線與該復數條掃描線之間的十字型交叉區域為中心，形成復數個重復排列的像素電極單元，該像素電極單元通過貫穿該絕緣層的一接觸孔與漏極實現電學連接;其中，在該復數條數據線和該復數條掃描線限定的區域內，形成復數個重復排列的透明電極單元，該透明電極單元與該公共電極線電性連接。
[0018]為了達到上述或其它目的，本發明再一方面提出了一種液晶顯示裝置的陣列基板的制作方法，包括:提供一陣列基板，形成第一層金屬薄膜圖案，該第一層金屬薄膜圖案包括復數條掃描線;在該第一金屬層的圖案上形成柵極絕緣層，在該柵極絕緣層的上方形成半導體圖案，然后通過印刷方式形成透明電極；在該透明電極上形成第二層金屬薄膜圖案，該第二層金屬薄膜圖案包括復數條公共電極線，復數條數據線，一該公共電極線布置在兩相鄰的數據線之間，該復數條數據線與該復數條掃描線呈十字型交叉布置;還包括薄膜晶體管漏極，且該公共電極線覆蓋在該透明電極的表面上方，在該復數條數據線和該復數條掃描線限定的區域內，形成復數個重復排列的透明電極單元，該透明電極單元與該公共電極線電性連接;在該第二層金屬薄膜圖案上分布絕緣層，在該絕緣層上分布像素電極，該像素電極為以各個該復數條數據線與該復數條掃描線之間的十字型交叉區域為中心，形成復數個重復排列的像素電極單元，該像素電極單元通過貫穿該絕緣層的一接觸孔與漏極實現電學連接。
[0019]本發明與現有技術相比，其優點在于:金屬線的面積小，金屬線對光線的干擾影響小;像素的開口率尚，對光線的利用效率尚。
【附圖說明】
[0020]圖1為示意性示出本發明陣列基板側像素結構平面示意圖；
[0021]圖2為示意性示出本發明圖1中陣列基板側平面結構示意圖；
[0022]圖3A為示意性示出本發明陣列基板側像素結構平面示意圖；
[0023]圖3B為示意性示出本發明圖3A中像素結構沿AA’方向上的剖面結構示意圖；
[0024]圖4為示意性示出圖3B中所示的存儲電容器結構示意圖；
[0025]圖5為示意性示出本發明液晶顯示裝置剖面結構示意圖；
[0026]圖6為示意性示出本發明液晶顯示裝置對置基板平面結構示意圖；
[0027]圖7為示意性示出本發明液晶顯示裝置在工作狀態下剖面結構示意圖；
[0028]圖8A?8D為示意性示出本發明陣列基板不同制作步驟平面結構示意圖。
【具體實施方式】
[0029]下面結合附圖和具體實施例，進一步闡明本發明，應理解這些實施例僅用于說明本發明而不用于限制本發明的范圍，在閱讀了本發明之后，本領域技術人員對本發明的各種等價形式的修改均落于本申請所附權利要求所限定的范圍。
[0030]圖1為示意性示出本發明陣列基板側像素結構平面示意圖。如圖1所示，本發明提供了一種陣列基板的像素結構，包括:掃描線101、半導體層102、數據線103、源極(數據線)、漏極104、公共電極線105、透明電極106、接觸孔107、像素電極108。
[0031]如圖1所示，掃描線101與數據線103在像素中央呈十字型交叉布置，一該公共電極線105布置在兩相鄰的數據線103之間，在數據線103與掃描線101的交叉處設有薄膜晶體管。薄膜晶體管的柵極為掃描線101在該十字型交叉區域處圖案，薄膜晶體管的源極為數據線103在該十字型交叉區域處圖案，以及薄膜晶體管的漏極104，薄膜晶體管的溝道102。薄膜晶體管漏極104的上方設有接觸孔107，像素電極108覆蓋接觸孔107使漏電極104與像素電極108實現等電位連接。透明電極106，以十字型交叉布置的該復數條數據線103和該復數條掃描線101限定的區域內，形成復數個重復排列的透明電極單元，該透明電極單元與該公共電極線105電性連接。像素電極108與方塊透明電極106部分重疊，形成存儲電容器。該透明電極106與對應地一該公共電極線105電性連接，方塊透明電極106的電位通過公共電極線105從顯示屏外側導入。優選地，公共電極線105與數據線103同層。
[0032]圖2為示意性示出本發明圖1中陣列基板側平面結構示意圖。如圖2所示，本發明提供了一種陣列基板，包括復數個圖3中所述的像素結構，像素電極108，以各個該十字型交叉區域為中心形成有復數個重復排列的像素電極單元，且通過一第一接觸孔與該薄膜晶體管電性連接;透明電極106，在該復數條數據線103和該復數條掃描線101限定的區域內，形成復數個重復排列的透明電極單元，該透明電極單元與該公共電極線105電性連接。
[0033]相鄰像素的像素電極之間存在左右間隙SI，上下間隙S2。間隙SI和S2越小，像素的光利用效率越高。限制SI與S2大小的因素包括:曝光機的曝光精度;相鄰像素電極電壓之間的干擾強度。一般，間隙SI和S2在5um左右。
[0034]透明電極106分布在由掃描線與數據線包圍的區域內。方塊透明電極106在左側與數據線保持間隔LI，在右側與數據線保持間隔L3;方塊透明電極106在上側與掃描線保持間隔L2，在下側與掃描線保持間隔L4。方塊透明電極106的電位通過公共電極線105從顯示器外面輸入。在圖2中，像素電極108與方塊透明電極106部分重疊，形成像素的存儲電容Cs。
[0035]本發明提供的像素，方塊透明電極為透明導電薄膜，主要有金屬膜系、氧化物膜系、其他化合物膜系、高分子膜系、復合膜系等。具體地有ITO(錫摻雜三氧化銦)、ΑΖ0(鋁摻雜氧化鋅)、納米銀線、石墨稀等。
[0036]在圖1所示的像素結構中，方塊透明電極層可以分布在數據線層的上方，即公共電極線105的上方;也可以分布在數據線層的下方，即公共電極線105的下方。
[0037]圖3A為示意性示出本發明陣列基板側像素結構平面示意圖；圖3B為示意性示出本發明圖3A中像素結構沿AA’方向上的剖面結構示意圖。結合圖3A、3B，在像素AA’方向的截面圖，對應的層次關系為:在玻璃、塑料等襯底基板111的上方分布掃描線101，在掃描線101上方分布柵極絕緣層112，在柵極絕緣層112上方分布半導體層102，在半導體層102的上方分布數據線(源極)103和漏極104，在數據線103上方分布方塊透明電極106，在方塊透明電極106上方分布保護絕緣層113，在保護絕緣層113的上方分布厚膜絕緣層114，在厚膜絕緣層114的上方分布像素電極108，像素電極108通過貫穿厚膜絕緣層114和保護絕緣層113的接觸孔107與漏極106實現電學連接。根據實際需要，可以省略保護絕緣層113。
[0038]結合圖1和圖3A、3B，圖4，像素電極與方塊透明電極在重疊區域形成的存儲電容Cs。因為像素電極與方塊透明電極都是透明導電薄膜，重疊部分的區域依然是透光區域，這樣的結構設計可以提高像素的光利用效率。
[0039]本發明上述實施例采用的是方塊透明電極位于公共電極線上方的分布方式，本發明又一實施例又提出一種陣列基板，與上述實施例的結構大致相同，區別僅在于透明電極位于公共電極線下方。
[0040]圖5為示意性示出本發明液晶顯示裝置剖面結構示意圖。如圖5所示，本發明還提供了一種液晶顯示裝置，包括:上述各實施方式以及對應各實施例的陣列基板100，對置基板200，以及夾設于該陣列基板100與該對置基板200之間的液晶功能層300。
[0041]圖6為示意性示出本發明液晶顯示裝置對置基板平面結構示意圖。如圖6所示，該液晶顯示器件采用的對置基板200，包括襯底基板211(圖中未示)、公共電極201、遮光圖案202、間隙子203。根據需要，可以省略遮光圖案202。在圖7中，在對置基板200與陣列基板100之間為液晶功能層300，包括對置基板側配向膜303、液晶301、陣列基板側配向膜302。
[0042]該液晶顯示器件采用的對置基板200的結構如圖6所示，包括襯底基板211(圖中未示)、公共電極201、遮光圖案202、間隙子203。根據需要，可以省略遮光圖案202。根據需要，可以使用紅色、綠色、藍色等色阻層。
[0043]如圖5所示，透明電極103與對置基板上的公共電極201，電位固定，不隨像素電壓的變化而變化。優選地，透明電極103與對置基板上的公共電極201的電位相等。在間隙SI和S2區域，由于透明電極103與公共電極201之間的電位差為O，位于該區域的液晶分子排列狀態固定，不隨像素電壓的變化而變化，液晶分子的狀態可控。如圖7所示，即使在像素電極108與公共電極201之間施加各種不同的電位，在間隙SI和S2區域的液晶分子，排列狀態都是固定的。
[0044]對于使用UV2A技術的液晶顯示模式，為了遮擋間隙SI和S2區域的透過光線，在常黑模式下陣列基板上的方塊透明電極與對置基板上的公共電極之間的電位差設為0，在常白模式下陣列基板上的方塊透明電極與對置基板上的公共電極之間設置一個高電壓，一般大于5V。
[0045]本發明提供了陣列基板的制作方法，以圖3所示的斷面結構為例，給出圖2所示的像素結構的不同層的制作流程:
[0046]首先，如圖8A所示，在透明基板上依次形成掃描線101、柵極絕緣層，以及半導體溝道102圖案。
[0047]接著，如圖SB所示，在半導體溝道102的上方形成公共電極線105、數據線(源極)103圖案與漏極104圖案。
[0048]接著，如圖8C所示，在數據線上方形成方塊透明電極106。方塊透明電極106與左側的數據線保持間隔LI，與右側的數據線保持間隔L2，與上側的掃描線保持間隔L2，與下側的掃描線保持間隔L4。
[0049]接著，如圖8D所示，在方塊透明電極106的上方先后覆蓋保護絕緣層與厚膜絕緣層，在漏極104的上方通過刻蝕形成接觸孔107圖案，然后再形成像素電極108圖案，最后形成像素的基本結構，如圖2所示。
[0050]為了達到上述或其它目的，本發明再一方面提出了一種液晶顯示裝置的陣列基板的制作方法，包括:提供一陣列基板，形成第一層金屬薄膜圖案，該第一層金屬薄膜圖案包括復數條掃描線;在該第一金屬層的圖案上形成柵極絕緣層，在該柵極絕緣層的上方形成半導體圖案，然后通過印刷工藝形成透明電極，印刷工藝直接形成具有導電功能的透明電極圖案，不需要進行光刻工藝，對同樣形成于柵極絕緣層上方的半導體圖案不會造成不利的影響；在該透明電極上形成第二層金屬薄膜圖案，該第二層金屬薄膜圖案包括復數條公共電極線，復數條數據線，一該公共電極線布置在兩相鄰的數據線之間，該復數條數據線與該復數條掃描線呈十字型交叉布置;還包括薄膜晶體管漏極，且該公共電極線覆蓋在該透明電極的表面上方，在該復數條數據線和該復數條掃描線限定的區域內，形成復數個重復排列的透明電極單元，該透明電極單元與該公共電極線電性連接;在該第二層金屬薄膜圖案上分布絕緣層，在該絕緣層上分布像素電極，該像素電極為以各個該復數條數據線與該復數條掃描線之間的十字型交叉區域為中心，形成復數個重復排列的像素電極單元，該像素電極單元通過貫穿該絕緣層的一接觸孔與漏極實現電學連接。
[0051]本發明專利提出的像素結構，有如下特點:
[0052](I)金屬線又少又細:只有掃描線、公共電極線與數據線三條金屬線。金屬線少，金屬遮光與反光的影響就小。在掃描線、公共電極線、數據線與像素電極之間隔著保護層與厚膜層，像素之間的耦合電容小，金屬線可以做的很細。金屬線細，金屬遮光與反光的影響就小。
[0053](2)液晶顯示屏為了降低閃爍，一把采用點反轉驅動模式，即相鄰像素的電壓正負極性相反。本發明專利的面狀公共電極分布在相鄰四個像素的下方，起到了屏蔽相鄰像素電極之間的電力線干擾，保證了像素電極之間的液晶不受干擾。
[0054](3)對于使用UV2A技術的液晶顯示模式，掃描線與數據線就是液晶顯示疇與相鄰液晶顯示疇之間的分界線，顯示疇之間的黑紋直接分布在金屬線上方，不額外占用不透光的區域，像素的光利用效率高。
[0055](4)對于使用常黑模式的VA顯示技術，在陣列基板上的透明電極與對置基板上的公共電極之間的電位差設為O，在間隙SI和S2區域，液晶顯示穩定的黑態，從而可以省略間隙SI和S2正上方的對置基板上的黑色矩陣。采用本發明的技術方案，透明電極與像素電極之間的重疊面積充分，像素電極的電力線主要集中于像素電極與透明電極之間，散發到像素電極外側的電力線少，對間隙SI和S 2區域的液晶的擾動微弱，可以解決像素電極電壓(電力線)擾動導致的間隙SI和S 2的漏光問題。
[0056](5)對于使用常白模式的VA顯示技術，在陣列基板上的透明電極與對置基板上的公共電極之間的電位差設為6V，在間隙SI和S2區域，液晶顯示穩定的黑態，從而可以省略間隙SI和S2正上方的對置基板上的黑色矩陣。采用本發明的技術方案，透明電極與像素電極之間的重疊面積充分，像素電極的電力線主要集中于像素電極與透明電極之間，散發到像素電極外側的電力線少，對間隙SI和S 2區域的液晶的擾動微弱，可以解決像素電極電壓(電力線)擾動導致的間隙SI和S 2的漏光問題。
[0057]以上詳細描述了本發明的優選實施方式，但是，本發明并不限于上述實施方式中的具體細節，在本發明的技術構思范圍內，可以對本發明的技術方案進行多種等同變換，這些等同變換均屬于本發明的保護范圍。
[0058]另外需要說明的是，在上述【具體實施方式】中所描述的各個具體技術特征，在不矛盾的情況下，可以通過任何合適的方式進行組合。為了避免不必要的重復，本發明對各種可能的組合方式不再另行說明。
【主權項】
1.一種液晶顯示裝置的陣列基板，包括: 一基板，設置有呈十字型交叉布置的復數條數據線和復數條掃描線； 復數條公共電極線，一該公共電極線布置在兩相鄰的數據線之間； 主動元件，設置在該復數條數據線與該復數條掃描線的十字型交叉區域； 像素電極，以各個該十字型交叉區域為中心形成有復數個重復排列的像素電極單元，且通過一第一接觸孔與該主動元件電性連接； 透明電極，以十字型交叉布置的該復數條數據線和該復數條掃描線限定的區域內，形成復數個重復排列的透明電極單元，該透明電極單元與該公共電極線電性連接。2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括:該透明電極與該像素電極在與該陣列基板垂直的方向上具有部分重疊區域，該重疊區域形成存儲電容器。3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，還包括:該復數個重復排列的像素電極單元之間設有間隔距離。4.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，還包括:兩相鄰的數據線和兩相鄰的掃描線限定的區域內，形成一透明電極單元，該一透明電極單元的四周邊界與該兩相鄰的數據線和該兩相鄰的掃描線間隔一定的距離。5.根據權利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，該透明電極直接分布在公共電極線的上方或者公共電極線的下方。6.根據權利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，該透明電極隔著絕緣介質分布在公共電極線的上方或者公共電極線的下方，通過一第二接觸孔與該公共電極線電連接。7.根據權利要求1-6之一所述的陣列基板，其特征在于，該透明電極的材料采用錫摻雜三氧化銦、鋁摻雜氧化鋅、納米銀線、或者石墨烯。8.一種液晶顯示裝置，包括: 如權利要求1-7所述的陣列基板； 對置基板，與該陣列基板相對設置； 液晶層，夾置在該陣列基板與該對置基板之間； 還包括公共電極，呈面電極圖案分布在該對置基板上； 其中，該公共電極層與該透明電極同時施加相同電位電壓。9.一種液晶顯示裝置的陣列基板的制作方法，包括: 提供一陣列基板，形成第一層金屬薄膜圖案，該第一層金屬薄膜圖案包括復數條掃描線； 在該第一金屬層的圖案上形成柵極絕緣層，在該柵極絕緣層的上方形成半導體圖案；在該半導體圖案上，形成第二層金屬薄膜圖案，該第二層金屬薄膜圖案包括復數條公共電極線，復數條數據線，一該公共電極線布置在兩相鄰的數據線之間，該復數條數據線與該復數條掃描線呈十字型交叉布置;還包括薄膜晶體管漏極； 在該第二層金屬薄膜圖案上形成透明電極，且該透明電極直接覆蓋在該公共電極線的表面上方； 在該透明電極上分布絕緣層，在該絕緣層上分布像素電極，該像素電極為以各個該復數條數據線與該復數條掃描線之間的十字型交叉區域為中心，形成復數個重復排列的像素電極單元，該像素電極單元通過貫穿該絕緣層的一接觸孔與漏極實現電學連接； 其中，在該復數條數據線和該復數條掃描線限定的區域內，形成復數個重復排列的透明電極單元，該透明電極單元與該公共電極線電性連接。10.—種液晶顯示裝置的陣列基板的制作方法，包括: 提供一陣列基板，形成第一層金屬薄膜圖案，該第一層金屬薄膜圖案包括復數條掃描線； 在該第一金屬層的圖案上形成柵極絕緣層，在該柵極絕緣層的上方形成半導體圖案，然后通過印刷方式形成透明電極； 在該透明電極上形成第二層金屬薄膜圖案，該第二層金屬薄膜圖案包括復數條公共電極線，復數條數據線，一該公共電極線布置在兩相鄰的數據線之間，該復數條數據線與該復數條掃描線呈十字型交叉布置;還包括薄膜晶體管漏極，且該公共電極線覆蓋在該透明電極的表面上方，在該復數條數據線和該復數條掃描線限定的區域內，形成復數個重復排列的透明電極單元，該透明電極單元與該公共電極線電性連接； 在該第二層金屬薄膜圖案上分布絕緣層，在該絕緣層上分布像素電極，該像素電極為以各個該復數條數據線與該復數條掃描線之間的十字型交叉區域為中心，形成復數個重復排列的像素電極單元，該像素電極單元通過貫穿該絕緣層的一接觸孔與漏極實現電學連接。 其中，該半導體圖案與該透明電極為不同材料的同層結構。
【文檔編號】G02F1/1362GK106019744SQ201610453996
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年6月21日
【發明人】不公告發明人
【申請人】上海紀顯電子科技有限公司