一種用于光刻設備的對準裝置及對準方法
【專利摘要】本發明公開一種用于光刻設備的對準裝置，包括對準光源，用于向對準標記的表面提供照明光束；第一投影系統，所述照明光束投射于所述對準標記后經所述對準標記反射形成衍射光，所述第一投影系統用于會聚所述衍射光；參考光柵，所述衍射光經所述第一投影系統會聚后透過所述參考光柵后形成干涉條紋；第二投影系統，用于將所述干涉條紋投影至一探測器，并阻擋不攜帶對準標記和參考光柵相對位置信息的衍射光到達所述探測器；信號處理系統，用于根據所述探測器獲得的干涉條紋圖像進行信號處理以獲得一對準位置。
【專利說明】
-種用于光刻設備的對準裝置及對準方法
技術領域
[0001] 本發明涉及一種集成電路裝備制造領域，尤其涉及一種用于光刻設備的對準裝置 及對準方法。
【背景技術】
[0002] 目前，光刻設備大多采用基于光柵衍射干涉的對準系統。該類對準系統基本特征 為；包含單波長或多波長的照明光束照射在光柵型對準標記上發生衍射，產生的各級衍射 光攜帶有關于對準標記的位置信息；不同級次的光束W不同的衍射角從相位對準光柵上散 開，通過對準系統收集各級次的衍射光束，使兩個對稱的正負衍射級次巧日±1級、±2級、 ±3級等)在對準系統的像面或瞳面重疊相干，形成各級干涉信號。當對對準標記進行掃描 時，利用光電探測器記錄干涉信號的強度變化，通過信號處理，確定對準中必位置。
[0003] 現有技術中，專利US5414514提出了一種用于接觸、接近式光刻機，如X-射線光 刻機，的對準方法，其核必思想是mask上并排設置對準光柵pi和p2,其正下方substrate 上對應位置的對準光柵為p2和pl，pi、p2相差很小的周期，光束經過兩層光柵，產生"拍" 現象，形成莫爾條紋，莫爾條紋相對于光柵有放大作用，且相位可W和光柵的相對位移建立 關系，從而確定對準位置。
[0004] 專利CN132658. 1提出了一種可用于投影式光刻機的對準裝置，通過在娃片對準 標記和參考標記見增加一個投影系統，增大對準系統的工作距，使其可W適用于現代投影 光刻機。該方案采用+1，-1和-1，+1級光干涉形成莫爾條紋進行對準，為了滿足1C制造對 娃片對準越來越高的需求，需要能測量高級次光W提高娃片對準的分辨率和適用不同工藝 的能力。
[0005]
【發明內容】
[0006] 為了克服現有技術存在的缺陷，本發明提供一種精度更高，工藝適應性更強的對 準裝置及對準方法。
[0007] 為了實現上述發明目的，本發明公開一種用于光刻設備的對準裝置，包括對準光 源，用于向對準標記的表面提供照明光束；第一投影系統，所述照明光束投射于所述對準標 記后經所述對準標記反射形成衍射光，所述第一投影系統用于會聚所述衍射光；參考光柵， 所述衍射光經所述第一投影系統會聚后透過所述參考光柵后形成干涉條紋；第二投影系 統，用于將所述干涉條紋投影至一探測器，并阻擋不攜帶對準標記和參考光柵相對位置信 息的衍射光到達所述探測器；信號處理系統，用于根據所述探測器獲得的干涉條紋圖像進 行信號處理W獲得一對準位置。
[0008] 更進一步地，所述不攜帶對準標記和參考光柵相對位置信息的衍射光為-1，0級 和+1，0級衍射光W及更大角度的衍射光。
[0009] 更進一步地，所述參考光柵包括周期為巧郝巧的光柵，所述第二投影系統的數值 孔徑可調，所述第二投影系統的數值孔徑小3
，其中義為照明光束中的最短波 長。
[0010] 更進一步地，所述對準標記包括周期為P1和P2的光柵，所述參考光柵包括周期為 巧'和巧I的光柵，且P 1畝P 2或巧I畝巧'，（P2，- P1XM) Χ(ΡΓ- P2XM) < 0,其中Μ為所 述第一投影系統的倍率。
[0011] 更進一步地，所述對準標記包括周期為Ρ1和Ρ2的光柵，所述第二投影系統包括一 可變孔徑光闊，所述第二投影系統的數值孔徑ΝΑ滿足：
其中>1為照明光束中的最短波長，Μ為所述第一投影系統的倍率。
[0012] 更進一步地，所述對準標記和參考光柵所在的平面相互垂直或成一定夾角，所述 對準裝置在對準光源和對準標記之間還包括一光路轉折元件，用于將對準標記的衍射光反 射至所述第一投影系統。
[0013] 更進一步地，所述光路轉折元件為中必透光的反射鏡或者光闊與分束鏡組合。
[0014] 更進一步地，所述對準標記包括周期為Ρ2的光柵，所述參考光柵包括周期為Ρ1和 Ρ3的光柵，且ΡΚΜΧΡ2< Ρ3,其中Μ為所述第一投影系統的倍率。
[0015] 更進一步地，所述對準標記包括周期為Ρ1和Ρ3的光柵，所述參考光柵為周期為Ρ2 的方格形二維標記，且滿足ΜΧΡΚΡ2<ΜΧΡ3。
[0016] 更進一步地，所述參考標記分為兩塊方向相互垂直的光柵標記，分別位于不同的 標記板上，兩塊標記板之間設有第Η投影系統。
[0017] 本發明還公開一種用于光刻設備的對準方法，其特征在于，包括： 步驟一、將照明光束照射于對準標記后經所述對準標記反射形成衍射光； 步驟二、所述衍射光被第一投影系統會聚至參考標記表面形成干涉條紋； 步驟Η、第二投影系統將干涉條紋投影至探測器，并阻擋不攜帶對準標記和參考光柵 相對位置信息的衍射光到達所述探測器； 步驟四、根據所述探測器獲得的干涉條紋圖像進行信號處理W獲得對準位置。
[0018] 更進一步地，所述不攜帶對準標記和參考光柵相對位置信息的衍射光為-1，0級 和+1，0級衍射光W及更大角度的衍射光。
[0019] 本發明使高級次的衍射光信號可W被探測到，增加了可用信號，同時可獲得更高 的對準分辨率，也有益于工藝適應性的提高；并且具備同時利用不同級次進行對準的的能 力，可兼有較大捕獲范圍和更高測量分辨率的優點。
[0020] 本發明兼容其他周期的對準標記和高級次增強型對準標記，還可W提高工藝適應 性。
【附圖說明】
[0021] 關于本發明的優點與精神可W通過W下的發明詳述及所附圖式得到進一步的了 解。
[0022] 圖1本發明所涉及的光刻設備的結構示意圖； 圖2是本發明所提供的對準裝置的第一實施方式； 圖3是莫爾條紋生成7K意圖； 圖4是本發明所提供的對準裝置的兼容P/n周期標記示意圖； 圖5是投影系統7孔徑調節示意圖； 圖6是本發明所提供的對準裝置的第二實施方式； 圖7是本發明所提供的對準裝置的第Η實施方式； 圖8是本發明所提供的對準裝置的第四實施方式； 圖9是本發明所提供的對準裝置的第五實施方式。
【具體實施方式】
[0023] 下面結合附圖詳細說明本發明的具體實施例。
[0024] 在投影式光刻領域，娃片對準多采用離軸對準的方式，娃片與掩模的位置關系通 過工件臺基準板上的對準標記作為過渡參考間接獲取，即先分別確立娃片和掩模在工件臺 坐標系下的位置，然后間接獲得娃片、掩模之間相對位置關系。其中，娃片在工件臺坐標系 下的位置確立，即娃片對準，更為復雜，需要通過參考標記來建立。因此，將娃片對準標記 (及工件臺對準標記）與參考標記進行對準成為問題的關鍵。
[00巧]圖1示意性顯示了所述投影式光刻設備的結構，W及娃片對準系統在其中所處的 位置。該光刻設備包括；用于提供曝光光束的照明系統100 ;用于支承掩模版200的掩模臺 300,掩模版200上有掩模圖案和用于對準的標記RM ;用于將掩模版200上的掩模圖案投影 到娃片700上的投影光學系統400 ;用于支承娃片700的工件臺600,工件臺600上有刻有 基準標記FM的基準板，娃片700上有用于對準的周期性標記800 ;用于掩模200和娃片對 準的離軸對準系統500。掩模臺300和工件臺600都由高精度伺服系統驅動。
[0026] 圖2示意性顯示了本發明一個具體實施方案。該對準裝置包括；工件臺1、標記載 體2、標記載體3、投影系統4、參考標記板5、照明裝置6、投影系統7、反射鏡8、面陣探測器 9、圖像抓取和信號處理系統10。
[0027] 工件臺1，用于承載娃片，并可6自由度精確定位。
[0028] 標記載體2,可W為娃片、或基準版，其上有對準標記。
[0029] 對準標記3,可為一維線性光柵，或帶有精細結構線性光柵(為方便描述，W下層光 柵表示娃片對準光柵)。
[0030] 投影系統4,采用物鏡，收集娃片對準光柵的衍射光，并投射到參考光柵上。投影系 統倍率可選取任意固定值Μ，投影系統ΝΑ要求能收集到±η級的衍射光，n〉l。
[0031] 參考標記板5,其上參考標記為一維線性光柵(為方便描述，W參考光柵表示標記 板上的參考標記)，標記板位置固定在投影系統4的像面上。
[0032] 面陣探測器9,通常為CCD或者CMOS,用于收集由參考光柵透過的衍射光所形成干 涉條紋的圖像。
[0033] 照明裝置6,提供照明光，包括光源及準直光路。照明光可W是寬波段光巧口 450~750皿)，也可W是多個波長的光，如波長分別為λ 1，λ 2, λ 3的激光。6中還可W包括 光源選通裝置，可選擇不同光源照明。娃片不同工藝層對不同波長光的反射率有所不同，通 過選取反射率較高的光源照明，W提高干涉條紋圖像的對比度，達到增強工藝適應性的目 的。
[0034] 投影系統7,用于將形成的干涉條紋W-定倍率M2,投影到探測器表面。M2可W 控制在探測器上成像條紋的數目，提高對條紋的分辨能力。通過投影系統7的ΝΑ選擇，遮 擋-1，0級和+1，0級衍射光W及更大角度的衍射光達到探測器面，要求投影系統7的ΝΑ 小3
其中A為照明波長或波段中最短波長，巧'和巧'分別為參考光柵周期。由 于一般情況下，+n, -η級衍射光相較于+1, 0級光弱十幾倍，甚至幾千倍，若不遮擋+1，0級 和-1，0級衍射光，探測到的圖像中無法分辨+η，-η級和-η, +η級衍射光分量。
[003引反射鏡8,反射來自福射源6的光束，使其正入射（垂直入射）到下層光柵上，同時 遮擋反射回來的0級光； 圖像抓取和信號處理系統10,從探測器獲取干涉條紋圖像，并進行信號處理。
[0036] 精對準標記包括兩個線性光柵，下層光柵周期分別為Ρ1和Ρ2,對應的上層參考光 柵周期分別為Ρ2'和ΡΓ，Ρ2'位于Ρ1經投影系統4的成像位置，優選地，Ρ l^P 2或巧' ^巧·，P1XM和P2'周期相差不大，它們的光柵常數滿足如下關系；(P2'X0.8) < (P1XM) <(P2'X1.2)，同樣，PΓ位于P2經投影系統4的成像位置，P2XM和PΓ周期相差不 大，它們的光柵常數滿足關系；(ΡΓΧ0.8) < (P2XM) < (ΡΓΧ1.2)，且（P2'-P1XM) Χ(ΡΓ- P2XM) < 0,使得上下層光柵相對移動時，兩組干涉條紋彼此反方向運動，增大 測量了靈敏度。上下兩層光柵的光柵常數可根據上述表達式選擇，例如，M=1時，可W選取 Pl=2um、P2=2. 05um 和 P2, =2. 05um、ΡΓ =2um ;也可 W選取 Pl=8um、P2=8. 5um 和 P2, =9um、 ΡΓ =7.7um。當ΡΓ =P1XM，P2' =P2XM時，生成的兩組莫爾條紋周期相同，否則，兩組條紋 的周期不相同。
[0037] W P1和P2'為例，對準所用莫爾條紋的形成過程為：在圖2中，光源正入射到下 層光柵P1上，各級衍射光W出射角義
η為衍射級次，當照明包括多個波 長時，&為一個角度范圍），進入物鏡4,〇級光被遮擋，其它級次衍射光W
)的入射角福射到參考光柵Ρ2'上，Ρ2'與Ρ1ΧΜ略有不同，于是+η級入射光的-η級衍 射光，-η級入射光的+η級衍射光會W-個很小的角度
當照明 包括多個波長時，&為一個角度范圍）出射，出射光束在交會處產生干涉，其光場分布為
，其中，為第+η，-η級衍射光的振幅，Δ S為下層光柵相對上層 光柵的偏移量。干涉形成莫爾條紋。經投影系統7濾除-1,0級和+1，0級W及其他大角度 的衍射光，僅+η級入射光的-η級衍射光，-η級入射光的+η級衍射光范圍內的光線被會聚 成像到探測器9表面，其采集到的光強分布為
(1) 干涉莫爾條紋的周期由下式確定：
似 同樣，可得到光經過下層光柵p2和上層光柵ρΓ產生的另一組莫爾條紋的光強分布如 下，
(3) 該組莫爾條紋的周期為：
(4) 可W看到，莫爾條紋不受照明光波長影響，可適用于多波長和寬波段對準。
[0038] 由于投影系統7限制了不攜帶標記相對于參考光柵位置信息的光線到達探測器 面，提高了測量信號的信噪比，有利于提高對準精度。
[0039] 圖3是顯示了對準光柵的結構及對準原理，下層光柵Ρ1與Ρ2并排設置，參考光柵 Ρ2'與ΡΓ并排設置，參考光柵ΡΓ和Ρ2'分布位于下層光柵Ρ2和Ρ1經投影系統4的成像 位置上。如上文所述，它們經過兩次衍射后產生兩組周期相同的干涉條紋，如圖3最右圖所 示，周期由式（2) (4)確定。并且上下層光柵的相對移動會引起干涉條紋彼此反方向運動， 且運動位移與干涉條紋之間相對相位變化的關系為：
巧） 其中，在腳斤巧心?為兩組條紋的第m級諧波的位相差，啦和巧。分別為兩組 條紋的第m級諧波的位相巧日圖3所示)，可通過曲線擬合或者傅里葉變換的方法，提 取出莫爾條紋圖像特定頻率下的相位值。根據兩條紋的光強分布式（1)和（3)，可知 <
由式（5)可知，當相位差提取精度一定時，測量分辨率隨m 的增大而提高，即通過測量兩組條紋中+n，-η級衍射光和-η, +n級衍射光的干涉形成的諧 波的相位差，相較于測量+1，-1級和-1，+1級衍射光干涉形成的條紋的相位差，可提高測量 分辨率η倍，對準性能提高。
[0040] 具備同時利用不同級次進行對準的的能力，可兼有較大捕獲范圍和更高測量分辨 率的優點。
[0041] 在圖2中，送兩組干涉條紋都成像到探測器上，圖像由FG (化ame Gr油ber)抓取， 在后續處理單元（PU，Processing化it)中，可W應用各種信號處理算法提取兩組干涉條紋 之間的相位信息，W確定上下層光柵的對準位置，并將該對準位置傳輸給控制系統進行處 理，用于曝光時驅動工件臺運動到正確位置。
[0042] 通常CMP (化學機械研磨)等1C制造工藝會給對準標記造成一些的損傷，對準過程 中，部分損傷對低級次光的影響較大，使得使用低級次對準時產生偏差，通過引入高級次光 進行對準，可根據工藝情況選擇合適測量級次或測量級次組合進行對準，增強工藝適應性， 提高對準精度。
[0043] 探測器可+n，-η級衍射光和-η, +n級衍射光之間的光線，因此，該方案使用固定光 柵常數的參考標記巧巧日超'，可W兼容衍射級次增強型標記(某一特定級次的衍射光效率較 高，如3級增強標記、5級增強標記)，可W兼容周期為&和^(m為整數）對準標記。如圖4 巧 m
所示，對準標記3其中一個光柵的周期為:^，衍射角度3 經投影系統4 (假設 m 倍率為1)收集后會聚到參考光柵5上，發生二次衍射，凡是衍射角小于+1，-n+l級光角度 的光線均可W被投影系統7收集并會聚在探測器9上，形成莫爾條紋，例如m=3時，+1，-3級 衍射光和-1，+3級衍射光與光軸夾角很小，均可W通過投影系統7在探測器面干涉形成莫 爾條紋。該方案能兼容更小周期的對準標記，可W增強對準的工藝適應性。
[0044] 本實施例在實施例1的基礎上進行改進，在投影系統7中加入一個可控制的孔徑 光闊，如圖5所示，可根據控制信號縮小和增大中必通光區域A。該方案用戶可根據對準標 記的光柵常數設置投影系統7的NA
其中義為照明波長或波段中最短 波長，巧和S分別為對準標記光柵常數，Μ為投影系統4的倍率。
[0045] 該方案使對準裝置更適用于不同光柵常數的對準標記。可根據對準標記的光柵常 數選擇最合適的收集角度，W便在遮擋不攜帶對準標記和參考光柵相對位置信息的光情況 下，盡可能多的收集不同級次的衍射光W提高對準的精度和工藝適應性。
[0046] 本實施例結構示意圖如圖6所示，在實施例1的基礎上進行改進，利用元件11將 光路轉折，可減小高度方向所占用的空間，使對準裝置布局更加靈活。元件11可W采用中 必透光的反射鏡，或者由光闊與分束鏡組合構成，能使從照明裝置6中出射的照明光投射 在下層光柵3上，并將由下層光柵3反射的±1級衍射光反射至投影系統4。在該實施例 中，參考標記板5可垂直于標記載體2，兩者也可W成一定夾角，由元件8對光路的轉折角度 決定。
[0047] 圖7給出的另一下層光柵結構，為統一的周期為ρ2的線性光柵，參考光柵分為pi 和p3，pl、p3與p2XM略有不同，且滿足pKp2XM <p3,各光柵常數間關系滿足如下公式更 好0. 8X(p2XM )<pKp2XM <p3<1.2X(p2XM )。同樣在上下層光柵相對移動時，探測器 表面的兩組干涉條紋也會相對移動，也可W確定對準位置。送種光柵結構布置的好處是簡 化了娃片上的對準標記。
[0048] 上述方案的每套探測系統只能進行一個方向的對準（X方向或者Y方向)，所W對 準系統中必須至少包含2個探測系統，分別進行2個方向的對準。圖8顯示了一種可W進 行Χ、Υ兩個方向對準的標記布置。在娃片上，對準光柵Pl，p3并排放置，pi和p3相差很小 的周期，例如1. 95um和2. 05um。參考標記為類似田字格的二維標記，X方向、Y方向的周期 均為p2, p2的周期在pi XM與p3XM之間，例如2um (M=l時)。通過計算pi、p2 W及p3、 p2形成的兩組莫爾條紋的相位差，可W獲得到對準位置。
[0049] 由于該方案參考標記可用于X、Y兩個方向上的對準，因此一套探測系統即可分別 完成X、Y方向對準，簡化了對準系統的結構。
[0050] 本實施例在實施例1的基礎上增加了投影系統11和參考光柵12,使該方案能使用 一個探測器實現單周期對準光柵標記對準。
[0051] W X方向光柵標記對準為例，如圖9 (a)所示，光源正入射到下層光柵3上，各級 衍射光W出射角為，進入物鏡4,0級光被遮擋，其它級次衍射光W的入射角福射到參考 光柵5 (X方向參考光柵）上，P2'與PI XM略有不同，于是+n級入射光的-η級衍射光，-η 級入射光的+η級衍射光會W-個很小的角度出射。投影系統11收集從參考光柵5出射 的光線，并會聚到參考光柵12 (Υ方向參考光柵）上，各方向光線經參考光柵12發生衍射。 投影系統7的ΝΑ限制了收集光的角度，僅允許角度小于+1，0級光角度的光線通過，因此， Υ方向的衍射光均被遮擋，僅X方向-η, +η級至+η，-η級范圍內的衍射光被會聚到探測器 9感光面，干涉形成莫爾條紋。探測器采集到的兩組莫爾條紋強度分布同實施例1公式（1) 和（3)描述，由兩組條紋的相位差可計算得到精對準位置。
[0052] Υ方向對準同X方向相似，如圖9 (b)所示，投影系統4收集對準標記的衍射光， 并會聚到X方向參考光柵5上，光線經參考光柵5在X方向發生衍射，Χ、Υ方向的衍射光經 投影系統11收集會聚到Υ方向參考光柵12上，發生衍射，其中Υ方向+η級入射光的-η級 衍射光，-η級入射光的+η級衍射光會W-個很小的角度出射。投影系統7的ΝΑ限制了 X 方向的衍射光，僅有Υ方向-η, +η級至+η，-η級范圍內的衍射光被會聚到探測器9感光面， 干涉形成莫爾條紋。
[0053] 本說明書中所述的只是本發明的較佳具體實施例，W上實施例僅用W說明本發明 的技術方案而非對本發明的限制。凡本領域技術人員依本發明的構思通過邏輯分析、推理 或者有限的實驗可W得到的技術方案，皆應在本發明的范圍之內。
【主權項】
1. 一種用于光刻設備的對準裝置，其特征在于，包括： 對準光源，用于向對準標記的表面提供照明光束； 第一投影系統，所述照明光束投射于所述對準標記后經所述對準標記反射形成衍射 光，所述第一投影系統用于會聚所述衍射光； 參考光柵，所述衍射光經所述第一投影系統會聚后透過所述參考光柵后形成干涉條 紋； 第二投影系統，用于將所述干涉條紋投影至一探測器，并阻擋不攜帶對準標記和參考 光柵相對位置信息的衍射光到達所述探測器； 信號處理系統，用于根據所述探測器獲得的干涉條紋圖像進行信號處理W獲得一對準 位置。2. 如權利要求1所述的用于光刻設備的對準裝置，其特征在于，所述不攜帶對準標記 和參考光柵相對位置信息的衍射光為-1，O級和+1，O級衍射光W及更大角度的衍射光。3. 如權利要求1所述的用于光刻設備的對準裝置，其特征在于，所述參考光柵包括周 期為巧和巧'的光柵，所述第二投影系統的數值孔徑可調，所述第二投影系統的數值孔徑小 于：，其中2為照明光束中的最短波長。4. 如權利要求1所述的用于光刻設備的對準裝置，其特征在于，所述對準標記包括周 期為Pl和P2的光柵，所述參考光柵包括周期為巧'和巧;'的光柵，且P I^P 2或.(P2' - PlXM) X (Pr - P2XM) < 0,其中M為所述第一投影系統的倍率。5. 如權利要求1所述的用于光刻設備的對準裝置，其特征在于，所述對準標記包括周 期為Pl和P2的光柵，所述第二投影系統包括一可變孔徑光闊，所述第二投影系統的數值孔 徑NA滿足：其中A為照明光束中的最短波長，M為所述第一投影系統的倍率。6. 如權利要求1所述的用于光刻設備的對準裝置，其特征在于，所述對準標記和參考 光柵所在的平面相互垂直或成一定夾角，所述對準裝置在對準光源和對準標記之間還包括 一光路轉折元件，用于將對準標記的衍射光反射至所述第一投影系統。7. 如權利要求6所述的用于光刻設備的對準裝置，其特征在于，所述光路轉折元件為 中必透光的反射鏡或者光闊與分束鏡組合。8. 如權利要求1所述的用于光刻設備的對準裝置，其特征在于，所述對準標記包括周 期為P2的光柵，所述參考光柵包括周期為Pl和P3的光柵，且PKMXP2< P3,其中M為所述 第一投影系統的倍率。9. 如權利要求1所述的用于光刻設備的對準裝置，其特征在于，所述對準標記 包括周期為Pl和P3的光柵，所述參考光柵為周期為P2的方格形二維標記，且滿足 MXPKP2<MXP3。10. 如權利要求1所述的用于光刻設備的對準裝置，其特征在于，所述參考標記分為兩 塊方向相互垂直的光柵標記，分別位于不同的標記板上，兩塊標記板之間設有第H投影系 統。11. 一種用于光刻設備的對準方法，其特征在于，包括： 步驟一、將照明光束照射于對準標記后經所述對準標記反射形成衍射光； 步驟二、所述衍射光被第一投影系統會聚至參考標記表面形成干涉條紋； 步驟H、第二投影系統將干涉條紋投影至探測器，并阻擋不攜帶對準標記和參考光柵 相對位置信息的衍射光到達所述探測器； 步驟四、根據所述探測器獲得的干涉條紋圖像進行信號處理W獲得對準位置。12. 如權利要求11所述的用于光刻設備的對準方法，其特征在于，所述不攜帶對準標 記和參考光柵相對位置信息的衍射光為-1，O級和+1，O級衍射光W及更大角度的衍射光。
【文檔編號】G03F9/00GK105988309SQ201510087569
【公開日】2016年10月5日
【申請日】2015年2月26日
【發明人】周鈺穎, 陸海亮
【申請人】上海微電子裝備有限公司