阻焊劑圖案的形成方法

阻焊劑圖案的形成方法
【專利摘要】本發明提供可制備在連接墊料上不產生阻焊劑的殘渣、且電連接可靠性優異的配線基板的阻焊劑圖案的形成方法。所述阻焊劑圖案的形成方法至少依次包括：在至少具有連接墊料的電路基板上形成阻焊劑層的工序，將未固化的阻焊劑層薄膜化至阻焊劑層的厚度變為連接墊料的厚度以下為止的工序；其特征在于：上述阻焊劑層至少含有(A)含有羧基的聚合物、(B)聚合性化合物、(C)填充劑和(D)光聚合引發劑而成，(A)含有羧基的聚合物的酸值為80~150mgKOH/g或(C)填充劑的平均粒徑為連接墊料上的表面粗糙度Ra的1.1倍以上。
【專利說明】
阻焊劑圖案的形成方法
技術領域
[0001] 本發明涉及阻焊劑圖案的形成方法。
【背景技術】
[0002] 在各種電氣設備內部的配線基板上，為了使焊劑不附著在電路基板的不需要粘附 焊劑的導體配線上，形成阻焊劑圖案以用阻焊劑層被覆這種不需要粘附焊劑的導體配線。 另外，阻焊劑圖案發揮防止導體配線的氧化、電氣絕緣和保護免受外部環境破壞的作用。 [0003]在電路基板上搭載有半導體芯片等電子部件的半導體封裝中，使用倒裝連接的電 子部件的搭載在實現高速化、高密度化方面是有效的方法。在倒裝連接中，導體配線的一部 分成為倒裝連接用的連接墊料，例如將在這種連接墊料上配置的焊劑凸點與電子部件的電 極端子接合。
[0004] 作為面向電路基板的阻焊劑圖案的形成方法，通常已知光刻方式。在光刻方式中， 于在絕緣層1上具有連接墊料6和導體配線2的電路基板上形成阻焊劑層3后，進行曝光、顯 像，除去連接墊料6周邊的阻焊劑層3,設置開口部，由此形成圖1所示的阻焊層限定式 (Solder Mask Defined (SMD))結構或圖2所不的非阻焊層限定式（Non Solder Mask Defined (NSMD))結構。
[0005] 在圖1所示的SMD結構中，由于連接墊料6的周邊附近被阻焊劑層3被覆，所以為了 確實地將電子部件的電極端子與連接墊料6電連接，需要確保在連接墊料6的露出面形成的 接合部所需要的焊劑量，存在連接墊料6會大型化的問題。此外，為了使得通過阻焊劑層3來 確實地被覆連接墊料6的周邊附近，需要考慮加工精度，預先確保連接墊料6被阻焊劑層3被 覆的部分的寬度寬，存在連接墊料6進一步大型化的問題。另一方面，在圖2所示的NSMD結構 的連接墊料6中，由于連接墊料6整體露出于阻焊劑層3，與焊劑的連接面積大，與SMD結構的 情況相比，可將連接墊料6小型化。但是，在NSMD結構中，由于連接墊料6完全露出于阻焊劑 層3,所以有在相互毗鄰的連接墊料6間產生由焊劑導致的電氣短路的情況。
[0006] 有人提出了用于解決這樣的問題的阻焊劑圖案的形成方法，這種方法至少依次包 括:在具有連接墊料6的電路基板上形成阻焊劑層3的工序，將未固化的阻焊劑層3薄膜化至 阻焊劑層3的厚度變為連接墊料6的厚度以下為止的工序(例如參照專利文獻卜2)。在這種 阻焊劑圖案的形成方法中，如圖3所示，得到下述結構:連接墊料6表面露出于阻焊劑層3,但 連接墊料6側面的一部分被阻焊劑層3被覆。在圖3所示的結構中，難以產生由相互毗鄰的連 接墊料6間的焊劑導致的電氣短路，可確保確實地將電子部件的電極端子與連接墊料6電連 接所需要的焊劑量，可將連接墊料6小型化，從而可制備電連接可靠性優異的高密度配線的 配線基板。
[0007] 在這種阻焊劑圖案的形成方法中，涉及堿顯像型阻焊劑，存在如下所述的課題。
[0008] 第一，堿顯像型阻焊劑通過含有具有羧基的聚合物來調整酸值，顯現堿顯像性。但 是，在要求絕緣可靠性的阻焊劑中，需要使用通過降低羧基含量來設定低的酸值的聚合物。 在這樣使用含有酸值低的聚合物的阻焊劑的情況下，若通過專利文獻卜2所公開的方法來 形成阻焊劑圖案，則在連接墊料上產生阻焊劑的殘渣，有對電連接可靠性造成不良影響的 情況。
[0009] 第二，為了提高導體配線2表面與阻焊劑層3的粘附性，通常已知將導體配線2表面 粗糙化處理以產生錨固效應的方法。在導體配線2表面的粗糙化處理中，使用蝕刻劑對導體 配線2表面進行微蝕刻，由此將導體配線2表面粗糙化。由于連接墊料6為導體配線2的一部 分，所以也將連接墊料6表面粗糙化。
[0010] 阻焊劑通常含有填充劑。通過填充劑，抑制阻焊劑層3的固化收縮，從而提高粘附 性、硬度等。相反地，也產生顯像性降低或由光散射增大導致的分辨率降低的問題。由此，在 要求形成高精細的阻焊劑圖案的阻焊劑中，需要使用粒徑小的填充劑。
[0011]但是，若使用含有粒徑小的填充劑的阻焊劑，并通過專利文獻1~2所公開的方法來 形成阻焊劑圖案，則有填充劑填入粗糙化的連接墊料6表面的凹部中的情況。填入連接墊料 6表面的凹部中的填充劑周圍的阻焊劑層3的薄膜化速度變得比通常慢的情況也多。結果， 在連接墊料6表面上產生阻焊劑的殘渣，有對電連接可靠性造成不良影響的情況。
[0012] 現有技術文獻 專利文獻 專利文獻1:日本特開2011-192692號公報 專利文獻2:國際公開第2012/043201號小冊子。

【發明內容】

[0013] 發明所要解決的課題 本發明的課題在于提供阻焊劑圖案的形成方法，所述方法至少依次包括:在至少具有 連接墊料的電路基板上形成阻焊劑層的工序，將未固化的阻焊劑層薄膜化至阻焊劑層的厚 度變為連接墊料的厚度以下為止的工序;所述方法可制備在連接墊料上不產生阻焊劑的殘 渣、且電連接可靠性優異的配線基板。
[0014] 解決課題的手段 本發明人等發現，通過下列方法，可解決上述課題。
[0015] (1)阻焊劑圖案的形成方法，其至少依次包括:在至少具有連接墊料的電路基板 上形成阻焊劑層的工序，將未固化的阻焊劑層薄膜化至阻焊劑層的厚度變為連接墊料的厚 度以下為止的工序;其特征在于:上述阻焊劑層至少含有(A)含有羧基的聚合物、（B)聚合 性化合物、（C)填充劑和（D)光聚合引發劑而成，（A)含有羧基的聚合物的酸值為80~ 150mgK0H/g〇
[0016] (2)阻焊劑圖案的形成方法，其至少依次包括:在至少具有連接墊料的電路基板 上形成阻焊劑層的工序，將未固化的阻焊劑層薄膜化至阻焊劑層的厚度變為連接墊料的厚 度以下為止的工序;其特征在于:上述阻焊劑層至少含有(A)含有羧基的聚合物、（B)聚合 性化合物、（C)填充劑和(D)光聚合引發劑而成，（C)填充劑的平均粒徑為連接墊料上的 表面粗糙度Ra的1.1倍以上。
[0017] 在以下說明中，分別將上述（1)的方法、上述⑵的方法稱為"本發明1"、"本發明 2"，將上述(1)和(2)的方法統稱為"本發明"。
[0018] 發明效果 根據本發明，在至少依次包括在至少具有連接墊料的電路基板上形成阻焊劑層的工 序、將未固化的阻焊劑層薄膜化至阻焊劑層的厚度變為連接墊料的厚度以下為止的工序的 阻焊劑圖案的形成方法中，可制備在連接墊料上不產生阻焊劑的殘渣、且電連接可靠性優 異的配線基板。
【附圖說明】
[0019] 圖1為示出阻焊劑圖案的截面結構(SMD結構)的示意圖。
[0020] 圖2為示出阻焊劑圖案的截面結構(NSMD結構)的示意圖。
[0021] 圖3為示出用本發明的阻焊劑圖案的形成方法形成的阻焊劑圖案的截面結構的一 個實例的示意圖。
[0022] 圖4為示出本發明的阻焊劑圖案的形成方法中的工序的一個實例的示意圖。
[0023] 圖5為示出本發明的阻焊劑圖案的形成方法中的工序的一個實例的示意圖。
【具體實施方式】
[0024] 本發明的阻焊劑圖案的形成方法至少依次包括:在至少具有連接墊料的電路基板 上形成阻焊劑層的工序，將未固化的阻焊劑層薄膜化至阻焊劑層的厚度變為連接墊料的厚 度以下的工序。
[0025] 使用圖4,說明本發明的阻焊劑圖案的形成方法。在絕緣層1上具有連接墊料6的電 路基板（圖4a)上，形成阻焊劑層3以覆蓋整個電路基板（圖4b)。接著，通過將未固化的阻焊 劑層3薄膜化至阻焊劑層3的厚度變為連接墊料6的厚度以下為止，如圖4d所示，形成連接墊 料6表面露出于阻焊劑層3的阻焊劑圖案。
[0026] 使用圖5,說明另外的本發明的阻焊劑圖案的形成方法。于在絕緣層1上具有導體 配線2和連接墊料6的電路基板（圖5a)上，形成阻焊劑層3以覆蓋整個電路基板（圖5b)。接 著，通過活性光線5將薄膜化至阻焊劑層3的厚度變為連接墊料6的厚度以下為止的區域以 外的部分(未薄膜化的部分)曝光，使阻焊劑層3固化(圖5c)。在圖5c中，隔著光掩模4進行曝 光，但也可通過直接描畫方式進行曝光。接著，通過將未固化的阻焊劑層3薄膜化至阻焊劑 層3的厚度變為連接墊料6的厚度以下為止，如圖5d所示，形成連接墊料6表面露出于阻焊劑 層3的阻焊劑圖案。
[0027] 除了圖4和圖5所示的阻焊劑圖案的形成方法以外，在本發明中，可變化各工序的 順序、各工序的次數、各工序的條件（例如曝光的部分、薄膜化量、阻焊劑層形成時的厚度 等)等，將在電路基板上形成阻焊劑層3的工序、將阻焊劑層3薄膜化的工序、通過活性光線 將阻焊劑層3曝光的工序和完全除去未固化的阻焊劑層3的顯像工序等組合，從而可形成具 有各種結構的阻焊劑圖案。
[0028] 在本發明中，電路基板具有絕緣層1和在絕緣層1的表面形成的連接墊料6。在絕緣 層1的表面形成導體配線2,連接墊料6為導體配線2的一部分。在本發明中，配線基板在電路 基板的表面具有由阻焊劑層3形成的阻焊劑圖案，連接墊料6的一部分露出于阻焊劑層3。在 搭載有電子部件的配線基板的情況下，一個表面的連接墊料6為電子部件連接用，另一個表 面的連接墊料6為外部連接用。將電子部件連接用的連接墊料6與電子部件接合，將外部連 接用的連接墊料6與外部電氣基板的導體配線接合。
[0029] 在作為示出本發明的阻焊劑圖案形成方法中工序的一個實例的示意圖的圖4和圖 5、作為示出用本發明的阻焊劑圖案形成方法形成的阻焊劑圖案截面結構的一個實例的示 意圖的圖3中，記載了具有一層絕緣層1，且在絕緣層1的一個表面具有連接墊料6的電路基 板，但作為本發明所涉及的電路基板，包括:在配置有導體配線的絕緣基板上交替層壓增層 用的絕緣層或導體配線進行制備、且在表面具有絕緣層1和在絕緣層1的表面形成的連接墊 料6的電路基板。
[0030] 作為絕緣基板，例如可列舉出：由在玻璃布中含浸有雙馬來酰亞胺三嗪樹脂或環 氧樹脂等熱固性樹脂的電氣絕緣材料等構成的樹脂制基板。作為增層用的絕緣層，例如可 列舉出：與絕緣基板相同地在玻璃布中含浸有熱固性樹脂的電氣絕緣材料，在環氧樹脂等 熱固性樹脂中分散有氧化硅等無機填充劑的電氣絕緣材料等。
[0031] 導體配線2和連接墊料6例如可通過消去法、半添加法、添加法等來形成。在消去法 中，例如在絕緣層1上設置的銅層上形成抗蝕劑圖案，實施曝光、顯像、蝕刻、抗蝕劑剝離，形 成導體配線2和連接墊料6。在半添加法中，在絕緣層1的表面通過非電解鍍銅設置電解鍍銅 用的基底金屬層。接著，在基底金屬層上形成抗鍍劑圖案，在露出的基底金屬層的表面形成 電解鍍銅層。然后，實施抗鍍劑剝離、基底金屬層的光蝕刻(flash etching)，形成導體配線 2和連接墊料6。
[0032] 本發明所涉及的阻焊劑層3至少含有(A)含有羧基的聚合物、（B)聚合性化合物、 (C)填充劑和(D)光聚合引發劑而成。
[0033]作為本發明所涉及的阻焊劑，可使用堿顯像型阻焊劑。另外，可為單組分、二組分、 任一種的液態阻焊劑，也可為干薄膜狀阻焊劑。
[0034] 作為本發明所涉及的（A)含有羧基的聚合物，可使用在分子中含有羧基的聚合 物。在分子中進一步具有烯屬不飽和雙鍵的含有羧基的聚合物可與(B)聚合性化合物一起 交聯，從固化性、固化后的阻焊劑層3對堿水溶液的耐性方面出發更優選。具體而言，可列舉 出以下所列舉的聚合物。
[0035] (1)通過（甲基)丙烯酸等不飽和羧酸和1種以上的它們以外的具有不飽和雙鍵的 化合物共聚而得到的含有羧基的聚合物。
[0036] (2)通過以下方法得到的含有羧基的聚合物:利用具有環氧基和不飽和雙鍵的化 合物或（甲基)丙烯酰氯等，使烯屬不飽和基團作為側基與（甲基)丙烯酸等不飽和羧酸和1 種以上的它們以外的具有不飽和雙鍵的化合物的共聚物加成。
[0037] (3)通過以下方法得到的含有羧基的聚合物:使（甲基)丙烯酸等不飽和羧酸與具 有環氧基和不飽和雙鍵的化合物和它們以外的具有不飽和雙鍵的化合物的共聚物反應，使 多元酸酐與生成的仲羥基反應。
[0038] (4)通過以下方法得到的含有羧基的聚合物:使具有羥基和不飽和雙鍵的化合物 與馬來酸酐等具有不飽和雙鍵的酸酐和它們以外的具有不飽和雙鍵的化合物的共聚物反 應。
[0039] (5)通過以下方法得到的含有羧基的聚合物:使多官能環氧化合物與（甲基)丙烯 酸等不飽和單羧酸反應，使飽和多元酸酐或不飽和多元酸酐與生成的反應物中的羥基反 應。
[0040] (6)通過以下方法得到的含羥基的含有羧基的聚合物:在使飽和多元酸酐或不飽 和多元酸酐與聚乙烯醇衍生物等含羥基的聚合物反應后，使一分子中具有環氧基和不飽和 雙鍵的化合物與生成的羧酸反應。
[0041] (7)通過以下方法得到的含有羧基的聚合物:使多官能環氧化合物、（甲基)丙烯 酸等不飽和單羧酸以及一分子中具有至少1個醇羥基和與環氧基反應的醇羥基以外的1個 反應性基團的化合物(例如二羥甲基丙酸等)反應，使飽和多元酸酐或不飽和多元酸酐與得 到的反應生成物反應。
[0042] (8)通過以下方法得到的含有羧基的聚合物:通過使（甲基)丙烯酸等不飽和單羧 酸與一分子中具有至少2個氧雜環丁烷環的多官能氧雜環丁烷化合物反應而得到改性氧雜 環丁烷樹脂，使飽和多元酸酐或不飽和多元酸酐與得到的改性氧雜環丁烷樹脂中的伯羥基 反應。
[0043] (9)通過以下方法得到的含有羧基的聚合物:通過使不飽和單羧酸(例如（甲基） 丙烯酸等)與多官能環氧樹脂(例如甲酚醛型環氧樹脂等)反應后，與多元酸酐(例如四氫鄰 苯二甲酸酐等)反應而得到含有羧基的聚合物，進一步使分子中具有1個環氧乙烷環和1個 以上烯屬不飽和基團的化合物(例如縮水甘油基（甲基)丙烯酸酯等)與其反應。
[0044] (A)含有羧基的聚合物并不限定于上述列舉的聚合物。另外，它們可單獨使用1種 或組合使用2種以上。
[0045] 在上述列舉的聚合物中優選的聚合物為上述(2)、（5)、（7)、（9)的含有羧基的聚合 物，特別是從固化性、固化后的阻焊劑層的特性方面出發，更優選上述(9)的含有羧基的聚 合物。
[0046] 需說明的是，在本發明中，（甲基)丙烯酸為將丙烯酸、甲基丙烯酸和它們的混合物 統稱的術語。（甲基)丙烯酸酯為將丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯和它們的混合物統稱的術語。作 為具有環氧基和不飽和雙鍵的化合物，可列舉出縮水甘油基（甲基)丙烯酸酯、（甲基)丙烯 酸3,4_環氧環己基甲酯等。作為具有羥基和不飽和雙鍵的化合物，可列舉出（甲基）丙烯酸 2-羥基乙酯、（甲基)丙烯酸2-羥基丙酯等。
[0047] 由于如上所述的(A)含有羧基的聚合物在骨架·聚合物(主鏈）的側鏈具有大量 的游離羧基，所以可通過堿水溶液進行薄膜化或通過稀堿水溶液進行顯像。
[0048]在本發明1中，上述(A)含有羧基的聚合物的酸值為80~150mgK0H/g的范圍，優選 為90~120mgK0H/g的范圍。若(A)含有羧基的聚合物的酸值低于80mgK0H/g，則容易在連接 墊料6上產生阻焊劑的殘渣，有變得難以確保電連接可靠性的情況。另一方面，若超過 150mgK0H/g，則在將阻焊劑層3薄膜化的工序中曝光部的阻焊劑層3或薄膜化的阻焊劑層3 變得容易溶脹，有阻焊劑圖案的絕緣可靠性降低的情況。通過(A)含有羧基的聚合物的酸 值為80~150mgK0H/g的范圍，容易得到電連接可靠性和絕緣可靠性優異的配線基板。
[0049] (A)含有羧基的聚合物的質均分子量優選為5,000~150,000,更優選為10,000~ 100，000。若質均分子量低于5，000,則有固化后的阻焊劑層3對堿水溶液的耐性降低的傾 向；另一方面，若超過150，000，則有薄膜化所需要的時間變長的傾向。
[0050] 相對于阻焊劑層3,（A)含有羧基的聚合物的摻混量優選為40~65質量％，更優選為 45~55質量％。若(A)含有羧基的聚合物的摻混量低于40質量％，則有固化后的阻焊劑層3的 化學強度、機械強度變低的傾向。另外，有被膜性變差的傾向。若(A)含有羧基的聚合物的 摻混量超過65質量％，則有聚合性降低的情況。
[0051] 本發明所涉及的(B)聚合性化合物是:通過照射活性光線來光聚合，使阻焊劑層3 固化，從而對堿水溶液不溶解的化合物，或幫助不溶解的化合物。作為這樣的化合物，可列 舉出：乙二醇、甲氧基四甘醇、聚乙二醇、丙二醇等二醇的二（甲基）丙烯酸酯類，己二醇、三 羥甲基丙烷、季戊四醇、二季戊四醇、三羥基乙基異氰尿酸酯等多元醇或它們的氧化乙烯加 成物或氧化丙烯加成物等的多元（甲基)丙烯酸酯類，（甲基)丙烯酸苯氧基酯、雙酚A二（甲 基）丙烯酸酯和這些酚類的氧化乙烯加成物或氧化丙烯加成物等的多元（甲基）丙烯酸酯 類，甘油二縮水甘油醚、甘油三縮水甘油醚、三羥甲基丙烷三縮水甘油醚、三縮水甘油基異 氰尿酸酯等縮水甘油醚的多元（甲基)丙烯酸酯類，和蜜胺（甲基)丙烯酸酯等。
[0052] 相對于100質量份的(A)含有羧基的聚合物，（B)聚合性化合物的摻混量優選為5 ~1〇〇質量份，更優選為5~70質量份。在(B)聚合性化合物的摻混量低于5質量份的情況下， 固化性降低，有變得難以通過照射活性光線和薄膜化來形成阻焊劑圖案的情況、或不再發 揮通過阻焊劑圖案保護免受外部環境破壞的作用的情況。另一方面，在超過100質量份的情 況下，有薄膜化所需要的時間變長的情況、或固化后的阻焊劑層3變脆的情況。
[0053]作為(C)填充劑，可使用無機填充劑或有機填充劑。特別優選使用硫酸鋇、二氧化 硅和滑石粉，可將它們單獨摻混或將它們摻混2種以上。填充劑的平均粒徑優選在0.1~20μπι 的范圍內。上述平均粒徑更優選為0.2μηι以上，更優選為4μηι以下，進一步優選為2μηι以下。
[0054] 另外，導體配線2表面有為了提高與阻焊劑層3的粘附性而通過蝕刻劑來粗糙化的 情況。此時，由于連接墊料6為導體配線2的一部分，所以也將連接墊料6的表面粗糙化。在這 樣進行了粗糙化處理的連接墊料6上形成阻焊劑層3時，填充劑會填入在通過粗糙化形成的 連接墊料6表面的凹凸中。填入凹凸中的填充劑周圍的阻焊劑層3的薄膜化速度變得比通常 慢的情況多。結果，有在連接墊料6表面上產生阻焊劑的殘渣的情況。由此，為了避免殘渣的 產生，填充劑的平均粒徑優選在〇. 1~20μπι的范圍內。
[0055] 此外，優選注意連接墊料6的粗糙化度和填充劑的平均粒徑的組合，在本發明2中， (C)填充劑的平均粒徑為連接墊料6上的表面粗糙度Ra的1.1倍以上。（C)填充劑的平均粒 徑相對于連接墊料6上的表面粗糙度Ra，優選為1.2倍以上，更優選為1.3倍以上。通過阻焊 劑層3含有平均粒徑為連接墊料6上的表面粗糙度Ra的1.1倍以上的（C)填充劑，在連接墊 料6上不產生阻焊劑層3的殘渣，因此易于得到確保絕緣可靠性、且電連接可靠性優異的高 密度配線的配線基板。
[0056]本發明中的平均粒徑為用激光衍射散射法測定的D50 (體積基準50%粒徑）。
[0057]相對于100質量份的(A)含有羧基的聚合物，（C)填充劑的摻混量優選為300質量 份以下，更優選為0.1~300質量份，進一步優選為0.1~150質量份。在(C)填充劑的摻混量超 過300質量份的情況下，用于制備干薄膜狀阻焊劑的涂布液或液態阻焊劑的粘度變高，有涂 布性降低的情況或固化后的阻焊劑層3變脆的情況。
[0058] 從阻焊劑層3中的分散性或對分辨率的影響的觀點出發，（C)填充劑的形狀優選 為球狀。
[0059] 作為導體配線2表面的粗糙化處理中使用的蝕刻劑，可列舉出：含有過氧化氫、硫 酸、苯并三唑類、氯化物離子的處理劑;過氧化氫、無機酸、三唑、四唑、咪唑等處理劑;含有 鹵化物離子源的處理劑;含有含氧酸、過氧化物、唑和鹵化物的處理劑;含有過氧化氫、無機 酸、三唑、四唑和/或咪唑以及表面活性劑的處理劑;含有過氧化氫、硫酸、苯基四唑、氯離子 源的處理劑;含有過氧化氫、硫酸、氨基四唑、四唑化合物、膦酸類螯合劑的處理劑；由含有 主劑和助劑的水溶液構成的處理劑等，所述主劑由無機酸和銅的氧化劑構成，所述助劑由 唑類和蝕刻抑制劑構成。
[0060] 作為(D)光聚合引發劑，可列舉出：安息香、安息香甲醚、安息香乙醚等安息香及 其烷基釀類，苯乙酮、2，2_二甲氧基_2_苯基苯乙酮、1，1-二氯苯乙酮、4_(1_叔丁基二氧基-1-甲基乙基)苯乙酮等苯乙酮類，2-甲基蒽醌、2-戊基蒽醌、2-叔丁基蒽醌、1-氯蒽醌等蒽醌 類，2,4_二乙基噻噸酮、2，4_二異丙基噻噸酮、2-氯噻噸酮等噻噸酮類，苯乙酮二甲基縮酮、 芐基二甲基縮酮等縮酮類，二苯甲酮、4-(1-叔丁基二氧基-1-甲基乙基)二苯甲酮、3,3'，4， 4'_四（叔丁基二氧基羰基)二苯甲酮等二苯甲酮類等。
[0061] 另外，作為優選的(D)光聚合引發劑，可列舉出：2_甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉代-1-丙酮、2-芐基-2-二甲基氨基-1-(4-嗎啉代苯基)-丁-1-酮、2-(二甲基氨基)-2-[(4-甲基苯基）甲基]-1-[4-(4-嗎啉基)苯基]-1-丁酮、N，N-二甲基氨基苯乙酮(作為市售 品，BASF公司制的Irgacure (注冊商標）9〇7、Irgacure (注冊商標）369、Irgacure (注冊 商標）379等)等α-氨基苯乙酮類，2，4，6-三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦、雙(2，4，6-三甲基 苯甲酰基)_苯基氧化膦、雙(2，6-二甲氧基苯甲酰基)-2，4，4-三甲基-戊基氧化膦(作為市 售品，BASF公司制的Lucirin (注冊商標）TP0、Irgacure (注冊商標）819等)等酰基氧化 膦類。
[0062]相對于100質量份的(A)含有羧基的聚合物，（D)光聚合引發劑的摻混量為0.01~ 30質量份，優選為0.5~15質量份。相對于100質量份的(A)含有羧基的聚合物，若(D)光聚 合引發劑的摻混量低于0.01質量份，則有阻焊劑層3的光固化性不足的情況、阻焊劑層3剝 離的情況或耐化學藥品性等阻焊劑層3的特性降低的情況。另一方面，相對于100質量份的 (A)含有羧基的聚合物，若光聚合引發劑的摻混量超過30質量份，則有深部固化性因光聚合 引發劑的光吸收而降低的情況。
[0063] 在本發明所涉及的阻焊劑層3中，為了提高阻焊劑層3的物理強度等，可根據需要 摻混熱固性成分。作為這樣的熱固性成分，可使用蜜胺樹脂、苯基胍胺樹脂等氨基樹脂、封 端異氰酸酯化合物、環碳酸酯化合物、多官能環氧化合物、多官能氧雜環丁烷化合物、環硫 化物樹脂等熱固性樹脂。
[0064] 熱固性成分的摻混量只要為通常使用的比例即可，例如相對于總量為100質量份 的(A)含有羧基的聚合物和(B)聚合性化合物，優選為0.01~20質量份。熱固性成分可單獨 使用或組合使用2種以上。
[0065] 此外，為了 (A)含有羧基的聚合物的合成、液態阻焊劑的制備、用于制備干薄膜狀 阻焊劑的涂布液的制備、液態阻焊劑或該涂布液粘度的調整等目的，在本發明所涉及的阻 焊劑中可使用有機溶劑。
[0066]作為有機溶劑，可列舉出酮類、芳族烴類、二醇醚類、二醇醚乙酸酯類、酯類、醇類、 脂族烴、石油類溶劑等。
[0067] 更具體而言，可列舉出：甲乙酮、環己酮等酮類，甲苯、二甲苯、四甲基苯等芳族烴 類，溶纖劑、甲基溶纖劑、丁基溶纖劑、卡必醇、甲基卡必醇、丁基卡必醇、丙二醇單甲基醚、 一縮二丙二醇單甲基醚、一縮二丙二醇二乙基醚、三甘醇單乙基醚等二醇醚類，乙酸乙酯、 乙酸丁酯、一縮二丙二醇甲醚乙酸酯、丙二醇甲基醚乙酸酯、丙二醇乙基醚乙酸酯、丙二醇 丁基醚乙酸酯等酯類，乙醇、丙醇、乙二醇、丙二醇等醇類，辛烷、癸烷等脂族烴，石油醚、石 腦油、氫化石腦油、溶劑石腦油等石油類溶劑等。有機溶劑可單獨使用或作為2種以上的混 合物使用。
[0068] 在電路基板上形成阻焊劑層3的方法可為任一種方法。例如，在液態阻焊劑的情況 下，可列舉出絲網印刷法、輥涂法、噴霧法、浸漬法、簾涂法、棒涂法、氣刀法、熱熔法、凹版涂 布法、刷涂法、膠版印刷法等。在干薄膜狀阻焊劑的情況下，可列舉出層壓法、真空層壓法 等。
[0069] 在本發明中，將阻焊劑層3薄膜化的工序包括:利用薄膜化處理液(堿水溶液)將未 固化的阻焊劑層成分膠束化的膠束化處理(薄膜化處理），和接著進行的利用膠束除去液除 去膠束的膠束除去處理。此外，可包括:通過水洗來沖洗未完全除去的阻焊劑層3表面或殘 存附著的薄膜化處理液和膠束除去液的水洗處理、除去水洗水的干燥處理。
[0070] 薄膜化處理(膠束化處理)是利用薄膜化處理液將阻焊劑層成分膠束化，使該膠束 相對于薄膜化處理液暫時不溶解的處理。薄膜化處理液為高濃度的堿水溶液。作為薄膜化 處理液所使用的堿性化合物，例如可列舉出：堿金屬硅酸鹽、堿金屬氫氧化物、堿金屬磷酸 鹽、堿金屬碳酸鹽、銨磷酸鹽、銨碳酸鹽等無機堿性化合物，單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、 甲胺、二甲胺、三甲胺、乙胺、二乙胺、三乙胺、環己胺、氫氧化四甲銨(TMAH)、氫氧化四乙銨、 氫氧化三甲基-2-羥基乙基銨(膽堿）等有機堿性化合物。作為堿金屬，可列舉出鋰、鈉、鉀 等。上述堿性化合物可單獨使用或并用2種以上。另外，也可并用無機堿性化合物和有機堿 性化合物。
[0071] 相對于薄膜化處理液，堿性化合物的含量優選為3~50質量％。另外，為了將阻焊劑 層3表面更均勻地薄膜化，也可在薄膜化處理液中添加硫酸鹽、亞硫酸鹽。作為硫酸鹽或亞 硫酸鹽，可列舉出：鋰、鈉或鉀等堿金屬硫酸鹽或亞硫酸鹽，鎂、鈣等堿土金屬硫酸鹽或亞硫 酸鹽。
[0072] 作為薄膜化處理液，由于可將表面更均勻地薄膜化，所以其中可特別適合使用:含 有選自無機堿性化合物和有機堿性化合物的至少1種、堿性化合物的含量為5~25質量%的薄 膜化處理液，其中無機堿性化合物選自堿金屬碳酸鹽、堿金屬磷酸鹽、堿金屬氫氧化物、堿 金屬硅酸鹽，有機堿性化合物選自TMAH、膽堿。若低于5質量％，則有薄膜化量變得不均勻的 情況。另外，若超過25質量％，則對于無機堿性化合物，變得容易產生無機堿性化合物的析 出，因此有薄膜化處理液的經時穩定性成為問題的情況。在有機堿性化合物的情況下，由于 臭味變強，所以有操作性成為問題的情況。堿性化合物的含量更優選7~17質量％，進一步優 選8~13質量％。薄膜化處理液的pH優選設為10以上。另外，也可適宜地添加表面活性劑、消泡 劑、溶劑等。
[0073] 薄膜化處理可使用浸漬處理、攪拌(paddl ing)處理、噴霧處理、刷涂、刮擦等方法， 優選浸漬處理。浸漬處理以外的處理方法容易在薄膜化處理液中產生氣泡，這種產生的氣 泡在薄膜化處理中附著在阻焊劑層3表面，有薄膜化量變得不均勻的情況。
[0074]在除去對薄膜化處理液不溶解的阻焊劑層成分的膠束的膠束除去處理中，通過將 膠束除去液噴霧，一舉溶解除去膠束。
[0075]作為膠束除去液，可使用自來水、工業用水、純水等。另外，通過將下述水溶液用作 膠束除去液，使在薄膜化處理液中不溶解的阻焊劑層成分變得容易再分散:含有選自無機 堿性化合物和有機堿性化合物的至少1種的pH5~10的水溶液，其中無機堿性化合物選自堿 金屬碳酸鹽、堿金屬磷酸鹽、堿金屬硅酸鹽，有機堿性化合物選自TMAH、膽堿。在膠束除去液 的pH低于5的情況下，阻焊劑層成分凝聚，成為不溶性的泥狀物，有在薄膜化的阻焊劑層3表 面附著之虞。另一方面，在膠束除去液的pH超過10的情況下，阻焊劑層3過度地溶解擴散，有 變得容易在面內產生薄膜化量不均勻的情況。另外，膠束除去液可使用硫酸、磷酸、鹽酸等 調整pH。
[0076]對膠束除去處理中的噴霧條件進行說明。噴霧條件(溫度、時間、噴霧壓力)可適應 阻焊劑層3的溶解速度適宜地調整。具體而言，處理溫度優選10~50°C，更優選為15~35°C。另 外，噴霧壓力優選設為〇 . 01~〇. 5MPa，更優選為0.1~0.3MPa。對于每lcm2的阻焊劑層3，膠束 除去液的供給流量優選0.030~1.0L/分，更優選0.050~1.0L/分，進一步優選0.10~1.0L/分。 若供給流量為該范圍，則不會在薄膜化后的阻焊劑層3表面殘留不溶性的泥狀物，可在面內 大致均勻地除去膠束。若每lcm 2的供給流量低于0.030L/分，有產生不溶解的阻焊劑層成分 的溶解不良的情況。另一方面，若供給流量超過1.0L/分，則供給所需要的栗等部件變得巨 大，有需要大規模的裝置的情況。此外，在超過1.0L/分的供給流量下，有時有助于阻焊劑層 成分的溶解擴散的效果不再變化。
[0077] 在膠束除去處理后，可進一步通過水洗處理來沖洗未完全除去的阻焊劑層3或在 阻焊劑層3表面殘存附著的薄膜化處理液和膠束除去液。作為水洗處理的方法，從擴散速度 和液體供給的均勻性的觀點出發，優選噴霧方式。作為水洗水，可使用自來水、工業用水、純 水等。其中優選使用純水。純水可使用通常用于工業用的純水。
[0078]在干燥處理中，可使用熱風干燥、室溫送風干燥中的任一種，優選將高壓空氣從氣 槍或鼓風機輸送大量的空氣并用氣刀吹去在阻焊劑層3表面殘存的水的干燥方法。
[0079] 在本發明的阻焊劑圖案的形成方法中，用形成阻焊劑層3后的厚度和將未固化的 阻焊劑層3薄膜化的量，確定連接墊料6周圍的阻焊劑層3的厚度。另外，在本發明的阻焊劑 圖案的形成方法中，可在〇.〇1~500μπι的范圍內自由地調整薄膜化量。從薄膜化后的阻焊劑 層3至連接墊料6的頂面為止的高度根據需要的焊劑量適宜地調整。具體而言，優選從連接 墊料6的頂面薄膜化至殘留Ιμπι以上且50μπι以下的膜厚度的程度為止。
[0080] 在將阻焊劑層3曝光的工序的曝光中，對阻焊劑層3照射活性光線。可使用：以氙 燈、高壓汞燈、低壓汞燈、超高壓汞燈、UV熒光燈為光源的反射圖像曝光，使用光掩模的單 面、雙面接觸曝光，或接近式、投影式或激光掃描曝光等。在進行掃描曝光的情況下，可通過 以下方式來曝光:根據發光波長將UV激光、He-Ne激光、He-cd激光、氬激光、氪離子激光、紅 寶石激光、YAG激光、氮激光、色素激光、受激準分子激光等激光光源轉換成SHG波長的掃描 曝光，或利用液晶快門、微鏡陣列快門的掃描曝光。通過曝光，阻焊劑層3聚合并固化。
[0081] 薄膜化至阻焊劑層3的厚度變為連接墊料6的厚度以下為止的區域只要為連接墊 料6以上的大小即可，只要對毗鄰的導體配線2的絕緣電阻無影響，則可任意地增大。
[0082] 在本發明中，優選在將阻焊劑層3薄膜化的工序之后進行對阻焊劑層3進行固化處 理的工序（后固化工序）。在薄膜化的工序和后固化工序之間也可包括其它的工序。通過后 固化工序，阻焊劑圖案可有效地發揮防止導體配線的氧化、電氣絕緣和保護免受外部環境 破壞的作用。作為固化處理，例如可列舉出加熱處理、對阻焊劑層的整體照射活性光線的曝 光處理、加熱和曝光處理的并用等。在進行加熱處理的情況下，優選在氮氣氛中，選擇室溫 至450°C的溫度進行階段性升溫，或選擇某溫度范圍進行連續升溫，同時實施5分鐘~5小時。 加熱處理的最高溫度優選為120~450°C，更優選為130~450°C。例如，于130°C、200°C、400°C 分別加熱處理30分鐘。另外，可用2小時從室溫線性升溫至400°C以進行加熱處理。另外，可 選擇某溫度，進行一定時間的加熱處理。 實施例
[0083]以下通過實施例更詳細地說明本發明，但本發明不限于這些實施例。
[0084][關于(A)含有羧基的聚合物的酸值的本發明1的實施例] 合成例1 在具備攪拌器、溫度計、回流冷卻管、滴液漏斗和氮導入管的可分離式燒瓶中投入 660.0質量份的甲酚醛型環氧樹脂（日本化藥社制，商品名：E0CN-104S)、432質量份的卡必 醇乙酸酯和188.0質量份的溶劑石腦油，加熱至90°C，進行攪拌、溶解。接著，在暫時冷卻至 60°C后，加入216質量份的丙烯酸、4.0質量份的三苯基膦、1.3質量份的甲基氫醌，于100°C 反應12小時。然后，加入290.0質量份的四氫鄰苯二甲酸酐，加熱至90°C并反應6小時。由此， 得到不揮發成分為65質量％、固體成分酸值為85mgK0H/g的(A)含有羧基的聚合物的溶液。 以下將該（A)含有羧基的聚合物的溶液稱為"聚合物A-Γ。需說明的是，酸值依據JIS K2501:2003 測定。
[0085]合成例2 在具備攪拌器、溫度計、回流冷卻管、滴液漏斗和氮導入管的可分離式燒瓶中投入 550.0質量份的甲酚醛型環氧樹脂（日本化藥社制，商品名：E0CN-104S)、471.0質量份的卡 必醇乙酸酯和221.0質量份的溶劑石腦油，加熱至90°C，進行攪拌、溶解。接著，在暫時冷卻 至60°C后，加入216質量份的丙烯酸、4.0質量份的三苯基膦、1.3質量份的甲基氫醌，于100 °C反應12小時。然后，在其中投入400.0質量份的四氫鄰苯二甲酸酐，加熱至90°C并反應6小 時。由此，得到不揮發成分為65質量％、固體成分酸值為116mgK0H/g的(A)含有羧基的聚合 物的溶液。以下將該(A)含有羧基的聚合物的溶液稱為"聚合物A-2"。
[0086] 合成例3 在具備攪拌器、溫度計、回流冷卻管、滴液漏斗和氮導入管的可分離式燒瓶中投入 445.0質量份的甲酚醛型環氧樹脂（日本化藥社制，商品名：E0CN-104S)、501.0質量份的卡 必醇乙酸酯和237.0質量份的溶劑石腦油，加熱至90°C，進行攪拌、溶解。接著，在暫時冷卻 至60°C后，加入216質量份的丙烯酸、4.0質量份的三苯基膦、1.3質量份的甲基氫醌，于100 °C反應12小時。然后，在其中投入505.0質量份的四氫鄰苯二甲酸酐，加熱至90 °C并反應6小 時。由此，得到不揮發成分為65質量％、固體成分酸值為146mgK0H/g的(A)含有羧基的聚合 物的溶液。以下將該(A)含有羧基的聚合物的溶液稱為"聚合物A-3"。
[0087]比較合成例1 在具備攪拌器、溫度計、回流冷卻管、滴液漏斗和氮導入管的可分離式燒瓶中投入 700.0質量份的甲酚醛型環氧樹脂（日本化藥社制，商品名：E0CN-104S)、432質量份的卡必 醇乙酸酯和188.0質量份的溶劑石腦油，加熱至90°C，進行攪拌、溶解。接著，在暫時冷卻至 60°C后，加入216質量份的丙烯酸、4.0質量份的三苯基膦、1.3質量份的甲基氫醌，于100°C 反應12小時。然后，在其中投入250.0質量份的四氫鄰苯二甲酸酐，加熱至90°C并反應6小 時。由此，得到不揮發成分為65質量％、固體成分酸值為74mgK0H/g的含有羧基的聚合物的溶 液。以下將該含有羧基的聚合物的溶液稱為"比較聚合物a-Γ。
[0088]比較合成例2 在具備攪拌器、溫度計、回流冷卻管、滴液漏斗和氮導入管的可分離式燒瓶中投入 410.0質量份的甲酚醛型環氧樹脂（日本化藥社制，商品名：E0CN-104S)、511質量份的卡必 醇乙酸酯和244.0質量份的溶劑石腦油，加熱至90°C，進行攪拌、溶解。接著，在暫時冷卻至 60°C后，加入216質量份的丙烯酸、4.0質量份的三苯基膦、1.3質量份的甲基氫醌，于100°C 反應12小時。然后，在其中投入540.0質量份的四氫鄰苯二甲酸酐，加熱至90°C并反應6小 時。由此，得到不揮發成分為65質量％、固體成分酸值為157mgK0H/g的含有羧基的聚合物的 溶液。以下將該含有羧基的聚合物的溶液稱為"比較聚合物a-2"。
[0089] 以表1所示的比例(質量份)摻混各材料，在用攪拌機預混合后，用3軸輥磨機捏合， 制備摻混例1~3和比較摻混例1~2的阻焊劑。
[0090] (實施例1~6和比較例1~4) 通過使用抗蝕劑的消去法，從包銅層壓板(面積為17 0_ X 20 0mm，銅箱厚度為18μL?，基 材厚度為0.4mm)制備在絕緣層1上具有導體配線寬度為80μηι、導體配線間距離為80μηι的導 體配線2的電路基板。接著，使用涂布器分別在上述電路基板上涂布摻混例1~3和比較摻混 例1~2的阻焊劑，實施70°C、30分鐘的干燥。由此在電路基板上形成從絕緣層1表面至阻焊劑 層3表面為止的干燥膜厚度為35μπι的阻焊劑層3。
[0091]接著，將相當于導體配線2的起點和終點的部分視為連接墊料6,使用具有在從相 當于起點和終點的部分的邊緣起向外80μπι的區域照射活性光線5這樣的圖案的光掩模4,用 接觸曝光機，以200mJ/cm 2的能量對阻焊劑層3實施曝光。
[0092]接著，使用表2所示的堿水溶液(薄膜化處理液），以表2所示的處理時間進行浸漬 處理，接著使用自來水，實施膠束除去處理和水洗，接著進行干燥處理，將未固化的阻焊劑 層3薄膜化至非曝光部的阻焊劑層3的厚度變為平均12μπι為止。
[0093][表 2] 表2
接著，以150°C、60分鐘的條件實施后固化。用顯微鏡觀察形成的實施例1~6和比較例1~ 4的阻焊劑圖案，結果如圖3所示，形成了：高度為18μπι的導體配線2被厚度為35μπι的阻焊劑 層3被覆，且高度為18μπι的連接墊料6的周圍被厚度為12μπι的阻焊劑層3被覆的阻焊劑圖案。 [0094]另外，用顯微鏡觀察實施例1~6和比較例1~4的阻焊劑圖案中的連接墊料6和連接 墊料6周圍的阻焊劑層3。如表2所示，在使用的（Α)含有羧基的聚合物的酸值在80~ 150mgK0H/g的范圍內的實施例1~6中，確認了在連接墊料6上無阻焊劑的殘渣。另外，也確認 了阻焊劑層3未溶脹。
[0095]與之相對的是，在使用的(A)含有羧基的聚合物的酸值低于80mgK0H/g的比較例1 ~2中，雖然阻焊劑層3未溶脹，但確認了在連接墊料6上有阻焊劑的殘渣。
[0096]而且，在使用的(A)含有羧基的聚合物的酸值超過150mgK0H/g的比較例3~4中，雖 然在連接墊料6上無阻焊劑的殘渣，但確認了阻焊劑層3溶脹。
[0097][關于(C)填充劑的平均粒徑的本發明2的實施例] 作為(C)填充劑，使用表3所示的由無定形二氧化硅構成的填充劑C1~C4。本發明中的 平均粒徑為用激光衍射散射法測定的D50 (體積基準50%粒徑）。
[0098] [表 3] 表3
以表4所示的比例(質量份)摻混各材料，在用攪拌機預混合后，用3軸輥磨機捏合，制備 摻混例4~7的阻焊劑。
[0099] [表 4] 表4
(包銅層壓板的粗糙化處理） 使用凈化劑(Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc.制，商品名：CPE-700)，處理包 銅層壓板(面積為170mmX200mm，銅箱厚度為18μπι，基材厚度為0.4mm)，將銅表面凈化。接 著，在包含1.5質量%過氧化氫水溶液、5質量%硫酸、0.005質量%氯化物離子、0.3質量％ 1H-苯并三唑的蝕刻劑(溫度為30°C)中浸漬包銅層壓板，進行水洗、干燥，得到將銅表面粗糙化 的包銅層壓板1~4。通過變化浸漬時間，調整銅表面的表面粗糙度。將得到的包銅層壓板1~4 的表面粗糙度Ra示出于表5中。
[0100] 表面粗糙度Ra為算術平均表面粗糙度，使用超深度形狀測定顯微鏡(Keyence制， 產品編號"VK-8500"），通過依據JIS B0601-1994表面粗糙度-定義的計算式求得。需說明 的是，測定區域設為900μηι2，基準長度設為40μηι。
[0101] [表 5] 表5
(實施例7~30和比較例5~12) 通過使用抗蝕劑的消去法，從粗糙化處理過的包銅層壓板制備在絕緣層1上具有導體 配線寬度為80μπι、導體配線間距離為80μπι的導體配線2的電路基板。接著，使用涂布器在上 述電路基板上分別涂布摻混例4~7的阻焊劑，實施70 °C、30分鐘的干燥。由此，在電路基板上 形成從絕緣層1表面至阻焊劑層3表面為止的干燥膜厚度為35μπι的阻焊劑層3。
[0102] 接著，將相當于導體配線2的起點和終點的部分視為連接墊料6,使用具有在從相 當于起點和終點的部分的邊緣起向外80μπι的區域照射活性光線5這樣的圖案的光掩模4,用 接觸曝光機，以200mJ/cm 2的能量對阻焊劑層3實施曝光。
[0103] 接著，使用表6所示的堿水溶液(薄膜化處理液）1和2,以表6所示的處理時間進行 浸漬處理，接著使用自來水，實施膠束除去處理和水洗，接著進行干燥處理，將未固化的阻 焊劑層3薄膜化至非曝光部的阻焊劑層3的厚度變為平均12μπι為止。
[0104] [表 6] 表6
接著，以150°C、60分鐘的條件實施后固化。用顯微鏡觀察形成的實施例7~30和比較例5 ~12的阻焊劑圖案，結果如圖3所示，形成了：高度為18μπι的導體配線2被厚度為35μπι的阻焊 劑層3被覆，高度為18μπι的連接墊料6表面露出，且連接墊料6側面被厚度為12μπι的阻焊劑層 3被覆的阻焊劑圖案。
[0105]另外，在實施例7~30和比較例5~14的阻焊劑圖案中，用顯微鏡觀察連接墊料6和連 接墊料6周圍的阻焊劑層3。如表7所示，在使用的(C)填充劑的平均粒徑為連接墊料上的表 面粗糙度Ra的1.1倍以上的實施例7~30中，確認了在連接墊料6上無阻焊劑的殘渣。與之相 對的是，在使用的（C)填充劑的平均粒徑不足連接墊料上的表面粗糙度Ra的1.1倍的比較 例5~12中，確認了在連接墊料6上有阻焊劑的殘渣。
[0106][表 7] 表7

產業上的可利用性 本發明的阻焊劑圖案的形成方法例如可應用于進行在配線的一部分具備倒裝連接用 連接墊料的電路基板的阻焊劑圖案的形成的用途。
[0107] 標記說明 1絕緣層 2導體配線 3阻焊劑層 4光掩模 5活性光線 6連接墊料。
【主權項】
1. 阻焊劑圖案的形成方法，其至少依次包括:在至少具有連接墊料的電路基板上形成 阻焊劑層的工序，將未固化的阻焊劑層薄膜化至阻焊劑層的厚度變為連接墊料的厚度以下 為止的工序;其特征在于:上述阻焊劑層至少含有(A)含有羧基的聚合物、（B)聚合性化合 物、（C)填充劑和(D)光聚合引發劑而成，（A)含有羧基的聚合物的酸值為80~150mgK0H/ g°2. 權利要求1的阻焊劑圖案的形成方法，其中，（C)填充劑的平均粒徑為連接墊料上 的表面粗糙度Ra的1.1倍以上。3. 權利要求1的阻焊劑圖案的形成方法，其中，（C)填充劑選自硫酸鋇、二氧化硅和滑 石粉，所述填充劑的平均粒徑在〇. 1~20μπι的范圍內。4. 阻焊劑圖案的形成方法，其至少依次包括:在至少具有連接墊料的電路基板上形成 阻焊劑層的工序，將未固化的阻焊劑層薄膜化至阻焊劑層的厚度變為連接墊料的厚度以下 為止的工序;其特征在于:上述阻焊劑層至少含有(Α)含有羧基的聚合物、（Β)聚合性化合 物、（C)填充劑和(D)光聚合引發劑而成，（C)填充劑的平均粒徑為連接墊料上的表面粗 糙度Ra的1.1倍以上。5. 權利要求4的阻焊劑圖案的形成方法，其中，（A)含有羧基的聚合物的酸值為80~ 150mgK0H/g〇6. 權利要求4的阻焊劑圖案的形成方法，其中，（C)填充劑選自硫酸鋇、二氧化硅和滑 石粉，所述填充劑的平均粒徑在〇. 1~20μπι的范圍內。
【文檔編號】G03F7/16GK105974735SQ201610138287
【公開日】2016年9月28日
【申請日】2016年3月11日
【發明人】后閑憲彥, 豐田裕二, 中川邦弘
【申請人】三菱制紙株式會社