一種壓印板、檢測方法及檢測裝置的制造方法

一種壓印板、檢測方法及檢測裝置的制造方法
【專利摘要】本發明提供一種壓印板、檢測方法及檢測裝置。其中壓印板包括：第一區域和位于該第一區域周邊的第二區域；所述第一區域上設置有第一壓印結構，用于將目標基板產品區上的基材壓印成第一膜層圖形；所述第二區域設置有第二壓印結構，用于將目標基板產品區周邊的基材壓印成第二膜層圖形，所述第二膜層圖形用于評估所述第一膜層圖形的壓印質量。本發明的方案可以通過檢測第二膜層圖形，來進一步評估出第一膜層圖形的壓印質量。由于該第二膜層圖形不作為基板的產品圖形，因此測量過程中，即便對第二膜層圖形造成損傷也不會影響到基板產品質量，特別適用于評估納米級別的超精細壓印圖形。
【專利說明】
一種壓印板、檢測方法及檢測裝置
技術領域
[0001]本發明涉及壓印技術，特別是涉及一種壓印板、檢測方法及檢測裝置。
【背景技術】
[0002]半導體業朝著不斷縮小特征尺寸的方向發展，隨之而來的技術進步導致了設備的成本以指數增長。由于成本的增長，人們對納米壓印光刻這一低成本圖形轉移技術的關注越來越多。通過避免使用昂貴的光源和投影光學系統，納米壓印光刻比傳統光刻方法大大降低了成本。
[0003]納米壓印光刻技術的研究始于普林斯頓大學納米結構實驗室的StephenY.Chou教授，將一具有納米圖案的模版以機械力(高溫、高壓)在涂有高分子材料的硅基板上等比例壓印復制納米圖案，其加工分辨力只與模版圖案的尺寸有關，而不受光學光刻的最短曝光波長的物理限制，目前該技術已經可以制作線寬在5nm以下的圖案。由于省去了光學光刻掩模版和使用光學成像設備的成本。因此納米壓印光刻技術具有低成本、高產出的經濟優勢。
[0004]而目前，納米壓印大面積的均勻性成為了該技術能否大面積推廣的關鍵性問題，由于圖形尺度的微型化，當線寬在納米尺度范圍時，均勻性的監控與檢測顯得尤為重要。

【發明內容】

[0005]本發明的目的是提供一種針對納米級別的壓印圖形的質量檢測方案。
[0006]為實現上述目的，一方面，本發明提供一種壓印板，包括:
[0007]第一區域和位于該第一區域周邊的第二區域；
[0008]所述第一區域上設置有第一壓印結構，用于將目標基板產品區上的基材壓印成第一膜層圖形；
[0009]所述第二區域設置有第二壓印結構，用于將目標基板產品區周邊的基材壓印成第二膜層圖形，所述第二膜層圖形用于評估所述第一膜層圖形的壓印質量。
[0010]可選地，所述第一壓印結構具有對應所述第一膜層圖形的第一壓印圖形，所述第二壓印結構具有對應所述第二膜層圖形的第二壓印圖形；
[0011]所述第一壓印圖形的凹槽深度小于所述第二壓印圖形的凹槽深度。
[0012]可選地，所述第二膜層圖形的壓印圖形的面積大于所述第一壓印結構的壓印圖形的面積。
[0013]可選地，在所述第二壓印圖形的深度方向上，所述第二壓印圖形的橫截面的面積是逐漸變小的。
[0014]可選地，所述第二壓印圖形為錐形。
[0015]另一方面，本發明還一種壓印質量的檢測方法，應用于上述壓印板進行壓印的目標基板，包括:
[0016]測量目標基板上的第二膜層圖形的形狀數據；
[0017]基于測量到的所述形狀數據，確定所述第二膜層圖形的壓印完成度；
[0018]根據所述第二膜層圖形的壓印完成度，評估所述目標基板產品區的第一膜層圖形的壓印質量。
[0019]可選地，所述壓印板的第一壓印結構具有對應第一膜層圖形的第一壓印圖形，所述壓印板的第二壓印結構具有對應所述第二膜層圖形的第二壓印圖形，所述第一壓印圖形的凹槽深度大于所述第二壓印圖形的凹槽深度；
[0020]所述形狀數據為所述第二膜層圖形的高度；
[0021]根據測量到的所述形狀數據確定所述第二膜層圖形的壓印完成度，包括:
[0022]將測量到的所述第二膜層圖形的高度，與所述第二壓印圖形的凹槽深度進行比對，確定所述第二膜層圖形的壓印完成度。
[0023]可選地，在所述壓印板的第二壓印圖形的深度方向上，所述第二壓印圖形的橫截面的面積是逐漸變小的；
[0024]所述形狀數據為所述第二膜層圖形的頂部的橫截面積；
[0025]根據測量到的所述形狀數據確定所述第二膜層圖形的壓印完成度，包括:
[0026]將測量到的所述第二膜層圖形的頂部的橫截面積，與所述第二壓印圖形的開口面積進行比對，確定所述第二膜層圖形的壓印完成度。
[0027]可選地，根據所述第二膜層圖形的壓印完成度，評估所述目標基板產品區的第一膜層圖形的壓印質量，包括:
[0028]若所述第二膜層圖形的壓印完成度達到目標閾值，則確定所述目標基板產品區的第一膜層圖形的壓印質量合格，否則確定所述目標基板產品區的第一膜層圖形的壓印質量不合格。
[0029]此外，本發明還提供一種壓印質量的檢測裝置，應用于使用上述壓印板進行壓印的目標基板，其特征在于，包括:
[0030]測量模塊，用于測量目標基板上的第二膜層圖形的形狀數據；
[0031]確定模塊，用于基于測量到的所述形狀數據，確定所述第二膜層圖形的壓印完成度；
[0032]評估模塊，用于根據所述第二膜層圖形的壓印完成度，評估所述目標基板產品區的第一膜層圖形的壓印質量。
[0033]可選地，所述壓印板的第一壓印結構具有對應第一膜層圖形的第一壓印圖形，所述壓印板的第二壓印結構具有對應所述第二膜層圖形的第二壓印圖形，所述第一壓印圖形的凹槽深度大于所述第二壓印圖形的凹槽深度；
[0034]所述形狀數據為所述第二膜層圖形的高度；
[0035]所述確定模塊包括:
[0036]第一確定單元，用于將測量到的所述第二膜層圖形的高度，與所述第二壓印圖形的凹槽深度進行比對，確定所述第二膜層圖形的壓印完成度。
[0037]可選地，在所述第二壓印圖形的深度方向上，所述第二壓印圖形的橫截面的面積是逐漸變小的；
[0038]所述形狀數據為所述第二膜層圖形的頂部的橫截面積；
[0039]所述確定模塊包括:
[0040]第二確定單元，用于將測量到的所述第二膜層圖形的頂部的橫截面積，與所述第二壓印圖形的開口面積進行比對，確定所述第二膜層圖形的壓印完成度。
[0041]可選地，所述評估模塊用于，若所述第二膜層圖形的壓印完成度達到目標閾值，則確定所述目標基板產品區的第一膜層圖形的壓印質量合格，否則確定所述目標基板產品區的第一膜層圖形的壓印質量不合格。
[0042]本發明的上述方案具有如下有益效果:
[0043]本發明的方案可以通過檢測第二膜層圖形，來進一步評估出第一膜層圖形的壓印質量。由于該第二膜層圖形不作為基板的產品圖形，因此測量過程中，即便對第二膜層圖形造成損傷也不會影響到基板產品質量，特別適用于評估納米級別的超精細壓印圖形。
【附圖說明】
[0044]圖1為本發明的壓印板的結構示意圖；
[0045]圖2為使用圖1所示壓印板對基板進行壓印后，在基板形成的結構示意圖；
[0046]圖3為本發明的壓印板的詳細結構圖；
[0047]圖4為使用圖3所示壓印板對基板進行壓印的示意圖；
[0048]圖5為使用圖3所示壓印板對基板進行壓印后，在基板形成的結構示意圖；
[0049]圖6為基板的結構不意圖；
[0050]圖7為本發明的檢測裝置的結構示意圖。
[0051]附圖標記:
[0052]11-壓印板的第一區域，12-壓印板的第二區域，13-第一壓印結構，14-第二壓印結構，21-由第一壓印結構壓印出的第一膜層圖形，22-由第二壓印結構壓印出的第二膜層圖形，23-基板上待壓印的基材;6-基板，61 -產品區。
【具體實施方式】
[0053]為使本發明要解決的技術問題、技術方案和優點更加清楚，下面將結合附圖及具體實施例進行詳細描述。
[0054]本發明針對納米級別的壓印產品，提供一種質量檢測的方案。
[0055]一方面，本發明提供一種壓印板，包括:
[0056]第一區域11和位于該第一區域周邊的第二區域12。
[0057]其中，第一區域11上設置有第一壓印結構13，用于將目標基板產品區上的基材壓印成第一膜層圖形;第二區域12設置有第二壓印結構14，用于將目標基板產品區周邊的基材壓印成第二膜層圖形。
[0058]作為示例性介紹，針對圖1所示的壓印板結構，最終可以在基板上形成如圖2所示的基板結構。在圖2中，基板包括有產品區上的第一膜層圖形21和位于產品區周邊的第二膜層圖形22。
[0059]顯然，基于本實施例的設計，第二膜層圖形可以代替第一膜層圖形進行檢測，從而避免在測量過程中，損傷到作為基板產品一部分的第一膜層圖形，進而提高基板的良品率。
[0060]在實際應用中，如圖1所示，本實施例的第一壓印結構11具有對應第一膜層圖形的第一壓印圖形，第二壓印結構12具有對應第二膜層圖形的第二壓印圖形。其中，該第一壓印圖形的凹槽深度要大于第二壓印圖形的凹槽深度，從而保證壓印完成后，圖2中的第二膜層圖形22的高度h2要大于第一膜層圖形21的高度hi。
[0061]可以知道的是，基于上述結構設計，當第二膜層圖形22能夠被完整壓印出來，那么第一膜層圖形21也必然能夠被完整的壓印，基于這一特點，在檢測過程中，只要確定出第二壓印圖形22的完整度，即可判出基板上的第一膜層圖形的壓印是否合格。
[0062]下面結合一個實現方式對本實施例的壓印板進行介紹。
[0063]參考圖3，在本實現方式中，壓印板包括第一壓印結構13和第二壓印結構14。第一壓印結構13對應基板的產品區，第二壓印結構14則設置在產品區的周邊位置。
[0064]其中，第二壓印結構14所對應的第二壓印圖形的凹槽深度h4要大于第一壓印結構所對應的第一壓印圖形的凹槽深度h3，且該第二壓印圖形凹槽的開口面積K2也要大于第一壓印圖形凹槽的開口面積Kl，從而使得該第二膜層圖形的壓印圖形的面積大于第一壓印結構的壓印圖形的面積。基于該結構設計，在壓印完成后，基板上形成的第二膜層圖形的尺寸要大于第一膜層圖形，方便后續進行檢測。
[0065]在具體壓印過程中，參考圖4，使用圖3所示的壓印板，對涂布有基材23的基板進行壓印，從而使基板最終形成圖5所示的結構，包括由第一壓印結構13壓印成型的第一膜層圖形21，以及由第二壓印結14壓印成型的第二膜層圖形22。
[0066]通過上文描述可以知道，若第二膜層圖形22被完整壓印出來，則呈錐形結構，作為示例性介紹，假設圖2中，只有右下方的第二膜層圖形22未能夠完整壓印出來，則本實施例可以確定出靠近該位置的第一膜層圖形21也未能得到完整壓印。
[0067]具體地，對應上述方案，本發明的另一實施例還提供一種壓印質量的檢測方法，應用于上述壓印板進行壓印的目標基板，包括:
[0068]步驟SI，測量目標基板上的第二膜層圖形的形狀數據；
[0069]步驟S2，基于測量到的形狀數據，確定第二膜層圖形的壓印完成度；
[0070]步驟S3，根據第二膜層圖形的壓印完成度，評估目標基板產品區的第一膜層圖形的壓印質量。
[0071]顯然，本實施例的檢測方法只需要通過檢測第二膜層圖形的壓印完成度，即可評估出產品區第一膜層圖形的壓印質量。在實際應用中，第二膜層圖形可以被制作成更大體積的形狀，從而更方便的測量形狀數據。且在檢測過程中，對第二膜層圖形造成的損壞也不會對基板產品區的第一膜層圖形造成影響，從而保證了基板的良品率。
[0072]下面對本實施例的檢測方法進行詳細介紹。
[0073]示例性地，本發明可以根據基板上的第二膜層圖形的高度，來確定第一膜層圖形的壓印質量。
[0074]參考圖4所示的已經完成壓印的基板，假設只有右下角第二膜層圖形22存在殘缺，本實現方式二可以檢測該第二膜層圖形22的高度數值，之后與圖3所示的壓印板的第二壓印圖形的凹槽深度h4進行對比(若第二膜層圖形的能夠被完整地壓印出來，其高度值應接近第二壓印圖形的凹槽深度)。作為示例性介紹，假設殘缺的第二膜層圖形22的高度僅為第二壓印圖形的凹槽深度h4的1/2，則可以推斷出該殘缺的第二膜層圖形22的完整度只有一半，即壓印板在該位置進行壓印時，力度小于其他位置。
[0075]假設，當壓印板的壓印力度剛好能夠壓印出完整的第一膜層圖形21時，對應的第二膜層圖形22的完整度為60%，則該完整度為60%即可作為判斷第一膜層圖形21壓印質量的評估標準。
[0076]在實際應用中，可以將60%作為一個預設的標志閾值，圖4中完整度只有一半的第二膜層圖形22要低于該標準閾值60%，因此則可以確定其附近的第一膜層圖形21未能壓印完整，該情況可直接確定基板上第一膜層圖形21的壓印質量不合格。
[0077]同理，若壓印板恰好壓印出完整的第一膜層圖形21時，第二膜層圖形22的完整度為40%，則將該40%即作為為判斷第一膜層圖形21壓印質量的預設標志閾值。參考圖4，即便右下角的第二膜層圖形22的完整度只有正常的一半，但依然要高于標準閾值40%，S卩，表示其附近的第一膜層圖形21壓印完整，該情況可以直接確定出第一膜層圖形的壓印質量合格。
[0078]此外作為其他可行的檢測方案，本發明可以根據基板上的第二膜層圖形的頂部的橫截面積，來確定第一膜層圖形的壓印質量。
[0079]同理，本實施例可以先測量出殘缺的第二膜層圖形22頂部的橫截面積，之后與圖3中第二壓印圖形的開口面積K2進行對比，顯然，該比值與也同樣能夠反映出殘缺的第二膜層圖形的完成度。
[0080]之后，根據確定出第二膜層圖形的完成度，再進一步評估第一膜層圖形的壓印質量。
[0081]可見，基于本發明的壓印板以及檢測方法，具有如下有意效果:
[0082]I)當第一膜層圖形為納米級別的結構時，難以對其壓印完整度進行測量，而本發明是通過第二膜層圖形壓印的完整度來間接推斷出第一膜層圖形壓印的完整度，因此第二膜層圖形可以適當制作成更大的體積，方便檢測過程中進行測量；
[0083]2)在實際應用中，可以使用測量工具測量第二膜層圖形的形狀數據，特別是一些需要與第二膜層圖形進行物理接觸的才能測量的工具，由于第二膜層圖形并不作為基板產品的一部分，即便在于測量工具接觸過程中造成損傷，也不影響產品區的第一膜層圖形。
[0084]3)如圖6所示，在實際生產過程中，一個基板上包括有多個待進行壓印的產品區，一般情況下，這些產品區所對應的位置最后需要被切割出來，成為一個一個的產品，顯然，在切割前，基板上的產品區之間都會保留一定的間距，該位置即本發明的壓印板需要壓印第二膜層圖形的位置;可見，本發明的方案在基板側并不需要進行改進，僅僅是利用了基板上的現有空間，因此整個方案很容易在實際生生產線中實施。
[0085]此外，本發明的另一實施例還提供一種壓印質量的檢測裝置，應用于本發明的壓印板進行壓印的目標基板，如圖7所示，本實施例的檢測裝置包括:
[0086]測量模塊，用于測量目標基板上的第二膜層圖形的形狀數據；
[0087]確定模塊，用于基于測量到的所述形狀數據，確定所述第二膜層圖形的壓印完成度；
[0088]評估模塊，用于根據所述第二膜層圖形的壓印完成度，評估所述目標基板產品區的第一膜層圖形的壓印質量。
[0089]顯然，本實施例的檢測裝置只需要通過檢測第二膜層圖形的壓印完成度，即可評估出產品區第一膜層圖形的壓印質量。在實際應用中，第二膜層圖形可以被制作成更大體積的形狀，從而更方便的測量形狀數據。且在檢測過程中，對第二膜層圖形造成的損壞也不會對基板產品區的第一膜層圖形造成影響，從而保證了基板的良品率。
[0090]具體地，本實施例可以根據第二膜層圖形的壓印出的高度，評估第一壓印圖形的質量。
[0091]即上述壓印板的第一壓印結構具有對應第一膜層圖形的第一壓印圖形，第二壓印結構具有對應所述第二膜層圖形的第二壓印圖形，其中，第一壓印圖形的凹槽深度大于第二壓印圖形的凹槽深度；
[0092]在檢測過程中，上述測量模塊具體測量第二膜層圖形的高度；
[0093]上述確定模塊包括有第一確定單元，用于將測量到的第二膜層圖形的高度，與第二壓印圖形的凹槽深度進行比對，確定第二膜層圖形的壓印完成度。
[0094]之后，評估模塊子再進一步根據第二膜層圖形的壓印完成度，確定出第一膜層圖形的壓印質量。
[0095]或者，本實施例也可以根據第二膜層圖形的壓印出的頂部橫截面積，評估第一壓印圖形的質量。
[0096]其中，在第二壓印圖形的深度方向上，本實施例的第二壓印圖形的橫截面的面積是逐漸變小的；
[0097]在檢測過程中，上述測量模塊具體測量第二膜層圖形的頂部的橫截面積；
[0098]上述確定模塊具體包括有第二確定單元，用于將測量到的第二膜層圖形的頂部的橫截面積，與第二壓印圖形的開口面積進行比對，確定第二膜層圖形的壓印完成度。
[0099]之后，評估模塊子再進一步根據第二膜層圖形的壓印完成度，確定出第一膜層圖形的壓印質量。
[0100]其中，本實施例可以根據針對第二膜層圖形的壓印完成度設置一個目標閾值，該目標閾值是壓印板剛好能夠完整壓印出第一膜層圖形下，第二膜層圖形的壓印完成度。
[0101]在本實施例評估模塊具體工作中，若基板上的第二膜層圖形的實際壓印完成度達到該目標閾值，則可以確定目標基板產品區的第一膜層圖形的壓印質量合格，否則確定目標基板產品區的第一膜層圖形的壓印質量不合格。
[0102]基于本實施例的原理，在具體應用中，本發明的評估模塊并不局限與評估第一膜層圖形的壓印質量合格與否，還能確定出壓印過程中的壓力的分布狀態。即，根據目標基板上的所有第二膜層圖形的完成度，進一步評估出壓印過程中的壓力均勻性。例如，在壓印完成后，目標基板一側的第二膜層圖形的完成度在57%至65%之間，另一側第二膜層圖形的完成度在15至25%之間，顯然第二膜層圖形完成度較高的側邊在壓印過程中受到了更高壓力，即，反映出印設備在出現異常的工作情況，本實施例的評估模塊將這一分析結果作為警示提供給相關的技術人員，以便能夠及時對壓印設備進行檢查。
[0103]顯然，本實施例的檢測裝置與本發明的壓印質量的檢測方法相對應，因此能夠實現相同的技術效果。
[0104]以上所述是本發明的優選實施方式，應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明所述原理的前提下，還可以作出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本發明的保護范圍。
【主權項】
1.一種壓印板，其特征在于，包括: 第一區域和位于該第一區域周邊的第二區域； 所述第一區域上設置有第一壓印結構，用于將目標基板產品區上的基材壓印成第一膜層圖形； 所述第二區域設置有第二壓印結構，用于將目標基板產品區周邊的基材壓印成第二膜層圖形，所述第二膜層圖形用于評估所述第一膜層圖形的壓印質量。2.根據權利要求1所述的壓印板，其特征在于， 所述第一壓印結構具有對應所述第一膜層圖形的第一壓印圖形，所述第二壓印結構具有對應所述第二膜層圖形的第二壓印圖形； 所述第二壓印圖形的凹槽深度大于所述第一壓印圖形的凹槽深度。3.根據權利要求2所述的壓印板，其特征在于， 所述第二膜層圖形的壓印圖形的面積大于所述第一壓印結構的壓印圖形的面積。4.根據權利要求2或3所述的壓印板，其特征在于， 在所述第二壓印圖形的深度方向上，所述第二壓印圖形的橫截面的面積是逐漸變小的。5.根據權利要求2或3所述的壓印板，其特征在于， 所述第二壓印圖形為錐形。6.—種壓印質量的檢測方法，應用于使用如權利要求1-5所述的壓印板進行壓印的目標基板，其特征在于，包括: 測量目標基板上的第二膜層圖形的形狀數據； 基于測量到的所述形狀數據，確定所述第二膜層圖形的壓印完成度； 根據所述第二膜層圖形的壓印完成度，評估所述目標基板產品區的第一膜層圖形的壓印質量。7.根據權利要求6所述的檢測方法，其特征在于， 所述壓印板的第一壓印結構具有對應第一膜層圖形的第一壓印圖形，所述壓印板的第二壓印結構具有對應所述第二膜層圖形的第二壓印圖形，所述第一壓印圖形的凹槽深度大于所述第二壓印圖形的凹槽深度； 所述形狀數據為所述第二膜層圖形的高度； 根據測量到的所述形狀數據確定所述第二膜層圖形的壓印完成度，包括: 將測量到的所述第二膜層圖形的高度，與所述第二壓印圖形的凹槽深度進行比對，確定所述第二膜層圖形的壓印完成度。8.根據權利要求6所述的檢測方法，其特征在于， 在所述壓印板的第二壓印圖形的深度方向上，所述第二壓印圖形的橫截面的面積是逐漸變小的； 所述形狀數據為所述第二膜層圖形的頂部的橫截面積； 根據測量到的所述形狀數據確定所述第二膜層圖形的壓印完成度，包括: 將測量到的所述第二膜層圖形的頂部的橫截面積，與所述第二壓印圖形的開口面積進行比對，確定所述第二膜層圖形的壓印完成度。9.根據權利要求6-8任一項所述的檢測方法，其特征在于， 根據所述第二膜層圖形的壓印完成度，評估所述目標基板產品區的第一膜層圖形的壓印質量，包括: 若所述第二膜層圖形的壓印完成度達到目標閾值，則確定所述目標基板產品區的第一膜層圖形的壓印質量合格，否則確定所述目標基板產品區的第一膜層圖形的壓印質量不合格。10.—種壓印質量的檢測裝置，應用于使用如權利要求1-5任一項所述的壓印板進行壓印的目標基板，其特征在于，包括: 測量模塊，用于測量目標基板上的第二膜層圖形的形狀數據； 確定模塊，用于基于測量到的所述形狀數據，確定所述第二膜層圖形的壓印完成度；評估模塊，用于根據所述第二膜層圖形的壓印完成度，評估所述目標基板產品區的第一膜層圖形的壓印質量。11.根據權利要求10所述的檢測裝置，其特征在于， 所述壓印板的第一壓印結構具有對應第一膜層圖形的第一壓印圖形，所述壓印板的第二壓印結構具有對應所述第二膜層圖形的第二壓印圖形，所述第一壓印圖形的凹槽深度大于所述第二壓印圖形的凹槽深度； 所述形狀數據為所述第二膜層圖形的高度； 所述確定模塊包括: 第一確定單元，用于將測量到的所述第二膜層圖形的高度，與所述第二壓印圖形的凹槽深度進行比對，確定所述第二膜層圖形的壓印完成度。12.根據權利要求10所述的檢測裝置，其特征在于， 在所述第二壓印圖形的深度方向上，所述第二壓印圖形的橫截面的面積是逐漸變小的； 所述形狀數據為所述第二膜層圖形的頂部的橫截面積； 所述確定模塊包括: 第二確定單元，用于將測量到的所述第二膜層圖形的頂部的橫截面積，與所述第二壓印圖形的開口面積進行比對，確定所述第二膜層圖形的壓印完成度。13.根據權利要求10-12任一項所述的檢測裝置，其特征在于， 所述評估模塊用于，若所述第二膜層圖形的壓印完成度達到目標閾值，則確定所述目標基板產品區的第一膜層圖形的壓印質量合格，否則確定所述目標基板產品區的第一膜層圖形的壓印質量不合格。
【文檔編號】G03F7/00GK105974731SQ201610591504
【公開日】2016年9月28日
【申請日】2016年7月25日
【發明人】關峰, 姚繼開, 王英濤, 何曉龍, 周婷婷
【申請人】京東方科技集團股份有限公司