像素結構及其驅動方法、顯示基板和顯示面板的制作方法
【專利摘要】本發明公開了一種像素結構及其驅動方法、顯示基板和顯示面板。該像素結構包括：第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管和像素電極，第一薄膜晶體管連接至當前行柵線、當前列數據線和像素電極，第二薄膜晶體管連接至上一行柵線、上一行放電線和像素電極；第二薄膜晶體管用于在上一行柵線的控制下開啟，以供像素電極通過開啟的第二薄膜晶體管向所述上一行放電線進行放電；第一薄膜晶體管用于在當前行柵線的控制下開啟，以供當前列數據線通過開啟的第一薄膜晶體管對像素電極進行充電。本發明提高了像素電極的充放電效率。
【專利說明】
像素結構及其驅動方法、顯示基板和顯示面板
技術領域
[0001]本發明涉及顯示技術領域，特別涉及一種像素結構及其驅動方法、顯示基板和顯示面板。【背景技術】
[0002]隨著顯示技術的發展，薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor-Liquid crystal display，簡稱:TFT-LCD)的應用越來越廣泛。該TFT-LCD可包括相對設置的彩膜基板和陣列基板，彩膜基板和陣列基板之間設置有液晶，其中，陣列基板可包括多條柵線和多條數據線，多條柵線和多條數據線限定出多個像素單元，每個像素單元可包括一個薄膜晶體管和與該薄膜晶體管連接的像素電極，該薄膜晶體管還與柵線和數據線連接。
[0003]當顯示當前幀畫面時，依次在每行柵線上加載柵極信號。某一行柵線上加載柵極信號時，該行柵線連接的薄膜晶體管在柵極信號的控制下開啟，數據線通過開啟的薄膜晶體管對像素電極充電。
[0004]由于在上一幀畫面顯示時，像素電極已經充滿了電荷，因此當前幀畫面顯示時在某一行柵線上加載柵極信號之后需要首先通過開啟的薄膜晶體管對像素電極進行放電，而后才能通過該開啟的薄膜晶體管對像素電極充電，增大了像素電極完成充電的時間，從而降低了像素電極的充放電效率。
【發明內容】
[0005]本發明提供一種像素結構及其驅動方法、顯示基板和顯示面板，用于提高像素電極的充放電效率。
[0006]為實現上述目的，本發明提供了一種像素結構，包括:第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管和像素電極，第一薄膜晶體管連接至當前行柵線、當前列數據線和像素電極，第二薄膜晶體管連接至上一行柵線、上一行放電線和像素電極；
[0007]第二薄膜晶體管用于在上一行柵線的控制下開啟，以供像素電極通過開啟的第二薄膜晶體管向所述上一行放電線進行放電；
[0008]第一薄膜晶體管用于在當前行柵線的控制下開啟，以供當前列數據線通過開啟的第一薄膜晶體管對像素電極進行充電。
[0009]可選地，所述第二薄膜晶體管的柵極連接至上一行柵線，所述第二薄膜晶體管的源極連接至像素電極，所述第二薄膜晶體管的漏極連接至上一行放電線。[〇〇1〇]可選地，所述第二薄膜晶體管的源極的上方設置第一過孔，所述像素電極位于第一過孔中以實現與第二薄膜晶體管的源極連接。
[0011]可選地，還包括:連接圖形；
[0012]所述第二薄膜晶體管的漏極的上方設置第二過孔，所述上一行柵線對應的上一行放電線的上方設置有第三過孔，連接圖形位于第二過孔和第三過孔中以實現將所述第二薄膜晶體管的漏極和放電線連接。
[0013]可選地，所述連接圖形和所述像素電極同層設置。
[0014]可選地，所述放電線與所述柵線同層設置。
[0015]可選地，所述放電線為與所述柵線對應的公共電極線。
[0016]為實現上述目的，本發明提供了一種顯示基板，包括:襯底基板和位于襯底基板上的柵線、數據線、放電線和上述像素結構。
[0017]為實現上述目的，本發明提供了一種顯示面板，包括:相對設置的對置基板和上述顯示基板。
[0018]為實現上述目的，本發明提供了一種像素結構的驅動方法，所述像素結構包括:第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管和像素電極，第一薄膜晶體管連接至當前行柵線、當前行數據線和像素電極，第二薄膜晶體管連接至上一行柵線、放電線和像素電極；
[0019]第二薄膜晶體管在上一行柵線的控制下開啟，以供像素電極通過開啟的第二薄膜晶體管向所述上一行放電線進行放電；
[0020]第一薄膜晶體管在當前行柵線的控制下開啟，以供當前列數據線通過開啟的第一薄膜晶體管對像素電極進行充電。
[0021]本發明具有以下有益效果:[〇〇22]本發明提供的像素結構及其驅動方法、顯示基板和顯示面板的技術方案中，第二薄膜晶體管在上一行柵線的控制下開啟以供像素電極通過開啟的第二薄膜晶體管向所述上一行放電線進行放電，第一薄膜晶體管在當前行柵線的控制下開啟以供當前列數據線通過開啟的第一薄膜晶體管對像素電極進行充電，本發明中，由于像素電極在上一行柵線掃描時提前完成放電過程，因此在當前行柵線掃描時可直接對像素電極進行充電，縮短了像素電極完成充電的時間，從而提高了像素電極的充放電效率。【附圖說明】
[0023]圖1為本發明實施例一提供的一種像素結構的結構示意圖；
[0024]圖2為圖1中第二薄膜晶體管的剖面圖；
[0025]圖3為本發明實施例四提供的一種像素結構的驅動方法的流程圖。【具體實施方式】
[0026]為使本領域的技術人員更好地理解本發明的技術方案，下面結合附圖對本發明提供的像素結構及其驅動方法、顯示基板和顯示面板進行詳細描述。
[0027]圖1為本發明實施例一提供的一種像素結構的結構示意圖，如圖1所示，該像素結構包括:第一薄膜晶體管T1、第二薄膜晶體管T2和像素電極1，第一薄膜晶體管T1連接至當前行柵線61、當前列數據線口:和像素電極1，第二薄膜晶體管T2連接至上一行柵線Gh、上一行放電線Ch和像素電極1。第二薄膜晶體管T2用于在上一行柵線Gh的控制下開啟，以供像素電極1通過開啟的第二薄膜晶體管T2向上一行放電線Ch進行放電；第一薄膜晶體管T1用于在當前行柵線61的控制下開啟，以供當前列數據線D:通過開啟的第一薄膜晶體管T1對像素電極1進行充電。
[0028]本實施例中，多行柵線之間平行設置，圖1中以平行設置的當前行柵線仏和上一行柵線Gh為例進行描述；多列數據線之間平行設置，圖1中以平行設置的當前列數據線D4P上一列數據線Dh為例進行描述。柵線和數據線之間交叉設置。
[0029]本實施例中，放電線與柵線同層設置。優選地，放電線和柵線之間一一對應，且放電線和對應的柵線之間平行設置。例如:如圖1所示，上一行放電線Ch和上一行柵線Gk對應設置，當前行放電線匕和當前行柵線仏對應設置。
[0030]圖2為圖1中第二薄膜晶體管的剖面圖，如圖2所示，第一薄膜晶體管T2包括柵極 21、有源層22、源極23和漏極24。柵極21位于襯底基板2(圖1中未具體畫出)之上，本實施例中，柵極21與上一行柵線Gh連接且一體成型，即柵極21與上一行柵線Gh之間連續設置。柵極11與上一行柵線Gh同層設置。由于上一行柵線Gh和上一行放電線Ch同層設置，因此柵極21和上一行放電線Ch同層設置，上一行放電線Ch位于襯底基板2之上。柵極21和上一行放電線Ch之上設置有柵絕緣層3，柵絕緣層3覆蓋整個襯底基板2。有源層22位于柵絕緣層3 之上，且位于柵極21的上方。源極23位于有源層3之上，漏極24位于有源層3之上。源極23和漏極24之上設置有保護層4,保護層4覆蓋整個襯底基板2。第二薄膜晶體管T2的柵極21連接至上一行柵線Gh，第二薄膜晶體管T2的源極23連接至像素電極1，第二薄膜晶體管T2的漏極24連接至上一行放電線Ch。第二薄膜晶體管T2的源極23的上方設置第一過孔5,像素電極1位于第一過孔5中以實現與第二薄膜晶體管T2的源極23連接，其中，第一過孔5可位于保護層4中。像素結構還包括連接圖形6,第二薄膜晶體管T2的漏極24的上方設置第二過孔7， 上一行柵線Gh對應的上一行放電線Ch的上方設置有第三過孔8,連接圖形6位于第二過孔 7和第三過孔8中以實現將第二薄膜晶體管T2的漏極24和放電線Ch連接，其中，第二過孔7 位于保護層4中，第三過孔8位于保護層4和柵絕緣層3中。優選地，連接圖形6和像素電極1同層設置。
[0031]本實施例中，放電線為與柵線對應的公共電極線。例如:如圖1所示，上一行放電線 Ch為與上一行柵線Gh對應的上一行公共電極線，當前行放電線匕為與當前行柵線61對應的當前行公共電極線。本實施例中放電線采用與柵線對應的公共電極，無需再單獨走線，從而簡化了像素結構的圖案設計。
[0032]如圖1所示，第一薄膜晶體管T1包括柵極11、有源層12、源極13和漏極。柵極11位于襯底基板之上，本實施例中，柵極11與當前行柵線仏連接且一體成型，即柵線11與當前行柵線61之間連續設置，柵極11與當前行柵線61同層設置。有源層12位于柵極11的上方，源極13 位于有源層12之上，源極13連接至當前列數據線D:，本實施例中，源極13與當前列數據線口: 一體成型，即源極13與當前列數據線口:之間連續設置。漏極位于有源層3之上，且漏極與像素電極1連接，由于漏極位于像素電極1之下，因此圖1中未示出。源極13和漏極均與當前列數據線口:同層設置。柵絕緣層3位于柵極11之上，有源層12位于柵絕緣層3之上，保護層4位于源極13和漏極之上。第一薄膜晶體管T1的漏極連接至像素電極1，第一薄膜晶體管T1的漏極上方的保護層4中設置有第四過孔9,像素電極1位于第四過孔9中以實現與像素電極1連接。[〇〇33]本實施例中，第N幀畫面顯示時，像素電極1上充滿電荷。第N+1幀顯示開始時，上一行柵線Gh上加載第N+1幀柵極信號時，第二薄膜晶體管T2開啟；由于在第N幀畫面顯示時像素電極1上充滿電荷，此時像素電極1的電壓高于上一行柵線G1-1對應的上一行放電線電壓，因此像素電極1通過開啟的第二薄膜晶體管T2將第N幀畫面顯示時充入的電荷釋放到上一行放電線Cm當前行柵線仏上加載第N+1幀柵極信號時，第一薄膜晶體管T1開啟；由于像素電極1上的電荷已經被釋放，此時當前列數據線Di上加載的數據信號的電壓高于像素電極1的電壓，因此數據線D:通過開啟的第一薄膜晶體管T1向像素電極1充電以使像素電極 1上的電荷達到所需的電荷量。從上述內容可知，由于像素電極1上的電荷在上一行柵線G1-1 掃描時提前被釋放，因此當前行柵線Gh掃描時可直接對像素電極1進行充電，實現了對像素電極1的快速充電，縮短了像素電極1上的電荷達到所需電荷量的時間(即:縮短了像素電極完成充電的時間)，從而提高了像素電極的充放電效率。[〇〇34]本實施例提供的像素結構的技術方案中，第二薄膜晶體管在上一行柵線的控制下開啟以供像素電極通過開啟的第二薄膜晶體管向所述上一行放電線進行放電，第一薄膜晶體管在當前行柵線的控制下開啟以供當前列數據線通過開啟的第一薄膜晶體管對像素電極進行充電，本實施例中，由于像素電極在上一行柵線掃描時提前完成放電過程，因此在當前行柵線掃描時可直接對像素電極進行充電，縮短了像素電極完成充電的時間，從而提高了像素電極的充放電效率。進而提高了像素電極的響應速率。本實施例中，像素電極在上一行柵線掃描時提前完成放電過程，打斷了像素電極上電荷的累積效應，從而改善了畫面殘像和畫面閃爍。[0〇35]本發明實施^■提供了一種顯不基板，該顯不基板包括:襯底基板和位于襯底基板上的柵線、數據線、放電線和像素結構，其中，像素結構可采用上述實施例一提供的像素結構，具體描述可參見上述實施例一，此處不再重復描述。
[0036]本實施例中，顯示基板可以為陣列基板，優選地，該顯示基板可以為高級超維場轉換技術(Advanced Super Dimens1n Switch，簡稱:ADS)陣列基板。
[0037]本實施例提供的顯示基板的技術方案中，第二薄膜晶體管在上一行柵線的控制下開啟以供像素電極通過開啟的第二薄膜晶體管向所述上一行放電線進行放電，第一薄膜晶體管在當前行柵線的控制下開啟以供當前列數據線通過開啟的第一薄膜晶體管對像素電極進行充電，本實施例中，由于像素電極在上一行柵線掃描時提前完成放電過程，因此在當前行柵線掃描時可直接對像素電極進行充電，縮短了像素電極完成充電的時間，從而提高了像素電極的充放電效率。進而提高了像素電極的響應速率。本實施例中，像素電極在上一行柵線掃描時提前完成放電過程，打斷了像素電極上電荷的累積效應，從而改善了畫面殘像和畫面閃爍。[〇〇38]本發明實施例三提供了一種顯示面板，該顯示面板包括:相對設置的對置基板和顯示基板。[0〇39]本實施例中，對置基板和顯不基板之間設置有液晶。
[0040]本實施例中，顯示基板為陣列基板，對置基板為彩膜基板。優選地，顯示基板為ADS 陣列基板。
[0041]本實施例中，顯示基板可采用上述實施例二提供的顯示基板，此處不再重復描述。
[0042]本實施例提供的顯示面板的技術方案中，第二薄膜晶體管在上一行柵線的控制下開啟以供像素電極通過開啟的第二薄膜晶體管向所述上一行放電線進行放電，第一薄膜晶體管在當前行柵線的控制下開啟以供當前列數據線通過開啟的第一薄膜晶體管對像素電極進行充電，本實施例中，由于像素電極在上一行柵線掃描時提前完成放電過程，因此在當前行柵線掃描時可直接對像素電極進行充電，縮短了像素電極完成充電的時間，從而提高了像素電極的充放電效率。進而提高了像素電極的響應速率。本實施例中，像素電極在上一行柵線掃描時提前完成放電過程，打斷了像素電極上電荷的累積效應，從而改善了畫面殘像和畫面閃爍。本實施例中，縮短了像素電極完成充電的時間，從而縮短了液晶被拉到所需角度的時間，進而提高了顯示面板的響應速率。
[0043]本發明實施例四提供了一種像素結構的驅動方法，其中，像素結構包括:第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管和像素電極，第一薄膜晶體管連接至當前行柵線、當前行數據線和像素電極，第二薄膜晶體管連接至上一行柵線、放電線和像素電極。
[0044]圖3為本發明實施例四提供的一種像素結構的驅動方法的流程圖，如圖3所示，該方法包括:
[0045]步驟101、第二薄膜晶體管在上一行柵線的控制下開啟，以供像素電極通過開啟的第二薄膜晶體管向所述上一行放電線進行放電。
[0046]步驟102、第一薄膜晶體管在當前行柵線的控制下開啟，以供當前列數據線通過開啟的第一薄膜晶體管對像素電極進行充電。[〇〇47]本實施例提供的像素結構的驅動方法的技術方案中，第二薄膜晶體管在上一行柵線的控制下開啟以供像素電極通過開啟的第二薄膜晶體管向所述上一行放電線進行放電， 第一薄膜晶體管在當前行柵線的控制下開啟以供當前列數據線通過開啟的第一薄膜晶體管對像素電極進行充電，本實施例中，由于像素電極在上一行柵線掃描時提前完成放電過程，因此在當前行柵線掃描時可直接對像素電極進行充電，縮短了像素電極完成充電的時間，從而提高了像素電極的充放電效率。進而提高了像素電極的響應速率。本實施例中，像素電極在上一行柵線掃描時提前完成放電過程，打斷了像素電極上電荷的累積效應，從而改善了畫面殘像和畫面閃爍。[〇〇48]可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發明并不局限于此。對于本領域內的普通技術人員而言，在不脫離本發明的精神和實質的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發明的保護范圍。
【主權項】
1.一種像素結構，其特征在于，包括:第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管和像素電極，第 一薄膜晶體管連接至當前行柵線、當前列數據線和像素電極，第二薄膜晶體管連接至上一 行柵線、上一行放電線和像素電極；第二薄膜晶體管用于在上一行柵線的控制下開啟，以供像素電極通過開啟的第二薄膜 晶體管向所述上一行放電線進行放電；第一薄膜晶體管用于在當前行柵線的控制下開啟，以供當前列數據線通過開啟的第一 薄膜晶體管對像素電極進行充電。2.根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述第二薄膜晶體管的柵極連接至上 一行柵線，所述第二薄膜晶體管的源極連接至像素電極，所述第二薄膜晶體管的漏極連接 至上一行放電線。3.根據權利要求2所述的像素結構，其特征在于，所述第二薄膜晶體管的源極的上方設 置第一過孔，所述像素電極位于第一過孔中以實現與第二薄膜晶體管的源極連接。4.根據權利要求2所述的像素結構，其特征在于，還包括:連接圖形；所述第二薄膜晶體管的漏極的上方設置第二過孔，所述上一行柵線對應的上一行放電 線的上方設置有第三過孔，連接圖形位于第二過孔和第三過孔中以實現將所述第二薄膜晶 體管的漏極和放電線連接。5.根據權利要求4所述的像素結構，其特征在于，所述連接圖形和所述像素電極同層設置。6.根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述放電線與所述柵線同層設置。7.根據權利要求1至6任一所述的像素結構，其特征在于，所述放電線為與所述柵線對 應的公共電極線。8.—種顯示基板，其特征在于，包括:襯底基板和位于襯底基板上的柵線、數據線、放電 線和像素結構，所述像素結構采用上述權利要求1至7任一所述的像素結構。9.一種顯示面板，其特征在于，包括:相對設置的對置基板和上述權利要求1至8任一所 述的顯示基板。10.—種像素結構的驅動方法，其特征在于，所述像素結構包括:第一薄膜晶體管、第二 薄膜晶體管和像素電極，第一薄膜晶體管連接至當前行柵線、當前行數據線和像素電極，第 二薄膜晶體管連接至上一行柵線、放電線和像素電極；第二薄膜晶體管在上一行柵線的控制下開啟，以供像素電極通過開啟的第二薄膜晶體 管向所述上一行放電線進行放電；第一薄膜晶體管在當前行柵線的控制下開啟，以供當前列數據線通過開啟的第一薄膜 晶體管對像素電極進行充電。
【文檔編號】G02F1/1362GK105974704SQ201610586737
【公開日】2016年9月28日
【申請日】2016年7月22日
【發明人】馬俊才
【申請人】京東方科技集團股份有限公司, 合肥京東方光電科技有限公司