輻射源的制作方法

輻射源的制作方法
【專利摘要】一種琢面反射器(32,32”)，用于接收入射輻射束(2)并引導反射輻射束至目標。琢面反射器包括多個琢面，多個琢面中的每個琢面都包括反射表面。多個琢面的第一子集的每個琢面的反射表面限定第一連續表面的對應部分，并且被配置為在第一方向上反射入射輻射束的對應第一部分以提供反射輻射束的第一部分。多個琢面的第二子集的每個琢面的反射表面限定第二連續表面的對應部分，并且被配置為在第二方向上反射入射輻射束的對應第二部分以提供反射輻射束的第二部分。
【專利說明】輻射源
[0001 ] 相關申請的交叉參考
[0002]本申請要求2014年I月27日提交的歐洲專利申請14152630.1以及2014年5月7日提交的美國臨時申請61 /989，616的權利，其內容結合于此作為參考。
技術領域
[0003]本發明涉及用于產生輻射發生等離子體的輻射源。
【背景技術】
[0004]光刻裝置是用于在襯底上施加期望圖案的機器。例如，在集成電路(IC)的制造中可以使用光刻裝置。光刻裝置例如可以將來自圖案化設備的圖案(例如，掩模)投射在襯底上設置的輻射敏感材料(抗蝕劑)的層上。
[0005]光刻裝置用于在襯底上投射圖案的輻射的波長確定可形成在襯底上的特征的最小尺寸。使用EUV輻射的光刻裝置是波長在4-20nm內的電磁輻射，其可用于在襯底上形成比傳統光刻裝置(例如，其可以使用193nm的波長的電磁輻射)更小的特征。
[0006]可使用被配置為生成EUV產生等離子體的輻射源來產生EUV輻射。例如可通過激勵輻射源內的燃料(例如，液體錫)來生成EUV產生等離子體。可以通過將初始輻射束(諸如激光束)引導至包括燃料的目標來激勵燃料，初始輻射束使得燃料目標變成EUV生成等離子體。
[0007]為了確保輻射源有效，期望確保盡可能多地激勵燃料目標以使其成為EUV生成等離子體。因此，期望用于引導初始輻射以激勵燃料目標的改進工具。還需要引導由光刻裝置內的等離子體產生的輻射。因此，還期望更普遍地引導輻射的改進工具。

【發明內容】

[0008]本文所述實施例的目的在于消除或緩解上述一個或多個問題。
[0009]根據本文描述的第一方面，提供了一種琢面反射器，用于接收入射輻射束并且將反射輻射束引導至目標處。該琢面反射器包括多個琢面，多個琢面中的每一個都包括反射表面。多個琢面的第一子集中的每一個琢面的反射表面被配置為在第一方向上反射入射輻射束的對應第一部分以提供反射輻射束的第一部分。多個琢面的第二子集中的每一個琢面的反射表面被配置為在第二方向上反射入射輻射束的對應第二部分以提供反射輻射束的第二部分。
[0010]以這種方式，琢面反射器提供了適合于提供反射輻射束的反射器，其中反射輻射束的強度輪廓不同于入射輻射束。
[0011]第一子集的對應表面可限定第一連續表面的對應部分。第二子集的反射表面可限定不同于第一連續表面的第二連續表面的對應部分。
[0012]多個琢面可被配置為使得反射輻射束的第一部分的至少一部分和反射輻射束的第二部分的至少一部分在目標處重疊。
[0013]多個琢面中的每一個琢面的反射表面都可屬于至少三個子集中的一個，每個子集的琢面的反射表面被配置為在對應方向上反射入射輻射束的對應部分，這些對應部分一起提供反射輻射束的對應部分。
[0014]多個琢面可被配置為使得反射輻射束的每個對應部分的至少一部分與反射輻射束的至少一個其他對應部分的至少一部分在目標處重疊。
[0015]多個琢面可被配置為增加目標處的反射輻射束的截面的一部分內的強度的均勻性。
[0016]多個琢面可被配置為增加目標處的反射輻射束的截面的一部分內的最小強度。
[0017]可配置多個琢面以增加目標處的反射輻射束的截面的中心部分內的強度。
[0018]可在垂直于反射輻射束的傳播方向的平面中截取反射輻射束的截面。這可以稱為軸向截面。
[0019]在從上往下的視角查看時，多個琢面包括配置為具有多個均等大小的扇區的琢面盤。然而，在其他實施例中，可以提供附加的子集。
[0020]在從上往下的視角查看時，多個琢面包括具有均等大小的圓周分布的琢面的環。然而，在其他實施例中，扇區和/或圓周分布可以是不同的大小。
[0021]在從上往下的視角查看時，多個琢面包括具有均等大小的正方形琢面的柵格。在其他實施例中，柵格可以包括不同大小和/或形狀的琢面。
[0022]第一子集中的琢面的反射表面可限定第一面，和/或第二子集中的琢面的反射表面限定第二面。
[0023]第一連續表面可以是彎曲的。例如，第一連續表面可以是凹或凸的。
[0024]第一連續表面在琢面的第一子集的兩個琢面之間的點處的梯度可以永不大于與琢面的第一子集中的至少一個琢面的反射表面相交的連續表面上的點處的梯度。即，對于由第一子集的琢面限定的邊界之間，連續表面在與琢面的第一子集中的一個琢面的反射表面相交的點處是最陡峭的。
[0025]類似地，第二連續表面可以是彎曲的。
[0026]第一子集中的第一琢面和第二子集中的相鄰琢面之間的連接部分在第一琢面的反射表面與第二琢面的反射表面之間可限定逐漸過渡。
[0027]琢面反射器可限定平均面。可配置琢面反射器，使得連接部分相對于平均面處于一角度，該角度小于入射輻射束相對于平均面的入射角。
[0028]根據本發明的第二方面，提供了一種用于生成輻射發射等離子體的輻射源，輻射源被配置為接收初始輻射束并且包括:琢面反射器，被配置為接收初始輻射束并引導反射初始輻射束至等離子體形成區域處的燃料目標，以生成輻射發射等離子體，琢面反射器包括多個琢面，多個琢面中的每一個都包括反射表面;其中，多個琢面的第一子集中的每一個琢面的反射表面都被配置為在第一方向上反射入射初始輻射束的對應第一部分以提供反射初始輻射束的第一部分；以及其中，多個琢面的第二子集中的每個琢面的反射表面都被配置為在第二方向上反射入射初始輻射束的對應第二部分以提供反射初始輻射束的第二部分。
[0029]以這種方式，從等離子體形成位置處的燃料目標反射的輻射在到達初始輻射源之前被偏轉。在初始輻射源是激光器的情況下，偏轉反射輻射減少了可由于反射輻射重新進入激光器而發生的寄生激光作用，從而減小了能量消耗并提高了效率。此外，通過在初始輻射的路徑中設置琢面反射器，琢面可被配置為在等離子體形成區域處提供初始輻射的期望強度輪廓。
[0030]第一子集的反射表面可限定第一連續表面的對應部分。第二子集的反射表面可限定不同于第一連續表面的第二連續表面的對應部分。
[0031]可配置多個琢面，使得反射初始輻射束的第一部分的至少一部分和反射初始輻射束的第二部分的至少一部分在目標處重疊。
[0032]多個琢面的每個琢面的反射表面都屬于至少三個子集中的一個，每個子集的琢面的反射表面被配置為在對應方向上反射入射初始輻射束的對應部分，這些對應部分一起提供反射初始輻射束的對應部分。
[0033]可配置多個琢面，使得反射初始輻射束的每個對應部分的至少一部分與反射初始輻射束的至少一個其他對應部分的至少一部分在目標處重疊。
[0034]多個琢面可被定向，以增加等離子體形成區域處的初始輻射束的部分截面內的強度的均勻性。
[0035]通過增加強度的均勻性，更加均勻地激勵等離子體形成區域處設置的燃料目標，增加了燃料目標可被轉換為輻射發射等離子體的量，從而增加了輻射源的效率。
[0036]多個琢面可被定向，以增加等離子體形成區域處的初始輻射束的部分截面內的最小強度。多個琢面可被定向，以增加等離子體形成區域處的初始輻射束的截面的中心部分內的強度。
[0037]以這種方式，緩解了現有技術的輻射源中的問題，該問題即初始輻射的一部分提供不充分的強度來點燃與其相互作用的燃料目標的一部分。
[0038]初始輻射束的部分截面是初始輻射束的一部分，該部分在使用時基本與等離子體形成區域處的燃料目標同心。雖然可以超出特定半徑減小輻射束的截面的強度，但琢面反射器可被配置為使得輻射束與燃料目標相互作用的部分具有充分的強度以導致橫跨整個該部分生成輻射產生等離子體。
[0039]多個琢面的第三子集中的每個琢面可被配置為在第三方向上引導初始輻射束的部分，并且多個琢面的第四子集中的每個琢面可被配置為在第四方向上引導初始輻射束的部分。
[0040]多個琢面的每個琢面可屬于第一、第二、第三或第四子集中的一個。即，可以精確提供四個子集。然而，在其他實施例中，可以提供附加的子集。
[0041]在從上到下的視角查看時，琢面反射器包括配置為多個均等大小的扇區的琢面盤。琢面反射器可進一步包括具有大小的圓周分布的琢面的環。在其他實施例中，扇區和/或圓周分布可以是不同的大小。
[0042]在從上到下的視角查看時，琢面反射器可包括具有均等大小的正方形琢面的柵格。在其他實施例中，柵格可以包括不同大小的琢面，或者除正方形之外的形狀(諸如矩形)的琢面。
[0043]第一連續表面可以是彎曲的。例如，第一連續表面可以是凹或凸的。
[0044]第一連續表面在琢面的第一子集的兩個琢面之間的任何點處的梯度可以不大于與琢面的第一子集中的至少一個琢面的反射表面相交的連續表面上的點處的梯度。即，對于由第一子集的琢面限定的邊界之間，連續表面可以在與琢面的第一子集中的一個琢面的反射表面相交的點處是最陡峭的。
[0045]輻射源可進一步包括輻射收集器，用于收集由等離子體形成區域處的輻射生成等離子體所生成的輻射，并且用于將所生成的輻射的至少一部分引導至焦點。
[0046]根據第三方面，提供了一種輻射系統，包括:根據第一方面的輻射源；以及第一激光器，被配置為提供初始輻射束。
[0047]該輻射系統還可以包括:第二激光器，被配置為引導燃料修改輻射束至燃料目標，以在初始輻射入射到等離子體形成區域處的燃料目標上之前改變燃料目標的特性。
[0048]根據第四方面，提供了一種光刻工具，包括根據第一方面的琢面反射器、根據第二方面的輻射源或者根據第三方面的輻射系統。
[0049]根據第五方面，提供了一種光刻裝置，包括:照明系統，被配置為調節從根據第二方面的輻射源接收的輻射束;支持結構，被配置為支持圖案化設備，圖案化設備能夠為輻射束在其截面中提供圖案以形成圖案化輻射束;襯底臺，被構造為保持襯底；以及投射系統，被配置為將圖案化輻射束投射到襯底上。
[0050]根據第六方面，提供了一種用于生成輻射的輻射系統，包括:根據第一方面的琢面反射器。
[0051 ]根據第七方面，提供了一種輻射源，包括:燃料發射器，被配置為提供燃料并引導燃料以提供燃料目標；以及束裝置，被配置為引導初始輻射束入射到燃料目標上，使得初始輻射束的強度基本在燃料目標的整個截面上大于閾值強度。
[0052]燃料目標是燃料被激勵以形成等離子體的部分或區域。燃料目標可以是燃料的液滴。燃料目標可以包括燃料液滴的一部分。燃料目標可包括燃料流的一部分。燃料目標可以包括燃料設置在電極上的部分。電極可形成放電產生等離子體福射源的一部分。
[0053]在垂直于初始輻射束的傳播方向的平面中截取初始輻射束和燃料目標的截面。
[0054]初始輻射束可以是用于激勵燃料以形成等離子體的主脈沖激光束。等離子體可以是EUV輻射發射等離子體。初始輻射束可以是前置脈沖激光束，其用于改變燃料目標的形狀來為另一初始輻射束(其例如可以是主脈沖激光束)提供期望形狀的燃料目標。初始輻射束可以是入射到電極上的燃料目標上的激光束。電極可形成放電產生等離子體輻射源的一部分。
[0055]閾值強度可以是使得燃料目標內的燃料被激勵為等離子體的強度。閾值強度可以是使得燃料目標被激勵為EUV輻射發射等離子體的強度。閾值強度可以是引起燃料目標的形狀的期望改變的強度。閾值強度可以是引起來自電極的燃料目標的燒蝕的強度。電極可形成放電產生等離子體輻射源的一部分。
[0056]束裝置可使得初始輻射束的強度基本在燃料目標的整個截面上大于閾值強度。因此，束裝置可增加燃料被激勵以形成等離子體的量，并且可以增加從等離子體發射的輻射的量。因此，束裝置增加了輻射源的轉換效率，其中，轉換效率是來自初始輻射束的每單位能量的等離子體發射的輻射的量。
[0057]初始輻射束在等離子體形成區域處具有的截面積可大于或等于燃料目標的截面積，使得初始輻射束的截面整體包圍(或重疊)燃料目標的截面。
[0058]束裝置可包括至少一個光學元件，至少一個光學元件被配置為增加燃料目標處初始輻射束的以下截面的比例，在該截面上輻射束的強度大于閾值強度。
[0059]束裝置可包括至少一個光學元件，至少一個光學元件被配置為增加燃料目標處的初始輻射束的截面的一部分內的強度的均勻性。
[0060]束裝置可包括至少一個光學元件，至少一個光學元件被配置為增加燃料目標處的初始福射束的截面的一部分內的最小強度。
[0061]束裝置可包括至少一個光學元件，至少一個光學元件被配置為增加燃料目標處的初始輻射束的截面的中心部分內的強度。
[0062]輻射源可進一步包括感測裝置，感測裝置可操作用于測量初始輻射束的一個或多個特性，并且至少一個光學元件可響應于由感測裝置進行的初始輻射束的一個或多個特性的測量而可適配。
[0063]感測裝置可包括傳感器，傳感器可操作用于測量初始輻射束的強度輪廓。
[0064]感測裝置可包括波前傳感器，波前傳感器用于測量初始輻射束中的波前像差。
[0065]感測裝置可包括初始輻射束入射到其上的光學元件以及可操作用于測量光學元件的溫度的溫度傳感器。
[0066]至少一個光學元件可包括琢面反射器，琢面反射器包括多個琢面，多個琢面中的每個琢面都包括反射表面。在設置琢面反射器的情況下，感測裝置可包括位于琢面反射器的一個或多個琢面之間的一個或多個傳感器。
[0067]琢面反射器可包括第一方面的琢面反射器。
[0068]琢面反射器可包括具有多個場琢面的場琢面反射鏡，并且束裝置可進一步包括具有多個光瞳琢面的光瞳琢面反射鏡。
[0069]場琢面反射鏡的場琢面均被配置為將初始輻射束的強度輪廓的一部分成像到光瞳琢面反射鏡的對應光瞳琢面上，并且每個光瞳琢面可以都被配置為將強度輪廓的該一部分成像到燃料目標上。
[0070]場琢面和光瞳琢面可被配置為將初始輻射束的強度輪廓的部分成像到燃料目標上，以增加燃料目標處初始輻射束的以下截面的比例，在該截面上初始輻射束的強度大于閾值強度。
[0071 ]至少一個光學元件可包括可變形反射鏡。
[0072]輻射源可進一步包括自適應光學系統，自適應光學系統包括可變形反射鏡、被配置為測量初始輻射束中的波前像差的波前傳感器以及控制器，控制器被配置為響應于由波前傳感器進行的測量而適配可變形反射鏡的反射表面的形狀。
[0073]自適應光學系統可進一步包括分束器，分束器被配置為將初始福射束的一部分引導至波前傳感器。
[0074]束裝置可包括被配置為提供初始輻射束的激光器。
[0075]激光器可被配置為提供不相干初始輻射束。
[0076]激光器可包括種子激光器和放大鏈。
[0077]種子激光器可被配置為在多個橫向模式下進行操作。
[0078]種子激光器可被配置為在多個縱向模式下進行操作。
[0079]種子激光器可以是氣體放電激光器。
[0080]種子激光器是C02激光器。
[0081]放大鏈可包括通過放電栗送的氣體。
[0082]根據第八方面，提供了一種光刻工具，其包括根據第七方面的輻射源。
[0083]根據第九方面，提供了一種光刻裝置，包括:照射系統，被配置為調整從根據第七方面的輻射源接收的輻射束;支持結構，被構造為支持圖案化設備，圖案化設備能夠為輻射束在其截面中提供圖案以形成圖案化輻射束;襯底臺，被構造為保持襯底；以及投射系統，被配置為將圖案化輻射束投射到襯底上。
[0084]根據第十方面，提供了一種輻射源，包括:燃料發射器，被配置為發射燃料并將燃料引導至等離子體形成區域以在等離子體形成區域處提供燃料目標；以及光學元件，被配置為引導初始輻射束在等離子體形成區域處入射到燃料目標上，其中，光學元件被配置為增加燃料目標處的初始輻射束的以下截面的比例，在該截面上輻射束的強度大于閾值強度。
[0085]這可以使得初始輻射束的強度基本在整個燃料目標的截面上大于閾值強度。閾值強度可以是使得燃料目標內的燃料被激勵成等離子體的強度。光學元件增加了燃料被激勵以形成等離子體的量并增加了從等離子體發射的輻射的量。因此，光學元件增加了輻射源的轉換效率，其中，轉換效率是來自初始輻射束的每單位能量的等離子體發射的輻射的量。
[0086]根據第十一方面，提供了一種輻射源，包括:燃料發射器，被配置為發射燃料并將燃料引導至等離子體形成區域以在等離子體形成區域處提供燃料目標；以及激光器，被配置為提供不相干初始輻射束;輻射源被配置為引導初始輻射束入射到等離子體形成區域處的燃料目標上。
[0087]提供不相干初始輻射束減小了初始輻射束的強度輪廓對光學元件中的光學像差的敏感性，其中光學元件用于引導初始輻射束入射到燃料目標上。這可以使得初始輻射束的強度基本在燃料目標的整個截面上大于閾值強度。閾值強度可以是使得燃料目標內的燃料被激勵成等離子體的強度。因此，提供不相干初始輻射束增加了燃料被激勵以形成等離子體的量，并增加了從等離子體發射的輻射的量。因此，提供不相干初始輻射束增加了輻射源的轉換效率，其中，轉換效率是來自初始輻射束的每單位能量的等離子體發射的輻射的量。
[0088]將理解，之前或之后說明書中描述的一個或多個方面或特征可以與一個或多個其他方面或特征組合。
【附圖說明】
[0089]現在將參照示意性附圖僅通過示例描述本發明的實施例，其中:
[0090]圖1示意性描繪了根據本發明實施例的包括光刻裝置和輻射源的光刻系統；
[0091]圖2示意性描繪了已知的輻射源；
[0092]圖3A、圖3B、圖3C示出了圖2的輻射源內的等離子體形成區域處的激光束的截面的強度輪廓；
[0093]圖4示意性描繪了根據本發明實施例的輻射源；
[0094]圖5A示意性描繪了圖4的輻射源的琢面反射器的琢面的一個配置；
[0095]圖5B示意性描繪了圖4的輻射源的琢面反射器的琢面的可替換配置；
[0096]圖6A、圖6B示意性描繪了圖5B的配置內的多個琢面；
[0097]圖7示意性描繪了圖4的輻射源內的等離子體形成區域處的激光束的截面；
[0098]圖8A、圖8B示出了包括如圖5A所示配置的琢面反射器的圖4的輻射源內的等離子體形成區域處的激光束的截面的強度輪廓；
[00"]圖9A、圖9B示出了包括如圖5B所示配置的琢面反射器的圖4的福射源內的等離子體形成區域處的激光束的截面的強度輪廓；
[0100]圖10示意性描繪了根據本發明可替換實施例的輻射源；
[0101]圖1lA至圖1lC示意性描繪了琢面反射器的琢面之間的連接；
[0102]圖12示意性描繪了琢面反射器的琢面關于由琢面反射器限定的平均面之間的連接；
[0103]圖13示意性描繪了根據本發明可替換實施例的輻射源；
[0104]圖14A至圖14C示意性描繪了琢面反射器以及圖13的輻射源的燃料目標處的輻射束的強度輪廓；
[0105]圖15示意性描繪了根據本發明可替換實施例的輻射源；以及
[0106]圖16示意性描繪了可以用于向圖4、圖10、圖13或圖15的任何輻射源提供激光束的激光器。
【具體實施方式】
[0107]圖1示出了根據本發明一個實施例的包括輻射源SO的光刻系統。光刻系統還包括光刻裝置LA ο輻射源SO被配置為生成極紫外(EUV)輻射束B。光刻裝置LA包括照射系統IL、被配置為支持圖案化設備MA(例如，掩模)的支持結構MT、投射系統PS和被配置為支持襯底W的襯底臺WT。照射系統IL被配置為在輻射束B入射到圖案化設備MA之前調整輻射束B。投射系統被配置為將輻射束B(現在被掩模MA圖案化)投射到襯底W上。襯底W可包括先前形成的圖案。在這種情況下，光刻裝置將圖案化的輻射束B與先前形成在襯底W上的圖案對齊。
[0108]輻射源S0、照射系統IL和投射系統PS均可以被構造和配置，使得它們可以與外部環境隔離。可以在輻射源SO中提供低于大氣壓的壓力的氣體(例如，氫)。可以在照射系統IL和/或投射系統PS中設置真空。可以在照射系統IL和/或投射系統PS中設置遠低于大氣壓的壓力下的少量氣體(例如，氫)。
[0109]圖1所示的輻射源SO是可稱為激光產生等離子體(LPP)源的類型。激光(其例如可以為C02激光器)被配置為經由激光束2將能量沉積到燃料(其從燃料發射器3提供)中。激光束2可以稱為初始輻射束。燃料例如可以為液體形式，其例如可以為金屬或合金，諸如錫(Sn)。盡管在以下描述中涉及錫，但可以使用任何適當的燃料。燃料發射器3被配置為發射燃料并且將燃料引導至等離子體形成區域4以在等離子體形式區域4處提供燃料目標。燃料發射器3可以包括被配置為沿著朝向等離子體形式區域4的軌跡引導錫(例如，液體的形式)的噴嘴。激光束2在等離子體形成區域4處入射到錫上。激光能量沉積到錫中激勵錫來在等離子體形成區域4處形成等離子體7。在等離子體的離子的去激勵和再組合期間，從等離子體7發射包括EUV輻射的輻射。可以脈沖結構來使用激光束I，使得激光束2為激光脈沖。在燃料被設置為液滴的情況下，可以在每個燃料液滴處引導對應的激光脈沖。
[0110]通過近垂直入射輻射收集器5(有時更一般地稱為垂直入射輻射收集器)來收集和聚焦EUV輻射。收集器5可以具有被配置為反射EUV輻射(例如，具有諸如13.5nm的期望波長的EUV輻射)的多層結構。收集器5可具有橢圓形結構，其具有兩個橢圓焦點。如下所討論的，第一焦點可位于等離子體形成區域4處，并且第二焦點可位于中間焦點6處。
[0111]激光器I可以與輻射源SO分離。在這種情況下，利用束傳送系統(圖1中未示出，其例如包括適當的引導反射鏡和/或束擴展器和/或其他光學元件)的幫助，激光束2可以從激光器I傳輸至福射源SO O激光器I和福射源SO可以一起被認為是福射系統。
[0112]被收集器5反射的輻射形成輻射束B。輻射束B在焦點6處聚焦以形成等離子體形成區域4的圖像，其用作用于照射系統IL的虛擬輻射源。聚焦輻射束B的點6可以稱為中間焦點。配置輻射源S0，使得中間焦點6位于輻射源的包圍結構9中的開口 8處或附近。
[0113]輻射束B從輻射源SO傳輸進入照射系統IL，后者被配置為調整輻射束B。照射系統IL可包括琢面場反射鏡設備10和琢面光瞳反射鏡設備11。琢面場反射鏡設備10和琢面光瞳反射鏡設備11 一起為輻射束B提供期望的截面形狀和期望的角度分布。輻射束B從照明系統IL傳輸并且入射到被支持結構MT保持的圖案化設備MA上。圖案化設備MA反射和圖案化輻射束B。除了琢面場反射鏡設備10和琢面光瞳反射鏡設備11之外或者代替琢面場反射鏡設備10和琢面光瞳反射鏡設備11，照射系統IL可以包括其他反射鏡或設備。
[0114]在從圖案化設備MA反射之后，圖案化輻射束B進入投射系統PS。投射系統包括多個反射鏡，它們被配置為將輻射束B投射到被襯底臺WT保持的襯底W上。投射系統PS可以向輻射束施加縮減因子(reduct1n factor)，形成特征小于圖案化設備MA上的對應特征的圖像。例如可以施加4的縮減因子。盡管投射系統PS在圖1中具有兩個反射鏡，但投射系統可以包括任何數量的反射鏡。
[0115]圖2示意性描繪了現有技術的激光產生等離子體(LPP)輻射源S0’。輻射源S0’包括激光器，其例如可以為C02激光器，被配置為經由激光束2，將能量沉積到從燃料發射器3，提供的燃料中。燃料發射器3’可以包括被配置為沿著朝向等離子體形成區域4’的軌跡引導液滴形式的燃料的噴嘴。激光束2’在等離子體形成區域4’處入射到燃料目標上。激光能量沉積到燃料目標中在等離子體形成區域4’處創建等離子體7’。在等離子體7’的離子的去激勵和再組合期間，從等離子體7 ’發射包括EUV輻射的輻射。以脈沖結構使用激光束I ’，使得激光束2’是激光脈沖。在每個燃料液滴處引導對應的激光脈沖。
[0116]通過近垂直入射輻射收集器5’來收集和聚焦EUV輻射。
[0117]由燃料發射器3’提供的每個燃料液滴都提供經由引導裝置引導激光束2’的燃料目標。輻射源S0’的引導裝置包括三個反射器20、21、22。總的來說，反射器20、21、22朝向等離子體形成區域4引導和聚焦激光束2。反射器20、21、22均包括單個基本連續的(S卩，平滑或完整的)反射表面。
[0118]為了有效地在等離子體形成區域4’處生成等離子體，配置輻射源S0，使得激光束2’在等離子體形成區域4’處包含燃料目標。即，引導激光束2’，使其在等離子體形成區域4處(在y-z平面中)具有至少與燃料目標一樣大的截面(如圖3提供的空間軸所示的y-z平面中)。
[0119]可以在燃料液滴到達等離子體形成區域4’之前在燃料液滴處引導已知為前置脈沖的激光輻射的初始脈沖。可以通過該激光器I’或者通過獨立的激光器(未示出)來提供前置脈沖。在燃料目標到達等離子體形成區域4 ’時，在燃料目標處引導激光束2 ’形式的激光輻射的第二脈沖(在這種情況下可以稱為主脈沖)，以生成EUV產生等離子體。前置脈沖用于改變燃料目標的形狀，使得當到達等離子體形成區域4’時，燃料目標處于期望形狀。例如，燃料目標可以從燃料發射器3，發射，通常為球形分布。在球形燃料目標處引導的前置脈沖可以引起燃料目標的平整化，使得燃料目標在等離子體形成區域4’呈現盤狀或薄餅狀的形狀。在前置脈沖用于修改燃料目標的情況下，配置輻射源SO’，使得激光束2’(或主脈沖)具有足夠大的截面(在y-z平面中)以在等離子體形成區域4 ’處包含修改的燃料目標。例如，可以聚焦激光束2’以具有近似300μ I η的截面。
[0120]為了確保主脈沖具有充分大的截面以包含燃料目標(無論是否被前置脈沖修改或以其他方式修改)，配置輻射源S0’，使得激光束2’不聚焦在燃料目標入射的點。即，等離子體形成區域4 ’不與激光束2 ’的束腰一致，而是與激光束2 ’的較少收斂部分一致。然而，通過使用激光束2’的未聚焦部分，激光束2’不在等離子體形成區域4’處具有均勻的強度輪廓。這會導致接收不充分激光輻射的燃料目標的區域將這些區域中的燃料轉換為EUV生成等離子體。確實，確定燃料目標處的激光束2，的形狀使得燃料目標的一些部分基本不接收激光輻射。
[0121]圖3A示出了輻射源S0’的等離子體形成區域4’處的y-z平面中的激光束2’的截面的強度輪廓。為了清楚，圖3B示意性描繪了圖3A所示的強度輪廓。在圖3A和圖3B中，可以看出，激光束2 ’的輪廓包括相對較高強度的外部25和較低、接近零強度的內部26。因此，以激光束2’的內部26入射的燃料目標的部分將不接收充分的輻射來產生EUV生成等離子體。圖3C是示出圖3A所示的y(標為垂直)和z(標為水平)方向上的強度輪廓的示圖，從中還可以清楚看出，激光束2，的中心部分具有非常低強度的區域。
[0122]圖3A至圖3C所示激光束2’的強度輪廓中的不均勻性例如可以通過輻射源S0’的引導裝置的光學元件中的光學像差所引起。例如，圖2所示引導裝置的一個或多個反射器20、
21、22可以包括光學像差。此外或可替換地，光學像差可存在于光束傳送系統的光學元件中，光學傳送系統被配置為將激光束2’從激光器傳送至輻射源S0’。光束引導裝置和/或光束傳送裝置的光學元件中的光學像差可以在激光束2’中引入波前像差。激光束2’中的波前像差可以引起相消干涉發生在激光束2’的截面的一些部分中，這例如引起激光束2’的強度輪廓的低強度內部26。
[0123]現在將詳細描述圖1的輻射源SO的各個實施例。每個實施例都包括束裝置，其被配置為增加輻射束2的截面上的激光束2的強度大于強度閾值的比例。強度閾值可以是使得燃料目標內的燃料被激勵為等離子體的強度。如以下進一步描述的，束裝置可在不同實施例中采用不同的形式。
[0124]圖4更詳細地示出了圖1的輻射源SO的實施例。類似于輻射源S0’，輻射源SO包括束引導裝置，其包括三個反射器30、31、32，這三個反射器統一用于朝向等離子體形成區域4引導和聚焦激光束2 ο反射器30、31均包括單個基本連續(即，平滑或完整)的反射表面。然而，反射器32包括多個獨立的琢面。琢面反射器32的每個琢面都相對于反射器32的至少另一個琢面的表面傾斜，使得在不同的方向上反射激光束2的部分。
[0125]圖5A和圖5B示意性描繪了反射器32的示例性配置32’、32”。圖5A和圖5B是沿著圖4中的線C的截圖，并且可以認為是提供反射器32的從上向下的視角。參照圖5A，反射器32’表示圓形輪廓，并且包括具有由均等大小的扇區35-42組成的八個琢面的內盤以及八個均等大小、圓周分布的琢面45-52的外環。琢面35-42和45-52中的每一個都具有四個定向W、X、Y、Z中的一個。以這種方式，激光束2落在具有W定向的琢面上的部分在第一方向上被反射，激光束2落在具有X定向的琢面的部分在第二方向上被反射，激光束2落在具有Y定向的琢面的部分在第三方向上被反射，以及激光束2落在具有Z定向的琢面的部分在第三方向上被反射。激光束2基本入射到整個反射器32’上。因此，多個琢面中的每一個都屬于四個子集中的一個，每個琢面的子集都被配置為在四個方向中的一個方向上朝向等離子體形成區域4引導初始福射。
[0126]在圖5B的配置中，反射器32”呈現出正方形輪廓55，其被細分為36個均等大小的正方形琢面的柵格。如圖5A的配置，每個琢面都具有四個定向W、X、Y或Z中的一個。如此，以與圖5A的配置相同的方式，圖5B的配置反映四個方向中的一個方向上的激光束2的對應部分。激光束2入射到反射器32”的圓形區域56上。
[0127]應該理解，圖5A和圖5B的配置為僅僅示例性的，并且反射器32可以不同地配置。確實，反射器32以及每個琢面都可以采用任何數量的形狀和定向。例如，在圖5A的示例中，在四個子集的每個子集中具有四個琢面，而在圖5B的配置中，在四個子集的每個子集中具有八個琢面。在其他實施例中，在每個子集中具有更多或更少的琢面。在一些實施例中，反射器32可以包含具有不同數量的琢面的子集。一個或多個子集可以包含單個琢面。
[0128]在一個實施例中，每個琢面在y或z方向上的最大傾斜(S卩，琢面的邊緣部分處的傾斜)可以相對于琢面的平均高度是激光束2的原理波長的+0.15倍(在琢面的一個邊緣處)以及激光束2的原理波長的-0.15倍(在琢面的相對邊緣處)。
[0129]在一些實施例中，特定子集內的琢面的反射表面限定連續表面的對應部分。例如，在一些實施例中，特定子集內的琢面的反射表面限定一面，其中每個子集限定不同的面。圖6A示出了圖5B的配置32”內的琢面57的行的側輪廓(沿著垂直于圖4中的線C且垂直于圖5B所示的線D觀看)。在具有“Z”定向的行57中具有兩個琢面(從左到右看是行57中的第一和倒數第二的琢面)。以虛線輪廓描繪出具有“Z”定向的琢面的反射表面所限定的平面58的一部分的側輪廓。應該理解，具有“Z”定向的配置32”內的其他琢面的反射表面(S卩，不在行57中)也位于平面58內。在圖6中還示出了具有“W”定向的琢面的反射表面所限定的平面59的一部分的側輪廓。具有“X”定向和“Y”定向的琢面的反射表面還限定對應的平面。
[0130]圖6B示出了根據另一示例的圖5B的配置32”內的琢面57的行的側輪廓圖(沿著垂直于圖4中的線C且垂直于圖5B所示的線D的線)。圖6B的示例一般類似于圖6A的示例，除了在圖6B的示例中，Z定向中的琢面的反射表面限定在由Z定向中的琢面所限定的邊界之間的單個連續凹面58B。
[0131]可以看出，當在側輪廓圖中查看時，連續的曲面看起來是沿著Z定向中的每個琢面的反射表面與所有點相交的線58b。在一些實施例中，線58b可以通過連續函數來限定。在一些實施例中，對于沿著Z定向中的琢面之間的線58b的所有點(即，線58b上占用Z定向中的琢面之間的間隙的點)，限定線58b的函數的導數永不超過線58b上與一個琢面相交的至少一個點的導數。即，線58b在Z定向中的兩個琢面之間的間隙中永不處于最陡峭的梯度。或者以另一方式，與琢面(Z定向子集中)相交的線58b上總有一個點陡于兩個琢面(Z定向子集中)之間的線58b上的最陡峭點。
[0132]更一般地，在一些實施例中，對于具有限定連續表面的對應部分的反射表面的琢面(即，具有相同定向的琢面)的任何子集(即，使得連續表面與琢面的該子集的反射表面的所有點相交)，總是有與子集的琢面的反射表面相交的連續表面上的至少一個點的梯度大于或等于該子集內的兩個琢面之間的連續表面上的任何點的梯度。以這種方式，可以在燃料目標處的激光輻射內實現改進的分布。
[0133]應該理解，圖6A和圖6B的實施例僅僅是不例性的，并且子集內的琢面的反射表面可以限定單個平坦或單個彎曲的表面。
[0134]圖7示出了在被根據圖5A或圖5B的琢面反射器32配置(即，具有每一個都具有四個不同定向中的一個定向的琢面)反射之后激光束2的通過等離子體形成區域4的y-z平面的截面。參照圖7，可以看出，在反射之后，激光束2包括四個部分60、61、62、63，每一個都由從具有傾斜W、X、Y、Z中的特定一個的琢面反射的激光束2的部分組成。
[0135]例如，參照圖5A，部分60可包括輻射束2從琢面37、41、45和49(8卩，具有1定向的那些琢面)反射的部分，部分61可包括輻射束2從琢面38、42、46和50(S卩，具有X定向的那些琢面)反射的部分，部分62可包括輻射束2從琢面35、39、47和51(8卩，具有Y定向的那些琢面)反射的部分，以及部分63可包括輻射束2從琢面36、40、48和52(8卩，具有Z定向的那些琢面)反射的部分。
[0136]由于激光束2通過反射器32分裂為多個部分(每一個都僅部分重疊)，所以每個部分60-63都可以比圖2的配置中的激光束2’更緊密地聚焦在等離子體形成區域4處，同時保持激光束2的總截面大于或大于等離子體形成區域4處的燃料目標的截面，其中，激光束2和燃料目標的截面在垂直于激光束2的傳播方向的平面中截取。在一些實施例中，燃料目標可以包括被引導至等離子體形成區域4的燃料的單個液滴，并且激光束2的截面可大于或等于燃料的液滴的截面。然而，在可替換實施例中，燃料的連續流可被引導通過等離子體形成區域。在這種實施例中，燃料目標包括燃料流將被激勵以形成等離子體的部分。通常，燃料目標是燃料將被激勵以形成等離子體的區域或部分。
[0137]為了幫助理解，圖7中每個部分60-63都以與圖3A中的激光束2’相同的方式來表示(即，完整的環)。然而，應該理解，每個部分60-63可以包含間隙(S卩，可以不包括所示輻射的實心環)，假設每個部分60-63都僅由激光束2的部分組成。每個部分60-63內的間隙的配置當然將取決于反射器32內的琢面的配置。
[0138]與圖3A、圖3C所示的強度輪廓相比，圖8A示出了使用圖5A配置的反射器32在輻射源SO的等離子體形成區域4處的y-z平面中的激光束2的截面的強度輪廓，同時圖9A示出了使用圖5B配置的反射器32在輻射源SO的等離子體形成區域4處的y-z平面中的激光束2的截面的強度輪廓。圖8B示出了圖8A的強度輪廓的曲線圖，同時圖9B示出了圖9A的強度輪廓的曲線圖。在兩種情況下，可以看出，顯然圖3A中的激光束2’的中心孔25不存在于根據圖5A或圖5B配置的反射器32反射之后的激光束2中。在強度輪廓中去除中心孔25使得激光束2的強度基本在燃料目標的整體截面上大于閾值強度(其中，在垂直于激光束2的傳播方向的平面中截取燃料目標的截面)。例如，閾值強度可以是使得燃料被激勵以形成EUV發射等離子體并由此使得基本上燃料目標的整個截面可被激勵來形成等離子體的強度。
[0139]雖然上面描述了四個定向，但應該理解，可以提供任何數量的定向。可以選擇定向的數量以及反射器32內的各個琢面的數量和形狀以在等離子體形成區域4處形成大體一致的強度輪廓。
[0140]將圖4的輻射源SO與圖3的輻射源S0’相比，用琢面反射器32代替圖2的反射器22。然而，應該理解，在其他實施例中，可以在輻射源SO的激光束引導裝置內的不同位置處放置琢面反射器。例如，可以用琢面反射器代替反射器20。此外，輻射源SO的引導裝置可以包括其他光學部件，后者包括其他反射器(在圖3中未示出)。因此，琢面反射器可以放置在等離子體形成區域4的激光束2的路徑中的任何位置處。
[0141]此外，在其他實施例中，輻射源SO可以不同于圖4所示的配置來進行配置。圖10示出了激光產生等離子體(LPP)輻射源S0”，其具有圖4所示輻射源的可替換配置。輻射源S0”包括燃料發射器3”，其被配置為將燃料傳送至等離子體形成區域4”。前置脈沖激光器70發射入射到燃料上的前置脈沖激光束71 ο如上所述，前置脈沖激光束71用于預加熱燃料，從而改變燃料的特性，諸如其大小和/或形狀。主激光器I”在前置脈沖激光束71之后發射入射到燃料上的主激光束2”。主激光束2”將能量傳送至燃料，從而將燃料轉換為EUV輻射發射等離子體7”。
[0142]輻射收集器72(其可以是所謂的掠入射收集器)被配置為收集EUV輻射并將EUV輻射聚焦在可稱為中間焦點的點6處。因此，輻射發射等離子體7”的圖像形成在中間焦點6處。輻射源SO的包圍結構73包括位于中間焦點6處或接近中間焦點6的開口 74 AUV輻射穿過開口 74到達光刻裝置的照射系統(例如，圖1示意性描繪的形式)。
[0143]輻射收集器72可以是巢狀收集器，其具有多個掠入射反射器75、76和77(如示意性所示)。掠入射反射器75、76和77可軸向對稱地設置在光軸O周圍。所示輻射收集器72僅示為示例，并且可以使用其他輻射收集器。
[0144]污染陷阱(contaminat1n trap)78可位于等離子體形成區域4”和輻射收集器72之間。污染陷阱78例如可以是旋轉翼片阱，或者可以其他適當形式的污染陷阱。在一些實施例中，可以省略污染陷阱78。
[0145]輻射源SO的包圍物73可以包括前置激光束71可通過其傳輸至等離子體形成區域4”的窗以及主激光束2”可通過其傳輸至等離子體形成區域4”的窗。如上參照圖4實施例中的琢面反射器32所述，琢面反射器79用于將主激光束71引導穿過污染陷阱78中的開口到達等離子體形成區域4”。
[0146]圖4和圖10所示的每個輻射源S0、S0”都可以包括未示出的部件。例如，可以在輻射源中設置光譜濾光片。光譜濾光片可以基本透射EUV輻射但是基本阻擋其他波長的輻射(諸如紅外輻射)。
[0147]輻射源的束引導裝置內的一個或多個反射器可設置有致動器以改變反射器相對于激光束2的定向和/或位置。致動器還可以改變反射器的任何適當特性，這將改變激光束2的聚焦位置。例如，可設置致動器以改變反射器的形狀。例如，參照圖4，琢面反射器32的一個或多個琢面可設置有致動器(未示出)，后者可操作用于調整這些琢面的定向。致動器可連接至控制器(未示出)，該控制器可操作用于接收關于沿著束路徑的一個或多個位置處的激光束2的特性的信息。例如，可在激光器I和等離子體形成區域之間沿著激光束2的路徑設置傳感器(未示出)，傳感器可操作用于確定激光束2的特性并向控制器提供信息。然后，控制器可以控制致動器來改變琢面反射器32或者琢面反射器32的一個或多個琢面。
[0148]琢面本身可以由柔性材料組成，使得可以通過適當的致動器改變各個琢面的形狀，以調整等離子體形成區域4處的初始輻射束2的特性。
[0149]燃料目標可以是反射性的，使得激光束2入射到燃料目標上的部分被朝向束分布裝置和激光器I反射回來。這種反射會不利地再進入激光器I并與設置在激光器內的光學增益介質交互(已知為寄生激光作用)。激光器I可設置有空間濾光片(未示出)以緩解反射激光束的效應。在激光器I和等離子體形成區域之間的激光束2的路徑中設置琢面反射器包括在一個方向上引導激光輻射的琢面的子集以及在第二方向上引導激光輻射的琢面的子集(如圖4和圖10所示的示例性實施例)，從燃料目標反射的激光束將與反向路徑中的琢面反射器交互。以這種方式，反射束在達到激光器I之前被散焦。在激光器I處設置空間濾光片將更加有效地使反射束具有不明確的焦點。因此，設置琢面反射器通過減少激光器I內的能量消耗而提供的進一步的優勢。
[0150]激光輻射的不期望的回歸反射也可以源于琢面反射器32而發生。具體地，已經意識到來自琢面反射器32的激光輻射的反射可發生在琢面反射器32的琢面之間的邊界處。因此，意識到，反直覺地，可有利地配置琢面反射器32以減小琢面之間的尖銳過渡的發生。在圖1lA中示出了尖銳過渡(或階梯式過渡)的示例，其示出了圖6A所示X和Y琢面之間的連接部分80。連接部分80整體在y-z平面中延伸(參照圖1lA所示的空間軸)，而在z方向上沒有任何傾斜。確定尖銳過渡會導致朝向激光器I的不期望的回歸反射。
[0151]圖11B、圖1IC示出了琢面之間的過渡的可替換配置的示例。具體地，圖1lB和圖1lC示出了 X和Y琢面之間的可替換、軟或逐漸過渡。在圖1lB中，通過連接部分81來提供逐漸過渡。連接部分81基本是平坦的，但是在z方向上傾斜。在圖1lC中，淺S形過渡82在X和Y琢面之間延伸，并且也在z方向上傾斜。應該理解，圖11B、圖1lC的示例僅僅是示例性的，并且可以使用其他過渡。
[0152]為了減少從琢面反射器32返回到激光器I的不期望的反射，可以以相對于反射器32的平均面的角度配置琢面之間的過渡，該角度不超過激光束2相對于由琢面反射器32限定的平均面的入射角度。參照圖12，示出了通過接收激光束2的琢面的表面限定的平均面85。激光束2和平均面85之間的入射角度α被描繪為，好似平均面85與圖1lC的連接部分82之間的最大角度β。通常，為了減少回到激光器的不期望的反射，可以配置反射器32的琢面之間的連接部分，使得沿著連接表面的任何點與平均面85之間的角度β小于角度α。
[0153]雖然琢面之間的過渡或連接部分可以是反射性的(或者可以不是反射性的，但它們不形成琢面的反射表面的部分。具體地，連接部分不被配置為在特定子集的特定方向上引導輻射。例如，屬于第一子集的第一琢面的反射表面可以被配置為在第一方向上引導輻射，以及屬于第二子集的第二琢面的反射表面可被配置為在第二方向上引導輻射。第一和第二琢面可以通過連接部分來連接。雖然連接部分可以是反射性的，但其不被配置為在第一或第二方向上引導輻射，并且如此不形成第一或第二琢面的反射表面的部分。
[0154]可以相對于激光束2的已知特性來確定琢面的數量、形狀、位置和定向。例如，波傳播算法可用于建模激光束2的傳播，并且根據等離子體形成區域4處的激光束2的期望特性確定琢面特性。
[0155]雖然上面的每個描述涉及在輻射源內使用琢面反射器，但可以更一般地使用上述類型的琢面反射器。例如，上述類型的琢面反射器可用于光刻裝置內的其他部件，諸如圖1示意性示出的光刻裝置的照射器IL內。更一般地，上述類型的琢面反射器可用于期望引導輻射束(諸如激光束)的任何應用，以增加輻射束內的強度的均勻性或增加輻射束的最小強度。
[0156]上面描述了束引導裝置的實施例，其中包括單個琢面反射器32，然而在一些實施例中，多于一個的琢面反射器可用作束引導裝置的一部分。圖13示出了輻射源SO的實施例，其包括具有兩個琢面反射器32a和32b的束引導裝置。類似于圖4所示的輻射源S0，束引導裝置用于朝向等離子體形成區域4引導和聚焦激光束。束引導裝置包括反射器30、31，每一個都包括單個基本連續(即，平滑或完整)的反射表面。束引導裝置還包括兩個琢面反射器32a和32b，每一個都包括多個個體的琢面。琢面反射器32a、32b的每個琢面都相對于琢面反射器32a、32b的至少另一個琢面的表面傾斜，使得在不同方向上反射激光束2的部分。
[0157]琢面反射器32a可以是場琢面反射鏡，并且琢面反射器32b可以使光瞳琢面反射鏡。即，場琢面反射器32a可以位于束引導裝置的場平面中，并且光瞳琢面反射鏡32b可位于束引導裝置的光瞳面中。可以控制場琢面反射鏡32a和光瞳琢面反射器32b的個體琢面的定向，以控制入射到等離子體形成區域4處的燃料目標上的激光束2的截面形狀和/或角度分布。在這一方面，場琢面反射器32a和光瞳琢面反射鏡32b可以類似于照明系統IL的琢面場反射鏡設備10和琢面光瞳反射鏡設備11(它們一起提供具有期望截面形狀和期望角度分布的EUV輻射束B)。
[0158]圖14A是場琢面反射鏡32a的示意圖。場琢面反射鏡32a包括多個反射場琢面81。雖然場琢面反射鏡32a在圖14A中被示為包括36個基本為圓形的反射場琢面91，但場琢面反射鏡32a可包括比圖14A所示更多的場琢面91，并且場琢面91可以不同于圖14A所示成形。例如，場琢面反射鏡32a的場琢面91可以包括基本為矩形的反射表面。可替換地，場琢面91可以包括具有彎曲邊緣的反射表面。通常，可以使用任何形狀的場琢面91。
[0159]應該從上面對激光束2的截面的強度輪廓的討論中理解，入射到場琢面反射鏡32a的激光束2在其截面中可基本上具有不均勻的強度輪廓。這在圖14A中示意性描繪，其中，激光束2的強度輪廓95被示為入射到場琢面反射鏡32a上。強度輪廓95包括相對較大強度的外部分95a以及相對較小、接近零強度的內部分95b。因此，激光輻射的入射到場琢面反射鏡32a的場琢面91上的強度可針對不同的場琢面91而不同。例如，與其上入射激光束2的內低強度部分95b的場琢面91相比，場琢面反射鏡32a的場琢面91(其上入射激光束2的外高強度部分95a)可接收顯著更多的輻射。
[0160]可以配置場琢面反射鏡32a的每個琢面91，使其反射將入射到光瞳琢面反射鏡32b的單個琢面上的激光束2的強度輪廓95的部分。因此，場琢面反射鏡32a用于將入射到場平面上的強度輪廓95的部分成像到位于光瞳面中的光瞳琢面反射鏡32b的不同琢面上。圖14B是包括多個反射光瞳琢面92的光瞳琢面反射鏡32b的不意圖。雖然在圖14B中將光瞳琢面反射鏡32b示為包括36個基本為圓形的反射光瞳琢面92，但光瞳琢面反射鏡32b可包括比圖14B所示更多的光瞳琢面92，并且光瞳琢面92可以與圖14B所示不同地成形。
[0161]通過在圖14A和圖14B之前延伸的箭頭93來示出場平面中的強度輪廓95到光瞳面中的光瞳琢面92上的成像。為了易于說明，僅針對一些場琢面91和光瞳琢面92示出箭頭93，然而，實際上，每個場琢面91都可以將強度輪廓95的一部分成像到對應的光瞳琢面92上。可以定向場琢面91，使得場平面中的強度輪廓95的部分在光瞳面中再分布，使得入射到光瞳琢面反射鏡32b上的輻射的強度輪廓不同于入射到場平面中的場琢面反射鏡32a上的強度輪廓95。
[0162]定向光瞳琢面92，使得入射到光瞳琢面92上的強度輪廓95的部分被成像到等離子體形成區域4處的對象平面中。圖14C示意性示出了等離子體形成區域4處的對象平面中的強度輪廓96。圖14C表示入射到輻射源SO中的燃料目標上的強度輪廓。通過圖14B和圖14C之間延伸的箭頭94示出從光瞳面中的光瞳琢面92到等離子體形成區域4處的對象平面的輻射的成像。
[0163]場琢面91和光瞳琢面92的定向可以使得當與入射到場平面中的場琢面反射鏡32a上的強度輪廓95的均勻性相比時增加等離子體形成區域4處的對象平面中的強度輪廓96的均勻性。例如，位于場平面中的外高強度部分95a中的強度輪廓95的一些部分可以成像到對象平面中的強度輪廓96的中心區域。與場平面中的強度輪廓95的內低強度部分95b相比，這可以用于增加對象平面中的強度輪廓96的中心區域中的強度。
[0164]場琢面91和光瞳琢面92的定向可用于將激光束2的截面強度輪廓95從場平面成像到對象平面，使得入射到對象平面中的等離子體形成區域4處的燃料目標上的輻射的強度基本上在燃料目標的整個截面上大于閾值強度。閾值強度例如可以是使得燃料被激勵以形成EUV發射等離子體的強度，因此，場琢面91和光瞳琢面92的定向可用于確保基本上燃料目標的整個截面被激勵以形成等離子體。
[0165]場琢面91的定向和光瞳琢面92的定向可以是可調的且可被控制，以在等離子體形成區域4處的對象平面中形成期望的強度輪廓96。例如，一個或多個致動器可以可操作用于調整場琢面91和光瞳琢面92的定向。例如，可響應于激光束2的一個或多個測量來控制場琢面91和光瞳琢面92的定向。激光束2的一個或多個測量例如可以在場平面中進行。例如，一個或多個傳感器可位于場琢面反射鏡32a處或接近場琢面反射鏡32a。此外或可替換地，一個或多個傳感器可沿著激光束2的路徑位于其他位置。
[0166]在一個實施例中，一個或多個波前傳感器(未示出)可位于場琢面反射鏡32a的琢面之間。波前傳感器可用于測量場平面中的激光束2的強度輪廓和/或波前像差。來自一個或多個波前傳感器的測量值例如可以輸入至控制器(未示出)，該控制器可控制場琢面91的定向和/或光瞳琢面92的定向。控制器可使用來自波前傳感器的測量值以確定場琢面91和光瞳琢面92的定向，這在等離子體形成區域4處產生激光束2的期望強調輪廓。控制器可控制被配置為調整場琢面91和光瞳琢面92的定向的致動器，使得可以帶來場琢面91和光瞳琢面92的期望定向。
[0167]在一個實施例中，波前傳感器可包括位于場琢面反射鏡32a的已知位置處的多個開口。開口可以位于場琢面91中和/或它們可以位于場琢面91之間。可以在場琢面反射鏡32a后面的位置處測量(例如，通過CCD陣列)傳播通過開口的輻射的位置和/或強度。這種測量可用于確定入射到場琢面反射鏡32a上的激光束2的一個或多個特性。例如，可以確定激光束2的發散，可以確定激光束2中的波前像差和/或可以確定激光束2的強度輪廓。
[0168]在一些實施例中，可以在激光束2的路徑中定位分束器。分束器例如可以包括部分反射的反射鏡，其可被配置為將激光束2的一部分引導朝向一個或多個傳感器，并且可以被配置為透射激光束2的剩余部分。一個或多個傳感器例如可以包括波前傳感器。
[0169]入射到束傳送裝置的反射器30、31、32a和32b上的激光束2可以加熱一個或多個反射器30、31、32a、32b。反射器的加熱會使得反射器的區域擴展，這可用于改變反射器的光學特性。一個或多個反射器30、31、32a、32b的光學特性的變化可改變入射到等離子體形成區域4處的燃料目標上的激光束2的形狀和/或強度輪廓。可以期待或響應于束引導裝置的一個或多個反射器的光學特性的變化而控制場琢面91和光瞳琢面92的定向，以補償光學特性的變化。例如，控制器可使用激光束2的一個或多個測量值以預測源于束引導裝置的反射器的加熱所引起的光學特性的變化。控制器可計算場琢面91和/或光瞳琢面92的定向的變化，這可以補償反射器的任何這種加熱并且可以驅動致動器來相應地改變場琢面91和光瞳琢面92的定向。此外或可替換地，激光束2的一個或多個測量可用于反饋機制，以補償束引導裝置的反射器的加熱。
[0170]在一些實施例中，可以測量場琢面反射鏡32a的溫度和/或光瞳琢面反射鏡32b的溫度。例如，一個或多個溫度傳感器可位于場琢面91和/或光瞳琢面92之間，或者可以放置為與場琢面91和/或光瞳琢面92熱接觸。在一些實施例中，場琢面91和/或光瞳琢面92的溫度可以通過測量用于冷卻場琢面91和/或光瞳琢面92的冷卻劑(例如，水)的溫度來測量。
[0171]場琢面反射鏡32a和/或光瞳琢面反射鏡32b的溫度的測量例如可用于確定放置在場琢面反射鏡32a和/或光瞳琢面反射鏡32b上的熱負載。熱負載可用于確定入射到場琢面反射鏡32a和/或光瞳琢面反射鏡32b上的輻射的強度輪廓。可代替由一個或多個波前傳感器進行的測量或者除一個或多個波前傳感器進行的測量之外，可以使用這種激光束2的強度輪廓的測量。
[0172]在一些實施例中，在調整場琢面91和光瞳琢面92的定向期間，可以減小激光束2的功率或者激光束2可以關閉。這可以減小被引導至輻射源SO中除等離子體形成區域4之外的區域的來自激光束2的輻射的強度。例如，在場琢面91和光瞳琢面92的定向的調整期間，來自激光束2的輻射可以暫時被引導遠離等離子體形成區域4。這是不期望的，因為來自激光束2的輻射會入射到輻射源SO的其他部件上，這會引起部件的不期望加熱和/或損傷。在場琢面91和光瞳琢面92的定向的調整期間，可通過減小激光束2的功率來減小任何加熱和/或損傷。例如，激光器I可以初始為高功率設置，可以測量激光束2，并且可以確定場琢面91和光瞳琢面92的期望調整。然后，激光束2的功率可以減小，同時發生場琢面91和光瞳琢面92的期望調整。然后，可以再次增加激光束2的功率，并且可以再次測量激光束2的強度輪廓。
[0173]此外或可替換地，一個或多個屏幕可位于光瞳琢面反射鏡32b的下游。一個或多個開口可設置在屏幕內，以允許引導自光瞳琢面反射鏡32b并朝向等離子體形成區域4的輻射穿過開口，但是使得阻擋被引導朝向輻射源SO內的其他位置的輻射。
[0174]此外或可替換地，可以控制場琢面91和光瞳琢面92的定向的調整，使得來自激光束2的輻射不被引導至輻射源SO中的位置，這會引起輻射源SO的敏感部件的加熱和/或損傷。
[0175]雖然在圖13所示的束引導裝置的具體實施例中描述了場琢面反射鏡32a和光瞳琢面反射鏡32b的使用，但應該理解，場琢面反射鏡32a和光瞳琢面反射鏡32b可用于其他形式的束引導裝置。例如，圖13的束引導裝置的反射器可配置為除圖13所示之外的結構。包括場琢面反射鏡32a和光瞳琢面反射鏡32b的束引導裝置可包括比圖13所示更多或更少的反射器，并且可以包括與圖13所示不同的反射器。包括場琢面反射鏡32a和光瞳琢面反射鏡32b的束引導裝置可被除圖13所示輻射源之外的其他形式的輻射源來使用。例如，包括場琢面反射鏡32a和光瞳琢面反射鏡32b的束引導裝置可用于圖10所示類型的輻射源S0。
[0176]上面描述的束引導裝置的實施例包括一個或多個琢面反射器32。然而，在一些實施例中，除琢面反射器32之外的光學元件可用于增加激光束2的以下截面的比例，即該截面上激光束2的強度大于閾值強度。例如，束引導裝置可包括可變形反射鏡，其包括形狀可適配以改變反射鏡的反射特性以及改變從可變形反射鏡反射的激光束2的強度輪廓的反射表面。可變形反射鏡的反射表面例如可以設置在柔性襯底上。可變形反射鏡可包括一個或多個致動器，其可被配置為調整柔性襯底的形狀，從而調整反射表面的形狀。
[0177]圖15是輻射源SO的示意圖，其包括具有可變形反射鏡132的束傳送裝置。可變形反射鏡132包括形狀可適配的反射表面133。反射表面133的形狀例如可適配以校正可引入激光束2的波前像差。例如，在到達可變形反射鏡132之前反射激光束2的反射器30和/或反射器31可包括光學像差。此外或可替換地，可用于將激光束2從激光器I傳送至輻射源的束傳送系統(未示出)的光學元件可包括光學像差。束引導裝置和/或束傳送系統中的光學像差可將波前像差引入激光束2。如上面解釋的，激光束2中的波前像差可以是激光束2在其截面中的非均勻強度輪廓的一個原因(例如，可通過激光束2中的波前像差引起激光束2的低強度內部)。因此，可以期望調整可變形反射鏡132的反射表面133的形狀以校正激光束2中的波前像差。
[0178]激光束2中的波前像差例如可以通過包括可變形反射鏡132的自適應光學系統120來校正。自適應光學系統120還包括分束器121、波前傳感器123和控制器125。分束器121被配置為引導激光束2的部分122入射到波前傳感器123上。分束器121例如可以包括部分反射的反射鏡。波前傳感器123被配置為測量激光束2的部分122中的波前像差，因此可用于確定激光束2中的波前像差。激光束2的部分122中的波前像差的測量值從波前傳感器123輸出并輸入至控制器125。控制器125響應于從波前傳感器123接收的測量值控制可變形反射鏡132。控制器125可操作用于適配可變形反射鏡132的反射表面133的形狀以校正由波前傳感器123測量的激光束2中的波前像差。
[0179]使用自適應光學系統120校正激光束2的波前像差可增加激光束2的強度輪廓的均勻性。例如，激光束2的強度輪廓的中心區域中的強度可通過自適應光學系統120增加。
[0180]自適應光學系統120可用于校正激光束2中的波前像差，使得入射到等離子體形成區域4處的燃料目標上的輻射的強度基本在燃料目標的整個截面上大于閾值強度。閾值強度例如可以是使得燃料被激勵以形成EUV發射等離子體的強度，因此自適應光學系統120可用于確保基本上燃料目標的整個截面被激勵以形成等離子體。
[0181]雖然在圖15所示的束引導裝置的具體實施例中描述了自適應光學系統120的使用，但應該理解，自適應光學系統120可用于其他形式的束引導裝置。例如，圖15的束引導裝置的反射器可以除圖15所示之外進行配置。包括自適應光學系統120的束引導裝置可包括比圖15所示更多或更少的反射器，并且可以包括與圖15所示不同的反射器。包括自適應光學系統120的束引導裝置可被除圖15所示的輻射源SO之外的其他形式的輻射源所使用。例如，包括自適應光學系統120的束引導裝置可用于圖10所示類型的輻射源SO中。
[0182]上面描述了通過在激光束2的路徑中定位一個或多個光學元件(例如，琢面反射器32、場琢面反射鏡32a、光瞳琢面反射鏡32b和/或可變形反射鏡132)來增加激光束2的其上激光束2的強度大于閾值強度的截面的比例的實施例。除了使用這些光學元件或者作為這些光學元件的可替換，可以通過減少激光束2的相干性來增加其上激光束2的強度大于閾值強度的截面的比例。例如，可以將不相干激光束2提供給輻射源S0。如上所述，可以通過由激光束2的波前像差引起的激光束2的干涉來引起激光束2的強度輪廓的不均勻性。當激光束2相干時，發生激光束2的干擾效應。因此，減小激光束2的相干性減少了激光束2的干擾效應，減少了激光束2的強度輪廓對束引導裝置和/或束傳送系統中的光學像差的敏感性，因此增加了激光束2的強度輪廓的均勻性。圖16是根據示例性實施例的激光器I的示意圖，其可向輻射源SO提供激光束2。激光器I包括種子激光器201和放大鏈203。種子激光器201可稱為主振蕩器，以及激光器I的結構可稱為主振功率放大器(MOPA)結構。種子激光器201例如可以是氣體放電激光器，諸如C02激光器。種子激光器201發射被輸入至放大鏈203的種子激光束202。放大鏈203包括一個或多個光學放大器。光學放大器例如可以包括通過放電(例如，射頻放電)栗送的氣體(例如，⑶2)。放大鏈203放大種子激光器202并發射傳送至輻射源SO的激光束2。
[0183]種子激光器201可以在單橫向模式(例如，基本橫向模式ΤΜ00)下操作。在這種情況下，激光束2可具有高水平的時間和空間相干性。如上所述，高水平的相干性可表示用于引導激光束2的光學元件中的光學像差使得激光束2在其截面中具有不均勻的強度輪廓。例如，通過在多模式下操作種子激光器201，可以減小激光束2的相干性。例如，可以在多橫向和縱向模式下操作種子激光器I以減小激光束2的空間和時間相干性。在這種情況下，激光束2可被認為是不相干激光束2。
[0184]可進一步通過增加激光束2的帶寬來減小激光束2的相干性。激光束2的帶寬例如可以通過激勵種子激光器201的增益介質和放大鏈203的增益介質的能級之間的不同躍迀來增加。例如，在較窄帶寬的操作模式中，可以在激光器I的增益介質中激勵單個能級躍迀。然而，可以通過激勵增益介質中的多于一個的能級躍迀來增加激光束2的帶寬，使得發射不同波長的輻射。
[0185]減小激光束2的相干性可增加輻射源SO中的激光束2的焦點處的激光束2的截面。在激光束2相干的實施例中，燃料發射器3可以發射并引導燃料，使得激光束2入射到激光束2不對焦的等離子體形成區域4處的燃料目標上。這可以確保激光束2的截面積大于或等于等離子體形成區域4處的燃料目標的截面積。然而，在減小激光束2的相干性的實施例中，可以增加激光束2的最大焦點位置處的激光束2的截面積，使得焦點處的激光束2的截面大于或等于燃料目標的截面。因此，減小激光束2的相干性允許配置燃料發射器3和束引導裝置，使得激光束2入射到激光束2處于焦點的等離子體形成區域4處的燃料目標上，同時仍然確保激光束2的截面大于或等于等離子體形成區域4處的燃料目標的截面。
[0186]可以控制種子激光器以控制激光束2的相干性。可以控制激光束2的相干性，使得激光束2在等離子體形成區域處具有期望的截面積。激光束2的相干性可進一步被控制，使得激光束2在等離子體形成區域4處具有截面的期望強度輪廓。
[0187]在一些實施例中，除了使用被配置為增加激光束2的截面(其上激光束2的強度大于閾值強度)的比例的至少一個光學元件(例如，琢面反射器32、場琢面反射鏡32a、光瞳琢面反射鏡32b和/或可變形反射鏡132)，可以如上所述減小激光束2的相干性。在一些可替換實施例中，可以代替使用被配置為增加激光束2的截面(其上激光束2的強度大于閾值強度)的比例的一個或多個光學部件而減小激光束2的相干性。
[0188]上面描述了方法和裝置，其中討論了主脈沖激光束的強度輪廓。然而，方法和裝置可另外或可替換地用于控制前置脈沖激光束的強度輪廓。在主脈沖激光束2入射到燃料目標上之前，前置脈沖激光束可被引導入射到燃料目標上。前置脈沖激光束可用于改變燃料目標的形狀，使得當其到達等離子體形成區域4時，燃料目標處于期望形狀。在這種實施例中，前置脈沖激光束可認為是初始輻射束的示例，因為其啟動等離子體形成過程。
[0189]在一些實施例中，可以通過提供主脈沖激光束2的相同激光器I來提供前置脈沖激光束。在這種實施例中，相同的束引導裝置可用于引導前置脈沖激光束入射到燃料目標上，如用于引導主脈沖激光束2入射到燃料目標上。
[0190]可替換地，可以從與提供主脈沖激光束2的激光器I不同的激光器提供前置脈沖激光束。在這種實施例中，獨立的束引導裝置可用于引導前置脈沖激光束入射到燃料目標上，如用于引導主脈沖激光束2入射到燃料目標上。用于引導前置脈沖激光束的束引導裝置可包括上述任何束引導裝置的任何實施例的任何特征。
[0191 ]在設置束裝置以引導前置脈沖激光束入射到燃料目標上使得基本在燃料目標的整個截面上前置脈沖激光束大于閾值強度的實施例中，燃料閾值例如可以是用于將燃料目標改變為期望形狀的強度。
[0192]上面描述了輻射源的實施例，其中激光器產生等離子體形成在激光產生等離子體(LPP)輻射源中。然而，通過啟動燃料中的放電，等離子體可以可替換地在輻射源中產生。通過放電產生等離子體的輻射源可以稱為放電產生等離子體(DPP)輻射源。
[0193]DPP輻射源可包括至少兩個電極。DPP輻射源的至少一個電極可例如在電極的表面上設置有燃料(例如，錫)。通過引導初始輻射束入射到電極上的燃料上，可以從電極發射燃料。電極例如可以旋轉，以將燃料帶入初始輻射束的路徑中，并且提供其上入射初始輻射束的燃料目標。因此，電極可認為是燃料發射器的示例，其被配置為提供燃料并引導燃料以提供燃料目標。
[0194]初始激光束可通過燒蝕使得燃料從電極發射。燃料從電極的燒蝕可在電極之間形成燃料云。可以在電極之間啟動放電。放電可激勵燃料云形成發射輻射(例如，EUV輻射)的等咼子體。
[0195]在輻射源是DPP輻射源的實施例中，DPP輻射源可包括束裝置，其被配置為引導初始輻射束入射到燃料目標上，使得初始輻射束的強度基本在燃料目標的整個截面上大于閾值強度。DPP輻射源的束裝置可以包括上面參照LPP輻射源的實施例所描述的束裝置的任何實施例的任何特征。閾值強度例如可以是從輻射源的電極上的燃料目標內引起燃料燒蝕的強度。
[0196]在一個實施例中，本發明可形成掩模檢查裝置的一部分。掩模檢查裝置可使用EUV輻射來照射掩模并使用成像傳感器來監控從掩模反射的輻射。由成像傳感器接收的圖像被用于確定掩模中是否存在缺陷。掩模檢查裝置可包括光學元件(例如，反射鏡)，其被配置為接收來自EUV輻射源的EUV輻射并在將其形成至將引導至掩模的輻射束中。掩模檢查裝置可進一步包括被配置為收集從掩模反射的EUV輻射并在成像傳感器處形成掩模圖像的光學元件(例如，反射鏡)。掩模檢查裝置可包括處理器，其被配置為分析成像傳感器處的掩模的圖像，并且根據分析確定掩模上是否存在任何缺陷。處理器可進一步配置為確定所檢測的掩模缺陷是否在光刻裝置使用掩模時將在投射到襯底上的圖像中引起不可接受的缺陷。
[0197]在一個實施例中，本發明可形成量測裝置的一部分。量測裝置可用于測量形成在襯底上的抗蝕劑中的投射圖案相對于已經存在于襯底上的圖案的對齊。相對對齊的這種測量可稱為重疊。量測裝置例如可以定位為與光刻裝置直接相鄰，并且可用于在處理襯底(和抗蝕劑)之前測量重疊。
[0198]盡管在光刻裝置背景下在本文中對本發明實施例進行了具體的參考，但本發明的實施例可用于其他裝置。本發明的實施例可形成掩模檢查裝置、量測裝置或者測量或處理諸如晶圓(或其他襯底)或掩模(或其他圖案化設備)的對象的任何裝置的一部分。這些裝置通常可稱為光刻工具。這種光刻工具可使用真空條件或環境(非真空)條件。
[0199]術語“EUV輻射”可認為是包括具有4-20nm范圍內的波長的電磁輻射，例如13_14nm的范圍。EUV福射可具有小于1nm的波長，例如4-1 Onm的范圍內，諸如6.7nm或6.8nm。
[0200]盡管本文對制造IC的光刻裝置的使用進行了具體的參考，但應該理解，本文描述的光刻裝置可具有其他應用。可能的其他應用包括集成光學系統的制造、用于磁疇存儲器的引導和檢測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(IXD)、薄膜磁頭等。
[0201]本發明的實施例可以以硬件、固件、軟件或任何它們的組合來實施。本發明的實施例還可以實施為存儲在機器可讀介質上的指令，其可以被一個或多個處理器讀取和執行。機器可讀介質可包括用于以機器可讀的形式存儲或傳送信息的任何機制(例如，計算設備)。例如，機器可讀介質可以包括只讀存儲器(ROM);隨機存取存儲器(RAM);磁盤存儲介質;光學存儲介質；閃存設備；電、光、聲或其他形式的傳播信號(例如，載波、紅外信號、數字信號等)等。此外，本文可將固件、軟件、線程、指令描述為執行特定動作。然而，應該理解，這種描述僅僅是為了方便，實際上這些動作源于計算設備、處理器、控制器或者執行固件、軟件、線程、指令等的其他設備。
[0202]雖然上面描述了本發明的具體實施例，但應該理解，可以不同于上述方式來實踐本發明。上面的描述是示意性的而非限制性的。因此，本領域技術人員在不背離權利要求的范圍的情況下可以對本發明進行修改。
【主權項】
1.一種琢面反射器，用于接收入射輻射束并朝向目標引導反射輻射束，包括: 多個琢面，所述多個琢面中的每一個都包括反射表面;其中，所述多個琢面的第一子集中的每一個琢面的反射表面都限定第一連續表面的對應部分并被配置為在第一方向上反射所述入射福射束的對應第一部分以提供所述反射福射束的第一部分；以及 其中，所述多個琢面的第二子集中的每一個琢面的反射表面限定不同于所述第一連續表面的第二連續表面的對應部分，并且被配置為在第二方向上反射所述入射輻射束的對應第二部分以提供所述反射輻射束的第二部分。2.根據權利要求1所述的琢面反射器，其中，所述多個琢面被配置為使得所述反射輻射束的第一部分的至少一部分和所述反射輻射束的第二部分的至少一部分在所述目標處重置。3.根據權利要求1或2所述的琢面反射器，其中，所述多個琢面中的每一個琢面的反射表面都屬于至少三個子集中的一個，每個子集的琢面的反射表面被配置為在對應方向上反射所述入射輻射束的對應部分，所述對應部分一起提供所述反射輻射束的對應部分。4.根據權利要求3所述的琢面反射器，其中，所述多個琢面被配置為使得所述反射輻射束的每個對應部分的至少一部分與所述反射輻射束的至少一個其他對應部分的至少一部分在所述目標處重疊。5.根據前述權利要求中任一項所述的琢面反射器，其中，所述多個琢面被配置為增加所述目標處的所述反射輻射束的截面的一部分內的強度的均勻性。6.根據前述權利要求中任一項所述的琢面反射器，其中，所述多個琢面被配置為使得增加所述目標處的所述反射輻射束的截面的一部分內的最小強度。7.根據權利要求6所述的琢面反射器，其中，所述多個琢面被配置為使得增加所述目標處的所述反射輻射束的截面的中心部分內的強度。8.根據前述權利要求中任一項所述的琢面反射器，其中，當從上往下的視角看時，所述多個琢面包括具有被配置為多個均等大小的扇區的琢面的盤。9.根據前述權利要求中任一項所述的琢面反射器，其中，當從上往下的視角看時，所述多個琢面包括具有均等大小的圓周分布的琢面的環。10.根據權利要求1至7中任一項所述的琢面反射器，其中，當從上往下的視角看時，所述多個琢面包括具有均等大小的正方形琢面的柵格。11.根據前述權利要求中任一項所述的琢面反射器，其中，所述第一子集中的琢面的反射表面限定第一面，并且所述第二子集中的琢面的反射表面限定第二面。12.根據權利要求1至10中任一項所述的琢面反射器，其中，所述第一連續表面是彎曲的。13.根據權利要求12所述的琢面反射器，其中，所述第一連續表面是凹的或凸的。14.根據權利要求12或13所述的琢面反射器，其中，所述第一連續表面在琢面的第一子集的兩個琢面之間的點處的梯度永不大于與琢面的第一子集中的至少一個琢面的反射表面相交的所述連續表面上的點處的梯度。15.根據權利要求1至14中任一項所述的琢面反射器，其中，所述第一子集中的第一琢面和所述第二子集中的相鄰琢面之間的連接部分限定在所述第一琢面的反射表面與第二琢面的反射表面之間的逐漸過渡。16.根據權利要求13所述的琢面反射器，其中，所述琢面反射器限定平均面，并且其中配置所述琢面反射器使得所述連接部分相對于所述平均面處于一角度，所述角度小于所述入射輻射束相對于所述平均面的入射角。17.一種輻射源，所述輻射源被配置為接收初始輻射束并且包括: 琢面反射器，被配置為接收所述初始輻射束并引導反射初始輻射束至等離子體形成區域處的燃料目標，以生成輻射發射等離子體，所述琢面反射器包括多個琢面，所述多個琢面中的每一個都包括反射表面； 其中，所述多個琢面的第一子集中的每一個琢面的反射表面都限定第一連續表面的對應部分并被配置為在第一方向上反射所述入射初始輻射束的對應第一部分以提供所述反射初始輻射束的第一部分；以及 其中，所述多個琢面的第二子集中的每一個琢面的反射表面限定第二連續表面的對應部分，并且被配置為在第二方向上反射所述入射初始輻射束的對應第二部分以提供所述反射初始輻射束的第二部分。18.根據權利要求17所述的輻射源，其中，配置所述多個琢面，使得所述反射初始輻射束的第一部分的至少一部分和所述反射初始輻射束的第二部分的至少一部分在所述目標處重疊。19.根據權利要求17或18所述的輻射源，其中，所述多個琢面的每個琢面的反射表面都屬于至少三個子集中的一個，每個子集的琢面的反射表面被配置為在對應方向上反射所述入射初始輻射束的對應部分，所述對應部分一起提供所述反射初始輻射束的對應部分。20.根據權利要求19所述的輻射源，其中，配置所述多個琢面，使得所述反射初始輻射束的每個對應部分的至少一部分與所述反射初始輻射束的至少一個其他對應部分的至少一部分在所述目標處重疊。21.根據權利要求17至20中任一項所述的輻射源，其中，所述多個琢面被定向，以便增加所述等離子體形成區域處的所述初始輻射束的部分截面內的強度的均勻性。22.根據權利要求17至21中任一項所述的輻射源，其中，所述多個琢面被定向，以便增加所述等離子體形成區域處的所述初始輻射束的部分截面內的最小強度。23.根據權利要求17至22中任一項所述的輻射源，其中，所述多個琢面被定向，以便增加所述等離子體形成區域處的所述初始輻射束的截面的中心部分內的強度。24.根據權利要求21至23中任一項所述的輻射源，其中，所述初始輻射束的部分截面是所述初始輻射束的一部分，這一部分在使用時基本與所述等離子體形成區域處的燃料目標同心。25.根據權利要求17至24中任一項所述的輻射源，其中，當從上往下的視角看時，所述琢面反射器包括具有配置為多個均等大小的扇區的琢面的盤。26.根據權利要求17至25中任一項所述的輻射源，其中，當從上往下的視角看時，所述琢面反射器包括具有均等大小的圓周分布的琢面的環。27.根據權利要求17至24中任一項所述的輻射源，其中，當從上往下的視角看時，所述琢面反射器包括具有均等大小的正方形琢面的柵格。28.根據權利要求17至27中任一項所述的輻射源，還包括輻射收集器，用于收集由所述等離子體形成區域處的輻射生成等離子體所生成的輻射，并且用于將所生成的輻射的至少一部分引導至焦點。29.根據權利要求17至28中任一項所述的輻射源，其中，所述第一子集的琢面的反射表面限定第一面，以及所述第二子集的琢面的反射表面限定第二面。30.根據權利要求17至28中任一項所述的輻射源，其中，所述第一連續表面是彎曲的。31.根據權利要求30所述的輻射源，其中，所述第一連續表面是凹的或凸的。32.根據權利要求30或31所述的輻射源，其中，所述第一連續表面在琢面的第一子集的兩個琢面之間的點處的梯度永不大于與琢面的第一子集中的至少一個琢面的反射表面相交的所述連續表面上的點處。33.根據權利要求17至32中任一項所述的輻射源，其中，所述第一子集中的第一琢面和所述第二子集中的相鄰琢面之間的連接部分限定在所述第一琢面的反射表面與所述第二琢面的反射表面之間的逐漸過渡。34.根據權利要求33所述的輻射源，其中，所述琢面反射器限定平均面，并且其中配置所述琢面反射器使得所述連接部分相對于所述平均面處于一角度，所述角度小于所述入射輻射束相對于所述平均面的入射角。35.一種福射系統，包括: 根據權利要求17至34中任一項所述的輻射源；以及 第一激光器，被配置為提供所述初始輻射束。36.根據權利要求35所述的輻射系統，還包括: 第二激光器，被配置為引導燃料修改輻射束至燃料目標，以在所述初始輻射入射到所述等離子體形成區域處的所述燃料目標上之前改變所述燃料目標的特性。37.—種光刻工具，包括根據權利要求1至16中任一項所述的琢面反射器。38.一種光刻裝置，包括: 照明系統，被配置為調節從根據權利要求17至36中任一項所述的輻射源接收的輻射束； 支持結構，被構造為支持圖案化設備，所述圖案化設備能夠為所述輻射束在其截面中提供圖案以形成圖案化輻射束； 襯底臺，被構造為保持襯底；以及 投射系統，被配置為將所述圖案化輻射束投射到所述襯底上。39.—種用于生成輻射的輻射系統，包括: 根據權利要求1至16中任一項所述的琢面反射器。40.—種輻射源，包括: 燃料發射器，被配置為提供燃料并引導所述燃料以提供燃料目標；以及 束裝置，被配置為引導初始輻射束入射到所述燃料目標上，使得所述初始輻射束的強度基本在所述燃料目標的整個截面上大于閾值強度。41.根據權利要求40所述的輻射源，其中，所述閾值強度是使得所述燃料目標內的燃料被激勵為等離子體的強度。42.根據權利要求40或41所述的輻射源，其中，所述束裝置包括至少一個光學元件，所述至少一個光學元件被配置為增加所述燃料目標處所述初始輻射束的以下截面的比例，在所述截面上所述輻射束的強度大于所述閾值強度。43.根據權利要求40至42中任一項所述的輻射源，其中，所述束裝置包括至少一個光學元件，所述至少一個光學元件被配置為增加所述燃料目標處的所述初始輻射束的截面的一部分內的強度的均勾性。44.根據權利要求40至43中任一項所述的輻射源，其中，所述束裝置包括至少一個光學元件，所述至少一個光學元件被配置為增加所述燃料目標處的所述初始輻射束的截面的一部分內的最小強度。45.根據權利要求40至44中任一項所述的輻射源，其中，所述束裝置包括至少一個光學元件，所述至少一個光學元件被配置為增加所述燃料目標處的所述初始輻射束的截面的中心部分內的強度。46.根據權利要求42至44中任一項所述的輻射源，其中，所述輻射源還包括感測裝置，所述感測裝置可操作用于測量所述初始輻射束的一個或多個特性，并且其中所述至少一個光學元件響應于由所述感測裝置進行的所述初始輻射束的一個或多個特性的測量而可適配。47.根據權利要求46所述的輻射源，其中，所述感測裝置包括傳感器，所述傳感器可操作用于測量所述初始輻射束的強度輪廓。48.根據權利要求46或47所述的輻射源，其中，其中，所述感測裝置包括波前傳感器，所述波前傳感器可操作用于測量所述初始輻射束中的波前像差。49.根據權利要求46至48中任一項所述的輻射源，其中，所述感測裝置包括所述初始輻射束入射到其上的光學元件以及可操作用于測量所述光學元件的溫度的溫度傳感器。50.根據權利要求42至49中任一項所述的輻射源，其中，所述至少一個光學元件包括琢面反射器，所述琢面反射器包括多個琢面，所述多個琢面中的每個琢面都包括反射表面。51.根據權利要求50所述的輻射源，其中，所述琢面反射器包括權利要求1至16中任一項所述的琢面反射器。52.根據權利要求50所述的輻射源，其中，所述琢面反射器包括具有多個場琢面的場琢面反射鏡，并且其中所述束裝置還包括具有多個光瞳琢面的光瞳琢面反射鏡。53.根據權利要求52所述的輻射源，其中，所述場琢面反射鏡的場琢面均被配置為將所述初始輻射束的強度輪廓的一部分成像到所述光瞳琢面反射鏡的對應光瞳琢面上，并且其中每個光瞳琢面都被配置為將所述強度輪廓的一部分成像到所述燃料目標上。54.根據權利要求53所述的輻射源，其中，所述場琢面和所述光瞳琢面被配置為將所述初始輻射束的強度輪廓的部分成像到所述燃料目標上，以便增加所述燃料目標處所述初始輻射束的以下截面的比例，在所述截面上所述輻射束的強度大于所述閾值強度。55.根據權利要求42至49中任一項所述的輻射束，其中，所述至少一個光學元件包括可變形反射鏡。56.根據權利要求55所述的輻射源，其中，所述輻射源還包括自適應光學系統，所述自適應光學系統包括所述可變形反射鏡、被配置為測量所述初始輻射束中的波前像差的波前傳感器以及控制器，所述控制器被配置為響應于由所述波前傳感器進行的測量改變所述可變形反射鏡的反射表面的形狀。57.根據權利要求56所述的輻射源，其中，所述自適應光學系統還包括分束器，所述分束器被配置為將所述初始輻射束的一部分引導至所述波前傳感器。58.根據權利要求40至57中任一項所述的輻射源，其中，所述束裝置包括被配置為提供所述初始輻射束的激光器。59.根據權利要求58所述的輻射源，其中，所述激光器被配置為提供不相干的初始輻射束。60.根據權利要求59所述的輻射源，其中，所述激光器包括種子激光器和放大鏈。61.根據權利要求60所述的輻射源，其中，所述種子激光器被配置為在多個橫向模式下進行操作。62.根據權利要求60或61所述的輻射源，其中，所述種子激光器被配置為在多個縱向模式下進行操作。63.根據權利要求60至62中任一項所述的輻射源，其中，所述種子激光器是氣體放電激光器。64.根據權利要求63所述的輻射源，其中，所述種子激光器是CO2激光器。65.根據權利要求60至64中任一項所述的輻射源，其中，所述放大鏈包括通過放電栗送的氣體。66.—種光刻工具，包括根據權利要求40至65中任一項所述的輻射源。67.一種光刻裝置，包括: 照射系統，被配置為調整從根據權利要求40至65中任一項所述的輻射源接收的輻射束； 支持結構，被構造為支持圖案化設備，所述圖案化設備能夠為所述輻射束在其截面中提供圖案以形成圖案化輻射束； 襯底臺，被構造為支持襯底；以及 投射系統，被配置為將所述圖案化輻射束投射到所述襯底上。
【文檔編號】G02B27/09GK105940349SQ201480074178
【公開日】2016年9月14日
【申請日】2014年12月19日
【發明人】M·F·A·厄爾林斯, N·A·J·M·克里曼斯, A·J·J·范迪杰西爾多克, R·M·霍夫斯特拉, O·F·J·努德曼, T·N·費姆, J·B·P·范斯庫特, J-C·王, K·W·張
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