電子照相感光體用圓筒狀支持體及其制造方法、電子照相感光體、處理盒和成像裝置的制造方法

電子照相感光體用圓筒狀支持體及其制造方法、電子照相感光體、處理盒和成像裝置的制造方法
【專利摘要】本發明涉及一種電子照相感光體用圓筒狀支持體及其制造方法，所述支持體包含鋁合金，其包含Si：0.4重量％至0.8重量％、Fe：0.7重量％以下、Cu：0.15重量％至0.4重量％、Mn：0.15重量％以下、Mg：0.8重量％至1.2重量％、Cr：0.04重量％至0.35重量％、Zn：0.25重量％以下、Ti：0.15重量％以下，和余量：Al和雜質，其中所述鋁合金晶粒的平均面積為3.0μm2至100μm2。本發明還涉及電子照相感光體、處理盒以及成像裝置。即使當本發明的電子照相感光體用圓筒狀支持體的厚度變薄時，其仍具有高強度和高形狀精度。
【專利說明】
電子照相感光體用圓筒狀支持體及其制造方法、電子照相 感光體、處理盒和成像裝置
技術領域
[0001] 本發明涉及一種電子照相感光體用圓筒狀支持體、其制造方法、電子照相感光體、 處理盒及成像裝置。
【背景技術】
[0002] 在相關技術領域中，電子照相成像裝置已經是眾所周知的使用電子照相感光體而 連續進行充電、曝光、顯影、轉印、清潔等工序的裝置。
[0003] 作為電子照相感光體，已知的有：通過在鋁等導電性支持體上層疊通過曝光而產 生電荷的電荷產生層和輸送電荷的電荷傳輸層而獲得的功能分離型電子照相感光體；或者 包括具有產生電荷的功能和輸送電荷的功能的單一層的單層型感光體。
[0004] 專利文獻1公開了一種感光體鼓用鋁板，其包含0. 3重量％至I. 0重量％的Fe和 0. 2重量％至0. 8重量％的Si，其中Fe/Si〈3,板面的平均結晶粒度為35 μπι以下，拉延比 (毛坯直徑/沖孔直徑）為2時的制耳率在3%以下。
[0005] 專利文獻2公開了一種通過對鋁合金進行冷沖壓成型而獲得的沖壓成型制品，所 述鋁合金包含4. 5重量％至7. 5重量％的Ζη、0. 3重量％至0. 8重量％的Mg、0. 1重量％至 0. 2重量％的Cu中的一種或兩種以上，并進一步包含0. 15重量％至0. 4重量％的Μη、0. 05 重量％至〇. 3重量％的0和0. 1重量％至0. 3重量％的21中的一種或多種，其中Mn+Cr+Zr 的總量為〇. 25重量％以上，余量由Al和雜質構成。
[0006] [專利文獻 1] JP-A_61-044148
[0007] [專利文獻 2] JP-A-2006-188730

【發明內容】

[0008] 本發明的目的在于提供一種電子照相感光體用圓筒狀支持體，與使用具有特定成 分組成的鋁合金（該具有特定成分組成的鋁合金晶粒的平均面積超過100μπι 2)來獲得電 子照相感光體用圓筒狀支持體的情況相比，即使當本發明的電子照相感光體用圓筒狀支持 體的厚度變薄時，其仍具有高強度和高形狀精度。
[0009] 上述目的通過以下構造實現。
[0010] 根據本發明的第一方面，提供了一種電子照相感光體用圓筒狀支持體，其包含：
[0011] 鋁合金，包括
[0012] Si :0.4 重量％至 0.8 重量％、
[0013] Fe :0.7 重量％ 以下、
[0014] Cu :0· 15 重量％至0.4 重量％、
[0015] Mn :0· 15 重量％ 以下、
[0016] Mg :0· 8 重量％至 L 2 重量％、
[0017] Cr :0.04 重量％至 0.35 重量％、
[0018] Zn :0· 25 重量％ 以下、
[0019] Ti :0· 15重量％以下，和 [0020] 余量：Al和雜質，
[0021] 其中所述鋁合金的晶粒的平均面積為3.0 μm2至100 μm2。
[0022] 根據本發明的第二方面，提供了一種電子照相感光體用圓筒狀支持體，其由如下 方法制備：
[0023] 對鋁合金進行冷沖壓以獲得成型制品，
[0024] 對在所述冷沖壓中獲得的所述成型制品進行固溶處理，
[0025] 對所述經固溶處理的成型制品進行形狀加工，以及
[0026] 對所述經形狀加工的成型制品進行時效硬化處理，
[0027] 其中所述鋁合金包含Si :0.4重量％至0.8重量％、Fe :0.7重量％以下、Cu :0. 15 重量％至〇. 4重量％、Mn :0. 15重量％以下、Mg :0. 8重量％至1. 2重量％、Cr :0. 04重量％ 至〇. 35重量％、Zn :0. 25重量％以下、Ti :0. 15重量％以下、以及余量：Al和雜質。
[0028] 根據本發明的第三方面，在根據第一方面的電子照相感光體用圓筒狀支持體中， 所述電子照相感光體用圓筒狀支持體的厚度為〇. 〇3mm至I. 5_。
[0029] 根據本發明的第四方面，在根據第一方面的電子照相感光體用圓筒狀支持體中， 所述電子照相感光體用圓筒狀支持體的厚度為〇. Imm至〇. 9_。
[0030] 根據本發明的第五方面，在根據第一方面的電子照相感光體用圓筒狀支持體中， 所述電子照相感光體用圓筒狀支持體的厚度為〇. 2mm至0. 8_。
[0031] 根據本發明的第六方面，在根據第一方面的電子照相感光體用圓筒狀支持體中， 所述晶粒的平均面積為5. 0 μ m2至80 μ m 2。
[0032] 根據本發明的第七方面，在根據第一方面的電子照相感光體用圓筒狀支持體中， 所述晶粒的平均面積為7. 0 μ m2至70 μ m 2。
[0033] 根據本發明的第八方面，提供了一種電子照相感光體，其包括
[0034] 根據第一方面至第七方面任一方面所述的電子照相感光體用圓筒狀支持體；和
[0035] 設置在電子照相感光體用圓筒狀支持體上的感光層。
[0036] 根據本發明的第九面，提供了一種處理盒，其可從成像裝置上拆卸下來，該處理盒 包括根據本發明的第八方面所述的電子照相感光體。
[0037] 根據本發明的第十方面，提供了一種成像裝置，包括：
[0038] 根據第八方面所述的電子照相感光體；
[0039] 充電單元，其為所述電子照相感光體的表面充電；
[0040] 靜電潛像形成單元，其在所述已充電的電子照相感光體的表面上形成靜電潛像；
[0041] 顯影單元，其利用含有調色劑的顯影劑將形成于所述電子照相感光體的表面上的 所述靜電潛像顯影，以形成調色劑圖像；以及
[0042] 轉印單元，其將所述調色劑圖像轉印至記錄介質。
[0043] 根據本發明的第十一方面，提供了一種制造電子照相感光體用圓筒狀支持體的方 法，包括：
[0044] 制備鋁合金，
[0045] 對所述鋁合金進行冷沖壓以獲得成型制品，
[0046] 對在所述冷沖壓中獲得的所述成型制品進行固溶處理，
[0047] 對經所述固溶處理的所述成型制品進行形狀加工，以及
[0048] 對經所述形狀加工的所述成型制品進行時效硬化處理。
[0049] 根據本發明的第十二方面，在根據本發明第十一方面的制造電子照相感光體用圓 筒狀支持體的方法中，所述固溶處理是在溫度范圍為300°C至600°C的加熱溫度下進行的。
[0050] 根據本發明的第十三方面，在根據本發明第十一方面的制備電子照相感光體用圓 筒狀支持體的方法中，所述時效硬化處理是在l〇〇°C至300°C的溫度范圍內進行的。
[0051] 根據第一、第六或第七方面，關于通過使用具有上述成分組成的鋁合金而獲得的 電子照相感光體用圓筒狀支持體，所述方面提供了這樣一種電子照相感光體用圓筒狀支持 體，與具有上述特定成分組成的鋁合金晶粒的平均面積超過100 μ Hi2的情況相比，根據本發 明的電子照相感光體用圓筒狀支持體即使當其厚度變薄時仍具有高強度和高形狀精度。
[0052] 根據本發明的第二方面，關于通過使用具有上述成分組成的鋁合金而獲得的電子 照相感光體用圓筒狀支持體，所述方面提供了這樣一種電子照相感光體用圓筒狀支持體， 與電子照相感光體用圓筒狀支持體通過包括切削加工的方法制備的情況相比，根據本發明 的電子照相感光體用圓筒狀支持體即使當其厚度變薄時仍具有高強度和高形狀精度。
[0053] 根據第三、第四或第五方面，關于通過使用具有上述成分組成的鋁合金而獲得的 電子照相感光體用圓筒狀支持體，所述方面提供了這樣一種電子照相感光體用圓筒狀支持 體，即使當所述圓筒狀支持體的厚度為〇. 〇3_至I. 5_時，其仍具有高強度和高形狀精度。
[0054] 根據第八、第九或第十方面，提供了一種其中應用了電子照相感光體用圓筒狀支 持體的電子照相感光體、處理盒、和成像裝置，關于通過使用具有上述成分組成的鋁合金而 獲得的電子照相感光體用圓筒狀支持體，與具有上述特定成分組成的鋁合金晶粒的平均面 積超過100 μπι2的情況相比，即使當本發明的電子照相感光體用圓筒狀支持體的厚度變薄 時，其仍具有高強度和高形狀精度。
[0055] 根據本發明的第十一、十二或十三方面，提供了一種制造電子照相感光體用圓筒 狀支持體的方法，關于通過使用具有上述成分組成的鋁合金而獲得的電子照相感光體用圓 筒狀支持體，與電子照相感光體用圓筒狀支持體通過包括切削的方法制備的情況相比，即 使當所述電子照相感光體用圓筒狀支持體的厚度變薄時，其仍具有高強度和高形狀精度。
【附圖說明】
[0056] 下面將參照如下附圖對本發明的示例性實施方案進行詳細描述，其中：
[0057] 圖1為示意性示出根據本發明示例性實施方案的電子照相感光體一個構成例的 部分截面圖；
[0058] 圖2為示意性示出根據本發明示例性實施方案的電子照相感光體另一構成例的 部分截面圖；
[0059] 圖3為示意性示出根據本發明示例性實施方案的電子照相感光體另一構成例的 部分截面圖；
[0060] 圖4為示意性示出根據本發明示例性實施方案的電子照相感光體另一構成例的 部分截面圖；
[0061] 圖5為示意性示出根據本發明示例性實施方案的電子照相感光體另一構成例的 部分截面圖；
[0062] 圖6A至6C為示意性示出根據本發明示例性實施方案的支持體的部分制造工藝 (沖壓）的視圖；
[0063] 圖7A和7B為示意性示出根據本發明示例性實施方案的支持體的部分制造工藝 (拉伸和展薄（drawing and ironing))的視圖；
[0064] 圖8為示意性示出根據本發明示例性實施方案的成像裝置的一個例子的構成的 視圖；以及
[0065] 圖9為示意性示出根據本發明示例性實施方案的成像裝置的另一個例子的構成 的視圖。
【具體實施方式】
[0066] 下面，將參照附圖對本發明的實施方案進行描述。在圖中，具有相似功能的元件具 有相同的附圖標記，并省略任何不必要的描述。
[0067] 電子照相感光體用圓筒狀支持體
[0068] 根據示例性實施方案的電子照相感光體用圓筒狀支持體（以下，有時簡稱為"支 持體"）包含鋁合金，其包含0.4重量％至0.8重量％、Fe :0.7重量％以下、Cu :0. 15重量％ 至〇. 4重量％、Mn :0. 15重量％以下、Mg :0. 8重量％至1. 2重量％、Cr :0. 04重量％至0. 35 重量％、Zn :0.25重量％以下、Ti :0. 15重量％，余量為鋁和不可避免的雜質（以下，有時簡 稱為"特定鋁合金"）。鋁合金的晶粒的平均面積為3. 0 μ m2至100 μ m 2。
[0069] 由于根據上述示例性實施方案的支持體具有上述構造，所以即使支持體的厚度變 薄（以下，將支持體的厚度稱為"壁厚"，并且使厚度變薄簡稱為"厚度變薄"），也能獲得具 有高強度以及高形狀精度的支持體。盡管原因尚未明確，但據認為原因如下。
[0070] 通常來說，作為用于電子照相感光體（以下，有時稱為"感光體"）的支持體，為了 提高圓筒度，選擇具有高硬度及優良加工性的材料。具體來說，通過控制各項物理性能（例 如楊氏模量）來提高支持體的圓筒度。
[0071] 例如，當使用具有優良加工性的純鋁制備支持體時，可以獲得高的形狀精度（例 如，圓筒度）。然而，由于鋁是軟的，強度可能較低。因此，例如當使支持體的厚度變薄時（例 如，0. 4mm以下），在對支持體施加外力的情況中，支持體可容易地塑性變形（永久變形），并 且在一些情況下支持體的功能不容易展現。
[0072] 另一方面，當使用經過加工硬化的高硬度鋁合金制備支持體時，即使在支持體的 厚度變薄的情況下也可以獲得高強度，但是在加工過程中的殘留應力會導致支持體本身形 變，從而降低了形狀精度。
[0073] 相反地，由于在根據示例性實施方案的支持體的制備過程中通過使用特定鋁合金 而改進了支持體的可加工性，因此形狀精度得以改進。由于當制備支持體時，特定鋁合金 的晶粒的平均面積在上述范圍內，從而提高了對抗外力的強度。因此，據認為，即使當厚度 變薄時，也能獲得具有高強度和高精度的支持體。
[0074] 根據示例性實施方案的支持體，因為可以得到具有高強度和高形狀精度的支持 體，所以圖像再現性得到改善，并抑制了圖像缺陷（例如濃度降低或空隙）。此外，通過降低 厚度可以減少所使用的鋁合金的量。
[0075] 電子照相感光體
[0076] 根據示例性實施方案的電子照相感光體包括示例性實施方案的支持體和布置在 上述支持體上的感光層。
[0077] 圖1為示意性示出了根據示例性實施方案的電子照相感光體7A的層構成的一個 例子的剖面圖。圖1所示的電子照相感光體7A具有這樣的結構，其中在支持體4上依次層 疊有底涂層1、電荷產生層2及電荷傳輸層3。在這種情況下，電荷產生層2及電荷傳輸層 3構成感光層5。
[0078] 圖2至圖5分別為示意性示出了根據示例性實施方案的電子照相感光體的其他層 構成例子的截面圖。
[0079] 圖2及圖3所示的電子照相感光體7B和7C包括感光層5,在該感光層5中，電荷 產生層2和電荷傳輸層3具有與圖1所示電子照相感光體7A的情況中類似的分離功能，并 且形成有保護層6作為最外層。圖2所示的電子照相感光體7B具有這樣的結構，其中在支 持體4上依次層疊有底涂層1、電荷產生層2、電荷傳輸層3及保護層6。圖3所示的電子照 相感光體7C具有這樣的結構，其中在支持體4上依次層疊有底涂層1、電荷傳輸層3、電荷 產生層2、和保護層6。
[0080] 另一方面，在圖4和圖5中所不的電子照相感光體7D和7E中，單一層（單層型感 光層10)中包含電荷產生材料和電荷傳輸材料且其功能被一體化。在圖4所不的電子照相 感光體7D的結構中，在支持體4上依次層疊有底涂層1和單層型感光層10。在圖5所示的 電子照相感光體7E的結構中，在支持體4上依次層疊有底涂層1、單層型感光層10和保護 層6。
[0081] 在各電子照相感光體7A至7E中，底涂層1的設置并不是必須的。
[0082] 以下，對電子照相感光體的各要素進行說明。另外，在以下說明中省略各要素的符 號進行說明。
[0083] 支持體
[0084] 根據示例性實施方案的支持體包含具有上述成分組成的特定鋁合金。
[0085] 特定鋁合金
[0086] Si 和 Mg
[0087] Si的含量在0. 4重量％至0. 8重量％的范圍內、Mg的含量在0. 8重量％至1. 2重 量％的范圍內。當Si和Mg的含量在上述范圍內時，可以提高支持體的強度。Si與Mg共存 并形成Mg2Si析出物，從而提高了支持體的強度。
[0088] Cu
[0089] Cu的含量在0.15重量％至0.4重量％的范圍內。當Cu的含量在上述范圍內時， 可以提高支持體的強度。Cu增加了 Mg2Si析出物，從而提高了支持體的強度。
[0090] Fe
[0091] Fe的含量在0.7重量％以下的范圍內。當Fe的含量在上述范圍內時，可以提高支 持體的強度。在合金中，Fe與Al和Si鍵合從而結晶化，并且還具有能抑制晶粒粗化的功 能。對Fe含量的下限沒有特別限制，（例如）可為0. 05重量％以上。
[0092] Mn、Cr、Zn 和 Ti
[0093] Mn的含量在0. 15重量％以下的范圍內，Cr的含量在0. 04重量％至0. 35重量％ 的范圍內，Zn的含量在0. 25重量％以下的范圍內，且Ti的含量在0. 15重量％以下的范圍 內。當Mn、Cr、Zn和Ti含量在上述范圍內時，可以獲得微細化的晶粒。此外，可以抑制晶粒 粗化。對Mn、Zn和Ti含量的下限沒有特別限制，例如Mn含量的下限為0. 03重量％以上、 Zn含量的下限為0. 03重量％以上、且Ti含量的下限為0. 03重量％以上。
[0094] 雜質
[0095] 除了上述組分和鋁之外，特定鋁合金還包含雜質。雜質可以包含在鋁原料中、以及 制造特定鋁合金基底金屬的過程中。此外，例如，雜質可為諸如Ga、V、Ni、B、Zr和Ca之類 的成分。
[0096] 晶粒的平均面積
[0097] 在本示例性實施方案的支持體中，如上所述，特定鋁合金的晶粒的平均面積為 3. 0 μ m2至100 μ m2。從獲得即使當厚度變薄時仍具有高強度和高形狀精度的支持體的角度 出發，平均面積優選在5. 0 μ m2至80 μ m 2的范圍內。平均面積更優選在7. 0 μ m2至70 μ m 2 的范圍內。
[0098] 此處，在本示例性實施方案的支持體中，特定鋁合金的"晶粒"是指構成特定鋁合 金的多晶結構的每個晶體。"晶粒的平均面積"是指晶粒的面積的平均值。
[0099] 晶粒的平均面積的數值是用掃描電子顯微鏡（SEM)通過觀察并測量晶粒面積而 得到的。具體來說，按如下方式進行測量。
[0100] 首先，在距離支持體的軸向上的一端和另一端5mm的位置處、以及支持體的軸向 上的中心位置處，由圓周方向上相隔90度的4個位置準備測量用樣品（總計4X3 = 12個 位置）。接著，將測量用樣品嵌入環氧樹脂中，然后進行研磨處理。所述研磨處理是通過如 下方式進行的：通過使用耐水砂紙#500對樣品進行研磨，隨后進行磨光以實現鏡面拋光。 使用VE SEM(由KEYENCE公司制造）對經過研磨處理的測量用樣品進行觀察并測量。
[0101] 在各樣品的橫截面內，通過使用安裝在上述VE SEM(由KEYENCE公司制造）中的圖 像處理軟件計算如下晶粒的面積，其中上述晶粒位于距離基體的外周面30 μπιΧ20 μπι(軸 向X厚度方向）的范圍內的位置，將12個位置處的樣品晶粒面積除以樣品數而得到平均 值，并且將該平均值設為基體中的晶粒的平均面積。
[0102] 測量待測感光體的晶粒的平均面積的方法如下。
[0103] 首先，準備待測量的感光體。接著，例如，使用溶劑或者一些手段（例如，工具）去 除感光層（例如，電荷產生層、電荷傳輸層）和底涂層。此外，將裸露的底涂層去除從而形 成測量用樣品。然后，按照上述操作中待測樣品的方式來測量支持體晶粒的平均面積。
[0104] 制造根據本示例性實施方案支持體的方法沒有特別限定，只要支持體的晶粒的平 均面積在上述范圍內。
[0105] 作為制造支持體的方法，例如可使用這樣的方法，該方法包括以下工序：特定鋁合 金的制備工序；對特定鋁合金進行冷沖壓以形成成型制品的第一加工工序；對第一加工工 序中獲得的成型制品進行固溶處理的工序；對經固溶處理的成型制品進行形狀加工的第二 加工工序；以及對經形狀加工的成型制品進行時效硬化處理的工序。
[0106] 以下，將描述上述制造方法的每個工序。
[0107] 圖6Α至6C為示意性示出了工序的例子的圖示，在這些工序中，通過冷沖壓（以 下，有時簡稱為"沖壓"）將由特定鋁合金形成的工件（以下，有時簡稱為"爐渣（slag)"） 形成為圓筒狀成型制品。圖7A和7B為示出了工序的例子的圖示，其中將通過沖壓而成型 的圓筒狀成型制品的外周面展薄（ironed)以制造根據本示例性實施方案的支持體。
[0108] 特定鋁合金的制備
[0109] 首先，準備作為待加工材料的特定鋁合金并用潤滑劑將其涂布，以制備特定鋁合 金的爐渣30。
[0110] 當使用除特定鋁合金外的其他含鋁金屬（例如純鋁）時，即使通過以下工序也不 能獲得具有高硬度和高強度的支持體。
[0111] 沖壓（第一加工）
[0112] 如圖6A所示，將涂布有潤滑劑的特定鋁合金的爐渣30置于設置在模具（陰模）20 中的圓形孔24內。接著，如圖6B所示，利用圓柱狀沖頭（陽模）21對置于模具20內的爐 渣30進行壓制。由此，將爐渣30從模具20的圓形孔24中拉伸并成形為圓筒狀并覆蓋沖 頭21的周圍。成形后，如圖6C所示，提起沖頭21并使其通過脫模器22的中央孔23。由此 拔出沖頭21而得到圓筒狀成型制品4A。
[0113] 通過這樣的沖壓，通過加工硬化提高了硬度，由此可制造厚度薄且硬度高的鋁合 金制圓筒狀成型制品4A。
[0114] 成型制品4A的厚度沒有特別限定。例如，當制備厚度（壁厚）為0· 03mm至I. 5mm 的支持體時，通過沖壓成型的成型制品4A的厚度優選為0.1 mm至2. 0,且更優選為0. 05mm 至 I. 7mm〇
[0115] 固溶處理
[0116] 將由沖壓成型的圓筒狀成型制品4A加熱并隨后冷卻。通過這種處理，構成圓筒狀 成型制品4A的特定鋁合金達到合金組分均勻地固溶的狀態，即（也就是合金組分溶于鋁合 金中的狀態），并且特定鋁合金變軟。
[0117] 進行固溶處理時的加熱溫度在300°C至600°C的范圍內。從進一步提高形狀精度 的角度出發，加熱溫度優選在350°C至600°C的范圍內。加熱溫度更優選在380°C至600°C 的范圍內。
[0118] 此外，加熱時間可以在0. 2小時至4. 0小時的范圍內。從進一步提高形狀精度的 角度出發，加熱時間優選在〇. 4小時至3. 0小時的范圍內。加熱時間更優選在0. 5小時至 2小時的范圍內。
[0119] 關于冷卻經固溶處理而被加熱的圓筒狀成型制品4A的冷卻速度，從實現合金組 分溶于特定鋁合金中并變軟的狀態這一角度出發，圓筒狀成型制品4A的冷卻速度可為（例 如）1°C /s。此外，冷卻的特定鋁合金可被冷卻至（例如）室溫（如25°C )至100°C的溫度 范圍內。
[0120] 形狀加工（第二加工）
[0121] 接下來，對經固溶處理的圓筒狀成型制品4A進行形狀加工，并校正成型制品A的 形狀。在形狀加工過程中，例如如圖7A所示，經固溶處理的圓筒狀成型制品4A被圓柱狀沖 頭31推進模具32內，從而對其進行拉伸并使其直徑縮小。然后，如圖7B所示，成型制品 被推入直徑更小的模具33中，從而進行展薄。在形狀加工過程中，可以進行展薄而不進行 拉伸，或者可以分開的方式通過多個階段進行展薄。也就是說，可以只進行拉伸或展薄的一 者，也可以二者都進行。可根據展薄操作的次數來調整成型制品4B的厚度和圓筒度。
[0122] 對經形狀加工的成型制品4B的厚度沒有特別限制。例如，當制備厚度（壁厚）為 0· 03mm至I. 5mm的支持體時，成型制品的厚度優選為0· Imm至2. 0mm，且更優選為0· 05mm 至 I. 7mm〇
[0123] 時效硬化處理
[0124] 接下來，對已通過形狀加工而進行了形狀矯正的圓筒狀成型制品4B進行加熱并 保持。通過該處理，合金組分從構成圓筒狀成型制品4B的特定鋁合金中析出（也就是析出 強化），并且獲得的支持體具有高硬度和高強度。
[0125] 從提高支持體的強度的角度出發，時效硬化處理可以在加熱溫度為KKTC至 300°C的范圍內進行。保持時間可以為1小時以上。對保持時間的上限沒有特別限定，并優 選在例如3小時以下的范圍內。
[0126] 通過上述制造方法，即使當支持體厚度變薄時，也能獲得具有高強度和高形狀精 度的支持體。也就是說，通過如下工序可獲得上述性能，這些工序為：通過冷沖壓從而加工 成型制品；通過固溶處理而軟化該成型制品；并通過形狀加工校正經軟化的成型制品的形 狀；此外，通過時效硬化處理使合金組分析出。當厚度變薄時，可獲得重量更輕的支持體。
[0127] 本示例性實施方案的支持體可以制備成厚度例如為0. 03mm至1. 5_。從制備具 有高強度和高形狀精度的支持體的角度出發，厚度更優選為〇. 〇5_至1. 0_，還更優選為 0. 1臟至0· 9臟，且特別優選為0· 2mm至0· 8臟。
[0128] 通過各上述工序來制備本示例性實施方案的支持體，可獲得晶粒的平均面積為 3. 0 μ m2至100 μ m2的支持體。當由上述工序制備支持體時，可以通過例如控制固溶處理條 件（加熱條件和冷卻條件）和時效硬化處理條件等來調節晶粒的平均面積。
[0129] 本示例性實施方案的支持體具有高精度（例如圓筒度）。該圓筒度的數值表示原 本應當為圓筒的部分與幾何學圓筒間的誤差的大小。例如，本示例性實施方案的支持體的 圓筒度為60 μm以下。從具有高的形狀精度的角度出發，圓筒度優選在40 μm以下。
[0130] 此外，作為示出形狀精度的指數，除了圓筒度之外，還有圓度、同軸度等。從更高的 形狀精度的角度出發，圓度優選在30 μπι以下，且同軸度優選在20 μπι以下。
[0131] 使用由Tokyo Seimitsu公司制造的R0NDC0M 60Α，以如下條件測量圓筒度、圓度 和同軸度：放大率：200倍；測量速度（轉速）：6° /min，（垂直移動速度）3mm/s ;過濾器： 數字過濾器2RC。
[0132] 此外，支持體厚度（壁厚）的偏差（以下，有時簡稱為"厚度偏差"）越小越優選。 例如，厚度偏差優選在30 μπι以下。
[0133] 厚度變差是通過使用點測頭千分尺，并測量支持體的端部截面中位于對角線上的 四個點處的壁厚，并計算最大值和最小值之間的差值而獲得的數值。
[0134] 由于所獲得的圓筒度、圓度、同軸度和厚度偏差位于上述范圍內，因此本示例性實 施方案的支持體可滿足作為感光體用支持體的特性。
[0135] 當將感光體用于激光打印機的情況下，激光的振蕩波長優選為350nm至850nm， 波長越短，分辨率越優異，因此是優選的。當該電子照相感光體用在激光打印機中時，為了 防止在照射激光時產生干涉條紋，優選將支持體的表面粗糙化至中心線平均粗糙度Ra為 0. 04 μπι至0.5 μπι。當Ra為0.04 μπι以上，則可得到防止干涉的效果。另一方面，當Ra為 0· 5 μπι以下，貝IJ可有效j；也抑制畫質變粗半造的傾向。
[0136] 當將不連續光用于光源時，則并不特別需要進行用于防止干涉條紋的粗糙化。然 而，粗糙化更適合于延長使用壽命，這是因為將支持體的表面粗糙化可防止產生缺陷。
[0137] 粗糙化的方法的例子包括：濕式珩磨，其中使研磨劑懸浮于水中以制備懸浮液，并 將該懸浮液噴于支持體上；無心磨削，其中使支持體與旋轉的磨石進行擠壓以連續地進行 連續磨削；以及陽極氧化處理；等等。
[0138] 粗糙化方法的另一例子包括這樣的方法，其中：將導電性或半導電性粉末分散在 樹脂中，在支持體的表面上形成層，并利用分散于該層中的顆粒將該層粗糙化，而不將支持 體的表面粗糙化。
[0139] 利用陽極氧化處理的粗糙化處理是這樣一種工藝：在電解液中通過對作為陽極的 支持體進行陽極氧化從而在支持體的表面上形成氧化膜。電解液的例子包括硫酸溶液和草 酸溶液。然而，利用陽極氧化而形成的多孔陽極氧化膜本身具有化學反應性，易于受到污 染，并且由環境引起的電阻波動大。因此，優選進行封孔處理，即，對于多孔陽極氧化膜，通 過在加壓水蒸汽或沸水（其中可以添加諸如鎳鹽之類的金屬鹽）中的水合反應的體積膨脹 來將陽極氧化膜轉化為更穩定的水合氧化物。
[0140] 例如，陽極氧化膜的膜厚優選為0. 3 μ m至15 μ m。當厚度在上述范圍內時，趨向于 表現出針對注入的阻隔性能。此外，可表現出抑制因重復使用而使殘余電位增加的趨勢。
[0141] 可利用酸處理液對支持體的表面進行處理，或進行勃姆石處理。
[0142] 利用酸處理液進行的處理以（例如）以下方式進行。首先，準備由磷酸、鉻酸和氫 氟酸形成的酸處理液。關于磷酸、鉻酸和氫氟酸在酸處理液中的混合比例，例如：磷酸為10 重量％至11重量％，鉻酸為3重量％至5重量％，并且氫氟酸為0. 5重量％至2重量％。全 部這些酸的總濃度優選在13. 5重量％至18重量％的范圍內。例如，處理溫度優選為42°C 至48°C。膜的膜厚優選為0. 3 μ m至15 μ m。
[0143] 勃姆石處理可以這樣進行：將支持體浸在溫度為90°C至100°C的純水中5分鐘至 60分鐘，或者將支持體與溫度為90°C至120°C的熱水蒸汽接觸5分鐘至60分鐘。膜的膜厚 優選為0. Ιμπι至5μπι。可以使用膜溶解性低的電解質溶液（如己二酸、硼酸、硼酸鹽、磷酸 鹽、鄰苯二甲酸鹽、馬來酸鹽、苯甲酸鹽、酒石酸鹽和檸檬酸鹽）進一步對膜進行陽極氧化 處理。
[0144] 底涂層
[0145] 底涂層例如是包含無機顆粒和粘結劑樹脂的層。
[0146] 無機顆粒的例子包括具有約IO2 Ω cm至IO11 Ω cm的粉末電阻（體積電阻率）的無 機顆粒。
[0147] 其中，作為具有上述電阻值的無機顆粒，優選金屬氧化物顆粒如氧化錫顆粒、氧化 鈦顆粒、氧化鋅顆粒和氧化鋯顆粒，且尤其優選氧化鋅顆粒。
[0148] 通過BET法測定的無機顆粒的比表面積例如優選是10m2/g以上。
[0149] 無機顆粒的體積平均粒徑例如優選為50nm至2000nm (更優選從60nm至1000 nm)。
[0150] 基于粘結劑樹脂的量，無機顆粒的含量例如優選為10重量％至80重量％，且更優 選為40重量％至80重量％。
[0151] 無機顆粒可以是已進行了表面處理的那些。可以將已進行了不同的表面處理或具 有不同粒徑的無機顆粒中的兩種或多種組合使用。
[0152] 表面處理劑的例子包括硅烷偶聯劑、鈦酸酯偶聯劑、鋁偶合劑和表面活性劑。特別 優選硅烷偶聯劑，且更優選具有氨基的硅烷偶聯劑。
[0153] 具有氨基的硅烷偶合劑的例子包括：3_氨基丙基三乙氧基硅烷、N-2_(氨基乙 基）-3_氨基丙基三甲氧基硅烷、N-2_(氨基乙基）-3_氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、和 N，N-雙（2-羥乙基）-3-氨基丙基三乙氧基硅烷，但不限于此。
[0154] 這些硅烷偶聯劑可以其兩種或多種的混合物使用。例如，具有氨基的硅烷偶聯劑 和另一種硅烷偶聯劑可以組合使用。所述硅烷偶聯劑的其它例子包括：乙烯基三甲氧基硅 烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基-三（2-甲氧基乙氧基）硅烷、2_(3, 4-環氧環己基）乙基三 甲氧基硅烷、3-縮水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、3-巰基丙基 三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-2-(氨基乙基）-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、 N-2-(氨基乙基）-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、N，N-雙（2-羥乙基）-3-氨基丙基三乙 氧基硅烷和3-氯丙基三甲氧基硅烷，但不限于此。
[0155] 使用表面處理劑的表面處理方法可以是任何一種已知的方法，并且可以是干式法 或濕式法。
[0156] 相對于所述無機顆粒的量，表面處理劑的處理量例如優選為0. 5重量％至10重 量％。
[0157] 這里，從電特性長期穩定性和載流子阻擋特性優異的角度出發，優選在底涂層中 包含無機顆粒和受電子化合物（受體化合物）。
[0158] 受電子化合物的例子包括電子傳輸材料如醌系化合物，如氯醌和溴醌；四氰基對 苯二醌二甲烷系化合物；芴酮系化合物，如2, 4, 7-三硝基芴酮和2, 4, 5, 7-四硝基-9-芴 酮；噁二唑系化合物，如2- (4-聯苯基）-5- (4-叔丁基苯基）-1，3, 4-噁二唑、2, 5-雙（4-萘 基）-1，3,4_噁二唑、和2, 5-雙（4-二乙基氨基苯基）-1，3,4_噁二唑；咕噸酮系化合物；噻 吩系化合物；和聯苯醌系化合物，如3, 3'，5, 5' -四-叔丁基聯苯醌。
[0159] 特別地，作為受電子化合物，優選具有蒽醌結構的化合物。作為具有蒽醌結構的受 電子化合物，優選羥基蒽醌系化合物、氨基蒽醌系化合物、氨基羥基蒽醌系化合物等，且具 體而言，優選蒽醌、茜素、醌茜、1，5-二羥基蒽醌、紅紫素等。
[0160] 所述受電子化合物可以與無機顆粒一起分散的方式而被包括在底涂層中，或可以 附著在無機顆粒表面上的方式被包括在其中。
[0161] 將所述受電子化合物附著在無機顆粒表面上的方法的例子包括干式法和濕式法。
[0162] 干式法是用于將受電子化合物附著到無機顆粒表面上的這樣的方法：其中，在用 具有高剪切力的攪拌器等攪拌無機顆粒的同時，將受電子化合物直接滴加或以溶液滴加的 形式加入所述無機顆粒中或與干燥空氣或氮氣一起噴霧至其中，其中所述溶液為受電子化 合物被溶解在有機溶劑中。優選在不高于溶劑沸點的溫度下加入或噴霧所述受電子化合 物。在加入或噴霧所述受電子化合物后，可以進一步在100°C或更高的溫度下進行無機顆粒 的烘焙。所述烘焙可以在任何溫度和時間下進行，對此沒有限制，由此可以獲得所需的電子 照相特性。
[0163] 濕式法是用于將受電子化合物附著至無機顆粒表面的這樣的方法：其中，通過攪 拌、超聲波、砂磨機、磨碎機、球磨機等將所述無機顆粒分散在溶劑中，然后加入該受電子化 合物，并進一步攪拌或分散該混合物，然后將溶劑除去。作為除去溶劑的方法，可通過過濾 或蒸餾除去該溶劑。除去溶劑后，可以進一步在l〇〇°C或更高的溫度下烘焙所述顆粒。所述 烘焙可以在任何溫度和時間下進行，對此沒有限制，由此可以獲得所需的電子照相特性。在 濕法中，在加入受電子化合物前，可除去包含在所述無機顆粒中的水分，用于除去水分的方 法的例子包括通過在溶劑中攪拌和加熱無機顆粒、或通過與溶劑共沸去除的方式來除去水 分的方法。
[0164] 另外，所述受電子化合物的附著可以在使用表面處理劑對無機顆粒表面處理之前 或之后進行，且所述受電子化合物的附著可以與使用表面處理劑所進行的表面處理同時進 行。
[0165] 相對于所述無機顆粒的量，受電子化合物的含量例如優選為0. 01重量％至20重 量％，且更優選0. 01重量％至10重量％。
[0166] 在底涂層中使用的粘結劑樹脂的例子包括已知的材料，例如公知的聚合物，例如 乙縮醛樹脂（如聚乙烯醇縮丁醛）、聚乙烯醇樹脂、聚乙烯醇縮醛樹脂、酪蛋白樹脂、聚酰胺 樹脂、纖維素樹脂、明膠、聚氨酯樹脂、聚酯樹脂、不飽和聚醚樹脂、甲基丙烯酸類樹脂、丙烯 酸類樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚醋酸乙烯酯樹脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯-馬來酸酐樹脂、硅酮樹 月旨、有機硅改性醇酸樹脂、尿素樹脂、酚醛樹脂、苯酚-甲醛樹脂、三聚氰胺樹脂、聚氨酯樹 月旨、醇酸樹脂、和環氧樹脂；鋯螯合物；鈦螯合物；鋁螯合物；鈦醇鹽化合物；有機鈦系化合 物；和硅烷偶聯劑。
[0167] 在底涂層中使用的粘結劑樹脂的其它例子包括具有電荷傳輸性基團的電荷傳輸 樹脂和導電性樹脂（如聚苯胺）。
[0168] 其中，作為在底涂層中使用的粘結劑樹脂，不溶于上層的涂布溶劑的樹脂是合適 的，且特別地，熱固性樹脂如尿素樹脂、酚醛樹脂、苯酚-甲醛樹脂、三聚氰胺樹脂、聚氨酯 樹脂、不飽和聚酯樹脂、醇酸樹脂、環氧樹脂以及通過固化劑和至少一種選自下組的樹脂反 應獲得的樹脂是合適的，所述組由聚酰胺樹脂、聚酯樹脂、聚醚樹脂、甲基丙烯酸類樹脂、丙 烯酸類樹脂、聚乙烯醇樹脂、和聚乙烯醇縮醛組成。
[0169] 在組合使用兩種或多種這些粘結劑樹脂的情況下，設定合適的混合比。
[0170] 各種添加劑可以用于所述底涂層以改善電特性、環境穩定性或圖像質量。
[0171] 添加劑的例子包括已知的材料，如多環縮合型或偶氮型電子傳輸顏料、鋯螯合化 合物、鈦螯合化合物、鋁螯合化合物、鈦醇鹽化合物、有機鈦化合物、和硅烷偶聯劑。用于如 上所述的無機顆粒的表面處理的硅烷偶聯劑也可作為添加劑加入到底涂層中。
[0172] 作為添加劑的硅烷偶聯劑的例子包括：乙烯基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基 丙基-三（2-甲氧基乙氧基）硅烷、2_(3, 4-環氧環己基）乙基三甲氧基硅烷、3-環氧丙氧 基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、3-巰基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三 乙氧基硅烷、N_2_ (氛基乙基）_3_氛基丙基二甲氧基硅烷、N_2_ (氛基乙基）_3_氛基丙基 甲基甲氧基硅烷、N，N-雙（2-羥乙基）-3-氨基丙基三乙氧基硅烷和3-氯丙基三甲氧基硅 烷。
[0173] 鋯螯合化合物的例子包括：丁醇鋯、乙酰乙酸乙酯鋯、三乙醇胺鋯、乙酰丙酮丁醇 鋯、乙酰乙酸乙酯丁醇鋯、乙酸鋯、草酸鋯、乳酸鋯、膦酸鋯、辛酸鋯、環烷酸鋯、月桂酸鋯、硬 脂酸鋯、異硬脂酸鋯、甲基丙烯酸丁醇鋯、硬脂酸鋯丁醇鹽、和異硬脂酸丁醇鋯。
[0174] 鈦螯合化合物的例子包括：鈦酸四異丙酯、鈦酸四正丁酯、鈦酸丁酯二聚體、四 (2-乙基己基）鈦酸酯、乙酰丙酮鈦、聚乙酰丙酮鈦、辛二醇酸鈦、乳酸鈦銨鹽、乳酸鈦、乳酸 鈦乙酯、三乙醇氨鈦、和聚硬脂酸羥基鈦。
[0175] 鋁螯合化合物的例子包括：異丙醇鋁、單丁氧基二異丙醇鋁、丁酸鋁、二乙基乙酰 乙酸二異丙酸鋁、和三（乙基乙酰乙酸）鋁。
[0176] 這些添加劑可以單獨使用，或作為其二種或多種的混合物或縮聚物使用。
[0177] 底涂層的維氏硬度優選為35以上。
[0178] 底涂層的表面粗糙度（凸凹不平的十點高度）調整為在（1/4)η λ到（1/2) λ的 范圍內以防止出現莫爾圖像，其中λ代表曝光的激光波長且η代表上層的折射率。
[0179] 為了調整表面粗糙度也可以在底涂層中加入樹脂顆粒等。所述樹脂顆粒的例子包 括有機硅樹脂顆粒和交聯的聚甲基丙烯酸甲酯樹脂顆粒。此外，為了調節表面粗糙度，底涂 層的表面可以被拋光。拋光方法的例子包括擦光研磨、噴砂處理、濕式珩磨和研磨處理。
[0180] 對底涂層的形成沒有特別限制，并可使用公知的形成方法。然而，例如通過如下方 法進行底涂層的形成：形成用于形成底涂層的涂布液的涂膜（所述涂布液通過將上述組分 加入溶劑中而得到），并將該涂膜干燥，然后根據需要加熱。
[0181] 用于形成底涂層形成用涂布液的溶劑的例子包括已知的有機溶劑，如醇系溶劑、 芳香族烴溶劑、鹵代烴溶劑、酮系溶劑、酮醇系溶劑、醚系溶劑、和酯系溶劑。
[0182] 這些溶劑的例子包括常見有機溶劑如甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、芐醇、 甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、丙酮、甲乙酮、環己酮、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸正丁酯、二噁烷、 四氫呋喃、二氯甲烷、氯仿、氯苯、和甲苯。
[0183] 在制備底涂層形成用涂布液時，用于分散無機顆粒的方法的例子包括已知的方 法，如使用輥磨機、球磨機、振動球磨機、磨碎機、砂磨機、膠體磨、涂料振動機等的方法。
[0184] 另外，作為將底涂層形成用涂布液涂布至支持體上的方法，包括常規方法如刮涂 法、線棒涂布法、噴涂法、浸涂法、微珠涂布法、氣刀涂布法、簾涂法。
[0185] 底涂層的膜厚度被設定在一定的范圍內，例如優選15 μπι以上，且更優選20 μπι至 50 μ m〇
[0186] 中間層
[0187] 雖然在圖中未示出，可以在底涂層和感光層之間設置中間層。
[0188] 所述中間層例如是包含樹脂的層。在中間層中使用的樹脂的例子包括聚合化合 物，如縮醛樹脂（例如聚乙烯醇縮丁醛）、聚乙烯醇樹脂、聚乙烯醇縮醛樹脂、酪蛋白樹脂、 聚酰胺樹脂、纖維素樹脂、明膠、聚氨酯樹脂、聚酯樹脂、甲基丙烯酸類樹脂、丙烯酸類樹脂、 聚氯乙烯樹脂、聚醋酸乙烯酯樹脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯-馬來酸酐樹脂、有機硅樹脂、有機 硅-醇酸樹脂、苯酚-甲醛樹脂、和三聚氰胺樹脂。
[0189] 中間層可以是包含有機金屬化合物的層。在中間層中使用的有機金屬化合物的例 子包括含有金屬原子如錯、鈦、錯、猛和娃的有機金屬化合物。
[0190] 這些用于中間層的化合物可以單獨使用或作為多個化合物的混合物或縮聚物來 使用。
[0191] 其中優選包含含有鋯原子或硅原子的有機金屬化合物的層。
[0192] 對所述中間層的形成沒有特別限定，可使用公知的形成方法。例如通過如下方法 進行中間層的形成：形成用于形成中間層的涂布液的涂膜（所述涂布液通過將上述組分 加入溶劑中而得到），并將該涂膜干燥，然后根據需要加熱。
[0193] 作為用于形成中間層的涂布方法，可使用常見的方法如浸涂法、擠出涂布法、線棒 涂布法、噴涂法、刮涂法、刮刀涂布法、簾涂法。
[0194] 將中間層的膜厚度設定為，例如優選0. 1 μπι至3 μπι。此外，中間層可以被用作底 涂層。
[0195] 電荷產生層
[0196] 電荷產生層例如是包含電荷產生材料和粘結劑樹脂的層。另外，電荷產生層可以 是其中的電荷產生材料被沉積的層。其中電荷產生材料被沉積的層適用于其中使用非相干 光源（如發光二極管（LED)和有機電致發光（EL)圖像陣列）的情況。
[0197] 電荷產生材料的例子包括偶氮顏料如雙偶氮和三偶氮顏料；稠合芳香族顏料，例 如二溴蒽嵌蒽酮顏料；茈顏料；吡咯并吡咯顏料；酞菁顏料；氧化鋅；和三方硒。
[0198] 其中為了對應于在近紅外區域中的激光曝光，優選使用金屬或非金屬酞菁顏料作 為電荷產生材料，并且具體更優選羥基鎵酞菁、氯鎵酞菁、二氯酞菁錫等和氧鈦酞菁。
[0199] 另一方面，為了對應于在近紫外區的激光曝光，作為電荷產生材料，優選稠合芳香 族顏料，例如二溴蒽嵌蒽酮；硫靛顏料；四氮雜卟啉系化合物；氧化鋅；三方硒；雙偶氮顏料 等。
[0200] 在使用非相干光源例如在450nm至780nm具有發光中心波長的LED和有機EL圖 像陣列的情況下，可以使用上述電荷產生材料，但是從分辨率的角度而言，當感光層被用作 具有20 μ m以下厚度的薄膜時，所述感光層中的電場強度增加，從而由于從基體的電荷注 入導致帶電減少。因此，容易產生如所謂黑點之類的圖象缺陷。當使用容易引起暗電流生 成的電荷產生材料作為P型半導體時，如三方硒和酞菁顏料，該現象將變得更加明顯。
[0201] 相反，在其中η型半導體如稠合芳香族顏料、茈顏料、偶氮顏料被用作電荷產生材 料的情況下，不容易產生暗電流，并且即使作為薄膜使用時也可以防止被稱為黑點的圖像 缺陷。然而，對η型電荷產生材料沒有特別的限制。
[0202] 另外，可以如下進行η型材料的判定：通過使用通常使用的飛行時間法，利用光電 流的極性，將其中電子比作為載流子的空穴更容易流出的電荷產生材料確定為η型材料。
[0203] 在電荷產生層中使用的粘結劑樹脂可選自寬范圍的絕緣樹脂，此外所述粘結劑樹 脂可以選自有機光電導性聚合物，如聚-N-乙烯基咔唑、聚乙烯基蒽、聚乙烯基芘和聚硅 烷。
[0204] 粘結劑樹脂的例子包括聚乙烯醇縮丁醛樹脂、多芳基系化合物樹脂（由雙酚和芳 香族二元羧酸制成的縮聚物）、聚碳酸酯樹脂、聚酯樹脂、苯氧樹脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯共 聚物、聚酰胺樹脂、丙烯酸類樹脂、聚丙烯酰胺樹脂、聚乙烯基吡啶樹脂、纖維素樹脂、聚氨 酯樹脂、環氧樹脂、酪蛋白樹脂、聚乙烯醇樹脂和聚乙烯吡咯烷酮樹脂。術語"絕緣"是指體 積電阻率為IO 13Qcm以上。
[0205] 這些粘結劑樹脂可單獨使用或作為其兩種或更多種的混合物使用。
[0206] 此外，該電荷產生材料與粘結劑樹脂的混合比（重量比）優選在10 :1到1:10的 范圍內。
[0207] 此外，在電荷產生層中可包括公知的添加劑。
[0208] 對電荷產生層的形成方法沒有特別限定，可使用公知的形成方法。例如，通過如下 方法進行電荷產生層的形成：形成用于形成電荷產生層的涂布液的涂膜（所述涂布液是通 過將上述組分加入溶劑中而得到），并將該涂膜干燥，然后根據需要加熱。此外，也可通過沉 積電荷產生材料來完成所述形成。通過沉積形成電荷產生層特別適合于使用稠合芳香族顏 料或茈顏料作為電荷產生材料的情況。
[0209] 用于制備電荷產生層形成用涂布液的溶劑的例子包括甲醇、乙醇、正丙醇、正丁 醇、芐醇、甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、丙酮、甲基乙基酮、環己酮、乙酸甲酯、乙酸正丁酯、二噁 烷、四氫呋喃、二氯甲烷、氯仿、氯苯和甲苯。這些溶劑可以單獨使用或作為其兩種或更多種 的混合物使用。
[0210] 對于將顆粒（例如電荷產生材料）分散于電荷產生層形成用涂布液中的方法，例 如可使用：利用如球磨機、振動球磨機、磨碎機、砂磨機和臥式砂磨機之類的介質分散機，以 及如攪拌機、超聲分散機、輥磨機和高壓均質器之類的無介質分散機的分散方法。高壓均質 器的例子包括：碰撞體系，其中通過在高壓下使分散體撞擊液體或撞擊壁而使所述粒子分 散；和貫穿系統，其中通過在高壓下使分散體貫穿微細流路而使所述粒子分散。
[0211] 在分散過程中電荷產生層形成用涂布液中的電荷產生材料的有效平均粒徑為 0· 5 μπι以下，優選0· 3 μπι以下，并且更優選為0· 15 μπι以下。
[0212] 用于在底涂層（或中間層）上涂布電荷產生層形成用涂布液的方法的例子包括常 見的方法，如刮刀涂布法、線棒涂布法、噴涂法、浸涂法、微珠涂布法、氣刀涂布法和簾涂法。
[0213] 將電荷產生層的膜厚度設定在一定的范圍內，例如，優選為0.1 ym至5.0 μπι，并 且更優選〇. 2 μ m至2. 0 μ m。
[0214] 電荷傳輸層
[0215] 電荷傳輸層例如是包括電荷傳輸材料和粘結劑樹脂的層。所述電荷傳輸層可以是 包括聚合物電荷傳輸材料的層。
[0216] 電荷傳輸材料的例子包括電子傳輸化合物，如醌系化合物如對苯醌、氯醌、溴醌、 和蒽醌；四氰基對苯二醌二甲烷系化合物；芴酮系化合物如2, 4, 7-三硝基芴酮；咕噸酮系 化合物；二苯甲酮系化合物；氰乙烯基系化合物；和乙烯系化合物。電荷傳輸材料的其它例 子包括空穴傳輸化合物如三芳基胺系化合物、聯苯胺系化合物、芳基烷烴系化合物、芳基取 代的乙烯系化合物、芪系化合物、蒽系化合物和腙系化合物。可以單獨使用或以其兩種或更 多種組合使用這些電荷傳輸材料，但并不限于此。
[0217] 從電荷迀移性的角度來看，電荷傳輸材料優選為由如下結構式（a-Ι)代表的三芳 基胺衍生物、以及由如下結構式（a-2)代表的聯苯胺衍生物。
[0218]
[0219] 在結構式（a-Ι)中，Arn、ArT2和Ar T3各自獨立地代表取代或未取代的芳 基、-C6H4-C (RT4) = C (RT5) (RT6)或-C6H4-CH = CH-CH = C (RT7) (Rts)，且 Rt4、Rt5、Rt6、Rt7和 R TS 各自獨立地代表氫原子、取代或未取代的烷基、或者取代或未取代的芳基。
[0220] 上述各基團的取代基的例子包括鹵原子、具有1至5個碳原子的烷基、具有1至5 個碳原子的烷氧基。上述各基團的取代基的其他例子包括被具有1至3個碳原子的烷基取 代的取代氨基。
[0221]
[0222] 在結構式（a-2)中，R?和Rt92各自獨立地代表氫原子、原子、具有1至5個碳原 子的烷基、或者具有1至5個碳原子的烷氧基；R T1°\ RT1°2、RT11$P R Τ112各自獨立地代表鹵原 子、具有1至5個碳原子的烷基、具有1至5個碳原子的烷氧基、被具有1或2個碳原子的 烷基取代的氨基、取代或未取代的芳基、-C(R m) = C (RT13) (Rt14)或-CH = CH-CH = C(Rtis) (RT16) ;RT12、RT13、RT14、RtIP Rt16各自獨立地代表氫原子、取代或未取代的烷基、或取代或未 取代的芳基；且Tml、Tm2、Tnl和Tn2各自獨立地代表0至2的整數。
[0223] 上述各基團的取代基的例子包括鹵原子、具有1至5個碳原子的烷基和具有1至5 個碳原子的烷氧基。此外，上述各基團的取代基的其他例子包括被具有1至3個碳原子的 烷基取代的取代氨基。
[0224] 此處，在由結構式（a-Ι)代表的三芳基胺衍生物以及由結構式（a-2)代表的聯苯 胺衍生物中，從電荷迀移性的角度來看，具有式"_C 6H4-CH = CH-CH = C(RT7) (Rts) "的三芳基 胺衍生物以及具有式"-CH = CH-CH = C(RT15) (Rn6) "的聯苯胺衍生物是尤其優選的。
[0225] 作為聚合物電荷傳輸材料，使用了具有電荷傳輸性的已知材料，如聚-N-乙烯基 咔唑和聚硅烷。聚酯系聚合物電荷傳輸材料等是尤其優選的。此外，聚合物電荷傳輸材料 可以單獨使用，或者與粘結劑樹脂組合使用。
[0226] 用于電荷傳輸層中的粘結劑樹脂的例子包括：聚碳酸酯樹脂、聚酯樹脂、多芳基化 合物樹脂、甲基丙烯酸類樹脂、丙烯酸類樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚偏二氯乙烯樹脂、聚苯乙烯 樹脂、聚乙酸乙烯酯樹脂、苯乙烯-丁二烯共聚物、偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物、氯乙烯-醋 酸乙烯酯共聚物、氯乙烯-醋酸乙烯酯-馬來酸酐共聚物、有機硅樹脂、有機硅醇酸樹脂、苯 酚-甲醛樹脂、苯乙烯-醇酸樹脂、聚N-乙烯基咔唑、和聚硅烷。其中，聚碳酸酯樹脂和多 芳基化合物樹脂是適合的。這些粘結劑樹脂可單獨使用，或者可兩種或多種組合使用。
[0227] 電荷傳輸材料與粘結劑樹脂的混合比（重量比）優選為10:1至1:5。
[0228] 電荷傳輸層可含有除了上述組分之外的已知的添加劑。
[0229] 對電荷傳輸層的形成方法沒有特別的限制，可使用已知的形成方法。然而，例如通 過如下方法進行電荷傳輸層的形成：形成用于電荷傳輸層形成用涂布液的涂膜（所述涂布 液是通過將上述組分加入溶劑中而得到），并將該涂膜干燥，然后根據需要加熱。
[0230] 電荷傳輸層形成用涂布液的溶劑的例子包括常見的有機溶劑，例如：芳香烴，如 苯、甲苯、二甲苯和氯苯；酮，如丙酮和2-丁酮滷代脂肪經，如二氯甲燒、氯仿和二氯乙烷； 以及環狀醚或直鏈醚，如四氫呋喃和乙醚。這些溶劑可單獨使用或將其兩種或更多種組合 使用。
[0231] 將電荷傳輸層形成用涂布液涂布于電荷產生層上的方法的例子包括常見方法，如 刮涂法、線棒涂布法、噴涂法、浸涂法、微珠涂布法、氣刀涂布法和簾涂法。
[0232] 例如，將電荷傳輸層的膜厚設定為優選在5 μπι至50 μπι的范圍內，且更優選在 10 μ m至30 μ m的范圍內。
[0233] 保護層
[0234] 保護層根據需要設置在感光層上。保護層例如出于防止帶電時的感光層的化學變 化或進一步改善感光層的機械強度的目的而設置。
[0235] 因此，保護層可以應用由固化膜（交聯膜）構成的層。這些層的例子包括如下述 1)或2)所示的層。
[0236] 1)由含有在同一分子內具有反應性基團及電荷傳輸性骨架的含反應性基團的電 荷傳輸材料的組合物的固化膜構成的層（也就是，含有該含反應性基團的電荷傳輸材料的 聚合物或交聯物的層）
[0237] 2)由含有非反應性的電荷傳輸材料和不具有電荷傳輸性骨架而具有反應性基團 的含反應性基團的非電荷傳輸材料的組合物的固化膜構成的層（也就是，含有非反應性的 電荷傳輸材料和該含反應性基團的非電荷傳輸材料的聚合物或交聯物的層）
[0238] 含有含反應性基團的電荷傳輸材料的反應性基團的例子包括已知的反應性基團 如鏈聚合性基團、環氧基、-OH、-OR [其中R代表烷基]、-NH2、-SH、-C00H、-SiRtil3 M0RQ2) Qn [其 中Rw代表氫原子、烷基、取代的或未取代的芳基；Rti2代表氫原子、烷基、或三烷基甲硅烷基； 以及Qn代表1-3的整數]。
[0239] 對鏈聚合性基團沒有特別的限制，只要其為自由基聚合性官能團即可。例如，該鏈 聚合性基團為具有包含至少一個碳雙鍵的基團的官能團。其具體例子包括，含有選自乙烯 基、乙烯基醚基團、乙烯基硫醚基團、苯乙烯基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基及其衍生物等中的 至少一者的基團。其中，從具有優異的反應性的角度來看，鏈聚合性基團優選是含有選自乙 烯基、苯乙烯基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、及其衍生物中的至少一者的基團。
[0240] 對含反應性基團的電荷傳輸材料的電荷傳輸骨架沒有特別的限制，只要所述骨架 具有電子照相感光體中的已知結構即可。其例子包括，衍生自含氮正空穴傳輸化合物（例 如三芳基胺系化合物、聯苯胺系化合物或腙系化合物等）的骨架，該骨架具有與氮原子共 輒的結構。其中，優選三芳基胺骨架。
[0241 ] 具有反應性基團以及電荷傳輸骨架的含反應性基團的電荷傳輸材料，非反應性電 荷傳輸材料和含反應性基團的非電荷傳輸材料可選自已知材料。
[0242] 保護層可含有除上述成分之外的已知添加劑。
[0243] 保護層的形成方法沒有特別限制且使用已知的形成方法。例如，通過形成保護層 形成用涂布液的涂膜形成保護層，所述涂布液通過將上述成分加入溶劑中獲得，干燥所述 涂膜并根據需要通過加熱等固化所述涂膜。
[0244] 制備保護層形成用涂布液的溶劑的例子包括芳族溶劑，例如甲苯或二甲苯；酮類 溶劑，例如甲基乙基酮、甲基異丁基酮或環己酮；酯類溶劑，例如乙酸乙酯或乙酸丁酯；醚 類溶劑，例如四氫呋喃或二噁烷；溶纖劑類溶劑，例如乙二醇單甲醚；和醇類溶劑，例如異 丙醇或丁醇。這些溶劑可單獨使用、或者作為其兩種或更多種的混合物使用。
[0245] 保護層形成用涂布液可不含溶劑。
[0246] 將保護層形成用涂布液涂布到感光層（例如，電荷傳輸層）的方法的例子包括常 見方法，如浸涂法、擠出涂布法、線棒涂布法、噴涂法、刮涂法、氣刀涂布法和簾涂法等。
[0247] 例如，保護層的膜厚優選設定為在1 μ m至20 μ m的范圍內，且更優選為在2 μ m至 10 μ m的范圍內。
[0248] 單層型感光層
[0249] 單層型感光層（電荷產生層和電荷傳輸層）為包含例如電荷產生材料、電荷傳輸 材料以及粘結劑樹脂和其他已知添加劑的層。這些材料與上文中用于電荷產生層和電荷傳 輸中描述的那些材料相同。
[0250] 在單層型感光層中，相對于總固溶物含量，電荷產生材料的含量可以為10重量％ 至85重量％，且優選為20重量％至50重量％。此外，在單層型感光層中，相對于總固溶物 含量，電荷傳輸材料的含量可以為5重量％至50重量％
[0251] 單層型感光層的形成方法與電荷產生層和電荷傳輸層的形成方法相同。
[0252] 例如，單層型感光層的厚度可以為5 μ m至50 μ m，且優選為10 μ m至40 μ m。
[0253] 成像裝置（和處理盒）
[0254] 根據本發明示例性實施方案的成像裝置設置有電子照相感光體；充電單元，其對 所述電子照相感光體的表面充電；靜電潛像形成單元，其在已充電的電子照相感光體的表 面上形成靜電潛像；顯影單元，其利用包含調色劑的顯影劑將形成于電子照相感光體的表 面上的靜電潛像顯影，并形成調色劑圖像；以及轉印單元，其將調色劑圖像轉印至記錄介質 的表面上。進一步，根據本發明示例性實施方案的電子照相感光體應用為電子照相感光體。
[0255] 作為示例性實施方案的成像裝置，已知的成像裝置如包括定影單元的裝置，該定 影單元將已轉印至記錄介質表面的調色劑圖像定影；直接轉印型裝置，其中將形成于電子 照相感光體表面上的調色劑圖像直接轉印至記錄介質上；中間轉印型裝置，其中將形成于 電子照相感光體表面上的調色劑圖像一次轉印至中間轉印部件的表面上，然后將已轉印至 一次轉印部件表面上的調色劑圖像二次轉印至記錄介質的表面上；包括清潔單元的裝置， 該清潔單元在調色劑轉印之后、充電之前對電子照相感光體的表面進行清潔；包括中和單 元的裝置，在調色劑圖像轉印之后、充電之前，該中和單元利用中和光照射圖像保持部件的 表面以進行除電；以及包括電子照相感光體的加熱部件的裝置，該加熱部件用于加熱電子 照相感光體并降低相對溫度。
[0256] 在中間轉印型裝置的情況下，轉印單元的構成例如包括：中間轉印介質，調色劑圖 像被轉印至該中間轉印介質的表面上；一次轉印單元，其將形成于圖像保持部件的表面上 的調色劑圖像一次轉印至中間轉印介質的表面上；和二次轉印單元，其將已轉印至中間轉 印介質的表面上的調色劑圖像二次轉印至記錄介質的表面上。
[0257] 根據本發明示例性實施方案的成像裝置可為干式顯影型成像裝置和濕式顯影型 (使用液體顯影劑的顯影型）的成像裝置中的任意一種。
[0258] 此外，根據本發明示例性實施方案的成像裝置中，例如，包括電子照相感光體的部 分可具有能夠從成像裝置上拆卸下來的盒結構（處理盒）。作為處理盒，例如，優選使用包 括根據本發明示例性實施方案的電子照相感光體的處理盒。進一步，除了該電子照相感光 體外，處理盒可還包括，例如，選自由充電單元、靜電潛像形成單元、顯影單元和轉印單元構 成的組中的至少一者。
[0259] 以下，示出了根據本發明示例性實施方案的成像裝置的一個例子，但本發明并不 限定于此。另外，對圖中所示的主要部分進行說明，省略了對其它部分的說明。
[0260] 圖8為表示本實施方式的成像裝置的一個例子的概略構成圖。
[0261] 如圖8所示，根據示例性實施方案的成像裝置100具備具有電子照相感光體7的 處理盒300、曝光裝置9 (靜電潛像形成裝置的一個例子）、轉印裝置40 ( -次轉印裝置）和 中間轉印體50。在成像裝置100中，曝光裝置9設置于可從處理盒300的開口部對電子照 相感光體7曝光的位置，轉印裝置40隔著中間轉印體50配置于與電子照相感光體7相對 的位置，中間轉印體50被配置為其一部分與電子照相感光體7接觸。雖然未圖示，但也可 以舉出將中間轉印體50上所轉印的調色劑圖像轉印于記錄介質（例如用紙）的二次轉印 裝置。中間轉印體50、轉印裝置40(-次轉印裝置）、及二次轉印裝置（未圖示）相當于轉 印裝置的一個例子。
[0262] 圖8中整體支撐在殼體內的處理盒300包括電子照相感光體7、充電單元8 (充電 單元的一個例子）、顯影單元11 (顯影單元的一個例子）和清潔單元13 (清潔單元的一個例 子）。清潔單元13具有清潔刮刀131 (清潔部件的一個例子），該清潔刮刀131被設置為與 電子照相感光體7的表面相接觸。對清潔刮刀131的【具體實施方式】沒有限制，清潔部件還 可以是導電或絕緣纖維構件，其可以單獨使用或與清潔刮刀131組合使用。
[0263] 在圖8中，作為成像裝置，示出具有將潤滑劑14供給于電子照相感光體7的表面 的纖維狀部件132 (輥狀）及輔助清潔的纖維狀部件133 (平整刷狀）的例子。然而，這些 可根據需要配置。
[0264] 以下，對本實施方式的成像裝置的各構成進行說明。
[0265] 充電裝置
[0266] 作為充電裝置8,例如，使用采用導電性或半導電性的充電輥、充電刷、充電膜、充 電橡膠刮片、充電管等的接觸型充電裝置。此外，還可使用已知的充電裝置本身如非接觸型 輥狀充電器，以及柵格充電器和電暈管充電器（它們均利用電暈放電）
[0267] 曝光裝置
[0268] 曝光裝置9可以以預定的圖像方式將電子照相感光體7的表面曝光于射線（如半 導體激光射線、LED射線和液晶快門射線）下的光學設備。光源的波長可以是在電子照相感 光體的光譜敏感波長范圍內的波長。作為半導體激光的波長，主要是激光發射波長在780nm 附近的近紅外波長。然而，可使用的激光射線波長并不局限于這種波長，并可使用發射波長 在600nm范圍的激光、或者作為藍色激光的具有在400nm至450nm范圍內的任意發射波長 的激光。為形成彩色圖像，使用能夠獲得多波束輸出的平面發光型激光光源是有效的。
[0269] 顯影裝置
[0270] 作為顯影裝置11，例如可使用常用顯影裝置，其中成像時與顯影劑接觸或不接觸。 對這種顯影裝置11沒有特別限定，只要其具有上述功能即可，并且可根據所需用途適當選 擇。其例子包括已知的顯影裝置，其中利用刷或輥將單組份或雙組份顯影劑施加至電子照 相感光體7上。其中，使用在其表面上保持有顯影劑的顯影輥的顯影裝置是優選的。
[0271] 顯影裝置11中使用的顯影劑可以是僅由調色劑形成的單組份顯影劑、或者是由 調色劑和載體形成的雙組份顯影劑。此外，顯影劑可為磁性顯影劑或非磁性顯影劑。作為 這些顯影劑，可使用已知顯影劑。
[0272] 清潔裝置
[0273] 作為清潔裝置13,使用設有清潔刮片131的清潔刮片型裝置。
[0274] 此外，除了清潔刮片型，還可使用毛刷清潔型，以及同時進行顯影和清潔的類型。
[0275] 轉印裝置
[0276] 轉印裝置40的例子包括已知的轉印充電裝置自身，如使用帶、輥、膜、橡膠片等的 接觸型轉印充電裝置；利用電暈放電的柵格轉印充電裝置和利用電暈放電的電暈管轉印 充電裝置。
[0277] 中間轉印部件
[0278] 作為中間轉印部件50,可使用被賦予半導電性的由聚酰亞胺、聚酰胺酰亞胺、聚碳 酸酯、多芳基化合物、聚酯、橡膠等構成的帶形式（中間轉印帶）。另外，除了帶形式以外，所 述中間轉印部件還可采取鼓的形式。
[0279] 圖9是示出了本發明示例性實施方案的成像裝置的另一個實例的結構示意圖。
[0280] 圖9所示成像裝置120是具有四個處理盒300的串聯型全色成像裝置。在成像裝 置120中，四個處理盒300彼此平行地置于中間轉印部件50上，并且一個電子照相感光體 可被用于一種顏色。此外，除了成像裝置120是串聯型以外，成像裝置120與成像裝置100 具有相同的構造。
[0281] 實施例
[0282] 以下，基于本發明的實施例進行說明，但本發明并不限定于以下的實施例。在以下 說明中，除非另有說明，"份"和" ％ "分別基于重量的"份"和" ％ "
[0283] 實施例1
[0284] 支持體1的制備
[0285] 準備涂布了潤滑劑的鋁合金（"成分組成" ：Si :0. 5重量％、Fe :0. 6重量％、Cu : 0. 2 重量％、Mn :0. 1 重量％、Mg :1. 0 重量％、Cr :0. 1 重量％、Zn :0. 2 重量％、Ti :0. 05 重 量％、余量：鋁和不可避免的雜質）的爐渣。使用該爐渣，利用模具（陰模）和沖頭（陽模） 進行沖壓以制備Φ 32mm的圓筒狀成型制品。
[0286] 接著，在350°C的溫度條件下加熱經沖壓成型的圓筒狀成型制品0. 5小時，然后冷 卻以進行固溶處理。
[0287] 接著，對經固溶處理的圓筒狀成型制品進行展薄一次以矯正形狀。
[0288] 然后，將經形狀矯正的圓筒狀成型制品加熱到300°C并保持1小時，以進行時效硬 化。由此，制備了支持體1。
[0289] 實施例2至12和比較例1至6
[0290] 支持體2至18的制備
[0291] 按照與支持體1相同的方式制備支持體2至18,不同之處在于：使用具有表1所 示的成分組成的鋁合金，并且根據表2所示改變了支持體的制備條件。
[0292] 比較例7至8
[0293] 支持體19和20
[0294] 利用具有表1所示的成分組成的鋁合金，并通過常規的擠出拉伸加工來制備圓筒 狀成型制品，并對該圓筒狀成型制品的表面進彳丁切削從而制備Φ30ι?πι的支持體19和20。
[0295] 比較例9
[0296] 支持體21的制備
[0297] 利用具有與實施例1相同的成分組成的鋁合金，并通過常規的擠出拉伸加工來制 備圓筒狀成型制品，并對該圓筒狀成型制品的表面進行切削從而制備Φ30_的支持體21。
[0298] 比較例10
[0299] 通過對具有與實施例1相同的成分組成的鋁合金進行沖壓，并隨后進行展薄一次 而不進行固溶處理，從而試圖制備壁厚為〇. 3_的支持體。然而，未能獲得具有所需形狀的 支持體。
[0300] 通過上述方法測量在各例中制備的每個支持體的形狀（圓筒度、圓度、同軸度、厚 度偏差、晶粒的平均面積和壁厚）。測量結果在表3中示出。
[0301] 電子照相感光體的制備
[0302] 使用各例中得到的支持體，通過以下所示的方法制作電子照相感光體。
[0303] 底涂層的形成
[0304] 將100重量份的氧化鋅（平均粒徑：70nm:由Tayca公司生產，比表面積值： 15m 2/g)與500重量份的四氫呋喃一同攪拌混合，并向其中加入1. 3重量份的硅烷偶聯劑 (KBM503,由Shin-Etsu Chemical株式會社生產），隨后攪拌所得物2小時。接下來，通過減 壓蒸餾除去四氫呋喃，并在120°C的溫度下烘焙3小時，以獲得經硅烷偶聯劑進行了表面 處理的氧化鋅。
[0305] 將110重量份的所述經表面處理的氧化鋅與500重量份的四氫呋喃一同攪拌混 合，向其中加入通過使〇. 6重量份茜素溶解于50重量份四氫呋喃而獲得的溶液，隨后在 50°C的溫度下攪拌所得物5小時。此后，通過減壓過濾收集其中加有茜素的氧化鋅，在60°C 下減壓干燥以獲得附加有茜素的氧化鋅。
[0306] 通過將60重量份的附加有茜素的氧化鋅、13. 5重量份的固化劑（封端異氰酸酯 Sumidur 3175,由 Sumitomo-Bayer Urethane 公司生產）和 15 重量份的丁酸樹脂（S-LEC BM-1，由Sekisui Chemical公司生產）溶解于85重量份的甲乙酮中從而制備溶液，將38 重量份的該溶液與25重量份的甲乙酮混合。利用玻璃珠直徑為I mmq>的砂磨機將該混合 物分散2小時，從而獲得分散液。
[0307] 向所獲得的分散液中加入作為催化劑的0. 005重量份的二月桂酸二辛基錫和45 重量份的有機硅樹脂顆粒（T0SPAL 145,由GE Toshiba Silicone公司生產），從而獲得底 涂層形成用涂布液。通過浸漬涂布法將該底涂層形成用涂布液涂布在上述各例中制備的支 持體上，并在170°C下干燥并固化30分鐘，從而獲得膜厚度為23 μm的底涂層。
[0308] 電荷產生層的形成
[0309] 將1重量份的羥基鎵酞菁與1重量份聚乙烯醇縮丁醛（S-LEC BM-S，由Sekisui Chemical株式會社制）及80重量份乙酸正丁酯混合而獲得液體混合物，其中在X射線衍 射圖譜中，所述羥基鎵酞菁在布拉格角（2 Θ ±0.2° )為7.5°、9. 9°、12. 5°、16. 3°、 18.6°、25.Γ和28. 3°處具有強衍射峰。利用具有玻璃珠的涂料攪拌器將該液體混合物 進行分散1小時，由此制備電荷產生層形成用涂布液。將得到的電荷產生層形成用涂布液 浸漬涂布于所形成的底涂層上，在100°c下加熱干燥10分鐘，以形成膜厚0. 15 μ m的電荷產 生層。
[0310] 電荷傳輸層的形成
[0311] 使2. 6重量份的下述式（CT-I)所示的聯苯胺化合物、及3重量份的具有下述式 (B-I)所示的重復單元的高分子化合物（粘均分子量：40, 000)溶解于25重量份的THF中， 從而制備電荷傳輸層形成用涂布液。通過浸漬涂布法將得到的電荷傳輸層形成用涂布液涂 布在上述電荷產生層上，并在130°C下將其加熱45分鐘，以形成膜厚20 μm的電荷傳輸層。
[0312]
[0313] 評價
[0314] 下落試驗
[0315] 將在實施例和比較例中制備的各感光體安裝于彩色成像裝置（富士施樂公司制、 Docu Print C1100)的處理盒上，使其從距地面1.5m的高度自由下落而與地面碰撞。
[0316] 關于下落之后支持體的變形，利用東京精密公司制R0NDC0M 60A測定其圓度，并 目測確認是否變形。
[0317] 此后，將其安裝到打印機上，在A4紙（由富士施樂公司制，C2紙）上打印半色調 密度為50%的打印圖像（具有低密度圖像質量的圖像）。然后，在20, 000張 A4紙（由富 士施樂公司制，C2紙）上打印面積覆蓋率為2%的字符圖像，以確認圖像以及在實際使用中 會發生的問題。
[0318] 結果如表3所示。
[0319] 變形
[0320] A :沒有圓度變化并且不存在問題
[0321] B :即使與下落前相比圓度發生了 30 μπι的劣化，在實際使用上仍不存在問題。
[0322] C :即使與下落前相比圓度發生了大于30 μπι小于等于100 μπι的劣化，在實際使用 上仍不存在問題。
[0323] D :與下落前相比，圓度的劣化超過100 μ m。
[0324] 圖像質量
[0325] A :沒有問題
[0326] B :即使圖像密度改變，然而實際使用上沒有問題。
[0327] C :在打印20, 000張紙后，圖像密度顯著降低。
[0328] D :從第一張打印紙開始就存在由變形導致的空白。


[0332] 在表1至3中，術語"晶粒"是指"晶粒的平均面積"。 1 從以上結果可以發現，與比較例相比，實施例中各項形狀測量結果均令人滿意。此 外，還發現與比較例相比，實施例中的變形和圖像質量評價結果是優良的。因此，據發現，即 使厚度變薄，仍然獲得了高強度和高形狀精度。
[0334] 提供對本發明的示例性實施方案的上述描述是為了舉例和說明。并非旨在窮舉， 或將本發明限于所公開的具體形式。顯然對于本領域技術人員，各種變型和修改將是顯而 易見的。選擇并描述這些實施方案為的是更好地說明本發明的原理和其實際應用，從而使 得本領域技術人員理解本發明的多種實施方案，并且其多種變型適用于所預期的特定用 途。本發明的范圍旨在通過所附權利要求及其等同形式限定。
【主權項】
1. 一種電子照相感光體用圓筒狀支持體，其包含： 錯合金，該錯合金包含： Si :0.4重量％至0.8重量％、 Fe :0. 7重量％以下、 Cu :0. 15重量％至0. 4重量％、 Μη :0. 15重量％以下、 Mg :0· 8重量％至1. 2重量％、 Cr :0.04重量％至0.35重量％、 Zn :0. 25重量％以下、 Ti :0. 15重量％以下，和 余量:A1和雜質， 其中所述鋁合金的晶粒的平均面積為3. 0 μ m2至100 μ m2。2. -種電子照相感光體用圓筒狀支持體，其由如下方法制備： 對鋁合金進行冷沖壓以獲得成型制品， 對在所述冷沖壓中獲得的所述成型制品進行固溶處理， 對所述經固溶處理的成型制品進行形狀加工，以及 對所述經形狀加工的成型制品進行時效硬化處理， 其中所述鋁合金包含Si :0.4重量％至0.8重量％、Fe :0.7重量％以下、Cu :0. 15重 量％至0. 4重量％、Mn :0. 15重量％以下、Mg :0. 8重量％至1. 2重量％、Cr :0. 04重量％至 〇. 35重量％、Zn :0. 25重量％以下、Ti :0. 15重量％以下、以及余量：A1和雜質。3. 根據權利要求1所述的電子照相感光體用圓筒狀支持體， 其中所述電子照相感光體用圓筒狀支持體的厚度為〇. 〇3mm至1. 5_。4. 根據權利要求1所述的電子照相感光體用圓筒狀支持體， 其中所述電子照相感光體用圓筒狀支持體的厚度為〇. 1_至〇. 9_。5. 根據權利要求1所述的電子照相感光體用圓筒狀支持體， 其中所述電子照相感光體用圓筒狀支持體的厚度為〇. 2mm至0. 8_。6. 根據權利要求1所述的電子照相感光體用圓筒狀支持體， 其中所述晶粒的平均面積為5. 0 μ m2至80 μ m2。7. 根據權利要求1所述的電子照相感光體用圓筒狀支持體， 其中所述晶粒的平均面積為7. 0 μ m2至70 μ m2。8. 一種電子照相感光體，其包括 根據權利要求1至7中任一項所述的電子照相感光體用圓筒狀支持體；和 設置在所述電子照相感光體用圓筒狀支持體上的感光層。9. 一種處理盒， 其可從成像裝置上拆卸下來，該處理盒包括根據權利要求8所述的電子照相感光體。10. -種成像裝置，其包括 根據權利要求8所述的電子照相感光體； 充電單元，其為所述電子照相感光體的表面充電； 靜電潛像形成單元，其在所述已充電的電子照相感光體的表面上形成靜電潛像； 顯影單元，其利用含有調色劑的顯影劑將形成于所述電子照相感光體的表面上的所述 靜電潛像顯影，以形成調色劑圖像；以及 轉印單元，其將所述調色劑圖像轉印至記錄介質。11. 一種制造電子照相感光體用圓筒狀支持體的方法，包括： 制備鋁合金， 對所述鋁合金進行冷沖壓以獲得成型制品， 對在所述冷沖壓中獲得的所述成型制品進行固溶處理， 對經所述固溶處理的所述成型制品進行形狀加工，以及 對經所述形狀加工的所述成型制品進行時效硬化處理。12. 根據權利要求11所述的制造電子照相感光體用圓筒狀支持體的方法， 其中所述固溶處理是在溫度范圍為300°C至600°C的加熱溫度下進行的。13. 根據權利要求11所述的制造電子照相感光體用圓筒狀支持體的方法， 其中所述時效硬化處理是在l〇〇°C至300°C的溫度范圍內進行的。
【文檔編號】G03G21/18GK105843002SQ201510570465
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2015年9月9日
【發明人】為政博史
【申請人】富士施樂株式會社