一種用于含碳多孔材料基底的光刻涂層的去除方法
【專利摘要】本發明涉及一種用于含碳多孔材料基底的光刻涂層的去除方法，將有機溶劑去除和低溫氧化工藝去除相結合，并且采用有機溶劑先去除基底表面和深孔中較易溶于有機溶劑中的光刻涂層，對于深孔中殘留的光刻涂層再采用低溫氧化工藝去除；有效克服了有機溶劑去除不徹底和低溫氧化工藝去除速度慢、能力不強的缺陷；在不損傷含碳多孔材料基底的同時，增大光刻涂層的去除能力，將光刻涂層完全去除干凈，并且保證了含碳多孔材料基底的孔狀結構的結構性能和電學性能，為后續的工藝處理提供方便。
【專利說明】
一種用于含碳多孔材料基底的光刻涂層的去除方法
技術領域
[0001]本發明涉及集成電路制造技術領域，特別涉及一種用于含碳多孔材料基底的光刻涂層的去除方法。
【背景技術】
[0002]在集成電路制造工藝中，光刻涂層的去除最常用的方法是高溫灰化工藝，一般采用溫度高于250°C的氧化處理。但對于基底為含碳多孔材料時，如low-k材料，高溫氧化工藝在去除光刻涂層的同時，對基底也會帶來較大損傷。
【發明內容】
[0003]本發明目的是提供一種用于含碳多孔材料基底的光刻涂層的去除方法，解決現有技術中存在的上述問題。
[0004]本發明解決上述技術問題的技術方案如下:
[0005]—種用于含碳多孔材料基底的光刻涂層的去除方法，包括如下步驟:
[0006]步驟I，采用有機溶劑去除基底表面和深孔中的光刻涂層；
[0007]步驟2，采用低溫氧化工藝進一步去除深孔中殘留的光刻涂層；
[0008]其中，所述光刻涂層包括光刻膠涂層和抗反射涂層。
[0009]本發明的有益效果是:將有機溶劑去除和低溫氧化工藝去除相結合，并且采用有機溶劑先去除基底表面和深孔中較易溶于有機溶劑中的光刻涂層，對于深孔中殘留的光刻涂層再采用低溫氧化工藝去除;有效克服了有機溶劑去除不徹底和低溫氧化工藝去除速度慢、能力不強的缺陷；在不損傷含碳多孔材料基底的同時，增大光刻涂層的去除能力，將光刻涂層完全去除干凈，并且保證了含碳多孔材料基底的孔狀結構的結構性能和電學性能，為后續的工藝處理提供方便。
[0010]在上述技術方案的基礎上，本發明還可以做如下改進。
[0011 ]進一步，所述步驟I的具體實現為，在室溫條件下，將有機溶劑噴射到基底表面，通過旋轉基底，將有機溶劑均勻覆蓋于基底表面，待基底表面和深孔中的光刻涂層溶于有機溶劑后，通過高速旋轉基底，將有機溶劑甩除。
[0012]進一步，所述有機溶劑為PGME與PGMEA按預設比例混合的混合溶劑。
[0013]進一步，所述預設比例為3: 2、7:3或4:1。
[0014]進一步，所述步驟2的具體實現為，在低溫條件下，向機臺中充入氧氣，采用高能電離形成等離子，電離出高濃度的氧離子，所述氧離子與深孔中殘留的光刻涂層發生氧化反應生成二氧化碳和水，再通過風栗抽除所述二氧化碳和水。
[0015]進一步，所述低溫條件所采用的溫度不大于100°C。
[0016]采用上述進一步方案的有益效果是，避免溫度過高，損傷含碳多孔材料基底。
[0017]進一步，所述低溫條件所采用的溫度為50°C。
[0018]采用上述進一步方案的有益效果是，溫度低，氧化速度慢、能力不強;溫度高，高能氧離子又易損傷含碳多孔材料基底，50°C能夠有效兼顧氧化速度、氧化能力和對含碳多孔材料基底的損傷。
【附圖說明】
[0019]圖1為本發明一種用于含碳多孔材料基底的光刻涂層的去除方法的方法流程圖。
【具體實施方式】
[0020]以下結合附圖對本發明的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本發明，并非用于限定本發明的范圍。
[0021]如圖1所示，一種用于含碳多孔材料基底的光刻涂層的去除方法，包括如下步驟:
[0022]步驟I，采用有機溶劑去除基底表面和深孔中的光刻涂層;所述光刻涂層包括光刻膠涂層和抗反射涂層。
[0023]所述步驟I的具體實現為，在室溫條件下，將有機溶劑噴射到基底表面，通過旋轉基底，將有機溶劑均勻覆蓋于基底表面，待基底表面和深孔中的光刻涂層溶于有機溶劑后，通過高速旋轉基底，將有機溶劑甩除。
[0024]所述有機溶劑為PGME與PGMEA按預設比例混合的混合溶劑。所述預設比例為3: 2、7:3或4:1。
[0025]步驟2，采用低溫氧化工藝進一步去除深孔中殘留的光刻涂層。
[0026]所述步驟2的具體實現為，在低溫條件下，向機臺中充入氧氣，采用高能電離形成等離子，電離出高濃度的氧離子，所述氧離子與深孔中殘留的光刻涂層發生氧化反應生成二氧化碳和水，再通過風栗抽除所述二氧化碳和水。
[0027]所述低溫條件所采用的溫度不大于100°C，通常在室溫到60°C之間選擇，如50°C。
[0028]以上所述僅為本發明的較佳實施例，并不用以限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。
【主權項】
1.一種用于含碳多孔材料基底的光刻涂層的去除方法，其特征在于，包括如下步驟: 步驟I，采用有機溶劑去除基底表面和深孔中的光刻涂層； 步驟2，采用低溫氧化工藝進一步去除深孔中殘留的光刻涂層； 其中，所述光刻涂層包括光刻膠涂層和抗反射涂層。2.根據權利要求1所述一種用于含碳多孔材料基底的光刻涂層的去除方法，其特征在于，所述步驟I的具體實現為，在室溫條件下，將有機溶劑噴射到基底表面，通過旋轉基底，將有機溶劑均勻覆蓋于基底表面，待基底表面和深孔中的光刻涂層溶于有機溶劑后，通過高速旋轉基底，將有機溶劑甩除。3.根據權利要求1所述一種用于含碳多孔材料基底的光刻涂層的去除方法，其特征在于，所述有機溶劑為PGME與PGMEA按預設比例混合的混合溶劑。4.根據權利要求3所述一種用于含碳多孔材料基底的光刻涂層的去除方法，其特征在于，所述預設比例為3:2、7:3或4:1。5.根據權利要求1所述一種用于含碳多孔材料基底的光刻涂層的去除方法，其特征在于，所述步驟2的具體實現為，在低溫條件下，向機臺中充入氧氣，采用高能電離形成等離子，電離出高濃度的氧離子，所述氧離子與深孔中殘留的光刻涂層發生氧化反應生成二氧化碳和水，再通過風栗抽除所述二氧化碳和水。6.根據權利要求5所述一種用于含碳多孔材料基底的光刻涂層的去除方法，其特征在于，所述低溫條件所采用的溫度不大于100°C。7.根據權利要求6所述一種用于含碳多孔材料基底的光刻涂層的去除方法，其特征在于，所述低溫條件所采用的溫度為50°C。
【文檔編號】G03F7/42GK105843001SQ201610181430
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2016年3月28日
【發明人】劉天建, 王 華
【申請人】武漢新芯集成電路制造有限公司