液晶顯示面板的制作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及液晶顯示領域，尤其涉及一種液晶顯示面板。
【背景技術】
[0002]隨著移動顯示的日益普及，新一代移動顯示技術向高畫質、高分辨率、輕薄及低功耗發展。例如，LTPS (Low Temperature Poly-si I icon)技術以其優越的高畫質、高分辨率、超輕薄及低功耗等性能備受廣大消費者喜愛，LTPS技術正在逐漸取代傳統a-Si TFT技術，成為新一代顯示技術主流。
[0003]參見圖1，傳統LTPS制作過程中需要在玻璃基板10遠離偏光片12的一側上制作一層金屬遮擋層11 (LS: Light Shield)，所述金屬遮擋層11將器件區域覆蓋，防止光漏電流產生，所述器件區域可以為TFT區域。但金屬遮擋層11有一定高度和錐形傾斜角度，后續制作TFT時，多晶硅層13的隔離層14(所述隔離層14例如為二氧化硅層142或氮化硅層141)覆蓋在錐形傾斜區域，也會形成錐形傾斜，使得在錐形傾斜處多晶硅層13容易與金屬遮擋層11發生ESD靜電擊傷(如圖1所示)，造成良率損失。
【發明內容】
[0004]本發明所要解決的技術問題是，提供一種液晶顯示面板，其能夠抑制多晶硅層與遮擋層的靜電擊傷，同時節省液晶面板的制程，降低成本。
[0005]為了解決上述問題，本發明提供了一種液晶顯示面板，包括一基板、設置在所述基板一表面的偏光片及設置在所述基板另一表面的器件，所述器件形成器件區域，還包括一遮擋層，設置在所述偏光片內部或偏光片上表面或偏光片下表面，所述遮擋層遮擋所述器件區域，以防止光漏電流產生。
[0006]進一步，所述器件為薄膜晶體管陣列。
[0007]進一步，在所述基板另一表面設置有多晶硅層，所述多晶硅層進行摻雜，形成所述薄膜晶體管陣列的溝道區域。
[0008]進一步，在所述多晶硅層與所述基板之間設置有隔離層。
[0009]進一步，所述隔離層為二氧化硅層或氮化硅層或兩者的組合。
[0010]進一步，所述基板為TFT基板，所述液晶顯示面板還包括一與所述TFT基板相對的CF基板，所述TFT基板與所述CF基板之間設置有液晶層。
[0011 ]進一步，在所述CF基板的遠離所述TFT基板的一側的表面設置有一偏光片。
[0012]進一步，所述基板為玻璃基板。
[0013]進一步，所述遮擋層為金屬遮擋層。
[0014]本發明的優點在于，在偏光片上制作遮擋層遮擋器件區域，避免在具有一定厚度及錐形傾斜角度的遮擋層上制作多晶硅層，將遮擋層與多晶硅層分開制作，可以避免現有技術中在遮擋層表面制作多晶硅層而造成的多晶硅與遮擋層之間的靜電擊傷，同時減少了傳統LTPS制作工藝的金屬遮擋層的制作，節省了一道制程，降低了生產成本。
【附圖說明】
[0015]圖1是傳統LTPS制作過程中的遮擋層位置的示意圖；
[0016]圖2是本發明液晶顯示面板的遮擋層位置的示意圖。
【具體實施方式】
[0017]下面結合附圖對本發明提供的液晶顯示面板的【具體實施方式】做詳細說明。
[0018]參見圖2，本【具體實施方式】以LTPS技術的TFT基板為例進行講解。
[0019]所述液晶顯示面板包括一基板20、設置在所述基板20—表面的偏光片21及設置在所述基板20另一表面的器件(附圖中未標示)，所述器件形成器件區域。
[0020]在本【具體實施方式】中，所述基板20為玻璃基板，且所述基板20為TFT基板。在所述TFT基板的遠離偏光片21的一側的表面形成有薄膜晶體管陣列(附圖中未標示)。在本【具體實施方式】中，所述器件即為所述薄膜晶體管陣列，所述器件區域即為薄膜晶體管陣列區域。
[0021]在所述薄膜晶體管陣列制作時，在所述基板20的表面形成多晶硅層25，所述多晶硅層25可進行摻雜，形成所述薄膜晶體管陣列的溝道區域。進一步，在所述基板20與所述多晶硅層25之間還形成隔離層24，所述隔離層24可以為二氧化硅層或氮化硅層或兩者的組合，在本【具體實施方式】中，所述隔離層24為遠離基板20依次設置的氮化硅層241和二氧化硅層242。在所述二氧化硅層242表面設置有多晶硅層25。由于在所述基板20的表面直接設置隔離層24及多晶硅層25，而并未如現有技術所述在基板20表面設置遮擋層，因此，并不存在遮擋層造成的突起，從而避免了多晶硅層25與遮擋層之間的靜電擊傷。
[0022]為了依然能夠實現現有技術中的遮擋層遮擋器件區域的作用，而又避免多晶硅層25與遮擋層之間的靜電擊傷，在所述偏光片21內部或偏光片21上表面或偏光片21下表面設置有遮擋層26，所述遮擋層26遮擋所述器件區域，以防止光漏電流產生。在本【具體實施方式】中，所述遮擋層26設置在所述偏光片21內部。在所述偏光片21制作時，直接將所述遮擋層26制作在所述偏光片21內部或偏光片21上表面或偏光片21下表面。所述遮擋層26可以為金屬層，也可以為非金屬層，只要能夠防止光漏電流產生即可，本發明對此不進行限制。所述遮擋層26的結構及制作材料本領域技術人員可從現有的LTPS技術中的遮擋層獲得。
[0023]進一步，在本【具體實施方式】中，所述液晶顯示面板還包括一與所述TFT基板相對的CF基板(附圖中未標示)，所述TFT基板與所述CF基板之間設置有液晶層(附圖中未標示)，在所述CF基板的遠離所述TFT基板的一側的表面設置有一偏光片(附圖中未標示)。所述液晶顯示面板的結構為本領域的常規結構，在此不贅述。
[0024]下面以CMOSLTPS FFS技術為例，列舉本發明液晶顯示面板制作方法，以進一步說明本發明液晶顯示面板的結構。
[0025]CMOS LTPS FFS技術的液晶顯示面板的制作方法包括如下步驟:
[0026](I):制作多晶硅層(省去傳統制程第一步的遮擋層)。(2): N-MOS Channel摻雜制作。(3):奸摻雜制作。(4)觀、61、1^層制作。(5):?+摻雜制作。(6):10)層制作。(7)況層制作。(8):PLN層制作。(9):ΒΙΤ0層制作。(10):PV層制作。(11):ΤΙΤ0層制作。(12):當TFT基板制作完成后與CF基板組立后，偏貼有制作遮光膜層的偏光片。
[0027]本發明液晶顯示面板的遮擋層的設置除適用于LTPS的TFT背板產品設計，也適用CMOS/NMOS/Top Gate的產品設計；同時，本發明液晶顯示面板的遮擋層的設置不僅適用FFS結構，也同樣適用于IPS等其他顯示結構，也同樣適用于in cell touch結構的產品設計。
[0028]以上所述僅是本發明的優選實施方式，應當指出，對于本技術領域的普通技術人員，在不脫離本發明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本發明的保護范圍。
【主權項】
1.一種液晶顯示面板，包括一基板、設置在所述基板一表面的偏光片及設置在所述基板另一表面的器件，所述器件形成器件區域，其特征在于，還包括一遮擋層，設置在所述偏光片內部或偏光片上表面或偏光片下表面，所述遮擋層遮擋所述器件區域，以防止光漏電流產生。2.根據權利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述器件為薄膜晶體管陣列。3.根據權利要求2所述的液晶顯示面板，其特征在于，在所述基板另一表面設置有多晶硅層，所述多晶硅層進行摻雜，形成所述薄膜晶體管陣列的溝道區域。4.根據權利要求3所述的液晶顯示面板，其特征在于，在所述多晶硅層與所述基板之間設置有隔離層。5.根據權利要求4所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述隔離層為二氧化硅層或氮化硅層或兩者的組合。6.根據權利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述基板為TFT基板，所述液晶顯示面板還包括一與所述TFT基板相對的CF基板，所述TFT基板與所述CF基板之間設置有液晶層。7.根據權利要求6所述的液晶顯示面板，其特征在于，在所述CF基板的遠離所述TFT基板的一側的表面設置有一偏光片。8.根據權利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述基板為玻璃基板。9.根據權利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述遮擋層為金屬遮擋層。
【專利摘要】本發明提供一種液晶顯示面板，包括一基板、設置在所述基板一表面的偏光片及設置在所述基板另一表面的器件，所述器件形成器件區域，還包括一遮擋層，設置在所述偏光片內部或偏光片上表面或偏光片下表面，所述遮擋層遮擋所述器件區域，以防止光漏電流產生。本發明的優點在于，在偏光片上制作遮擋層遮擋器件區域，避免在具有一定厚度及錐形傾斜角度的遮擋層上制作多晶硅層，將遮擋層與多晶硅層分開制作，可以避免現有技術中在遮擋層表面制作多晶硅層而造成的多晶硅與遮擋層之間的靜電擊傷，同時減少了傳統LTPS制作工藝的金屬遮擋層的制作，節省了一道制程，降低了生產成本。
【IPC分類】G02F1/1335
【公開號】CN105572958
【申請號】CN201610112043
【發明人】陳玉霞, 賀超
【申請人】武漢華星光電技術有限公司
【公開日】2016年5月11日
【申請日】2016年2月29日