一種光刻膠清洗組合物的制作方法
【技術領域】
[0001] 本申請屬于半導體制造技術領域，具體涉及一種光刻膠清洗組合物。
【背景技術】
[0002] 基因芯片（gene chip)的原型是80年代中期提出的。基因芯片的測序原理是雜 交測序方法，即通過與一組已知序列的核酸探針雜交進行核酸序列測定的方法。光刻工藝 是用于制造集成電路、液晶顯示屏和基因芯片等都需要使用的常規工藝，而光刻膠是光刻 工藝中所必須使用的材料。光刻膠又稱光致抗蝕劑，由感光樹脂、增感劑和溶劑三種主要成 分組成的對光敏感的混合液體。光刻膠應該具有比較小的表面張力，使光刻膠具有良好的 流動性和覆蓋。感光樹脂經光照后，在曝光區能很快地發生光固化反應，使得這種材料的物 理性能，特別是溶解性、親合性等發生明顯變化。光刻膠廣泛用于印刷電路和集成電路的制 造以及印刷制版等過程。光刻膠的技術復雜，品種較多。根據其化學反應機理和顯影原理， 可分負性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質的是負性膠；反之，對某些溶劑是不可溶 的，經光照后變成可溶物質的即為正性膠。利用這種性能，將光刻膠作涂層，就能在硅片表 面刻蝕所需的電路圖形。
[0003] 光刻膠可以分為三種類型。第一種為光聚合型，采用烯類單體，在光作用下生成自 由基，自由基再進一步引發單體聚合，最后生成聚合物，具有形成正像的特點。第二種為光 分解型，采用含有疊氮醌類化合物的材料，經光照后，會發生光分解反應，由油溶性變為水 溶性，可以制成正性膠。第三種為光交聯型，采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料，在光 的作用下，其分子中的雙鍵被打開，并使鏈與鏈之間發生交聯，形成一種不溶性的網狀結 構，而起到抗蝕作用，這是一種典型的負性光刻膠。柯達公司的產品KPR膠即屬此類。采用 感光膠通過曝光、顯影和刻蝕等方式在每一層結構面上形成所需要的圖案。在進行后一層 處理時，需要將前一次使用后的光刻膠完全清洗干凈。
[0004] 改善光刻膠的清洗方法主要使用延長浸泡時間、提高浸泡溫度和采用腐蝕性強的 溶液，非常容易造成芯片的腐蝕及損壞。同時，需要頻繁更換清洗液。另外，現有技術中使 用的濃硫酸，只能去除光刻膠表層，不能徹底去除光刻膠。
【發明內容】
[0005] 本發明的一個目的是一種光刻膠清洗組合物，包括以下組分： 甲基苯甲醇或二甲基苯甲醇，聚氧化丙烯三醇，壬基聚氧乙烯醚和有機溶劑。
[0006] 所述組合物還包括腐蝕抑制劑對氨基苯甲酸甲酯和兒茶酚。
[0007] 所述組合物還包括滲透劑JFC-2。
[0008] 所述組合物按重量份計包括以下組分：甲基苯甲醇或二甲基苯甲醇1-2%，聚氧化 丙烯三醇0. 1-0. 3%，壬基聚氧乙烯醚5-6%，對氨基苯甲酸甲酯和兒茶酚3%，JFC-2 1%，余量 為有機溶劑。
[0009] 所述對氨基苯甲酸甲酯和兒茶酚的重量比為4:1。
[0010] 所述有機溶劑為N-N二甲基甲酰胺和乙二醇單甲醚中的一種或兩種。
[0011] 本發明針對現有清洗劑存在的問題進行改進，采用的有機溶劑和滲透劑，使得到 的光刻膠清洗劑對光刻膠的清洗能力強，能夠徹底清洗光刻膠殘留，避免在基因測序時芯 片上各種雜質和金屬離子對檢測結果的干擾。同時，清洗劑中含有腐蝕抑制劑，不會腐蝕芯 片基材，能夠有保護芯片，非常適合工業化生產，大規模的推廣應用。
【具體實施方式】
[0012] 實施例1 光刻膠清洗組合物，按重量份計包括以下組分：甲基苯甲醇1%，聚氧化丙烯三醇0. 3%， 壬基聚氧乙烯醚5%，對氨基苯甲酸甲酯2. 4%，兒茶酚0. 6%，JFC-2 1%，N-N二甲基甲酰胺10% 和乙二醇單甲醚79. 7%。
[0013] 實施例2 光刻膠清洗組合物，按重量份計包括以下組分：二甲基苯甲醇2%，聚氧化丙烯三醇 0. 1%，壬基聚氧乙烯醚6%，對氨基苯甲酸甲酯2. 4%，兒茶酚0. 6%，JFC-2 1%，N-N二甲基甲酰 胺15%和乙二醇單甲醚72. 9%。
[0014] 實施例3 光刻膠清洗組合物，按重量份計包括以下組分：二甲基苯甲醇1. 5%，聚氧化丙烯三醇 0. 2%，壬基聚氧乙烯醚6%，對氨基苯甲酸甲酯2%，兒茶酚1%，JFC-2 1%，N-N二甲基甲酰胺 18%和乙二醇單甲醚70. 3%。
[0015] 實施例4 光刻膠清洗組合物，按重量份計包括以下組分：甲基苯甲醇1. 6%，聚氧化丙烯三醇 0. 15%，壬基聚氧乙烯醚5. 5%，對氨基苯甲酸甲酯1.2%，兒茶酚1.8%，JFC-2 1%，N-N二甲基 甲酰胺43%和乙二醇單甲醚45. 75%。
[0016] 實施例5 光刻膠清洗組合物，按重量份計包括以下組分：二甲基苯甲醇1. 2%，聚氧化丙烯三醇 0. 2%，壬基聚氧乙烯醚5. 9%，對氨基苯甲酸甲酯2. 8%，兒茶酚0. 2%，JFC-2 1%，乙二醇單甲 醚 88. 7%。
[0017] 實施例6 光刻膠清洗組合物，按重量份計包括以下組分：甲基苯甲醇1. 8%，聚氧化丙烯三醇 0. 15%，壬基聚氧乙烯醚5. 5%，對氨基苯甲酸甲酯2. 4%，兒茶酚0. 6%，JFC-2 1%，N-N二甲基 甲酰胺88. 55%。
[0018] 實施例7 光刻膠清洗組合物，按重量份計包括以下組分：二甲基苯甲醇2%，聚氧化丙烯三醇 0.25%，壬基聚氧乙烯醚5. 4%，對氨基苯甲酸甲酯I. 1%，兒茶酚1.9%，JFC-2 1%，N-N二甲基 甲酰胺88. 35%。
[0019] 實施例8 光刻膠清洗組合物，按重量份計包括以下組分：二甲基苯甲醇1%，聚氧化丙烯三醇 0. 15%，壬基聚氧乙烯醚5. 5%，對氨基苯甲酸甲酯1 %，兒茶酚2%，JFC-2 1%，乙二醇單甲醚 89. 35%〇
[0020] 對比例I 光刻膠清洗組合物，按重量份計包括以下組分：二甲基苯甲醇0. 5%，壬基聚氧乙烯醚 1. 5%，乙二醇單甲醚98%。
[0021] 對比例2 光刻膠清洗組合物，按重量份計包括以下組分：對氨基苯甲酸甲酯0. 2%，兒茶酚0. 2%， JFC-2 0. 1%，N-N 二甲基甲酰胺 99. 5%。
[0022] 對本發明實施例1、實施例8、對比例1和對比例2進行芯片光刻膠清洗效果的評 價，結果如下：
表1 由表1可知，本發明中的實施例1和實施例8中，光刻膠的去除效果顯著優于對比例1 和對比例2,在腐蝕檢測中，實施例1和實施例8無腐蝕，而對比例1和對比例2則有輕微腐 蝕跡象。
[0023] 上述詳細說明是針對本發明其中之一可行實施例的具體說明，該實施例并非用以 限制本發明的專利范圍，凡未脫離本發明所為的等效實施或變更，均應包含于本發明技術 方案的范圍內。
【主權項】
1. 一種光刻膠清洗組合物，其特征在于，包括以下組分： 甲基苯甲醇或二甲基苯甲醇，聚氧化丙烯三醇，壬基聚氧乙烯醚和有機溶劑。2. 如權利要求1所述的光刻膠清洗組合物，其特征在于，所述組合物還包括腐蝕抑制 劑對氨基苯甲酸甲酯和兒茶酚。3. 如權利要求1所述的光刻膠清洗組合物，其特征在于，所述組合物還包括滲透劑 JFC-2。4. 如權利要求1所述的光刻膠清洗組合物，其特征在于，所述組合物按重量份計包括 以下組分：甲基苯甲醇或二甲基苯甲醇1-2%，聚氧化丙烯三醇0. 1-0. 3%，壬基聚氧乙烯醚 5-6%，對氨基苯甲酸甲酯和兒茶酚3%，JFC-2 1%，余量為有機溶劑。5. 如權利要求1所述的光刻膠清洗組合物，其特征在于，所述對氨基苯甲酸甲酯和兒 茶酚的重量比為4:1。6. 如權利要求1所述的光刻膠清洗組合物，其特征在于，所述有機溶劑為N-N二甲基甲 酰胺和乙二醇單甲醚中的一種或兩種。
【專利摘要】本發明公開了一種光刻膠清洗組合物。包括以下組分：甲基苯甲醇或二甲基苯甲醇，聚氧化丙烯三醇，壬基聚氧乙烯醚和有機溶劑。還包括腐蝕抑制劑對氨基苯甲酸甲酯、兒茶酚和滲透劑JFC-2。本發明對光刻膠的清洗能力強，同時，不會腐蝕芯片基材，非常適合工業化生產，大規模的推廣應用。
【IPC分類】G03F7/42
【公開號】CN105301919
【申請號】CN201510781928
【發明人】陳哲, 任魯風, 殷金龍
【申請人】北京中科紫鑫科技有限責任公司
【公開日】2016年2月3日
【申請日】2015年11月16日