專利名稱:透射反射型液晶顯示器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示(LCD)器件，尤其是涉及一種在垂直對準(zhǔn)模式LCD器件中可有選擇地應(yīng)用反射模式和透射模式的透射反射型LCD器件。
背景技術(shù)：
通常，在顯示器件中廣泛使用布勞恩(Braun)管，即陰極射線管(CRTs)在屏幕上顯示圖像數(shù)據(jù)，但因布勞恩管與其顯示區(qū)域相比尺寸過大而使CRT的使用不方便。
現(xiàn)在，隨著電子工業(yè)的發(fā)展，已從局限于使用電視(TV)布勞恩管的顯示器件發(fā)展為個人計算機(jī)、筆記本電腦、無線終端、汽車儀表盤和顯示板。另外，由于信息通信的發(fā)展使得可以傳輸大量的圖像數(shù)據(jù)，因而非常需要可滿足處理和實現(xiàn)大量圖像數(shù)據(jù)的下一代顯示器件。
該下一代顯示器件應(yīng)實現(xiàn)低重量、高亮度、大顯示屏、低能耗以及低制造成本。近來，LCD器件作為一種下一代顯示器件而正在引人注目。
該LCD與其他平板顯示器件相比具有優(yōu)異的顯示分辨率并在顯示運動圖像的圖像質(zhì)量方面幾乎與CRT具有同等快速的響應(yīng)時間。
該LCD使用具有光學(xué)各向異性和介電特性的液晶。由于這種液晶為細(xì)長結(jié)構(gòu)，因而該液晶具有其分子排列的方向性。從而，可通過向液晶(分子)施加電場來控制分子排列的方向。
因此，當(dāng)可任意調(diào)整液晶的分子排列方向時，可改變液晶的分子排列，并且通過光學(xué)各向異性而在液晶的分子排列方向上進(jìn)行光線折射，從而實現(xiàn)圖像數(shù)據(jù)。
扭曲向列型(TN)LCD器件是一種如今被廣泛使用的LCD器件。這種TN LCD器件分別在兩個基板上設(shè)置電極，排列指向失而使其以90°扭曲，并且向電極施加電壓以驅(qū)動該指向失。
除了TN LCD器件，使用介電各向異性的液晶模式包括電控雙折射型(ECB)和賓主型(GH)。ECB型使用具有負(fù)介電各向異性(Δε＜0)的負(fù)型液晶(LC)，其中LC沿垂直于電場的方向取向。
ECB型中的垂直對準(zhǔn)(VA)型在灰度級電壓方面具有較小的響應(yīng)時間變化寬度并因此而優(yōu)于TN LCD器件的響應(yīng)特性。
在VA型LCD器件中，在上基板和下基板之間插入具有負(fù)介電各向異性的LC，在上基板和下基板的相對表面上形成VA層，在相對表面的背面附有偏振器。這樣，分別在相對表面上設(shè)置LC驅(qū)動電極，并且將偏振器設(shè)置為各偏振器的偏振軸互相垂直。
在VA型LCD器件中，在VA層的影響下，將LC分子垂直于基板設(shè)置。這樣，由于上下偏振器的偏振軸互相垂直交叉，從而可使屏幕變暗。
同時，當(dāng)在上基板和下基板的驅(qū)動電極之間形成電場時，LC分子被扭曲，從而使得其根據(jù)負(fù)介電各向異性的LC的屬性而與電場方向垂直。因此，光線可經(jīng)LC分子傳輸并且可使屏幕變白。
這樣，由于LC分子為條形，從而長軸和短軸的折射系數(shù)和介電常數(shù)彼此不同。因此，折射系數(shù)根據(jù)觀察LC分子的方向而變化。從而，產(chǎn)生從正面觀看屏幕的視角和從側(cè)面觀看屏幕的視角之間的差異。
因此，為了解決上述問題，在現(xiàn)有技術(shù)中，在一個單元像素中將下基板的像素電極形成為狹縫形狀，從而在形成電場時形成多疇。
即，當(dāng)在像素電極和公共電極之間形成電場時，通過改變LC分子被扭曲的方向來補(bǔ)償LC分子的長軸和短軸之間的各向異性。
然而，具有上述結(jié)構(gòu)的多疇VA型LCD器件被分為采用背光作為光源的透射VA型LCD器件，以及不采用背光作為光源而是采用自然光和人造光作為光源的反射VA型LCD器件。
這樣，即使在黑暗的外部環(huán)境下，采用背光作為光源的透射VA型LCD器件也能顯示明亮的圖像。然而，透射VA型LCD器件因其能耗高而不被使用。
相反，由于不使用背光，反射VA型LCD器件可降低能耗，但其在外部自然光較暗時也不能被使用。
發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明涉及一種透射反射型LCD器件及其制造方法，其基本上消除了由于現(xiàn)有技術(shù)的局限和不足導(dǎo)致的一個或多個問題。
本發(fā)明的一個目的在于提供一種透射反射型LCD器件及其制造方法，其通過增加孔徑比來有選擇地在反射模式和透射模式下進(jìn)行操作，并且改善多疇結(jié)構(gòu)的VA型LCD器件的圖像質(zhì)量。
在以下的說明中將部分地述及本發(fā)明的其它優(yōu)點和特征，而這些特征和優(yōu)點中的另一部分對于本領(lǐng)域普通的技術(shù)人員來說將能夠從這些說明中明顯得到，或是通過本發(fā)明的實踐而獲得。通過文字說明和權(quán)利要求
以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)可以實現(xiàn)和獲得本發(fā)明的這些和其他優(yōu)點。
為了實現(xiàn)這些和其它優(yōu)點并根據(jù)如本文具體地和概括地描述的本發(fā)明的目的，本發(fā)明提供一種透射反射型液晶顯示器件，包括柵線和數(shù)據(jù)線，其相互交叉設(shè)置在第一基板上，該第一基板限定有具有反射部分和透射部分的像素區(qū)域；薄膜晶體管，其形成在柵線和數(shù)據(jù)線的交叉點處并且包括柵極、半導(dǎo)體層以及源極和漏極；透明電極，其與所述薄膜晶體管相連接并形成于所述透射部分上；反射電極，其與所述薄膜晶體管相連接并形成于所述反射部分上；連接電極，其用于將透明電極與反射電極電連接；第一存儲電極和第二存儲電極，該第一存儲電極形成在所述反射部分上并且該第二存儲電極形成于所述連接電極之下；第二基板，其與所述第一基板相對；以及液晶層，其插入于所述第一基板與所述第二基板之間。
在本發(fā)明的另一方面，提供一種透射反射型液晶顯示器件，包括柵線和數(shù)據(jù)線，其相互交叉設(shè)置在基板上，該基板中限定有具有反射部分和透射部分的像素區(qū)域；薄膜晶體管，其形成在柵線和數(shù)據(jù)線的交叉點處并且包括柵極、半導(dǎo)體層以及源極和漏極；透明電極，其與所述薄膜晶體管相連接并形成于所述透射部分上；反射電極，其與所述薄膜晶體管相連接并形成于所述反射部分上；連接電極，其用于將透明電極與反射電極電連接；以及第一存儲電極和第二存儲電極，該第一存儲電極形成在所述反射部分上，并且該第二存儲電極形成于所述連接電極之下。
在本發(fā)明的另一方面，提供一種透射反射型液晶顯示器件的制造方法，包括如下步驟在第一基板上形成柵線，其中所述第一基板限定有具有第一疇和第二疇的像素區(qū)域，形成平行于該柵線的存儲線、分支于該存儲線并形成于第一疇上的第一存儲電極以及形成于第一疇和第二疇之間的邊界上的第二存儲電極；在該第一基板的整個表面上形成絕緣層；分別形成與各柵線交叉的數(shù)據(jù)線；在柵線和數(shù)據(jù)線的各交叉點處形成薄膜晶體管；在第二疇上形成電連接于薄膜晶體管的透明電極；在第一疇形成與薄膜晶體管相連接的反射電極；在第二存儲電極上形成用于將透明電極與反射電極電連接的連接電極；設(shè)置與第一基板相對的第二基板；以及在第一基板和第二基板之間插入液晶層。
因此，本發(fā)明通過使透射部分的區(qū)域大于反射部分的區(qū)域而增大孔徑比。
另外，本發(fā)明通過在VA型透射反射型LCD器件中形成多疇并且在各疇之間形成存儲電容來確保總的存儲電容量、改善圖像質(zhì)量特性以及改善視角特性。
應(yīng)當(dāng)理解，以上一般的描述和以下詳細(xì)的描述都是示例性和解釋性的，并意在提供對要求保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步解釋。
附圖提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，其包含在說明書中并構(gòu)成說明書的一部分，說明本發(fā)明的實施方式并且與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中圖1為根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的VA型多疇LCD器件的陣列基板中像素部分的部分平面示意圖；圖2為沿圖1中I-I’線提取的截面圖；圖3為根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的VA型透射反射型LCD器件的陣列基板的平面示意圖；圖4為沿圖3中II-II’線提取的截面圖。
具體實施方式將參照附圖中描述的實例對優(yōu)選的實施方式進(jìn)行詳細(xì)描述。盡可能在附圖中用相同的附圖標(biāo)記表示相同或類似的部分。
VA型透射反射型LCD器件在單元像素區(qū)域中包括反射部分和投射部分，從而可提供透射型LCD器件的功能以及反射型LCD器件的功能。VA型透射反射型LCD器件可利用來自背光單元的光以及自然光或者人造光，從而可具有降低能耗以及不受外部環(huán)境限制的優(yōu)點。
圖1為根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的VA型多疇LCD器件的陣列基板中像素部分的部分平面示意圖，以及圖2為沿圖1中I-I’線提取的截面圖。
如圖1和圖2所示，VA型透射反射型LCD器件包括陣列基板100。陣列基板100的柵線125和數(shù)據(jù)線139彼此垂直交叉以限定像素區(qū)域P。在柵線125和數(shù)據(jù)線139的各交叉點處形成薄膜晶體管(TFT)。連接于TFT的像素電極被狹縫劃分為第一疇A和第二疇B從而包括第一像素電極161a和第二像素電極161b。第一像素電極161a和第二像素電極161b經(jīng)連接像素電極160彼此相連接。
第一疇A和第二疇B經(jīng)連接第一像素電極161a和第二像素電極161b的連接像素電極160而彼此電連接，并且響應(yīng)來自TFT的信號而進(jìn)行驅(qū)動。
VA型透射反射型LCD器件的陣列基板的第一疇A還包括位于作為反射部分RA的第一像素電極161a上面或下面的反射電極149，并且第二疇B將第二像素電極161b作為透射部分TA(透射電極)從而使得VA型透射反射型LCD器件可有選擇地在反射模式和透射模式下進(jìn)行操作。
另外，TFT包括柵極123、形成在柵極123上的源極135、漏極137以及有源層131。該漏極137通過漏接觸孔153與像素電極相連接。
存儲線144且平行于柵線125以預(yù)定距離與其相隔形成。存儲線144與第一存儲電極143a和第二存儲電極143b相連。
第一存儲電極143a形成于反射部分RA的部分之中，而第二存儲電極143b在連接像素電極160的下面形成。
堆疊在第一存儲電極143a和第一像素電極161a之間柵絕緣層129、鈍化層145以及有機(jī)絕緣層147用作電介質(zhì)，從而在第一存儲電極143a和位于該第一存儲電極143a上方的第一像素電極161a之間形成第一存儲電容Cst1。同樣，在第二存儲電極143b和連接像素電極160之間形成第二存儲電容Cst2。
由于在具有上述結(jié)構(gòu)的VA型透射反射型LCD器件中為了確保存儲容量而形成第一存儲電容Cst1和第二存儲電容Cst2，因而即使當(dāng)為了增加孔徑比而減小反射部分RA的尺寸并且增大透射部分的尺寸時，存儲電容Cst的容量也幾乎不發(fā)生變化。因此，在像素電壓下降ΔVp中幾乎沒有波動，從而使得孔徑比和圖像質(zhì)量都得到改善。
因此，為了保證大屏幕以及用戶環(huán)境所需的孔徑比，可使反射部分RA的區(qū)域大于透射部分TA的區(qū)域。
同時，為了更加增強(qiáng)反射率，有機(jī)絕緣層147可包括反射部分RA的不平坦圖案147a，并且為了雙重盒間隙，有機(jī)絕緣層147可包括透射部分TA的蝕刻槽148。反射電極149在反射部分RA的不平坦圖案147a的曲線上并且沿著該曲線形成。
通過有機(jī)絕緣層147的透射部分TA中所形成的蝕刻槽148而在透射反射型LCD器件的反射部分RA和透射部分TA中實現(xiàn)雙重盒間隙。透射部分TA的盒間隙d1約為反射部分RA的盒間隙d2的兩倍，從而改善了反射部分RA和透射部分TA的光效。
如圖2所示，具有黑矩陣181和濾色片182的濾色片基板180與陣列基板100相對。濾色片基板180包括公共電極185。在濾色片基板180和陣列基板100之間形成液晶層170。
同樣，用于扭曲電場以實現(xiàn)多疇效應(yīng)的介電突起188形成在公共電極185之上。
由于在驅(qū)動LC時，具有上述結(jié)構(gòu)的雙疇VA型LCD器件可使用陣列基板100的像素電極狹縫“s”以及濾色片基板180的介電突起188來以各種方式驅(qū)動LC分子，從而可實現(xiàn)多疇效應(yīng)。這樣，可將第一疇A作為反射部分RA，并且將第二疇B作為透射部分TA，從而可有選擇地驅(qū)動反射模式和透射模式。
同樣，通過使透射反射型LCD器件中透射部分的區(qū)域大于反射部分的區(qū)域來改善孔徑比。
同樣，本發(fā)明通過在VA型透射反射型LCD器件中形成多疇并且在各疇之間形成存儲電容來確?？偟拇鎯θ萘?，改善圖像質(zhì)量特性以及改善視角特性。
圖3為根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的VA型透射反射型LCD器件的陣列基板的平面示意圖。
如圖3所示，VA型透射反射型LCD器件包括陣列基板200，其具有多個設(shè)置為矩陣型并用作為開關(guān)器件的多個TFT。在該多個TFT上，柵線255和數(shù)據(jù)線239彼此交叉。
這樣，柵線255和數(shù)據(jù)線239的交叉點所限定的區(qū)域被限定為像素區(qū)域P。
TFT包括柵極223，形成在柵極223之上的源極235、漏極237以及有源層231。
同樣，存儲線244平行于柵線225且以預(yù)定距離與其相隔開。在像素區(qū)域P中形成與存儲線244相連的多個存儲電極243。
由于在驅(qū)動LC時，具有上述結(jié)構(gòu)的多疇VA型LCD器件可使用陣列基板200的像素電極狹縫“s”以及濾色片基板280的介電突起288來以各種方式驅(qū)動LC分子，從而可實現(xiàn)多疇效應(yīng)。這樣，可將第一疇A作為反射部分RA，并且將第二疇B和第三疇C作為透射部分TA，從而可有選擇地驅(qū)動反射模式和透射模式。
這樣，通過使透射反射型LCD器件中的透射部分TA的區(qū)域大于反射部分RA的區(qū)域來改善孔徑比。
在反射部分RA中形成反射電極249，并且像素電極與TFT的漏極237相連。像素電極被狹縫“s”劃分為第一疇A、第二疇B和第三疇C從而包括第一像素電極261a、第二像素電極261b和第三像素電極261c。第一像素電極261a、第二像素電極261b和第三像素電極261c經(jīng)第一連接像素電極260a和第二連接像素電極260b相連。
同樣，在反射部分RA中形成第一像素電極261a和反射電極249，并且在透射部分TA中形成作為透射電極的第二像素電極261b和第三像素電極261c。
第一至第三疇A、B和C經(jīng)用于連接第一像素電極261a和第二像素電極261b的第一連接像素電極260a，以及用于連接第二連接像素電極261b和第三像素電極261c的第二連接像素電極260b而電連接，并且響應(yīng)來自TFT的信號而進(jìn)行驅(qū)動。
雖然圖中未示出，具有用于更加增加反射率的不平坦圖案247a的有機(jī)絕緣層247還可形成于反射部分RA中。為了雙重盒間隙，蝕刻槽248形成于透射部分TA的有機(jī)絕緣層247中。反射電極249在反射部分RA的不平坦圖案247a的曲線上并且沿該曲線而形成。
同時，如上所述，在像素區(qū)域P中形成與存儲線244相連的多個存儲電極243。
存儲電極243包括第一存儲電極243a、第二存儲電極243b以及第三存儲電極243c。第一存儲電極243a包括與反射部分RA中的第一像素電極261a共同組成第一存儲電容Cst1，第二存儲電極243b與第一疇A和第二疇B之間的第一連接像素電極260a共同組成第二存儲電容Cst2。同樣，第三存儲電極243c與第二疇B和第三疇C之間的第二連接像素電極260b共同組成第三存儲電容Cst3。
第一至第三存儲電容Cst1、Cst2和Cst3的電容量之和為一像素的總電容量。
第一疇A和第二疇B之間的部分以及第二疇B和第三疇C之間的部分通過狹縫“s”而以預(yù)定距離相間隔從而分隔像素電極261a、261b和261c。由于位于對應(yīng)于狹縫“s”位置的LC層270不被驅(qū)動，因而存儲線244可經(jīng)形成狹縫“s”的位置與第二存儲電極243b和第三存儲電極243c相連接。
在具有多疇的透射反射型LCD器件中，存儲電容通常形成于反射部分RA中。當(dāng)存儲電容Cst1形成于反射部分RA，并且存儲電容Cst2和Cst3形成于透射部分TA的預(yù)定區(qū)域中時，即，用于電連接各疇的連接像素電極，可確保電容量C。因此，當(dāng)為了增大孔徑比而減小反射部分RA的尺寸時，可補(bǔ)償存儲電容的電容量并且可減小像素電壓的下降，從而改善圖像質(zhì)量。
這樣，堆積在存儲線244、存儲電極243和像素電極之間的柵絕緣層229、鈍化層245和有機(jī)絕緣層247以及連接像素電極261a，260a和260b用為電介質(zhì)。
同時，根據(jù)本發(fā)明的VA型透射反射型LCD器件不僅可應(yīng)用于具有三疇結(jié)構(gòu)的多疇透射反射型LCD器件，其中第一疇A用作反射部分RA并且第二疇B和第三疇C用作透射部分TA，而且還可應(yīng)用于將一像素區(qū)域劃分為至少兩個疇并且在多疇中反射部分RA的區(qū)域大于透射部分TA的區(qū)域的多疇透射反射型LCD器件。
圖4為沿圖3中II-II’線提取的截面圖。
如圖4所示，VA型透射反射型LCD器件的陣列基板的第一疇A還包括反射電極249，其作為反射部分RA而位于第一像素電極261a之上或之下，以及第二疇B和第三疇C使用第二像素電極261b和第三像素電極261c作為透射部分TA(透射電極)，從而VA型透射反射型LCD器件可有選擇的在反射模式以及透射模式下進(jìn)行操作。
如圖4所示，接下來以方法步驟的順序來說明VA型透射反射型LCD器件的制造方法。
首先，在基板200上形成柵極223、柵線225、以預(yù)定距離與柵線225分隔開的存儲線244以及存儲電極243。
存儲電極243包括第一存儲電極243a、第二存儲電極243b以及第三存儲電極243c。第一存儲電極243a在反射部分RA構(gòu)成存儲電容Cst1，第二存儲電極243b在第一疇A和第二疇B之間構(gòu)成第二存儲電容Cst2，并且第三存儲電極243c在第二疇B和第三疇C之間構(gòu)成第三存儲電容Cst3。
將作為第一絕緣層的柵絕緣層229形成于包括柵線225的陣列基板200的整個表面上。
在柵極233上的柵絕緣層229上以島狀形成有緣層231和歐姆接觸層233。
接下來，將與歐姆接觸層233相接觸的源極235和漏極237以及與源極235相連的數(shù)據(jù)線239形成于包括歐姆接觸層233的陣列基板200的整個表面上。
這樣，可在一個掩摸工序中形成歐姆接觸層223、有緣層231、源極235、漏極237以及數(shù)據(jù)線239。
通過在包括數(shù)據(jù)線239的陣列基板200上沉積絕緣材料來形成作為第二絕緣層的鈍化層245。
鈍化層245為通過沉積SiNx或SiO2而形成的無機(jī)絕緣層。
通過涂敷包括苯并環(huán)丁烯和丙烯酸基樹脂的透明有機(jī)絕緣材料組中所選擇的一種材料來在鈍化層245上形成作為第三絕緣層247的有機(jī)絕緣層247。
將不平坦圖案247a形成于反射部分RA中的有機(jī)絕緣層247的上部。
通過蝕刻柵絕緣層229、鈍化層245和有機(jī)絕緣層247而在像素區(qū)域P的部分上形成第一蝕刻槽248a和第二蝕刻槽248b。
在對應(yīng)于作為透射部分TA1的第二疇B的位置中形成第一蝕刻槽248a，并且在對應(yīng)于作為透射部分TA2的第三疇C的位置中形成第二蝕刻槽248b。
在透射反射型LCD器件的反射部分RA和透射部分TA中，第一蝕刻槽248a和第二蝕刻槽248b構(gòu)成雙重盒間隙。將透射部分TA的盒間隙d1形成為約為反射部分RA的盒間隙d2的兩倍以改善反射部分RA和透射部分TA的光效。
這樣，在第二疇B和第三疇C之間所形成的第二存儲電極243b未被暴露。
同樣，形成暴露部分漏極237的漏接觸孔253。
通過對從包括氧化銦錫(ITO)以及氧化銦鋅(IZO)的透明導(dǎo)電金屬組中所選擇的一種材料進(jìn)行沉積和構(gòu)圖而在有機(jī)絕緣層247上形成與漏極237相接觸并形成于像素區(qū)域P中的透明像素電極。
像素電極由狹縫“s”劃分為第一疇A、第二疇B和第三疇C以包括第一像素電極261a、第二像素電極261b以及第三像素電極261c。第一至第三像素電極261a、261b和261c經(jīng)連接像素電極260a和260b而連接。
同樣，在反射部分RA中形成第一像素電極261a和反射電極249，并且在透射部分TA中形成作為透射電極的第二像素電極261b和第三像素電極261c。
為了將第一至第三像素電極261a、261b和261c相連接，第一至第三疇A、B和C經(jīng)第一連接像素電極260a和第二連接像素電極260b而電連接，并且響應(yīng)于來自TFT的信號而進(jìn)行驅(qū)動。
沿反射部分RA的有機(jī)絕緣層247的不平坦圖案247a以不平坦結(jié)構(gòu)形成第一像素電極261a。
同樣，通過在包括像素電極261a、261b和261c的基板的整個表面上沉積和構(gòu)圖諸如鋁和鋁合金(例如，AlNd)等具有優(yōu)良反射系數(shù)的金屬而在反射部分RA中形成反射電極249。
這樣，沿反射部分RA中的有機(jī)絕緣層247和第一像素電極261a的不平坦結(jié)構(gòu)，反射電極249構(gòu)成不平坦結(jié)構(gòu)。
除了在第一像素電極261a之上形成反射電極249，也可在第一像素電極261a之下形成反射電極249。
同樣，具有黑矩陣281和濾色片282的濾色片基板280與陣列基板200相對。濾色片基板280包括公共電極285。
同樣，用于扭曲電場以實現(xiàn)多疇效應(yīng)的介電突起288形成在公共電極285之上。在陣列基板200和濾色片基板280之間插入垂直排列的LC層270。
由于在驅(qū)動LC時，具有上述結(jié)構(gòu)的三疇VA型LCD器件可使用陣列基板200的像素電極狹縫“s”以及濾色片基板280的介電突起288來以各種方式驅(qū)動LC分子，從而可實現(xiàn)多疇效應(yīng)。這樣，可將第一疇A用作反射部分RA，并且將第二疇B和第三疇C用作透射部分TA，從而可有選擇地驅(qū)動反射模式和透射模式。
在根據(jù)本發(fā)明的三疇結(jié)構(gòu)的透射反射型LCD器件的實施方式中，將第一疇A用作反射部分RA，將第二疇B和第三疇C用作透射部分B和C，從而透射部分TA的區(qū)域大于反射部分RA的區(qū)域，并且因此增大了孔徑比。同樣，由于在反射部分RA中形成存儲電容Cst1，并且在透射部分TA的預(yù)定區(qū)域中形成存儲電容Cst2和Cst3，如用于電連接各疇的連接像素電極，從而可確保存儲電容的電容量。因此，即使當(dāng)為了增大孔徑比而減小反射部分RA的尺寸時，也可補(bǔ)償存儲電容的電容量，從而改善圖像質(zhì)量。
接下來將說明具有上述結(jié)構(gòu)的VA型透射反射型LCD器件的制造方法。
首先，在限定有具有第一疇和第二疇的像素區(qū)域的第一基板上形成柵線、平行于該柵線的存儲線、分支于該存儲線并形成于第一疇中的第一存儲電極，以及形成于第一疇和第二疇之間的邊界中的第二存儲電極。
在該第一基板的整個表面上形成絕緣層。
然后，形成與柵線交叉的數(shù)據(jù)線。這樣，在柵線和數(shù)據(jù)線的交叉點處形成TFT。
各TFT都包括從各柵線突出的柵極、形成于柵極上的絕緣層、形成于與柵極相對應(yīng)的絕緣層部分上的半導(dǎo)體層以及在半導(dǎo)體層上彼此相間隔的源極和漏極。
然后，在第二疇中形成電連接于TFT的透明電極，并且在第一疇中形成與TFT相連接的反射電極。
這樣，在反射電極之下形成透明電極。
在第二存儲電極上形成用于將透明電極與反射電極電連接的連接電極。該連接電極可由與同層的透明電極相同的材料形成。
同樣，設(shè)置與第一基板相對的第二基板，并且在第一基板和第二基板之間插入LC層。
另外，在此還可在反射電極下形成不平坦圖案。
同時，第一疇可以是反射部分，第二疇可以是透射部分，并且進(jìn)一步可形成第三疇。
第一至第三疇基本上具有相同的區(qū)域，并且第二和第三疇可以是透射部分。
可在第一至第三疇之間的邊界中形成用于電連接形成在相鄰疇中的透明電極或反射電極的連接電極。
同樣，在連接電極之下還形成第三存儲電極，從而可在像素區(qū)域中充分確保存儲電容的電容量。
還進(jìn)一步在該第二基板上形成介電突起。在各疇之間的邊界中形成該介電突起以確定LC分子的驅(qū)動方向。
同樣，在透射反射型LCD器件中第二疇的盒間隙基本上為第一疇的盒間隙的兩倍，但并不限于此。
該第二基板還包括形成于與像素的相鄰區(qū)域相對應(yīng)的位置上的黑矩陣，以及形成于與像素區(qū)域相對應(yīng)的區(qū)域上的濾色片。
根據(jù)本發(fā)明的透射反射型LCD器件通過使透射部分的區(qū)域大于反射部分的區(qū)域來增大孔徑比。
同樣，本發(fā)明通過在VA型透射反射型LCD器件中形成多疇并且在各疇之間形成存儲電容來確保總的存儲電容量、改善圖像質(zhì)量特性并且改善視角特性。
對本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說很明顯，可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改進(jìn)和變形。因此，本發(fā)明意在覆蓋所有落入所要求保護(hù)的權(quán)利和等同物范圍內(nèi)的各種改進(jìn)和變形。
權(quán)利要求
1.一種透射反射型液晶顯示器件，包括柵線和數(shù)據(jù)線，其相互交叉設(shè)置在第一基板上，在所述第一基板上限定有具有反射部分和透射部分的像素區(qū)域；薄膜晶體管，其形成在柵線和數(shù)據(jù)線的各交叉點處，并且所述薄膜晶體管包括柵極、半導(dǎo)體層以及源極和漏極；透明電極，其與所述薄膜晶體管相連接并形成于所述透射部分上；反射電極，其與所述薄膜晶體管相連接并形成于所述反射部分上；連接電極，其用于將透明電極與反射電極電連接；第一存儲電極和第二存儲電極，該第一存儲電極形成在所述反射部分上，并且第二存儲電極形成于所述連接電極之下；第二基板，其與所述第一基板相對；以及液晶層，其插入于所述第一基板與所述第二基板之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的透射反射型液晶顯示器件，其特征在于，所述反射部分包括不平坦圖案。
3.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的透射反射型液晶顯示器件，其特征在于，還包括存儲線，其以預(yù)定距離與柵線相間隔并且連接到所述第一存儲電極和第二存儲電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的透射反射型液晶顯示器件，其特征在于，還包括介電層，其形成于所述第二存儲電極和連接電極之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的透射反射型液晶顯示器件，其特征在于，所述液晶層包括垂直對準(zhǔn)的液晶分子。
6.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的透射反射型液晶顯示器件，其特征在于，所述透射部分的區(qū)域大于所述反射部分的區(qū)域。
7.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的透射反射型液晶顯示器件，其特征在于，形成于所述透射部分的透明電極包括狹縫。
8.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的透射反射型液晶顯示器件，其特征在于，所述第二基板包括形成于與像素區(qū)域的相鄰區(qū)域相對應(yīng)的位置中的黑矩陣，以及形成于與像素區(qū)域相對應(yīng)的位置上的濾色片。
9.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的透射反射型液晶顯示器件，其特征在于，所述第二基板還包括介電突起。
10.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的透射反射型液晶顯示器件，其特征在于，所述透射部分的盒間隙為所述反射部分的盒間隙的兩倍。
11.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的透射反射型液晶顯示器件，其特征在于，所述像素區(qū)域包括三個疇，其中第一疇為反射部分，并且各第二疇和第三疇為透射部分。
12.根據(jù)權(quán)利要求
11所述的透射反射型液晶顯示器件，其特征在于，所述第一至第三疇中的至少兩個具有不同的液晶驅(qū)動方向。
13.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的透射反射型液晶顯示器件，其特征在于，還包括在第一基板上的透射部分中具有蝕刻槽的絕緣層。
14.一種透射反射型液晶顯示器件，包括柵線和數(shù)據(jù)線，其相互交叉設(shè)置在基板上，其中所述基板中限定有具有反射部分和透射部分的像素區(qū)域；薄膜晶體管，其形成在柵線和數(shù)據(jù)線的各交叉點處，并且所述薄膜晶體管包括柵極、半導(dǎo)體層以及源極和漏極；透明電極，其與所述薄膜晶體管相連接并形成于所述透射部分上；反射電極，其與所述薄膜晶體管相連接并形成于所述反射部分上；連接電極，其用于將透明電極與反射電極電連接；以及第一存儲電極和第二存儲電極，該第一存儲電極形成在所述反射部分上并且該第二存儲電極形成于所述連接電極之下。
15.根據(jù)權(quán)利要求
14所述的透射反射型液晶顯示器件，其特征在于，所述反射部分包括不平坦圖案。
16.根據(jù)權(quán)利要求
14所述的透射反射型液晶顯示器件，其特征在于，還包括存儲線，其以預(yù)定距離與柵線相間隔并且連接到第一存儲電極和第二存儲電極。
17.根據(jù)權(quán)利要求
14所述的透射反射型液晶顯示器件，其特征在于，還包括介電層，其形成于第二存儲電極和連接電極之間。
18.根據(jù)權(quán)利要求
14所述的透射反射型液晶顯示器件，其特征在于，所述透射部分的區(qū)域大于所述反射部分的區(qū)域。
19.根據(jù)權(quán)利要求
14所述的透射反射型液晶顯示器件，其特征在于，形成于所述透射部分上的透明電極包括狹縫。
20.根據(jù)權(quán)利要求
14所述的透射反射型液晶顯示器件，其特征在于，所述像素區(qū)域包括三個疇，第一疇為反射部分，并且各第二疇和第三疇為透射部分。
21.根據(jù)權(quán)利要求
14所述的透射反射型液晶顯示器件，其特征在于，還包括在基板上的透射部分中具有蝕刻槽的絕緣層。
22.一種透射反射型液晶顯示器件的制造方法，包括如下步驟在第一基板上形成柵線，其中所述第一基板中限定有具有第一疇和第二疇的像素區(qū)域，形成平行于該柵線的存儲線、分支于該存儲線并形成于第一疇上的第一存儲電極以及形成于第一疇和第二疇之間的邊界上的第二存儲電極；在該第一基板的整個表面上形成絕緣層；分別形成與各柵線交叉的數(shù)據(jù)線；在柵線和數(shù)據(jù)線的各交叉點處形成薄膜晶體管；在第二疇上形成連接到薄膜晶體管的透明電極；在第一疇上形成連接到薄膜晶體管的反射電極；在第二存儲電極上形成用于將透明電極與反射電極電連接的連接電極；設(shè)置與第一基板相對的第二基板；以及在第一基板和第二基板之間插入液晶層。
23.根據(jù)權(quán)利要求
22所述的方法，其特征在于，還包括在反射電極下形成不平坦圖案。
24.根據(jù)權(quán)利要求
22所述的方法，其特征在于，所述液晶層包括垂直對準(zhǔn)的液晶分子。
25.根據(jù)權(quán)利要求
22所述的方法，其特征在于，所述第一疇為反射部分，并且所述第二疇為透射部分。
26.根據(jù)權(quán)利要求
22所述的方法，其特征在于，所述像素區(qū)域還包括第三疇。
27.根據(jù)權(quán)利要求
26所述的方法，其特征在于，所述第三疇包括附加的透明電極，并且在第三疇和第二疇透明電極之間形成附加的連接電極。
28.根據(jù)權(quán)利要求
27所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步在所述附加的連接電極之下形成第三存儲電極。
29.根據(jù)權(quán)利要求
22所述的方法，其特征在于，還包括在第二基板上與像素區(qū)域的相鄰區(qū)域相對應(yīng)的部分上形成黑矩陣；以及在與像素區(qū)域相對應(yīng)的位置上形成濾色片。
30.根據(jù)權(quán)利要求
22所述的方法，其特征在于，還進(jìn)一步包括在第二基板上形成介電突起。
31.根據(jù)權(quán)利要求
22所述的方法，其特征在于，所述第二疇的盒間隙基本上為第一疇的盒間隙的兩倍。
32.根據(jù)權(quán)利要求
22所述的方法，其特征在于，所述第一疇和第二疇具有不同的液晶驅(qū)動方向。
33.根據(jù)權(quán)利要求
22所述的方法，其特征在于，還包括在第一基板上的透射部分中形成具有蝕刻槽的絕緣層。
專利摘要
本發(fā)明公開了一種透射反射型LCD器件，其可在具有多疇的VA型透射反射型LCD器件中有選擇地使用反射模式和透射模式。該透射反射型LCD器件通過使透射部分的區(qū)域大于反射部分的區(qū)域而增大孔徑比，通過在VA型透射反射型LCD器件中形成多疇并且在各疇之間形成存儲電容來確保總的存儲電容量、改善圖像質(zhì)量特性并且改善視角特性。
文檔編號G02F1/133GK1991553SQ200610144909
公開日2007年7月4日 申請日期2006年11月22日
發(fā)明者南喆, 樸丙鎬 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan